高频模块和通信装置的制作方法

1.本发明一般地说涉及一种高频模块和通信装置，更详细地说，涉及具备电子部件的高频模块以及具备该高频模块的通信装置。


背景技术：

2.专利文献1中公开了一种具备模块基板(安装基板)、安装在模块基板的安装面上的双工器(电子部件)、树脂层以及金属膜(导电层)的模块(高频模块)。
3.在专利文献1所公开的模块中，树脂层以覆盖电子部件的侧面的方式设置在安装基板的安装面上。金属膜形成于电子部件的上表面和树脂层的上表面。
4.现有技术文献
5.专利文献
6.专利文献1：国际公开第2014/013831号


技术实现要素：

7.发明要解决的问题
8.在高频模块中，2个电子部件中的一个电子部件(第一电子部件)所具有的第一rf端子(例如，输入端子)与另一个电子部件(第二电子部件)所具有的第二rf端子(例如，输出端子)之间的隔离度有时会下降。另外，在高频模块中，1个电子部件所具有的第一rf端子(例如，输入端子)与第二rf端子(例如，输出端子)之间的隔离度有时会下降。
9.本发明的目的在于提供一种能够实现隔离度的提高的高频模块和通信装置。
10.用于解决问题的方案
11.本发明的一个方式所涉及的高频模块具备安装基板、第一电子部件、第二电子部件、树脂层以及导电层。所述安装基板具有主面。所述第一电子部件具有包括第一rf端子的多个第一外部端子。所述第一电子部件通过所述多个第一外部端子来安装于所述安装基板的所述主面。所述第二电子部件具有包括第二rf端子的多个第二外部端子。所述第二电子部件通过所述多个第二外部端子来安装于所述安装基板的所述主面。所述树脂层配置于所述安装基板的所述主面，至少覆盖所述第一电子部件的外周面和所述第二电子部件的外周面。所述导电层覆盖所述树脂层，在从所述安装基板的厚度方向俯视时，所述导电层与所述第一电子部件及所述第二电子部件重叠。所述导电层包括第一导电部和第二导电部。在从所述安装基板的所述厚度方向俯视时，所述第一导电部位于所述第一rf端子与所述第二rf端子之间。在从所述安装基板的所述厚度方向俯视时，所述第二导电部与所述第一导电部相邻。所述第一导电部的电阻率比所述第二导电部的电阻率高。
12.本发明的另一方式所涉及的高频模块具备安装基板、电子部件、树脂层以及导电层。所述安装基板具有主面。所述电子部件具有多个外部端子。所述电子部件通过所述多个外部端子来安装于所述安装基板的所述主面。所述树脂层配置于所述安装基板的所述主面，至少覆盖所述电子部件的外周面。所述导电层覆盖所述树脂层，在从所述安装基板的厚
度方向俯视时，所述导电层与所述电子部件重叠。所述电子部件的所述多个外部端子包括第一rf端子和第二rf端子。所述导电层包括第一导电部和第二导电部。在从所述安装基板的所述厚度方向俯视时，所述第一导电部位于所述第一rf端子与所述第二rf端子之间。在从所述安装基板的所述厚度方向俯视时，所述第二导电部与所述第一导电部相邻。所述第一导电部的电阻率比所述第二导电部的电阻率高。
13.本发明的另一方式所涉及的高频模块具备安装基板、第一电子部件、第二电子部件、树脂层以及导电层。所述安装基板具有主面。所述第一电子部件具有包括第一rf端子的多个第一外部端子。所述第一电子部件通过所述多个第一外部端子来安装于所述安装基板的所述主面。所述第二电子部件具有包括第二rf端子的多个第二外部端子。所述第二电子部件通过所述多个第二外部端子来安装于所述安装基板的所述主面。所述树脂层配置于所述安装基板的所述主面，至少覆盖所述第一电子部件的外周面和所述第二电子部件的外周面。所述导电层覆盖所述树脂层，在从所述安装基板的厚度方向俯视时，所述导电层与所述第一电子部件及所述第二电子部件重叠。所述导电层包括第一导电部和第二导电部。在从所述安装基板的所述厚度方向俯视时，所述第一导电部位于所述第一rf端子与所述第二rf端子之间。在从所述安装基板的所述厚度方向俯视时，所述第二导电部与所述第一导电部相邻。所述第二导电部具有第一金属层和第二金属层，所述第一金属层包含第一金属材料，所述第二金属层形成在所述第一金属层上，包含不同于所述第一金属材料的第二金属材料。所述第一导电部具有包含所述第一金属材料和所述第二金属材料的合金部。
14.本发明的一个方式所涉及的通信装置具备上述任一个方式的高频模块、以及信号处理电路。所述信号处理电路与所述高频模块连接。
15.发明的效果
16.本发明的上述方式所涉及的高频模块和通信装置能够实现隔离度的提高。
附图说明
17.图1是实施方式1所涉及的高频模块的截面图。
18.图2是同上的高频模块的局部剖切的俯视图。
19.图3是同上的高频模块的电路图。
20.图4是具备同上的高频模块的通信装置的电路图。
21.图5是实施方式1的变形例1所涉及的高频模块的局部剖切的俯视图。
22.图6是实施方式1的变形例2所涉及的高频模块的局部剖切的俯视图。
23.图7是实施方式1的变形例3所涉及的高频模块的局部剖切的俯视图。
24.图8是实施方式1的变形例4所涉及的高频模块的截面图。
25.图9是实施方式1的变形例5所涉及的高频模块的截面图。
26.图10是实施方式1的变形例6所涉及的高频模块的截面图。
27.图11是实施方式1的变形例7所涉及的高频模块的截面图。
28.图12是实施方式1的变形例8所涉及的高频模块的截面图。
29.图13是实施方式2所涉及的高频模块的截面图。
30.图14是同上的高频模块的电路图。
31.图15是实施方式3所涉及的高频模块的截面图。
32.图16是同上的高频模块的局部剖切的俯视图。
33.图17是实施方式4所涉及的高频模块的截面图。
34.图18是实施方式4的变形例1所涉及的高频模块的截面图。
35.图19是实施方式4的变形例2所涉及的高频模块的截面图。
36.图20的a～c是用于说明同上的高频模块的制造方法的主要工序截面图。
37.图21的a～c是用于说明同上的高频模块的制造方法的主要工序截面图。
具体实施方式
38.在下面的实施方式等中参照的各图均是示意性的图，图中的各结构要素的大小之比、厚度之比未必反映了实际的尺寸比。
39.(实施方式1)
40.如图1和图2所示，实施方式1所涉及的高频模块100具备安装基板9、第一电子部件1、第二电子部件2、树脂层5以及导电层6。安装基板9具有主面91。第一电子部件1和第二电子部件2安装于安装基板9的主面91。树脂层5配置于安装基板9的主面91，覆盖第一电子部件1的外周面14和第二电子部件2的外周面24。另外，树脂层5覆盖第一电子部件1的上表面15和第二电子部件2的上表面25。导电层6覆盖树脂层5。在图2中，省略了树脂层5的图示。
41.下面，参照图1～图4来更详细地说明实施方式1所涉及的高频模块100和通信装置300。
42.(1)高频模块和通信装置
43.(1.1)高频模块和通信装置的电路结构
44.参照图3和图4来说明实施方式1所涉及的高频模块100和通信装置300的电路结构。
45.例如图4所示，高频模块100使用于通信装置300。通信装置300例如是便携式电话(例如，智能手机)，但是不限于此，例如也可以是可穿戴终端(例如，智能手表)等。高频模块100例如是能够支持4g(第四代移动通信)标准、5g(第五代移动通信)标准等的模块。4g标准例如是3gpp(third generation partnership project：第三代合作伙伴计划)lte(long term evolution：长期演进)标准。5g标准例如是5g nr(new radio：新空口)。
