一种MiniLED转移工艺的制作方法

一种mini led转移工艺
技术领域
1.本技术涉及半导体显示技术的领域，更具体地说，它涉及一种mini led转移工艺。


背景技术：

2.随着半导体制造技术的不断发展，led芯片led芯片向着薄膜化、微小化、阵列化的发展。目前高端的led芯片已经全面迈入了微米时代，mini led芯片的尺寸在100～300微米之间，芯片尺寸微小化、芯片数量规模化对芯片转移的精度和效率提出了严格的要求，精度效率的高低直接影响了芯片的良率。
3.目前常规使用的一种mini led转移工艺为机械刺晶法，机械刺晶法是将芯片与电路基板对位后，通过顶针将排列在芯片晶粒载体上的芯片晶粒从载体上刺落，使得芯片晶粒安装于电路基板，而顶针刺落芯片晶粒时，需要与芯片晶粒接触，容易对芯片晶粒产生损伤，降低芯片晶粒的转移效率，从而降低制得的mini led的产品质量。


技术实现要素：

4.为了提高mini led中芯片的转移效率，提升mini led的产品质量，本技术提供一种mini led转移工艺。
5.第一方面，本技术提供一种mini led转移工艺，采用如下的技术方案：一种mini led转移工艺，包括如下步骤：步骤1、分选：将外延生长于原片临时蓝膜上的芯片进行分选，分选后的芯片置于方片蓝膜上；步骤2、倒膜：将步骤1中进行分选后的芯片进行倒膜，倒膜后芯片粘贴于白膜载体，所述白膜载体从上至下依次包括白膜基材、中胶膜和表膜，所述芯片粘贴于所述白膜载体的表膜表面，所述白膜基材为pet膜或ptfe膜；步骤3、激光转移：将步骤2中粘贴有芯片的白膜载体与电路基板的焊接区域进行对位，采用激光振镜对白膜载体的白膜基材表面进行激光照射，白膜载体的中胶膜收缩鼓包形成凸起，产生向下推力，白膜载体的表膜表面失去粘性，芯片从白膜载体的表膜表面脱落，芯片阵列式转移至电路基板的焊接区域上；步骤4、焊接：采用线激光扫描电路基板上的焊锡膏，将芯片焊接于电路基板的焊接区域上,完成芯片转移。
6.通过采用上述技术方案，以蓝宝石作为芯片衬底，形成原片临时蓝膜，以外延生长法在原片临时蓝膜表面制备芯片，后将生长于原片临时蓝膜的芯片进行分选，分选时将相同色光种类的芯片进行分选排列，分选后具有相同色光的芯片稳定有序排列于方片蓝膜上，后将方片蓝膜上的芯片进行倒膜，便于后续对芯片进行转移，倒膜后使得方片蓝膜上的芯片稳定粘贴于白膜载体的表膜表面，此时芯片稳定排列于白膜载体上，白膜载体是以pet膜或者ptfe膜作为白膜基材制备的，pet膜或者ptfe膜对芯片具有较好的承托作用，然后将白膜载体上的芯片与电路基板上的焊接区域进行对位，使得芯片精确对准电路电路基板的
焊接区域，采用激光振镜发射紫外激光脉冲能量对白膜载体的白膜基材表面进行激光照射，白膜载体的白膜基材不会发生变化，而白膜载体的表膜受到紫外激光脉冲能量照射后固化失去粘接性，而白膜载体的中胶膜受到紫外激光脉冲能量照射而发生收缩鼓包，形成凸起，对表膜的芯片产生推力，将芯片向下推，使得芯片稳定掉落至下方电路基板的焊接区域，最后采用线激光将芯片焊接在电路基板的焊接区域，以此完成芯片的激光转移。
