一种薄膜硅烷化表面改性系统

1.本发明涉及表面改性技术领域，进一步地涉及一种薄膜硅烷化表面改性系统。


背景技术：

2.柔性聚合物薄膜材料例如聚酰亚胺、聚酯、氟塑料等因其质量轻、加工性能好、力学性能优以及优良的光热性能，是航天器表面用关键材料，用于有效保护航天器免受低地球轨道中的不利空间环境因素的损害。低地球轨道的空间环境存在大量强氧化性的原子氧，高动能高氧化活性的原子氧容易对航天器表面的聚合物薄膜材料易造成严侵蚀，从而严重影响航天器的使用寿命，所以需要对航天器组件的聚合物薄膜材料进行防护处理。通过抗原子氧表面改性方式处理形成组成梯度渐变的防护层是近期发展起来的关键技术，能解决聚合物薄膜材料被原子氧侵蚀的问题，并保留聚合物材料原有的使用性能。
3.随着航天器的不断迭代发展，对聚合物薄膜的尺寸及性能提出了更高的要求，现有技术中的表面改性系统只能较好地完成小尺寸的薄膜材料的改性处理，而且现有技术中的表面改性系统的薄膜固定装置只适合处理半刚性材料，难以完成大尺寸柔性薄膜材料的改性处理，对于柔性薄膜材料的固定存在对基材损伤的问题。


技术实现要素：

4.针对上述技术问题，本发明的目的在于提供一种薄膜硅烷化表面改性系统及使用方法，解决了现有技术中的问题。
5.为了实现上述目的，本发明提供一种薄膜硅烷化表面改性系统，包括：
6.薄膜固定装置，包括固定框，所述固定框的内框上设置有若干夹持组件，所述夹持组件用于将待处理薄膜固定并延展于所述固定框上；
7.薄膜硅烷化处理装置，包括第一壳体，所述第一壳体开设有第一容纳腔，所述第一容纳腔内设置有反应容器，所述反应容器内开设有反应槽，所述反应槽内充满硅烷试剂，所述反应容器上对应所述反应槽的两侧还设置有第一加热装置，所述第一加热装置用于加热所述硅烷试剂以加快硅烷化反应，所述反应槽与所述固定框相匹配，使所述待处理薄膜可通过所述固定框在所述反应容器内展开并进行硅烷化处理；
8.薄膜热处理装置，用于加热烘干处理已硅烷化处理的所述待处理薄膜。
9.通过待处理薄膜在夹持组件的夹持作用下固定展开于内框内，再通过人工或提拉机构转移夹持有待处理薄膜的固定框至反应槽内，在反应槽内与在第一加热装置加热作用下的硅烷试剂充分接触，使得待处理薄膜的表面完成活化硅烷化反应，再将完成硅烷化反应的待处理薄膜和固定框通过人工或提拉机构从反应槽内转移至薄膜热处理装置内，对已硅烷化处理的所述待处理薄膜加热烘干处理，从而完成待处理薄膜表面改性。
10.在一些实施方式中，所述固定框包括；
11.凹形连接件，所述凹形连接件设置于所述固定框靠近所述夹持组件的一侧；
12.l型连接件，所述l型连接件设置于所述夹持组件靠近所述凹形连接件的一侧，所
述l型连接件上开设有条形孔，所述凹形连接件上有开设有固定孔的凹槽，所述条形孔和所述固定孔通过松紧螺钉贯穿连接，使得所述l型连接件连接配合于所述凹形连接件的凹槽内，并在松紧螺钉放松状态下能够完成滑动动作。
13.通过在凹形连接件上滑动l型连接件以调整待处理薄膜的展开松紧程度，以避免夹持拉力过大导致待处理薄膜受损或夹持力度过小导致待处理薄膜上出现褶皱的情况。
14.在一些实施方式中，所述夹持组件包括：
15.夹件，包括第一夹条和第二夹条，所述第一夹条和所述第二夹条通过若干所述铰链结构铰接，所述第一夹条靠近所述第二夹条的一侧设置有凹齿结构，所述第二夹条靠近所述第一夹条的一侧设置有凸齿结构，所述凹齿结构与所述凸齿结构对应卡合；