46.通信装置300具备高频模块100、天线310、功率放大器17、低噪声放大器18以及信号处理电路301。通信装置300还具备天线310。通信装置300例如构成为能够将从信号处理电路301输入到功率放大器17的发送信号放大后输出到天线310。另外，通信装置300构成为能够将从天线310输入到高频模块100的接收信号用低噪声放大器18放大后输出到信号处理电路301。信号处理电路301不是高频模块100的结构要素，而是具备高频模块100的通信装置300的结构要素。另外，功率放大器17和低噪声放大器18不是高频模块100的结构要素，而是通信装置300的结构要素，但是不限于此，也可以是高频模块100的结构要素。通信装置300还具备安装有高频模块100的电路基板。电路基板例如是印刷电路板。电路基板具备被提供地电位的地电极。
47.信号处理电路301例如包括rf信号处理电路302和基带信号处理电路303。rf信号处理电路302例如是rfic(radio frequency integrated circuit：射频集成电路)，对高频信号进行信号处理。rf信号处理电路302例如对从基带信号处理电路303输出的高频信号
(发送信号)进行上变频等信号处理，并输出进行了信号处理后的高频信号。另外，rf信号处理电路302例如对从低噪声放大器18输出的高频信号(接收信号)进行下变频等信号处理，并将进行了信号处理后的高频信号输出到基带信号处理电路303。基带信号处理电路303例如是bbic(baseband integrated circuit：基带集成电路)。基带信号处理电路303基于基带信号来生成i相信号和q相信号。基带信号例如是从外部输入的声音信号、图像信号等。基带信号处理电路303通过将i相信号与q相信号合成来进行iq调制处理，并输出发送信号。此时，发送信号被生成为将规定频率的载波信号以比该载波信号的周期长的周期进行振幅调制而得到的调制信号(iq信号)。被基带信号处理电路303处理后的接收信号例如作为图像信号而使用于图像显示，或者作为声音信号而使用于通信装置300的用户的通话。高频模块100在天线310与信号处理电路301的rf信号处理电路302之间传递高频信号(接收信号、发送信号)。
48.如图3和图4所示，高频模块100具备发送滤波器7和接收滤波器8。发送滤波器7例如是以第一通信频段的发送频带为通带的滤波器。第一通信频段与通过发送滤波器7的发送信号对应。第一通信频段例如是3gpp lte标准的通信频段或5g nr标准的通信频段。接收滤波器8例如是以第一通信频段的接收频带为通带的滤波器。第一通信频段例如是3gpp lte标准的通信频段或5g nr标准的通信频段。在高频模块100中，由发送滤波器7和接收滤波器8构成第一双工器。在高频模块100中，发送滤波器7构成上述的第一电子部件1。因而，第一电子部件1是设置于发送信号的信号路径的发送系统电路部件。另外，在高频模块100中，接收滤波器8构成上述的第二电子部件2。因而，第二电子部件2是设置于接收信号的信号路径的接收系电路部件。
49.另外，高频模块100包括天线端子t0、发送端子(信号输入端子)t1、接收端子(信号输出端子)t2以及多个地端子t5(在图1中仅能看到1个)。多个地端子t5是被提供地电位的端子。
50.功率放大器17具有输入端子和输出端子。功率放大器17将输入到输入端子的发送信号放大后从输出端子输出。在通信装置300中，功率放大器17的输入端子与信号处理电路301连接。在通信装置300中，功率放大器17的输出端子与发送端子t1连接。功率放大器17例如是包括驱动级放大器和最末级放大器的多级放大器。在功率放大器17中，驱动级放大器的输入端子与信号处理电路301连接，驱动级放大器的输出端子与最末级放大器的输入端子连接，最末级放大器的输出端子与发送端子t1连接。功率放大器17不限于多级放大器，例如也可以是同相合成放大器、差动合成放大器或多尔蒂放大器。
51.低噪声放大器18具有输入端子和输出端子。低噪声放大器18将输入到输入端子的接收信号放大后从输出端子输出。在通信装置300中，低噪声放大器18的输入端子与接收端子t2连接。在通信装置300中，低噪声放大器18的输出端子与信号处理电路301连接。
52.(1.2)高频模块的构造
53.如图1和图2所示，高频模块100具备安装基板9、发送滤波器7以及接收滤波器8。
54.安装基板9具有主面91(下面也称为第一主面91)。安装基板9具有在安装基板9的厚度方向d1上彼此相向的第一主面91和第二主面92。安装基板9例如是包括多个电介质层和多个导电层94的多层基板。多个电介质层和多个导电层94在安装基板9的厚度方向d1上层叠。多个导电层94形成为按每层而决定的规定图案。多个导电层94中的各导电层在与安
装基板9的厚度方向d1正交的一个平面内包括1个或多个导体部。各导电层94的材料例如是铜。多个导电层94包括地层。在高频模块100中，多个地端子t5与地层经由安装基板9所具有的通路导体95等来电连接。安装基板9例如是ltcc(low temperature co-fired ceramics：低温共烧陶瓷)基板。安装基板9不限于ltcc基板，例如也可以是印刷电路板、htcc(high temperature co-fired ceramics：高温共烧陶瓷)基板、树脂多层基板。
55.另外，安装基板9不限于ltcc基板，例如也可以是布线构造体。布线构造体例如是多层构造体。多层构造体包括至少1个绝缘层和至少1个导电层。绝缘层形成为规定图案。在绝缘层有多个的情况下，多个绝缘层形成为按每层而决定的规定图案。导电层形成为与绝缘层的规定图案不同的规定图案。在导电层有多个的情况下，多个导电层形成为按每层而决定的规定图案。导电层也可以包括1个或多个重新布线部。在布线构造体中，在多层构造体的厚度方向上彼此相向的2个面中的第一面是安装基板9的第一主面91，第二面是安装基板9的第二主面92。布线构造体例如也可以是转接板(interposer)。转接板既可以是使用了硅基板的转接板，也可以是以多层的方式构成的基板。
56.安装基板9的第一主面91和第二主面92在安装基板9的厚度方向d1上分离，并与安装基板9的厚度方向d1交叉。安装基板9的第一主面91例如与安装基板9的厚度方向d1正交，但是例如也可以包括导体部的侧面等来作为不与厚度方向d1正交的面。另外，安装基板9的第二主面92例如与安装基板9的厚度方向d1正交，但是例如也可以包括导体部的侧面等来作为不与厚度方向d1正交的面。另外，安装基板9的第一主面91和第二主面92也可以形成有细微的凹凸或凹部或凸部。例如，在安装基板9的第一主面91形成有凹部的情况下，凹部的内表面包括于第一主面91。
57.在高频模块100中，第一电子部件1(发送滤波器7)安装于安装基板9的主面91。“第一电子部件1安装于安装基板9的主面91”包括：第一电子部件1配置于安装基板9的主面91(与安装基板9的主面91机械连接)；以及第一电子部件1与安装基板9(的适当的导体部)电连接。在高频模块100中，第一电子部件1具有多个第一外部端子10，第一电子部件1通过多个第一外部端子10来安装于安装基板9的主面91。在高频模块100中，第二电子部件2也安装于安装基板9的主面91。“第二电子部件2安装于安装基板9的主面91”包括：第二电子部件2配置于安装基板9的主面91(与安装基板9的主面91机械连接)；以及第二电子部件2与安装基板9(的适当的导体部)电连接。在高频模块100中，第二电子部件2具有多个第二外部端子20，第二电子部件2通过多个第二外部端子20来安装于安装基板9的主面91。