7.本技术的激光转移工艺，采用表膜具有粘性的白膜载体承载芯片，通过紫外激光脉冲能量照射将芯片转移至电路基板，相对于传统机械刺晶方法来说，不会对芯片表面造成损伤，激光转移时，通过紫外激光脉冲能量照射，以矩阵式同时将多个芯片转移并焊接于电路基板的焊接区域，芯片的转移效率较高，制得的miniled产品的良品率高。
8.优选的，所述白膜载体的中胶膜由以下重量份的原料制得：聚酰亚胺树脂10-20份聚氨酯丙烯酸酯28-48份丙烯酸羟乙酯14-22份三羟甲基丙烷三甲基丙烯酸酯8-15份1-羟基-环己基-苯基甲酮3-8份固化助剂3-10份高岭土18-28份。
9.通过采用上述技术方案，以聚酰亚胺树脂和聚氨酯丙烯酸酯作为树脂体系，以丙烯酸羟乙酯和三羟甲基丙烷三甲基丙烯酸酯作为活性稀释剂，以1-羟基-环己基-苯基甲酮作为光引发剂，并在体系中加入高岭土，提升制得的中胶膜的力学性能，而固化助剂能够对树脂体系的固化起到较好的协同作用，使得树脂体系在受到紫外激光照射时，能够较好的发生内聚收缩反应，以此制得的中胶膜具有较好的稳定性，能够在紫外激光照射下内聚收缩固化，对芯片产生稳定推力，实现芯片的稳定转移。
10.优选的，所述固化助剂由质量比为1:(0.3-0.5)的甲基丙烯酸缩水甘油醚和二乙二醇组成。
11.通过采用上述技术方案，以较优比例的甲基丙烯酸缩水甘油醚和二乙二醇作为固化助剂，当树脂体系受到紫外激光照射后，能够使得中胶膜稳定地发生收缩内聚反应而迅速固化鼓包产生凸起，当甲基丙烯酸缩水甘油醚的含量较高时，中胶膜的收缩内聚反应效率会降低，使得中胶膜的收缩鼓包效率降低。
12.优选的，所述聚酰亚胺树脂和所述聚氨酯丙烯酸酯的质量比为(0.55-0.65):1。
13.通过采用上述技术方案，聚酰亚胺树脂具有较好的光敏作用和柔韧性，聚氨酯丙烯酸酯分子中含有丙烯酸官能团和氨基甲酸酯键，固化后具有高粘附力和柔韧性，当树脂体系受到紫外激光照射后，较优比例的聚酰亚胺树脂和聚氨酯丙烯酸酯形成的树脂体系能够稳定地进行收缩鼓包，形成的鼓包凸起不易破裂，能够稳定地对芯片产生推力，使得芯片稳定转移。
14.优选的，所述白膜载体的中胶膜由以下步骤制得：a1、将聚酰亚胺树脂、聚氨酯丙烯酸酯、丙烯酸羟乙酯、三羟甲基丙烷三甲基丙烯酸酯和高岭土加入至反应设备中，升温至50-70℃，搅拌1-2h，制得混合物ⅰ；a2、向上述a1步骤中制得的混合物ⅰ中加入1-羟基-环己基-苯基甲酮和固化助剂，
搅拌1-2h，制得中胶膜胶水；a3、将中胶膜胶水涂覆于白膜基材表面，形成中胶膜，中胶膜的厚度为0.2-1mm。
15.通过采用上述技术方案，在较优的温度条件下，将高岭土加入至树脂体系中，使得高岭土稳定且均匀分散于树脂体系中，后向树脂体系中加入光引发剂和固化助剂，制得中胶膜胶水，以此制备方法制得的中胶膜胶水体系具有较好的分散性和固化性能。
16.优选的，所述白膜载体的表膜由以下步骤制得：b1、按重量份计，将30-40份环氧丙烯酸酯、12-18份甲基丙烯酸羟乙酯、10-15份棕榈蜡和1.5-3.5份聚二甲基硅氧烷加入至反应设备中，升温至70-90℃，搅拌0.5-1h，制得混合物a；b2、将混合物a降温至25-35℃后，加入3-6份2-羟基-2-甲基-1-苯基甲酮，搅拌0.5-1.5h后制得表膜胶水；b3、将b2步骤中制得的表膜胶水涂覆于白膜载体的中胶膜表面，形成表膜，表膜的厚度为0.05-0.2mm。