16.若干压紧件，所述压紧件卡夹于所述夹件上，所述压紧件上设置有手动蝶形螺丝，以用于调节夹持在两组所述夹条上的所述待处理薄膜的压力。
17.通过所述凹齿结构与所述凸齿结构对应卡合，有效避免待处理薄膜脱落，通过手动调节蝶形螺丝以调节压紧件的夹持力度，进而调节夹持在两组所述夹条上的所述待处理薄膜的压力，有效避免因为夹持力度过小导致待处理薄膜脱落或夹持力度过大导致待处理薄膜受损的情况。
18.在一些实施方式中，
19.所述反应槽包括上部槽和与所述上部槽垂直连通的下部槽，所述上部槽与所述下部槽组成t型槽，所述上部槽的开口与所述第一容纳腔的开口相对应，所述下部槽与所述上部槽的连接处均设置有倒角。
20.下部槽和上部槽组成t型槽，不仅利于减少硅烷试剂的使用量以有效降低成本，同时有效避免硅烷试剂加热后硅烷试剂体积膨胀溢出的情况，倒角的设定使固定框更顺利放入下部槽内。
21.在一些实施方式中，所述第一加热装置包括若干第一加热管，若干所述第一加热管紧贴设置于所述下部槽两侧槽壁的外侧，若干所述第一加热管之间的空隙设置有保温棉。
22.加热管用于给反应槽中硅烷试剂加热提供热源，以加速待处理薄膜的硅烷化反应，加热管之间填充有保温棉以反应槽中硅烷试剂的温度，改善薄膜硅烷化处理装置的保温性能，从而减少热能的流失。
23.在一些实施方式中，薄膜热处理装置包括第二壳体，所述第二壳体上开设有第二容纳腔，所述第二容纳腔内设置有放置容器，所述放置容器开设有加热烘干槽，所述第二壳体内还设置有第二加热装置，所述第二加热装置位于所述加热烘干槽的两侧侧壁外，所述加热烘干槽与所述固定框相匹配，使得已硅烷化处理的所述待处理薄膜于所述放置容器内经过所述第二加热装置进行热处理。
24.在一些实施方式中，所述放置容器的侧壁开设有第一开口，所述第一开口处可装卸设置有第一密封门；
25.所述薄膜热处理装置还包括移动轨道和与所述移动轨道对应的移动支架，所述移动轨道设置于所述放置容器的底部，且穿过所述第一开口向外延伸，所述移动支架上设置有用于固定所述固定框的固定座，使得所述待处理薄膜能够沿着所述移动轨道转移至所述放置容器的预定位置。
26.移动轨道的设定使得固定有待处理薄膜的固定框能够快速稳定地输送至加热烘干槽内，以便后续的待处理薄膜加热烘干处理。
27.在一些实施方式中，所述放置容器上与所述移动轨道相平行的侧壁均开设若干循环风孔；
28.所述第二加热装置包括：若干第二加热管，所述第二加热管分别固定设置于所述放置容器两侧槽壁的外侧；
29.若干循环风叶轮，所述循环风叶轮均设置于所述放置容器的顶部。
30.通过循环风叶轮和若干循环风孔的配合，使得在关闭第一密封门后，放置槽内能够形成一个热风循环，以加速对待处理薄膜的热处理。
31.在一些实施方式中，所述第二壳体对应所述第一开口的另一侧侧壁开设第二开口，所述第二开口可装卸地连接有第二密封门；
32.所述薄膜热处理装置的数量为两个，两个所述薄膜热处理装置通过若干连接组件连接，所述第一开口和所述第二开口对应接触。
33.通过将两个薄膜热处理装置组合连通，形成一个空间更长的放置槽，以供尺寸更长的待处理薄膜加热烘干处理，使得整个系统的适用范围更广。
34.在一些实施方式中，所述连接组件包括：
35.两个连接件，两个所述连接件分别设置固定于两个所述薄膜热处理装置上的对应位置；
36.连接螺栓，所述连接螺栓通过紧固螺母连接两个所述连接件。
37.通过本发明提供的一种薄膜硅烷化表面改性系统，能够带来以下至少一种有益效果：