58.发送滤波器7例如是梯型滤波器，具有多个(例如，4个)串联臂谐振器和多个(例如，3个)并联臂谐振器。发送滤波器7例如是弹性波滤波器。弹性波滤波器的多个串联臂谐振器和多个并联臂谐振器中的各谐振器由弹性波谐振器构成。弹性波滤波器例如是利用声表面波的表面声波滤波器。在表面声波滤波器中，多个串联臂谐振器和多个并联臂谐振器中的各谐振器例如是saw(surface acoustic wave：声表面波)谐振器。
59.如图1和图2所示，构成第一电子部件1的发送滤波器7安装于安装基板9的主面91。在从安装基板9的厚度方向d1俯视时，发送滤波器7的外缘是四边形形状。第一电子部件1的外周面14包括将第一电子部件1中的上表面15(与安装基板9侧相反的一侧的主面)与下表面(安装基板9侧的主面)连接的4个侧面。例如图1所示，发送滤波器7具备基板70和电路部74。基板70具有在基板70的厚度方向上相向的第一主面71和第二主面72。基板70的厚度方
向是沿着安装基板9的厚度方向d1的方向。电路部74包括形成在基板70的第一主面71上的多个idt(interdigital transducer：叉指换能器)电极75。发送滤波器7包括形成在基板70的第一主面71上的多个布线电极73。多个布线电极73与电路部74连接。另外，发送滤波器7包括间隔层76、外壳构件77以及多个外部端子79作为封装构造的结构要素。多个外部端子79与多个布线电极73中的在基板70的厚度方向上相重叠的布线电极73连接。在高频模块100中，发送滤波器7的多个外部端子79构成第一电子部件1的多个第一外部端子10。另外，多个外部端子79中的作为高频信号(发送信号)的输入端子的外部端子79构成多个第一外部端子10中包括的第一rf端子11。在实施方式1所涉及的高频模块100中，第一rf端子11是多个第一外部端子10中的与发送端子t1连接的第一外部端子10。在从安装基板9的厚度方向d1俯视时，发送滤波器7是长方形形状，但是不限于此，例如也可以是正方形形状。在发送滤波器7中，基板70是压电基板，例如是钽酸锂基板或铌酸锂基板。
60.间隔层76设置于基板70的第一主面71侧。在从基板70的厚度方向俯视时，间隔层76包围多个idt电极75。在从基板70的厚度方向俯视时，间隔层76是矩形框状。间隔层76具有电绝缘性。间隔层76的材料是环氧树脂、聚酰亚胺等。外壳构件77是平板状。外壳构件77以在基板70的厚度方向上与基板70相向的方式配置在间隔层76上。外壳构件77在基板70的厚度方向上与多个idt电极75重叠，且在基板70的厚度方向上与多个idt电极75分离。外壳构件77具有电绝缘性。外壳构件77的材料是环氧树脂、聚酰亚胺等。发送滤波器7具有被基板70、间隔层76以及外壳构件77围起来的第一空间78。在第一空间78中有气体。气体是空气、惰性气体(例如，氮气)等。多个外部端子79从外壳构件77露出。
61.接收滤波器8例如是梯型滤波器，具有多个(例如，4个)串联臂谐振器和多个(例如，3个)并联臂谐振器。接收滤波器8例如是弹性波滤波器。弹性波滤波器的多个串联臂谐振器和多个并联臂谐振器中的各谐振器由弹性波谐振器构成。弹性波滤波器例如是利用声表面波的表面声波滤波器。在表面声波滤波器中，多个串联臂谐振器和多个并联臂谐振器中的各谐振器例如是saw谐振器。
62.如图1和图2所示，构成第二电子部件2的接收滤波器8安装于安装基板9的主面91。在从安装基板9的厚度方向d1俯视时，接收滤波器8的外缘是四边形形状。第二电子部件2的外周面24包括将第二电子部件2中的上表面25(与安装基板9侧相反的一侧的主面)与下表面(安装基板9侧的主面)连接的4个侧面。如图1所示，接收滤波器8具备基板80和电路部84。基板80具有在基板80的厚度方向上相向的第一主面81和第二主面82。基板80的厚度方向是沿着安装基板9的厚度方向d1的方向。电路部84包括形成在基板80的第一主面81上的多个idt电极85。接收滤波器8包括形成在基板80的第一主面81上的多个布线电极83。多个布线电极83与电路部84连接。另外，接收滤波器8包括间隔层86、外壳构件87以及多个外部端子89作为封装构造的结构要素。多个外部端子89与多个布线电极83中的在基板80的厚度方向上相重叠的布线电极83连接。在高频模块100中，接收滤波器8的多个外部端子89构成第二电子部件2的多个第二外部端子20。另外，多个外部端子89中的作为高频信号(接收信号)的输出端子的外部端子89构成多个第二外部端子20中包括的第二rf端子21。在实施方式1所涉及的高频模块100中，第二rf端子21是多个第二外部端子20中的与接收端子t2连接的第二外部端子20。在从安装基板9的厚度方向d1俯视时，接收滤波器8是长方形形状，但是不限于此，例如也可以是正方形形状。在接收滤波器8中，基板80是压电基板，例如是钽酸锂基板
或铌酸锂基板。
63.间隔层86设置于基板80的第一主面81侧。在从基板80的厚度方向俯视时，间隔层86包围多个idt电极85。在从基板80的厚度方向俯视时，间隔层86是矩形框状。间隔层86具有电绝缘性。间隔层86的材料是环氧树脂、聚酰亚胺等。外壳构件87是平板状。外壳构件87以在基板80的厚度方向上与基板80相向的方式配置在间隔层86上。外壳构件87在基板80的厚度方向上与多个idt电极85重叠，且在基板80的厚度方向上与多个idt电极85分离。外壳构件87具有电绝缘性。外壳构件87的材料是环氧树脂、聚酰亚胺等。接收滤波器8具有被基板80、间隔层86以及外壳构件87围起来的第二空间88。在第二空间88中有气体。气体是空气、惰性气体(例如，氮气)等。多个外部端子89从外壳构件87露出。
64.高频模块100具备多个外部连接端子。多个外部连接端子包括发送端子(信号输入端子)t1、接收端子(信号输出端子)t2以及多个地端子t5(在图1中仅能看到1个)。多个外部连接端子配置于安装基板9的第二主面92。“外部连接端子配置于安装基板9的第二主面92”包括：外部连接端子与安装基板9的第二主面92机械连接；以及外部连接端子与安装基板9(的适当的导体部)电连接。多个外部连接端子的材料例如是金属(例如，铜、铜合金等)。多个外部连接端子不是安装基板9的结构要素，但是也可以是安装基板9的结构要素。多个外部连接端子中的各外部连接端子既可以是柱状电极(例如，圆柱状的电极)，也可以是球状的凸块。
65.多个地端子t5与安装基板9的地层电连接。地层是高频模块100的电路地。发送滤波器7的多个外部端子79中包括的地端子与安装基板9的地层电连接。多个接收滤波器8的多个外部端子89中包括的地端子与安装基板9的地层电连接。
66.如图1所示，树脂层5配置于安装基板9的主面91。树脂层5覆盖安装于安装基板9的主面91的第一电子部件1的外周面14和第二电子部件2的外周面24。另外，在实施方式1所涉及的高频模块100中，树脂层5还覆盖第一电子部件1的上表面25和第二电子部件2的上表面25。树脂层5包含树脂(例如，环氧树脂)。树脂层5也可以除了包含树脂以外还包含填料。树脂层5具有电绝缘性。