17.通过采用上述技术方案，以环氧丙烯酸酯为树脂主体，以甲基丙烯酸羟乙酯为活性稀释剂，以2-羟基-2-甲基-1-苯基甲酮为光引发剂，制得具有较快固化速率的表膜胶水，在较优的温度条件下向体系中加入棕榈蜡和聚二甲基硅氧烷，棕榈蜡具有较好的润滑作用，聚二甲基硅氧烷具有较好的润湿和脱模作用，棕榈蜡和聚二甲基硅氧烷产生较好的协同作用，当表膜胶水受到激光照射后迅速固化，在棕榈蜡和聚二甲基硅氧烷的共同作用下，使得固化的表膜具有较好的脱膜作用，表膜失去粘接性，且表膜胶水在芯片表面不会产生残留，使得粘接于表膜表面的芯片从表膜表面稳定脱落并转移至电路基板的焊接区域。
18.涂覆的表膜厚度为0.05-0.2mm，在较优的厚度下表膜在未固化前能稳定地将芯片进行粘贴，在受到激光照射时能够快速进行固化而使得芯片从表膜脱落，当表膜厚度较小时，对芯片的粘贴稳定性下降，而当表膜的厚度较厚时，在受到激光照射时固化时间延长，降低芯片的脱落效率。
19.在本技术的优选实施例中，表膜的厚度可以为0.05mm、0.06mm、0.07mm、0.08mm、0.09mm、0.1mm、0.12mm、0.14mm、0.16mm、0.18mm或0.2mm。
20.优选的，所述芯片的尺寸为100-150μm。
21.通过采用上述技术方案，芯片尺寸符合miniled产品的要求，本技术的技术方案可以较好地实现miniled的芯片的转移。
22.在本技术的优选实施例中，芯片的尺寸可以为100μm、110μm、120μm、130μm、140μm或150μm。
23.优选的，所述步骤3中，所述白膜载体与所述电路基板之间的距离为0.1-1mm。
24.通过采用上述技术方案，较优的白膜载体和电路基板之间的距离，能够使得芯片稳定脱落至电路基板的焊接区域，当白膜载体受到激光照射后，白膜基材不发生变化，而中胶膜发生收缩鼓包而凸起，表膜固化失去粘性，中胶膜的鼓包凸起产生向下的推力，使得芯片稳定脱落，当白膜载体与电路基板之间的距离较大时，芯片脱落至电路基板的焊接区域的稳定性会降低。
25.在本技术的优选实施例中，白膜载体与所述电路基板之间的距离可以为0.1mm、0.2mm、0.3mm、0.4mm、0.5mm、0.6mm、0.7mm、0.8mm、0.9mm或1mm。
26.优选的，所述步骤3中，所述单颗芯片的转移时间为3-5ms。
27.相对于传统的机械刺晶法来说，本技术的激光转移工艺的芯片转移效率明显提升，传统的机械刺晶中，单颗芯片的转移时间一般为12.5-15ms，而本技术的单颗芯片的转移时间为3-5ms，转移效率为传统机械刺晶法的2-3倍。
28.在本技术的优选实施例中，单颗芯片的转移时间可以为3ms、4ms或5ms。
29.优选的，所述电路基板为bt软铜板。
30.通过采用上述技术方案，以bt软铜板作为电路基板进行激光转移，形成阵列式的芯片pcb，实现mini led的芯片的转移。
31.综上所述，本技术具有以下有益效果：1、本技术的一种mini led转移工艺，通过将芯片粘贴于表膜具有粘性的白膜载体上，采用紫外激光脉冲照射白膜载体的白膜基材，照射后白膜载体的白膜基材不发生变化，而白膜载体的表膜固化失去粘性，中胶膜发生反应收缩鼓包形成凸起，产生向下的推力，使得芯片呈矩阵式稳定转移至电路基板的焊接区域上，本技术的激光转移方法相对于传统机械刺晶法来说，对芯片的转移效率高，转移过程对芯片无损伤，提升了mini led的产品质量。