38.1、本发明所提供的薄膜硅烷化表面改性系统，通过增加薄膜固定装置来解决待处理薄膜的固定问题，同时设置与固定框相匹配的反应容器，使得待处理薄膜能够以被展开固定的状态进入反应容器内的反应槽，从而薄膜充分与反应槽内的硅烷试剂充分接触，再在第一加热装置的加热作用下加速进行硅烷化处理，然后将已硅烷化处理的所述待处理薄膜放入薄膜热处理装置内进行加热烘干处理，以使待处理薄膜上已被活化硅烷化反应后的表面热稳定化。
39.2、本发明所提供的薄膜硅烷化表面改性系统，通过增加凹形连接件和l型连接件使得固定框可以在夹持固定待处理薄膜的同时，通过在凹形连接件上滑动l型连接件以调整待处理薄膜的展开松紧程度，以避免夹持拉力过大导致待处理薄膜受损或夹持力度过小导致待处理薄膜上出现褶皱的情况。
附图说明
40.下面将以明确易懂的方式，结合附图说明优选实施方式，对本发明的上述特性、技术特征、优点及其实现方式予以进一步说明。
41.图1是本发明的实施例的薄膜硅烷化表面改性系统的整体示意图；
42.图2是本发明的实施例的薄膜固定装置的正视结构示意图；
43.图3是本发明的实施例的固定结构的正视结构示意图；
44.图4是本发明的实施例的夹持组件的结构示意图；
45.图5是本发明的实施例的薄膜硅烷化处理装置的正视透视结构示意图；
46.图6是本发明的实施例的薄膜硅烷化处理装置的侧视透视结构示意图；
47.图7是本发明的实施例的薄膜热处理装置的正视透视结构示意图；
48.图8是本发明的实施例的两个薄膜热处理装置的立面结构示意图；
49.图9是本发明的实施例的薄膜热处理装置的侧视透视结构示意图；
50.图10是本发明的实施例的两个薄膜热处理装置之间的连接结构放大结构示意图。
51.附图标号说明：
52.待处理薄膜10、薄膜固定装置20、固定框21、夹件22，压紧件23，蝶形螺丝231，凹形连接件24，l型连接件25，条形孔251，松紧螺钉26，铰链结构27，薄膜硅烷化处理装置30，第一加热管31，第一壳体32，上部槽33，下部槽34，密封盖35，薄膜热处理装置40、移动轨道41、移动支架42、第一密封门43，第二加热管44，循环风叶轮45，循环风孔46，第二壳体47，放置槽48，第二密封门49，连接件50，连接螺栓51，紧固螺母52，平垫片53，挡板54。
具体实施方式
53.为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对照附图说明本发明的具体实施方式。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图，并获得其他的实施方式。
54.为使图面简洁，各图中只示意性地表示出了与发明相关的部分，它们并不代表其作为产品的实际结构。另外，以使图面简洁便于理解，在有些图中具有相同结构或功能的部件，仅示意性地绘示了其中的一个，或仅标出了其中的一个。在本文中，“一个”不仅表示“仅此一个”，也可以表示“多于一个”的情形。
55.还应当进一步理解，在本技术说明书和所附权利要求书中使用的术语“和/或”是指相关联列出的项中的一个或多个的任何组合以及所有可能组合，并且包括这些组合。
56.在本文中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
57.另外，在本技术的描述中，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