67.导电层6覆盖树脂层5。导电层6具有导电性。在高频模块100中，导电层6是以高频模块100的内外的电磁屏蔽为目的而设置的。导电层6覆盖树脂层5的与安装基板9侧相反的一侧的主面51、树脂层5的外周面53以及安装基板9的外周面93。导电层6与安装基板9所具有的地层的外周面的至少一部分接触。由此，能够使导电层6的电位与地层的电位相同。
68.导电层6包括第一导电部61和第二导电部62。在从安装基板9的厚度方向d1俯视时，第一导电部61位于第一电子部件1的第一rf端子11与第二电子部件2的第二rf端子21之间。在从厚度方向d1俯视时，第二导电部62与第一导电部61相邻。关于导电层6，“在从厚度方向d1俯视时，第二导电部62与第一导电部61相邻”是指：第二导电部62与第一导电部61彼此相邻且接续。在实施方式1所涉及的高频模块100中，在从厚度方向d1俯视时，第二导电部62是除第一导电部61以外的部分，但是并非必须是除第一导电部61以外的整个部分。在实施方式1所涉及的高频模块100中，在从安装基板9的厚度方向d1俯视时，第一电子部件1与第二电子部件2相邻。“第一电子部件1与第二电子部件2相邻”是指：在从安装基板9的厚度方向d1俯视时，在第一电子部件1与第二电子部件2之间不存在其它电路部件，第一电子部件1与第二电子部件2彼此相邻。
69.关于第一导电部61，“在从安装基板9的厚度方向d1俯视时，位于第一电子部件1的第一rf端子11与第二电子部件2的第二rf端子21之间”是指：在从安装基板9的厚度方向d1俯视时，第一导电部61同将第一rf端子11的任意的点与第二rf端子21的任意的点连结的任意直线都交叉。在从安装基板9的厚度方向d1俯视时，第一导电部61与第一rf端子11及第二rf端子21相离。换言之，在从安装基板9的厚度方向d1俯视时，第一导电部61不与第一rf端子11及第二rf端子21重叠。
70.如图2所示，在从安装基板9的厚度方向d1俯视时，在同第一rf端子11与第二rf端子21并排的方向正交的方向上，第一导电部61的长度h61比第一rf端子11的长度h11及第二rf端子21的长度h21长。在从安装基板9的厚度方向d1俯视时，在同第一rf端子11与第二rf端子21并排的方向正交的方向上，第一导电部61的长度h61比第一电子部件1的长度h1及第二电子部件2的长度h2长，且比安装基板9的长度短。“在从安装基板9的厚度方向d1俯视时第一rf端子11与第二rf端子21并排的方向”是在从安装基板9的厚度方向d1俯视时第一rf端子11的中心与第二rf端子21的中心并排的方向。在从安装基板9的厚度方向d1俯视时，第一rf端子11和第二rf端子21各自的外缘例如是圆形状。
71.在从安装基板9的厚度方向d1俯视时，在第一rf端子11与第二rf端子21并排的方向上，第一导电部61的长度w61比第一电子部件1与第二电子部件2之间的距离w12(参照图1)长，且比第一rf端子11与第二rf端子21的距离短。
72.在高频模块100中，第二导电部62包括第一层621、第一层621上的第二层622以及第二层622上的第三层623。第一层621覆盖树脂层5的主面51和外周面53。第二层622覆盖第一层621。第三层623覆盖第二层622。
73.在实施方式1所涉及的高频模块100中的第二导电部62中，第一层621、第二层622以及第三层623分别是第一sus(不锈钢)层、cu层以及第二sus(不锈钢)层。第一sus层和第二sus层各自的材料是包含fe、ni以及cr的合金。cu层的材料包含cu。在第二导电部62中，第一层621、第二层622以及第三层623中的第二层622的电阻率比第一层621的电阻率和第三层623的电阻率都低。第一层621是相比于第二层622而言与树脂层5的粘合性优异的材料。第三层623的材料是相比于第二层622而言抗氧化性优异的材料。另外，在第二导电部62中，第二层622的厚度比第一层621的厚度和第三层623的厚度都厚。也可以是，第一层621、第二层622以及第三层623分别是第一ti层、cu层以及第二ti层。另外，也可以是，第一层621、第二层622以及第三层623分别是第一ti层、au层以及第二ti层。
74.在实施方式1所涉及的高频模块100中，第一导电部61的电阻率比第二导电部62的电阻率高。在此，第一导电部61的电阻率是cu与sus的合金部的电阻率。第二导电部62的电阻率是构成第二导电部62的多个层(第一层、第二层以及第三层)中的电阻率最低的第二层622的电阻率、也就是说cu层的电阻率。第一导电部61的电阻率和第二导电部62的电阻率是通过使导电层6的第一导电部61和第二导电部62的截面露出并利用扫描型扩展电阻显微镜法测定第一导电部61和第二导电部62各自的扩展电阻而得到的值。进一步说，电阻率是在扫描型扩展电阻显微镜法中将测定出的扩展电阻换算成电阻率所得到的值。在将测定出的扩展电阻换算成电阻率时，通过将测定出的扩展电阻与校正用标准试样的扩展电阻的测定值进行比较，来将测定出的扩展电阻换算成电阻率。在讨论电阻率的相对大小关系的情况下，电阻率不限于通过利用扫描型扩展电阻显微镜进行测定而得到的值，例如也可以是通
过利用扩展电阻测定法进行测定而得到的值。
75.(1.3)高频模块的制造方法
76.作为高频模块100的制造方法，例如能够采用包括第一工序、第二工序、第三工序以及第四工序的制造方法。
77.第一工序是以下工序：在安装基板9的主面91安装第一电子部件1和第二电子部件2。
78.第二工序是以下工序：在安装基板9的主面91上形成覆盖第一电子部件1和第二电子部件2的树脂层5。
79.第三工序是以下工序：以覆盖树脂层5的主面51整体、外周面53整体以及安装基板9的外周面93整体的方式形成第一层621、第二层622以及第三层623的层叠体。在第三工序中，形成第一层621、第二层622以及第三层623的方法例如是溅射法、蒸镀法、或印刷法。
80.第四工序是以下工序：向第一层621、第二层622以及第三层623的层叠体中的位于预定形成第一导电部61的区域的部分照射激光束来使其改性，从而形成包含sus与cu的合金部的第一导电部61。第四工序能够兼作通过向导电层6照射激光束来打印高频模块100的型号等的印字工序。
81.(2)效果
82.(2.1)高频模块
83.实施方式1所涉及的高频模块100具备安装基板9、第一电子部件1、第二电子部件2、树脂层5以及导电层6。安装基板9具有主面91。第一电子部件1具有包括第一rf端子11的多个第一外部端子10。第一电子部件1通过多个第一外部端子10来安装于安装基板9的主面91。第二电子部件2具有包括第二rf端子21的多个第二外部端子20。第二电子部件2通过多个第二外部端子20来安装于安装基板9的主面91。树脂层5配置于安装基板9的主面91，至少覆盖第一电子部件1的外周面14和第二电子部件2的外周面24。导电层6覆盖树脂层5，在从安装基板9的厚度方向d1俯视时，导电层6与第一电子部件1及第二电子部件2重叠。导电层6包括第一导电部61和第二导电部62。在从安装基板9的厚度方向d1俯视时，第一导电部61位于第一rf端子11与第二rf端子21之间。在从安装基板9的厚度方向d1俯视时，第二导电部62与第一导电部61相邻。第一导电部61的电阻率比第二导电部62的电阻率高。