32.2、本技术的白膜载体的中胶膜，以较优比例的聚酰亚胺树脂和聚氨酯丙烯酸酯作为光固化树脂体系，并向体系中引入高岭土，提升树脂体系的力学性能，并以较优比例的甲基丙烯酸缩水甘油醚和二乙二醇作为固化助剂，以此制得的中胶膜在受到紫外激光照射后能够迅速发生内聚收缩反应而固化，形成鼓包凸起，对粘贴于表膜的芯片产生向下的推力，使得芯片稳定地进行转移。
33.3、本技术的白膜载体的表膜是以环氧丙烯酸酯为树脂主体，以甲基丙烯酸羟乙酯为活性稀释剂，以2-羟基-2-甲基-1-苯基甲酮为光引发剂，并在体系中加入棕榈蜡和聚二甲基硅氧烷，制得的表膜胶水具有较快的固化效率，在紫外激光脉冲能量照射后能够迅速固化，且固化后的表膜具有较好的脱膜效果，表膜失去对芯片的粘性，且不会在芯片表面产生残留，使得芯片稳定掉落并转移至电路基板的焊接区域。
附图说明
34.图1是本技术的一种mini led转移工艺的芯片分选的结构示意图；图2是本技术的一种mini led转移工艺的芯片倒膜的结构示意图；图3是本技术的一种mini led转移工艺的芯片转移的结构示意图；图4是本技术的一种mini led转移工艺的芯片转移的转移过程示意图。
35.附图标记：10、原片临时蓝膜；1、芯片；2、方片蓝膜；3、白膜载体；31、白膜基材；32、中胶膜；33、表膜；4、电路基板；41、焊锡膏。
具体实施方式
36.以下结合附图1-4和实施例对本技术作进一步详细说明。
37.以下为本技术的部分原料来源：1、聚酰亚胺树脂：光敏聚酰亚胺树脂，分子量：1500-2500；
2、聚氨酯丙烯酸酯：含量99％，粘度(cps,60℃):6000-10000；3、高岭土：1500-2000目煅烧高岭土；4、甲基丙烯酸缩水甘油醚：含量99％；5、环氧丙烯酸酯：2官能度，粘度(cps/25℃)：10000-15000；6、棕榈蜡：皂化值78-88mg。
38.白膜载体3的制备例制备例1白膜载体3由以下步骤制得：1)白膜基材31：以pet膜或ptfe膜作为白膜载体3的白膜基材31；2)中胶膜32的制备：a1、将5kg聚酰亚胺树脂、19kg聚氨酯丙烯酸酯、7kg丙烯酸羟乙酯、4kg三羟甲基丙烷三甲基丙烯酸酯和9kg高岭土加入至反应设备中，升温至50℃，搅拌1h，制得混合物ⅰ；a2、向上述a1步骤中制得的混合物ⅰ中加入1.5kg1-羟基-环己基-苯基甲酮1.15kg甲基丙烯酸缩水甘油醚和0.35kg二乙二醇，搅拌1h，制得中胶膜胶水；a3、将中胶膜胶水涂覆于白膜基材31表面，形成中胶膜32，中胶膜32的厚度为0.2mm；3)表膜33的制备：b1、将15kg环氧丙烯酸酯、6kg甲基丙烯酸羟乙酯、5kg棕榈蜡和0.75kg聚二甲基硅氧烷加入至反应设备中，升温至70℃，搅拌0.5h，制得混合物a；b2、将混合物a降温至25℃后，加入1.5kg2-羟基-2-甲基-1-苯基甲酮，搅拌0.5h后制得表膜胶水；b3、将b2步骤中制得的表膜胶水涂覆于白膜载体3的中胶膜32表面，形成表膜33，表膜33的厚度为0.05mm；以此制备得到白膜载体3。
39.制备例2-3制备例2-3与制备例1的区别在于，制备例2-3中，白膜基材31的来源、中胶膜32和表膜33的制备原料的用量和反应条件不同，具体参见下表1。