58.在一个实施例中，参考说明书附图1所示，本发明提供的一种薄膜硅烷化表面改性系统，包括薄膜固定装置20、薄膜硅烷化处理装置30和薄膜热处理装置40，其中薄膜固定装置20包括固定框21，固定框21的内框上设置有若干夹持组件，夹持组件用于将待处理薄膜10固定并延展于固定框21上，薄膜硅烷化处理装置30包括第一壳体32，第一壳体32开设有第一容纳腔，第一容纳腔内设置有反应容器，反应容器内开设有反应槽，反应槽内充满硅烷试剂，反应容器上对应反应槽的两侧还设置有第一加热装置，第一加热装置用于加热硅烷试剂以加快硅烷化反应，反应槽与固定框21相匹配，使待处理薄膜10可通过固定框21在反应容器内展开并进行硅烷化处理，薄膜热处理装置40，用于加热烘干处理已硅烷化处理的
待处理薄膜10。
59.具体地，第一壳体32的顶部开设有放置口，放置口还设置有密封盖35，待处理薄膜10在夹持组件的夹持作用下固定展开于内框内，再通过人工或提拉机构转移夹持有待处理薄膜10的固定框21至反应槽内，再于反应槽内于硅烷试剂充分接触，在第一加热装置的加热作用下，快速进行硅烷化反应，以使得待处理薄膜10的表面完成活化硅烷化反应，再将完成硅烷化反应的待处理薄膜10和固定框21通过人工或提拉机构从反应槽内转移至薄膜热处理装置40内，对已硅烷化处理的待处理薄膜10加热烘干处理，从而完成待处理薄膜10表面改性。
60.需要指出的是，待处理薄膜10最大处理尺寸为长3m，宽1m，固定框21的内框尺寸稍大于待处理薄膜10，固定框21的尺寸可以是长3.2m，宽1.2m，夹持组件的数目为22个，其中内框的两个长边上均设置有8个夹持组件，两个短边均设置有3个夹持组件。
61.在一个实施例中，参考说明书附图2至图4所示，固定框21包括凹形连接件24和l型连接件25，凹形连接件24设置于固定框21靠近夹持组件的一侧，l型连接件25设置于夹持组件靠近凹形连接件24的一侧，l型连接件25上开设有条形孔251，凹形连接件24形成有开设有固定孔的凹槽，条形孔251和固定孔通过松紧螺钉26贯穿连接，使得l型连接件25能够滑动连接于凹槽内。
62.具体地，凹形连接件24上有滑动槽，l型连接件25于滑动槽内滑动，条形孔251设置于l型连接件25上滑动的那个板上，固定孔开设在滑动槽内，松紧螺钉26同时贯穿固定孔和条形孔251，以紧固连接l型连接件25和凹形连接件24，具体操作步骤为：先松开松紧螺钉26，使l型连接件25于凹形连接件24上的滑动槽内滑动以将待处理薄膜10的夹持张开程度调节至预定程度，再拧紧松紧螺钉26，以使l型连接件25和凹形连接件24固定连接，从而实现对待处理薄膜10进行张弛力度的微调，需要指出的是，l型连接件25于凹形连接件24上的滑动槽内的滑动范围可以是为0mm～12mm。
63.在一个实施例中，在上个实施例的基础上，参考说明书附图2和图3所示，夹持组件包括夹件22和若干压紧件23，其中夹件22包括第一夹条和第二夹条，第一夹条和第二夹条通过若干铰链结构27铰接，第一夹条靠近第二夹条的一侧设置有凹齿结构，第二夹条靠近第一夹条的一侧设置有凸齿结构，凹齿结构与凸齿结构对应卡合，压紧件23卡夹于夹件22上，压紧件23上设置有手动蝶形螺丝231，以用于调节夹持在两组夹条上的待处理薄膜10的压力。