84.实施方式1所涉及的高频模块100能够实现隔离度的提高。在高频模块100中，在安装基板9的厚度方向d1上，在第一电子部件1的第一rf端子11与导电层6(的第二导电部62)之间形成第一寄生电容器。另外，在高频模块100中，在安装基板9的厚度方向d1上，在第二电子部件2的第二rf端子21与导电层6(的第二导电部62)之间形成第二寄生电容器。在高频模块100中，导电层6具有第一导电部61，因此有可能形成包括第一rf端子11、第一寄生电容器、导电层6的一部分、第二寄生电容器以及第二rf端子21的泄漏路径。然而，高频模块100包括在从安装基板9的厚度方向d1俯视时位于第一rf端子11与第二rf端子21之间的第一导电部61，且第一导电部61的电阻率比第二导电部62的电阻率高，因此相比于第一导电部61的电阻率与第二导电部62的电阻率相同的情况，能够使泄漏路径的电阻更大。由此，高频模块100能够实现第一电子部件1的第一rf端子11与第二电子部件2的第二rf端子21之间的隔离度的提高。
85.在导电层6形成有使树脂层5的主面51的一部分露出的狭缝的比较例中，耐湿性下
降，并且容易受到来自外部的噪声的影响。另外，在该比较例中，狭缝成为寄生电容器的电介质，第一电子部件1的第一rf端子11与第二电子部件2的第二rf端子21之间的经由导电层6的泄漏容易增加。与它们相对，实施方式1所涉及的高频模块100能够抑制耐湿性的下降，并且不容易受到外来噪声的影响，而且，能够实现第一电子部件1的第一rf端子11与第二电子部件2的第二rf端子21之间的隔离度的提高。
86.在高频模块100中，例如，也能够将第二导电部62的第二层622规定为包含第一金属材料(例如，cu)的第一金属层62a，将第二导电部62的第三层623规定为包含不同于第一金属材料的第二金属材料(例如，sus)的第二金属层62b。在该情况下，在高频模块100中，第二导电部62具有包含第一金属材料的第一金属层62a以及形成在第一金属层62a上的包含不同于第一金属材料的第二金属材料的第二金属层62b，第一导电部61包括包含第一金属材料和第二金属材料的合金部。因此，高频模块100能够实现隔离度的提高。
87.(2.2)通信装置
88.实施方式1所涉及的通信装置300具备信号处理电路301和高频模块100。信号处理电路301与高频模块100连接。
89.实施方式1所涉及的通信装置300具备高频模块100，因此能够实现隔离度的提高。
90.(3)高频模块的变形例
91.(3.1)变形例1
92.参照图5来说明实施方式1的变形例1所涉及的高频模块100。关于变形例1所涉及的高频模块100，对与实施方式1所涉及的高频模块100同样的结构要素，标注同一标记并省略说明。
93.变形例1所涉及的高频模块100在以下方面与实施方式1所涉及的高频模块100不同：在从安装基板9的厚度方向d1(参照图1)俯视时，第一导电部61的长度h61和长度w61不同于实施方式1所涉及的高频模块100中的第一导电部61的长度h61和长度w61。
94.在变形例1所涉及的高频模块100中，第一导电部61的长度h61比第一电子部件1的长度h1及第二电子部件2的长度h2短。另外，第一导电部61的长度w61比第一电子部件1与第二电子部件2之间的距离w12短。
95.在变形例1所涉及的高频模块100中，在从安装基板9的厚度方向d1俯视时，导电层6的第一导电部61不与第一电子部件1及第二电子部件2重叠。
96.(3.2)变形例2
97.参照图6来说明实施方式1的变形例2所涉及的高频模块100。关于变形例2所涉及的高频模块100，对与实施方式1所涉及的高频模块100同样的结构要素，标注同一标记并省略说明。
98.在变形例2所涉及的高频模块100中，在从安装基板9的厚度方向d1(参照图1)俯视时，第一导电部61的长度h61比第一电子部件1的长度h1及第二电子部件2的长度h2长。在从安装基板9的厚度方向d1俯视时，第一导电部61跨导电层6的两端地形成，第一导电部61的长度h61比安装基板9的长度长。另外，第一导电部61的长度w61比第一电子部件1与第二电子部件2之间的距离w12短。
99.在变形例2所涉及的高频模块100中，在从安装基板9的厚度方向d1俯视时，导电层6的第一导电部61不与第一电子部件1及第二电子部件2重叠。
100.在变形例2所涉及的高频模块100中，能够进一步抑制因信号进入第二导电部62内而导致的泄漏路径的形成。
101.(3.3)变形例3
102.参照图7来说明实施方式1的变形例3所涉及的高频模块100。关于变形例3所涉及的高频模块100，对与实施方式1的变形例2所涉及的高频模块100同样的结构要素，标注同一标记并省略说明。
103.变形例3所涉及的高频模块100具备2个第一电子部件1(发送滤波器7)，且具备2个第二电子部件2(接收滤波器8)。2个发送滤波器7是以互不相同的频带为通带的发送滤波器。2个接收滤波器8是以互不相同的频带为通带的接收滤波器。变形例3所涉及的高频模块100具备第一双工器和第二双工器，该第一双工器包括以第一通信频段为通带的发送滤波器7和以第一通信频段为接收频带的接收滤波器8，该第二双工器包括以第二通信频段为通带的发送滤波器7和以第二通信频段为接收频带的接收滤波器8。
104.(3.4)变形例4
105.参照图8来说明实施方式1的变形例4所涉及的高频模块100。关于变形例4所涉及的高频模块100，对与实施方式1所涉及的高频模块100同样的结构要素，标注同一标记并省略说明。
106.在变形例4所涉及的高频模块100中，第一导电部61的材料例如是sus。第一导电部61的材料不限于sus，例如也可以是ti、ni或氧化铁。第一导电部61不限于单层构造，也可以是层叠构造，例如也可以具有sus层与ni层的层叠构造、或ti层与ni层的层叠构造。第二导电部62是由电阻率比第一导电部61的电阻率低的材料形成的单层构造，但是不限于此，也可以与实施方式1所涉及的高频模块100(参照图1)同样地，具有第一层621、第二层622以及第三层623的层叠构造。
107.变形例4所涉及的高频模块100的制造方法与实施方式1所涉及的高频模块的制造方法不同。在变形例4所涉及的高频模块的制造方法中，在形成导电层6时，形成覆盖树脂层5的主面51及外周面53以及安装基板9的外周面93的第二导电部62，之后，利用剥离法(lift off)来形成第一导电部61。
108.在变形例4所涉及的高频模块100中，第一导电部61的材料的选择的自由度变高。
109.(3.5)变形例5
110.参照图9来说明实施方式1的变形例5所涉及的高频模块100。关于变形例5所涉及的高频模块100，对与实施方式1所涉及的高频模块100同样的结构要素，标注同一标记并省略说明。
111.变形例5所涉及的高频模块100在以下方面与实施方式1所涉及的高频模块100不同：导电层6还覆盖第一电子部件1的上表面15和第二电子部件2的上表面25，第一电子部件1的上表面15及第二电子部件2的上表面25与导电层6相接。另外，变形例5所涉及的高频模块100在以下方面与实施方式1所涉及的高频模块100不同：第一导电部61具有第一层611与第二层612的层叠构造。
112.在变形例5所涉及的高频模块100中，导电层6与第一电子部件1的上表面25的整个区域相接，因此相比于实施方式1所涉及的高频模块100，能够提高散热性。