40.表1制备例1-3的白膜载体3的制备原料用量和反应条件表
制备例4制备例4与制备例3的区别在于，制备例4中的中胶膜32制备的聚酰亚胺树脂和聚氨酯丙烯酸酯的用量和比例不同，聚酰亚胺树脂的用量为9.1kg，聚氨酯丙烯酸酯的用量为14kg，其他与制备例3相同。
41.制备例5制备例5与制备例3的区别在于，制备例5中的中胶膜32制备的聚酰亚胺树脂和聚氨酯丙烯酸酯的用量和比例不同，聚酰亚胺树脂的用量为7.7kg，聚氨酯丙烯酸酯的用量为14kg，其他与制备例3相同。
42.制备对比例1制备对比例1与制备例3的区别在于，制备对比例1中，中胶膜32制备的二乙二醇的用量为0.67kg，其他与制备例3相同。
43.制备对比例2制备对比例2与制备例3的区别在于，制备对比例2中，中胶膜32制备中，将聚酰亚胺树脂等量替换为聚氨酯丙烯酸酯，其他与制备例3相同。
44.制备对比例3制备对比例3与制备例3的区别在于，制备对比例3中，表膜33制备中，将聚二甲基硅氧烷等量替换为棕榈蜡，其他与制备例3相同。
45.制备对比例4制备对比例4与制备例3的区别在于，制备对比例4中，将直接将表膜胶水涂覆于白膜基材31表面，制得白膜载体3，白膜基材31的材质和表膜胶水的制备与与制备例3相同。实施例
46.实施例1一种mini led转移工艺，包括以下步骤：步骤1、参照图1，分选：将外延生长于原片临时蓝膜10上的芯片1进行分选，分选出100pcs锡电级g色光的芯片1有序排列于方片蓝膜2上，芯片1的尺寸为100μm；步骤2、参照图2，倒膜：将步骤1中进行分选后的100pcs锡电级g色光的芯片1进行倒膜，倒膜后芯片1粘贴于制备例1中制备的白膜载体1，白膜载体3从上至下依次包括白膜基材31、中胶膜32和表膜33，芯片1粘贴于白膜载体3的表膜33表面；步骤3、参照图3和图4，激光转移：以bt软铜板作为电路基板4，将步骤2中粘贴有芯片1的白膜载体3与电路基板4的焊接区域进行对位，白膜载体3与电路基板4之间的距离为0.1mm，采用激光振镜对白膜载体3的白膜基材31表面进行激光照射，白膜载体3的中胶膜32收缩鼓包形成凸起，产生向下推力，白膜载体3的表膜33表面失去粘性，芯片1从白膜载体3
的表膜33表面脱落，芯片1阵列式转移至电路基板4的焊接区域上，其中，单颗芯片1的转移时间为4ms；步骤4、参照图3和图4，焊接：采用线激光扫描电路基板4上的焊锡膏41，将芯片1焊接于电路基板4的焊接区域上,完成芯片1的转移。
47.实施例2-8实施例2-8与实施例1的区别在于，白膜载体的制备来源不同，实施例2-8中的白膜载体的制备来源如下表2。
48.表2实施例2-8的白膜载体的制备来源表对比例对比例1对比例1与实施例2的区别在于，对比例1中采用制备对比例4中的白膜载体，其他与实施例2相同。
49.性能检测试验以上述实施例1-8和对比例1中100pcs锡电级g色光的芯片1作为验证对象，使用激光振镜按照上述实施例1-8和的对比例1中的转移工艺进行扫描转移，激光振镜的转移参数如下：激光波长：343nm；激光频率：400khz；激光振镜扫描范围：40*40mm；激光转移后对制得的mini led产品进行性能测试，测试结果记录如下表3。
50.表3实施例1-8和对比例1制得的mini led产品的性能测试表