64.具体地，通过凹齿结构与凸齿结构对应卡合，有效避免待处理薄膜10脱落，通过调节手动蝶形螺丝231以调节压紧件23的夹持力度，进而调节夹持在两组夹条上的待处理薄膜10的压力，有效避免因为夹持力度过小导致待处理薄膜10脱落或夹持力度过大导致待处理薄膜10受损的情况。
65.在一个实施例中，参考说明书附图6所示，反应槽包括上部槽33和与上部槽33垂直连通的下部槽34，上部槽33与下部槽34组成t型槽，上部槽33的开口与第一容纳腔的开口相对应，下部槽34与上部槽33的连接处均设置有倒角。
66.具体地，下部槽34可以容纳固定框21完全放置进去，下部槽34和上部槽33组成t型槽，不仅利于减少硅烷试剂的使用量以有效降低成本，同时有效避免硅烷试剂加热后硅烷试剂体积膨胀溢出的情况，倒角的设定使固定框21更顺利放入下部槽34内。
67.在一个实施例中，参考说明书附图6所示，第一加热装置包括若干第一加热管31，若干第一加热管31紧贴设置于下部槽34两侧槽壁的外侧，若干第一加热管31之间的空隙设置有保温棉。
68.具体地，加热管用于给反应槽中硅烷试剂加热提供热源，加热管之间填充有保温棉以反应槽中硅烷试剂的温度，改善薄膜硅烷化处理装置30的保温性能，从而减少热能的流失，加热管可以是u型加热管，u型加热管的数目可以是14个，分为两组，每组加热管对称并排贴合设置于反应槽的两侧槽壁上。
69.需要指出的是，薄膜硅烷化处理装置30还设置有控温系统，设置于第一壳体32上，用于独立检测并控制每组加热管，从而能够有效减少反应槽两端的温差，以保证待处理薄膜10加热硅烷化处理时的温度均匀性。
70.在一个实施例中，参考说明书附图1和图7所示，薄膜热处理装置40包括第二壳体47，第二壳体47上开设有第二容纳腔，第二容纳腔内设置有放置容器，放置容器开设有烘干槽，第二壳体47内还设置有第二加热装置，第二加热装置位于烘干槽的两侧侧壁外，烘干槽与固定框21相匹配，使得已硅烷化处理的待处理薄膜10于放置容器内经过第二加热装置进行加热烘干处理。
71.在一个实施例中，在上述实施例的基础上，参考说明书附图1和图7所示，放置容器的侧壁开设有第一开口，第一开口处可装卸设置有第一密封门43，薄膜热处理装置40还包括移动轨道41和与移动轨道41对应的移动支架42，移动轨道41设置于放置容器的底部，且穿过第一开口向外延伸，移动支架42上设置有用于固定固定框21的固定座，使得待处理薄膜10能够沿着移动轨道41转移至放置容器的预定位置。
72.具体地，烘干槽的开口设置于第二壳体47的侧面，与第一开口相连通，固定有固定框21固定在移动支架42上，移动支架42的底部设置有若干与移动轨道41相对应的轮子，使得移动支架42沿着移动轨道41转移至放置容器的预定位置，再关闭第一密封门43，使得放置槽48形成密封空间，以使加热烘干效果更好，移动轨道41使得固定有待处理薄膜10的固定框21能够快速稳定地输送至烘干槽内。
73.需要指出的是，第二壳体47和移动支架42的底部均设置有万向轮，以便于整个薄膜热处理装置40的移动。
74.在一个实施例中，在上述实施例的基础上，参考说明书附图7和图8所示，放置容器上与移动轨道41相平行的侧壁均开设若干循环风孔46，第二加热装置包括若干第二加热管44和若干循环风叶轮45，第二加热管44分别固定设置于放置容器两侧槽壁的外侧，循环风叶轮45均设置于放置容器的顶部。
75.需要指出的是，循环风叶轮45的数目可以是四个，平行设置于放置容器的顶部，当第一密封门43关闭时，放置槽48形成密封空间，开启加热管和循环风叶轮45，使得在放置槽48内形成热风循环，以加热对待处理薄膜10的烘干处理。