113.第一导电部61的第一层611为与第二导电部62的第一层621相同的材料且相同的
厚度。第一导电部61的第一层611的材料例如是sus。第一导电部61的第一层611与第二导电部62的第一层621是没有边界的连续的成一体的层。第一导电部61的第二层612为与第二导电部62的第三层623相同的材料且相同的厚度。第一导电部61的第二层612的材料例如是sus。第一导电部61的第二层612与第二导电部62的第三层623是没有边界的连续的成一体的层。第二导电部62的第二层622的材料是cu。
114.变形例5所涉及的高频模块100的制造方法与实施方式1所涉及的高频模块的制造方法不同。
115.作为变形例5所涉及的高频模块100的制造方法，例如能够采用包括第一工序、第二工序、第三工序以及第四工序的制造方法。
116.第一工序是以下工序：在安装基板9的主面91安装第一电子部件1和第二电子部件2。
117.第二工序是以下工序：在安装基板9的主面91上形成作为覆盖第一电子部件1和第二电子部件2的树脂层5的基础的树脂材料层。
118.第三工序是以下工序：从第一树脂材料层的与安装基板9侧相反的一侧的主面磨削树脂材料层并进一步磨削树脂材料层、第一电子部件1以及第二电子部件2，由此形成树脂层5并且使第一电子部件1和第二电子部件2均变薄。在第三工序中，通过磨削第一电子部件1和第二电子部件2来使第一电子部件1的上表面15和第二电子部件2的上表面25粗糙化(不平坦)。
119.第四工序是形成导电层6的工序。第四工序包括第一步骤、第二步骤以及第三步骤，在第一步骤中，以覆盖树脂层5的方式，通过例如溅射法、蒸镀法或印刷法来形成第一导电部61的第一层611和第二导电部62的第一层621。在第二步骤中，例如利用溅射法、光刻技术以及蚀刻技术来形成第二导电部62的第二层622。在第三步骤中，通过例如溅射法、蒸镀法或印刷法来形成第一导电部61的第二层612和第二导电部62的第三层623。
120.在变形例5所涉及的高频模块100的制造方法中，不照射激光束就能够形成第二导电部62，因此存在以下优点：在第二导电部62与第一电子部件1的上表面15的一部分及第二电子部件2的上表面25的一部分相接的情况下，第一电子部件1和第二电子部件2不会受到来自激光束的热的影响。
121.相比于实施方式1所涉及的高频模块100，变形例5所涉及的高频模块100能够使第一导电部61的厚度薄。由此，变形例5所涉及的高频模块100能够使在从安装基板9的厚度方向d1俯视时第一rf端子11与第二rf端子21并排的方向上的第一导电部61的电阻高，能够实现隔离度的提高。
122.(3.6)变形例6
123.参照图10来说明实施方式1的变形例6所涉及的高频模块100。关于变形例6所涉及的高频模块100，对与实施方式1的变形例5所涉及的高频模块100同样的结构要素，标注同一标记并省略说明。
124.变形例6所涉及的高频模块100在以下方面与变形例5所涉及的高频模块100不同：第二电子部件2的上表面25不与导电层6相接。
125.另外，变形例6所涉及的高频模块100在以下方面与变形例5所涉及的高频模块100不同：第一导电部61具有单层构造而不是层叠构造。
126.在变形例6所涉及的高频模块100中，第二导电部62具有第一层621与第二层622的2层构造。第一层621的材料例如是ti。第二层622的材料例如是au。第一导电部61的材料是与第二导电部62的第一层621相同的材料，例如是ti。
127.在变形例6所涉及的高频模块100中，由接收滤波器8构成的第二电子部件2的上表面25不与导电层6相接，因此能够抑制由发送滤波器7构成的第一电子部件1所产生的热经由导电层6被传递到第二电子部件2。
128.(3.7)变形例7
129.参照图11来说明实施方式1的变形例7所涉及的高频模块100。关于变形例7所涉及的高频模块100，对与实施方式1的变形例5所涉及的高频模块100同样的结构要素，标注同一标记并省略说明。
130.变形例7所涉及的高频模块100在以下方面与变形例5所涉及的高频模块100不同：第一导电部61由第二导电部62的第一层621的金属材料与第二导电部62的第二金属材料的合金构成。另外，变形例7所涉及的高频模块100在以下方面与变形例5所涉及的高频模块100不同：第一导电部61具有单层构造而不是层叠构造。
131.(3.8)变形例8
132.参照图12来说明实施方式1的变形例8所涉及的高频模块100。关于变形例8所涉及的高频模块100，对与实施方式1的变形例5(参照图9)所涉及的高频模块100同样的结构要素，标注同一标记并省略说明。
133.在变形例8所涉及的高频模块100中，与变形例5所涉及的高频模块100同样地，第一导电部61具有第一层611与第二层612的层叠构造，该第一层611由与第二导电部62的第一层621的材料相同的材料(例如，sus)形成，该第二层612由与第二导电部62的第三层623的材料相同的材料(例如，sus)形成。在变形例8所涉及的高频模块100中，在以下方面与变形例5所涉及的高频模块100不同：第一导电部61的第二层612的厚度为同第二导电部62的第二层622与第三层623的总厚度相同的厚度。
134.(实施方式2)
135.下面，参照图13和图14来说明实施方式2所涉及的高频模块100b。关于实施方式2所涉及的高频模块100b，对与实施方式1所涉及的高频模块100同样的结构要素，标注同一标记并省略说明。
136.实施方式2所涉及的高频模块100b在以下方面与实施方式1所涉及的高频模块100不同：如图14所示，具备连接于发送滤波器7与发送端子t1之间的第一匹配元件19、以及连接于接收滤波器8与接收端子t2之间的第二匹配元件29。第一匹配元件19例如是第一电感器l1。第二匹配元件29例如是第二电感器l2。
137.在高频模块100b中，第一电感器l1是第一表面安装型电子部件，构成第一电子部件1。另外，第二电感器l2是第二表面安装型部件，构成第二电子部件2。第一电感器l1具有2个第一外部端子10，2个第一外部端子10构成第一电子部件1的第一rf端子11。第二电感器l2具有2个第二外部端子20，2个第二外部端子20构成第二电子部件2的第二rf端子21。
138.在高频模块100b中，在从安装基板9的厚度方向d1俯视时，第一电感器l1与发送滤波器7相邻。“第一电感器l1与发送滤波器7相邻”是指：在从安装基板9的厚度方向d1俯视时，在第一电感器l1与发送滤波器7之间不存在其它电路部件，第一电感器l1与发送滤波器
7彼此相邻。另外，在高频模块100b中，在从安装基板9的厚度方向d1俯视时，第二电感器l2与接收滤波器8相邻。“第二电感器l2与接收滤波器8相邻”是指：在从安装基板9的厚度方向d1俯视时，在第二电感器l2与接收滤波器8之间不存在其它电路部件，第二电感器l2与接收滤波器8彼此相邻。
139.在高频模块100b中，在从安装基板9的厚度方向d1俯视时，第一电感器l1、发送滤波器7、接收滤波器8以及第二电感器l2在第一电感器l1与第二电感器l2并排的方向上从第一电感器l1侧起按第一电感器l1、发送滤波器7、接收滤波器8以及第二电感器l2的顺序排列。