结合实施例1-3和实施例6并结合表3可以看出，中胶膜32中采用较优比例的固化助剂，使得中胶膜32在紫外激光照射后进行固化时，收缩鼓包，产生推力，使得芯片1能够稳定转移至电路基板4，转移后的mini led产品转移推力符合要求，100pcs芯片1均能被点亮，芯片1转移精度也符合要求，而实施例6中，中胶膜32中的二乙二醇含量降低，使得中胶膜32在紫外激光照射后不能较好地及时收缩，对芯片1的推力降低，转移后部分芯片1不能被点亮，且芯片1的转移精度也不符合要求。
51.结合实施例1-5和实施例7并结合表3可以看出，采用较优比例的聚酰亚胺树脂和聚氨酯丙烯酸酯作为中胶膜32的树脂体系，当中胶膜32固化收缩鼓包时，中胶膜32能够稳定鼓包产生稳定推力，转移后的mini led产品转移推力符合要求，100pcs芯片1均能被点亮，芯片1转移精度也符合要求，而实施例7中，单独使用聚氨酯丙烯酸酯作为中胶膜32的树脂体系时，中胶膜32固化后不能较好的收缩鼓包，对芯片1的推力降低，转移后部分芯片1不能被点亮，且芯片1的转移精度也不符合要求。
52.结合实施例1-3和实施例8并结合表3可以看出，表膜33中采用棕榈蜡和聚二甲基硅氧烷，当表膜33受到紫外激光照射后能够迅速失去粘性，使得芯片1稳定转移，转移后的mini led产品转移推力符合要求，芯片1表面没有残胶残留，100pcs芯片1均能被点亮，芯片1转移精度也符合要求，而实施例8中，单独使用棕榈蜡时，转移后的芯片1表面有残胶，芯片1的转移精度也不符合要求。
53.结合实施例1-8和对比例1并结合表3可以看出，采用本技术的白膜载体1作为芯片转移的载体，能够提升芯片1的转移效率，转移后的mini led产品的质量较好，良品率高。
54.本具体实施例仅仅是对本技术的解释，其并不是对本技术的限制，本领域技术人员在阅读完本说明书后可以根据需要对本实施例做出没有创造性贡献的修改，但只要在本技术的权利要求范围内都受到专利法的保护。

技术特征：
1.一种miniled转移工艺，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、分选：将外延生长于原片临时蓝膜（10）上的芯片（1）进行分选，分选后的芯片（1）置于方片蓝膜（2）上；步骤2、倒膜：将步骤1中进行分选后的芯片（1）进行倒膜，倒膜后芯片（1）粘贴于白膜载体（3），所述白膜载体（3）从上至下依次包括白膜基材（31）、中胶膜（32）和表膜（33），所述芯片（1）粘贴于所述白膜载体（3）的表膜（33）表面，所述白膜基材（31）为pet膜或ptfe膜；步骤3、激光转移：将步骤2中粘贴有芯片（1）的白膜载体（3）与电路基板（4）的焊接区域进行对位，采用激光振镜对白膜载体（3）的白膜基材（31）表面进行激光照射，白膜载体（3）的中胶膜（32）收缩鼓包形成凸起，产生向下推力，白膜载体（3）的表膜（33）表面失去粘性，芯片（1）从白膜载体（3）的表膜（33）表面脱落，芯片（1）阵列式转移至电路基板（4）的焊接区域上；步骤4、焊接：采用线激光扫描电路基板（4）上的焊锡膏（41），将芯片（1）焊接于电路基板（4）的焊接区域上,完成芯片（1）转移。2.