76.在一个实施例中，参考说明书附图8和图9所示，第二壳体47对应第一开口的另一侧侧壁开设第二开口，第二开口可装卸地连接有第二密封门49；
77.薄膜热处理装置40的数量为两个，两个薄膜热处理装置40通过若干连接组件连接，第一开口和第二开口对应接触。
78.具体地，当遇到待处理薄膜10的长度小于1.6m，且薄膜数量多的情况时，两个薄膜
热处理装置40可独立工作，提高烘干处理效率。当遇到待处理薄膜10的长度为3.0m时，通过合并两个薄膜热处理装置40以延长放置槽48的长度，进而用于烘干处理长度3.0m的待处理薄膜10。具体的合并过程为：先拆下一个薄膜热处理装置40的第一密封门43和另一个薄膜热处理装置40的第二密封门49，使得一个薄膜热处理装置40的第一开口和另一个薄膜热处理装置40的第二开口对应接触，再通过设置连接组件完成连接，使薄膜热处理装置40的适用范围更广。
79.在一个实施例中，参考说明书附图10所示，连接组件包括两个连接件50和连接螺栓51，两个连接件50分别设置固定于两个薄膜热处理装置40上的对应位置，连接螺栓51通过紧固螺母52连接两个连接件50。
80.具体地，两个连接件分别设置固定于两个薄膜热处理装置40上的对应位置，当一个薄膜热处理装置40的第一开口和另一个薄膜热处理装置40的第二开口对应接触时，每组连接组件的两个连接件对应接触，再通过连接螺栓51使两个连接件紧固连接在一起。
81.需要指出的是，连接组件还包括平垫片53和挡板54，平垫片53套设于连接螺栓51上，使得两个连接件之间的紧固关系更牢固，两个薄膜热处理装置40的连接处还可以采用耐高温密封胶圈进行密封，挡板54套设于连接件上，用于美化两个薄膜热处理装置40的外观。
82.应当说明的是，上述实施例均可根据需要自由组合。以上仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

技术特征：
1.一种薄膜硅烷化表面改性系统，其特征在于，包括：薄膜固定装置，包括固定框，所述固定框的内框上设置有若干夹持组件，所述夹持组件用于将待处理薄膜固定并延展于所述固定框上；薄膜硅烷化处理装置，包括第一壳体，所述第一壳体开设有第一容纳腔，所述第一容纳腔内设置有反应容器，所述反应容器内开设有反应槽，所述反应槽内充满硅烷试剂，所述反应容器上对应所述反应槽的两侧还设置有第一加热装置，所述第一加热装置用于加热所述硅烷试剂以加快硅烷化反应，所述反应槽与所述固定框相匹配，使所述待处理薄膜可通过所述固定框在所述反应容器内展开并进行硅烷化处理；薄膜热处理装置，用于加热烘干处理已硅烷化处理的所述待处理薄膜。2.根据权利要求1所述的薄膜硅烷化表面改性系统，其特征在于，所述固定框包括：凹形连接件，所述凹形连接件设置于所述固定框靠近所述夹持组件的一侧；l型连接件，所述l型连接件设置于所述夹持组件靠近所述凹形连接件的一侧，所述l型连接件上开设有条形孔，所述凹形连接件形成有开设有固定孔的凹槽，所述条形孔和所述固定孔通过松紧螺钉贯穿连接，使得所述l型连接件能够滑动连接于所述凹槽内。3.根据权利要求2所述的薄膜硅烷化表面改性系统，其特征在于，所述夹持组件包括：夹件，包括第一夹条和第二夹条，所述第一夹条和所述第二夹条通过若干所述铰链结构铰接，所述第一夹条靠近所述第二夹条的一侧设置有凹齿结构，所述第二夹条靠近所述第一夹条的一侧设置有凸齿结构，所述凹齿结构与所述凸齿结构对应卡合；若干压紧件，所述压紧件卡夹于所述夹件上，所述压紧件上设置有手动蝶形螺丝，以用于调节夹持在两组所述夹条上的所述待处理薄膜的压力。