140.在高频模块100b中，第一导电部61具有第一层611与第二层612的层叠构造。第一导电部61的第一层611的材料与第二导电部62的第一层621的材料相同。第一导电部61的第二层612是第二导电部62的第二层622的材料与第三层623的材料的合金。
141.在高频模块100b中，能够实现由第一电感器l1构成的第一电子部件1的第一rf端子11与由第二电感器l2构成的第二电子部件2的第二rf端子21的隔离度的提高。另外，在高频模块100b中，能够实现发送滤波器7的外部端子79与接收滤波器8的外部端子89的隔离度的提高。
142.(实施方式3)
143.参照图15和图16来说明实施方式3所涉及的高频模块100a。关于实施方式3所涉及的高频模块100a，对与实施方式1的变形例5所涉及的高频模块100(参照图9)同样的结构要素，标注同一标记并省略说明。
144.实施方式3所涉及的高频模块100a在以下方面与变形例5所涉及的高频模块100不同：将实施方式1的变形例5所涉及的高频模块100中的发送滤波器7的基板70和接收滤波器8的基板80用1块基板40来共用化而构成双工器4。基板40具有在基板40的厚度方向上彼此相向的第一主面41和第二主面42。在实施方式3所涉及的高频模块100a中，具有基板40的第一主面41来代替基板70的第一主面71和基板80的第一主面81。在实施方式3所涉及的高频模块100a中，双工器4构成安装于安装基板9的主面91的电子部件3。电子部件3具有多个外部端子30。多个外部端子30包括第一rf端子31和第二rf端子32。第一rf端子31由外部端子79构成。第二rf端子32由外部端子89构成。导电层6与电子部件3的上表面35相接。
145.实施方式3所涉及的高频模块100a具备安装基板9、电子部件3、树脂层5以及导电层6。安装基板9具有主面91。电子部件3具有多个外部端子30。电子部件3通过多个外部端子30来安装于安装基板9的主面91。树脂层5配置于安装基板9的主面91，至少覆盖电子部件3的外周面34。导电层6覆盖树脂层5，在从安装基板9的厚度方向d1俯视时，导电层6与电子部件3重叠。电子部件3的多个外部端子30包括第一rf端子31和第二rf端子32。导电层6包括第一导电部61和第二导电部62。在从安装基板9的厚度方向d1俯视时，第一导电部61位于第一rf端子31与第二rf端子32之间。在从安装基板9的厚度方向d1俯视时，第二导电部62与第一导电部61相邻。第一导电部61的电阻率比第二导电部62的电阻率高。另外，在实施方式3所涉及的高频模块100a中，第一导电部61是单层构造，第一导电部61的厚度与第二导电部62的第一层621的厚度相同，第一导电部61的材料与第二导电部62的第一层621的材料相同。
146.实施方式3所涉及的高频模块100a能够实现隔离度的提高。在此，实施方式3所涉及的高频模块100a能够实现电子部件3的第一rf端子31与第二rf端子32之间的隔离度的提
高。
147.(实施方式4)
148.参照图17来说明实施方式4所涉及的高频模块100a。关于实施方式4所涉及的高频模块100a，对与实施方式3所涉及的高频模块100a同样的结构要素，标注同一标记并省略说明。
149.在实施方式4所涉及的高频模块100a中，在以下方面与实施方式3所涉及的高频模块100a不同：电子部件3由发送滤波器7构成。在电子部件3中，第一rf端子31和第二rf端子32分别由外部端子79构成。构成电子部件3的发送滤波器7是在通带中包含多个通信频段的宽带滤波器。
150.实施方式4所涉及的高频模块100a能够实现隔离度的提高。在此，实施方式3所涉及的高频模块100a能够实现电子部件3的第一rf端子31与第二rf端子32之间的隔离度的提高。
151.(实施方式4的变形例1)
152.下面，参照图18来说明实施方式4的变形例1所涉及的高频模块100a。关于实施方式4的变形例1所涉及的高频模块100a，对与实施方式4所涉及的高频模块100a同样的结构要素，标注同一标记并省略说明。
153.在实施方式4的变形例1所涉及的高频模块100a中，在从安装基板9的厚度方向d1俯视时第一rf端子31与第二rf端子32并排的方向上的第一导电部61的长度比实施方式4所涉及的高频模块100a的第一导电部61的长度长。由此，相比于实施方式4所涉及的高频模块100a，实施方式4的变形例1所涉及的高频模块100a能够使第一导电部61的电阻大。因此，在实施方式4的变形例1所涉及的高频模块100a中，能够实现电子部件3的第一rf端子31与第二rf端子32之间的隔离度的进一步提高。
154.(实施方式4的变形例2)
155.下面，参照图19来说明实施方式4的变形例2所涉及的高频模块100a。关于实施方式4的变形例2所涉及的高频模块100a，对与实施方式4所涉及的高频模块100a同样的结构要素，标注同一标记并省略说明。
156.在变形例2所涉及的高频模块100a中，第一导电部61的材料例如是sus。第一导电部61的材料不限于sus，例如也可以是ti、ni或氧化铁。第一导电部61不限于单层构造，也可以是层叠构造，例如也可以具有sus层与ni层的层叠构造、或ti层与ni层的层叠构造。第二导电部62既可以是由电阻率比第一导电部61的电阻率低的材料形成的单层构造，也可以与实施方式4所涉及的高频模块100a(参照图17)同样地，具有第一层621、第二层622以及第三层623的层叠构造。
157.下面，基于图21的a～图22的c来说明变形例2所涉及的高频模块100a的制造方法的第一工序～第六工序。
158.在第一工序中，在安装基板9的主面91上安装电子部件3后形成树脂层5，之后将安装基板9配置在支承基板200上(参照图20的a)。
159.在第二工序中，以覆盖树脂层5的主面51及外周面53以及安装基板9的外周面93的方式，通过溅射法形成作为第二导电部62的基础的导电膜620(参照图20的b)。
160.在第三工序中，在导电膜620上利用光刻技术形成具有开口的抗蚀层210，该开口
使导电膜620中的形成于预定形成第一导电部61的区域的部分露出(参照图20的c)。
161.在第四工序中，将抗蚀层210作为掩模来蚀刻去除导电膜620的一部分，从而使树脂层5的主面51的一部分露出(参照图21的a)。由此，形成由导电膜620中的残留在树脂层5上的部分构成的第二导电部62。
162.在第五工序中，通过蒸镀法等形成第一导电部61(参照图21的b)。在第五工序中，在抗蚀层210上形成与第一导电部61相同的材料的无用膜610。
163.在第六工序中，去除抗蚀层210和无用膜610(参照图21的c)。由此，形成高频模块100a。之后，使高频模块100a从支承基板200分离即可。
164.(其它变形例)
165.上述的实施方式1～4等不过是本发明的各种实施方式之一。关于上述的实施方式1～4等，只要能够达到本发明的目的即可，能够根据设计等进行各种变更，也可以将互不相同的实施方式的互不相同的结构要素适当组合。
166.例如，实施方式1所涉及的高频模块100也可以还具备金属构件(例如，金属壁)，该金属构件配置于安装基板9的第一主面91，位于第一电子部件1与第二电子部件2之间，且与安装基板9的地层连接。