根据权利要求1所述的一种miniled转移工艺，其特征在于：所述白膜载体（3）的中胶膜（32）由以下重量份的原料制得：聚酰亚胺树脂10-20份聚氨酯丙烯酸酯28-48份丙烯酸羟乙酯14-22份三羟甲基丙烷三甲基丙烯酸酯8-15份1-羟基-环己基-苯基甲酮3-8份固化助剂3-10份高岭土18-28份。3.根据权利要求2所述的一种miniled转移工艺，其特征在于：所述固化助剂由质量比为1:（0.3-0.5）的甲基丙烯酸缩水甘油醚和二乙二醇组成。4.根据权利要求2所述的一种miniled转移工艺，其特征在于：所述聚酰亚胺树脂和所述聚氨酯丙烯酸酯的质量比为（0.55-0.65）:1。5.根据权利要求2-4任一项所述的一种miniled转移工艺，其特征在于：所述白膜载体（3）的中胶膜（32）由以下步骤制得：a1、将聚酰亚胺树脂、聚氨酯丙烯酸酯、丙烯酸羟乙酯、三羟甲基丙烷三甲基丙烯酸酯和高岭土加入至反应设备中，升温至50-70℃，搅拌1-2h，制得混合物ⅰ；a2、向上述a1步骤中制得的混合物ⅰ中加入1-羟基-环己基-苯基甲酮和固化助剂，搅拌1-2h，制得中胶膜胶水；a3、将中胶膜胶水涂覆于白膜基材（31）表面，形成中胶膜（32），中胶膜（32）的厚度为0.2-1mm。6.根据权利要求1所述的一种miniled转移工艺，其特征在于：所述白膜载体（3）的表膜（33）由以下步骤制得：b1、按重量份计，将30-40份环氧丙烯酸酯、12-18份甲基丙烯酸羟乙酯、10-15份棕榈蜡和1.5-3.5份聚二甲基硅氧烷加入至反应设备中，升温至70-90℃，搅拌0.5-1h，制得混合物a；
b2、将混合物a降温至25-35℃后，加入3-6份2-羟基-2-甲基-1-苯基甲酮，搅拌0.5-1.5h后制得表膜胶水；b3、将b2步骤中制得的表膜胶水涂覆于白膜载体（3）的中胶膜（32）表面，形成表膜（33），表膜（33）的厚度为0.05-0.2mm。7.根据权利要求1所述的一种mini led转移工艺，其特征在于：所述芯片（1）的尺寸为100-150
µ
m。8.根据权利要求1所述的一种mini led转移工艺，其特征在于：所述步骤3中，所述白膜载体（3）与所述电路基板（4）之间的距离为0.1-1mm。9.根据权利要求1所述的一种mini led转移工艺，其特征在于：所述步骤3中，所述单颗芯片（1）的转移时间为3-5ms。10.根据权利要求1所述的一种mini led转移工艺，其特征在于：所述电路基板（4）为bt软铜板。

技术总结
本申请涉及半导体显示技术领域，具体公开一种Mini LED转移工艺，步骤1、将外延生长于原片临时蓝膜的芯片分选，分选后的芯片置于方片蓝膜；步骤2、将分选后的芯片倒膜，倒膜后芯片粘贴于白膜载体，白膜载体包括白膜基材、中胶膜和表膜，芯片粘贴于白膜载体的表膜表面；步骤3、将粘贴有芯片的白膜载体与电路基板的焊接区域对位，采用激光振镜对白膜基材表面进行激光照射，中胶膜收缩鼓包凸起，表膜表面失去粘性，芯片从表膜脱落，阵列式转移至电路基板；步骤4、采用线激光扫描电路基板上的焊锡膏，将芯片焊接于电路基板，本申请的Mini LED转移工艺对芯片的转移效率高，对芯片无损伤，制得的Mini LED产品质量好。LED产品质量好。LED产品质量好。


技术研发人员：邱国诚 周峻民 李浩然 黄驰峰
受保护的技术使用者：东莞市德镌精密设备有限公司
技术研发日：2023.04.13
技术公布日：2023/8/22