4.根据权利要求1-3任一项所述的薄膜硅烷化表面改性系统，其特征在于，所述反应槽包括上部槽和与所述上部槽垂直连通的下部槽，所述上部槽与所述下部槽组成t型槽，所述上部槽的开口与所述第一容纳腔的开口相对应，所述下部槽与所述上部槽的连接处均设置有倒角。5.根据权利要求4所述的薄膜硅烷化表面改性系统，其特征在于，所述第一加热装置包括若干第一加热管，若干所述第一加热管紧贴设置于所述下部槽两侧槽壁的外侧，若干所述第一加热管之间的空隙设置有保温棉。6.根据权利要求5所述的薄膜硅烷化表面改性系统，其特征在于，薄膜热处理装置包括第二壳体，所述第二壳体上开设有第二容纳腔，所述第二容纳腔内设置有放置容器，所述放置容器开设有烘干槽，所述第二壳体内还设置有第二加热装置，所述第二加热装置位于所述烘干槽的两侧侧壁外，所述烘干槽与所述固定框相匹配，使得已硅烷化处理的所述待处理薄膜于所述放置容器内经过所述第二加热装置进行加热烘干处理。7.根据权利要求6所述的薄膜硅烷化表面改性系统，其特征在于，所述放置容器的侧壁开设有第一开口，所述第一开口处可装卸设置有第一密封门；所述薄膜热处理装置还包括移动轨道和与所述移动轨道对应的移动支架，所述移动轨道设置于所述放置容器的底部，且穿过所述第一开口向外延伸，所述移动支架上设置有用于固定所述固定框的固定座，使得所述待处理薄膜能够沿着所述移动轨道转移至所述放置容器的预定位置。
8.根据权利要求7所述的薄膜硅烷化表面改性系统，其特征在于，所述放置容器上与所述移动轨道相平行的侧壁均开设若干循环风孔；所述第二加热装置包括：若干第二加热管，所述第二加热管分别固定设置于所述放置容器两侧槽壁的外侧；若干循环风叶轮，所述循环风叶轮均设置于所述放置容器的顶部。9.根据权利要求8所述的薄膜硅烷化表面改性系统，其特征在于，所述第二壳体对应所述第一开口的另一侧侧壁开设第二开口，所述第二开口可装卸地连接有第二密封门；所述薄膜热处理装置的数量为两个，两个所述薄膜热处理装置通过若干连接组件连接，所述第一开口和所述第二开口对应接触。10.根据权利要求9所述的薄膜硅烷化表面改性系统，其特征在于，所述连接组件包括：两个连接件，两个所述连接件分别设置固定于两个所述薄膜热处理装置上的对应位置；连接螺栓，所述连接螺栓通过紧固螺母连接两个所述连接件。

技术总结
本发明公开了一种薄膜硅烷化表面改性系统，包括薄膜固定装置、薄膜硅烷化处理装置和薄膜热处理装置，其中薄膜固定装置包括固定框，固定框的内框上设置有若干夹持组件，夹持组件用于将待处理薄膜固定并延展于固定框上，薄膜硅烷化处理装置包括第一壳体，第一壳体开设有第一容纳腔，第一容纳腔内设置有反应容器，反应容器内开设有反应槽，反应槽内充满硅烷试剂，反应容器上对应反应槽的两侧还设置有第一加热装置，反应槽与固定框相匹配，使待处理薄膜可通过固定框在反应容器内展开并进行硅烷化处理，薄膜热处理装置，用于加热烘干处理已硅烷化处理的待处理薄膜，解决了现有技术中薄膜硅烷化表面改性系统无法处理大尺寸的薄膜的问题。薄膜的问题。薄膜的问题。


技术研发人员：吕少波 谷红宇 王枫 郑刚 张锦麟 宋力昕
受保护的技术使用者：中国科学院上海硅酸盐研究所
技术研发日：2023.05.25
技术公布日：2023/8/23