167.作为发送滤波器7和接收滤波器8各自的基板，也可以是具有硅基板、低声速膜以及压电体层的层叠构造的压电性基板。压电体层的材料例如是铌酸锂或钽酸锂。低声速膜是在低声速膜中传播的体波的声速比在压电体层中传播的体波的声速低的膜。低声速膜的材料例如是氧化硅，但是不限定于氧化硅。在硅基板中，在硅基板中传播的体波的声速比在压电体层中传播的弹性波的声速高。在此，在硅基板中传播的体波是在硅基板中传播的多个体波中的声速最低的体波。
168.另外，压电性基板也可以还具有设置于硅基板与低声速膜之间的高声速膜。高声速膜是在高声速膜中传播的体波的声速比在压电体层中传播的弹性波的声速高的膜。高声速膜的材料例如是氮化硅，但是不限定于氮化硅，也可以由从包括类金刚石、氮化铝、碳化硅、氮化硅、氮氧化硅、硅、蓝宝石、钽酸锂、铌酸锂、石英、氧化锆、堇青石、莫来石、滑石、镁橄榄石、氧化镁以及金刚石的组中选择的至少一种材料构成。
169.例如，在将通过idt电极的电极指周期来决定的弹性波的波长设为λ时，压电体层的厚度为3.5λ以下。低声速膜的厚度例如为2.0λ以下。
170.另外，发送滤波器7和接收滤波器8中的各滤波器不限于表面声波滤波器，例如也可以是baw(bulk acoustic wave：体声波)滤波器。baw滤波器中的谐振器例如是fbar(film bulk acoustic resonator：薄膜体声波谐振器)或smr(solidly mounted resonator：固态装配型谐振器)。baw滤波器具有基板。基板例如是硅基板。
171.另外，发送滤波器7和接收滤波器8中的各滤波器不限于梯型滤波器，例如也可以是纵向耦合谐振器型声表面波滤波器。
172.另外，上述的弹性波滤波器是利用表面声波或体声波的弹性波滤波器，但是不限于此，例如也可以是利用边界声波、板波等的弹性波滤波器。
173.高频模块100～100b的电路结构不限于上述的例子。高频模块100例如也可以是能够支持载波聚合和双连接的模块。另外，高频模块100～100b例如也可以具有支持mimo(multi input multi output：多输入多输出)的高频前端电路作为电路结构。
174.另外，实施方式1所涉及的通信装置300也可以具备高频模块100a、100b中的任一者来代替高频模块100。
175.(方式)
176.本说明书公开了以下的方式。
177.第1方式所涉及的高频模块(100；100b)具备安装基板(9)、第一电子部件(1)、第二电子部件(2)、树脂层(5)以及导电层(6)。安装基板(9)具有主面(91)。第一电子部件(1)具有包括第一rf端子(11)的多个第一外部端子(10)。第一电子部件(1)通过多个第一外部端子(10)来安装于安装基板(9)的主面(91)。第二电子部件(2)具有包括第二rf端子(21)的多个第二外部端子(20)。第二电子部件(2)通过多个第二外部端子(20)来安装于安装基板(9)的主面(91)。树脂层(5)配置于安装基板(9)的主面(91)，至少覆盖第一电子部件(1)的外周面(14)和第二电子部件(2)的外周面(24)。导电层(6)覆盖树脂层(5)，在从安装基板(9)的厚度方向(d1)俯视时，导电层(6)与第一电子部件(1)及第二电子部件(2)重叠。导电层(6)包括第一导电部(61)和第二导电部(62)。在从安装基板(9)的厚度方向(d1)俯视时，第一导电部(61)位于第一rf端子(11)与第二rf端子(21)之间。在从安装基板(9)的厚度方向(d1)俯视时，第二导电部(62)与第一导电部(61)相邻。第一导电部(61)的电阻率比第二导电部(62)的电阻率高。
178.第1方式所涉及的高频模块(100；100b)能够实现隔离度的提高。
179.第2方式所涉及的高频模块(100a)具备安装基板(9)、电子部件(3)、树脂层(5)以及导电层(6)。安装基板(9)具有主面(91)。电子部件(3)具有多个外部端子(30)。电子部件(3)通过多个外部端子(30)来安装于安装基板(9)的主面(91)。树脂层(5)配置于安装基板(9)的主面(91)，至少覆盖电子部件(3)的外周面(34)。导电层(6)覆盖树脂层(5)，在从安装基板(9)的厚度方向(d1)俯视时，导电层(6)与电子部件(3)重叠。电子部件(3)的多个外部端子(30)包括第一rf端子(31)和第二rf端子(32)。导电层(6)包括第一导电部(61)和第二导电部(62)。在从安装基板(9)的厚度方向(d1)俯视时，第一导电部(61)位于第一rf端子(31)与第二rf端子(32)之间。在从安装基板(9)的厚度方向(d1)俯视时，第二导电部(62)是除第一导电部(61)以外的部分。第一导电部(61)的电阻率比第二导电部(62)的电阻率高。
180.第2方式所涉及的高频模块(100a)能够实现隔离度的提高。
181.在第3方式所涉及的高频模块(100；100b)中，根据第1方式，导电层(6)与第一电子部件(1)的上表面(15)及第二电子部件(2)的上表面(25)相接。
182.第3方式所涉及的高频模块(100；100b)能够实现低矮化。
183.在第4方式所涉及的高频模块(100a)中，根据第2方式，导电层(6)与电子部件(3)的上表面(35)相接。
184.在第5方式所涉及的高频模块(100)中，根据第3方式，第一电子部件(1)是发送系统电路部件。
185.第5方式所涉及的高频模块(100)能够抑制第一电子部件(1)的温度上升，能够实现第一电子部件(1)的温度特性的稳定化，能够实现高频模块(100)的特性的稳定化。另外，第5方式所涉及的高频模块(100)能够抑制由第一电子部件(1)产生的热经由导电层(6)被传递到第二电子部件(2)。
186.在第6方式所涉及的高频模块(100)中，根据第5方式，第一电子部件(1)是发送滤
波器(7)，第二电子部件(2)是接收滤波器(8)。
187.在第6方式所涉及的高频模块(100)中，能够实现发送滤波器(7)与接收滤波器(8)的隔离度的提高。
188.在第7方式所涉及的高频模块(100)中，根据第6方式，第一电子部件(1)和第二电子部件(2)分别是弹性波滤波器。
189.在第8方式所涉及的高频模块(100b)中，根据第1方式，还具备发送滤波器(7)和接收滤波器(8)。第一电子部件(1)是与发送滤波器(7)连接的第一表面安装型电子部件(第一电感器l1)，第二电子部件(2)是与接收滤波器(8)连接的第二表面安装型电子部件(第二电感器l2)。
190.第8方式所涉及的高频模块(100b)能够实现第一表面安装型电子部件(第一电感器l1)与第二表面安装型电子部件(第二电感器l2)的隔离度的提高。
191.第9方式所涉及的高频模块(100；100b)基于第1方式、第3方式、第5方式～第8方式中的任一方式。在第9方式所涉及的高频模块(100；100b)中，在从安装基板(9)的厚度方向(d1)俯视时，在同第一rf端子(11)与第二rf端子(21)并排的方向正交的方向上，第一导电部(61)的长度(h61)比第一电子部件(1)的长度(h1)及第二电子部件(2)的长度(h2)长。
192.第9方式所涉及的高频模块(100；100b)能够实现隔离度的提高。
193.在第10方式所涉及的高频模块(100a)中，根据第2方式或第4方式，电子部件(3)是双工器(4)。
194.第10方式所涉及的高频模块(100a)能够抑制双工器(4)的特性下降。
195.在第11方式所涉及的高频模块(100；100a；100b)中，根据第1方式～第10方式中的任一方式，第二导电部(62)包括第一sus层(第一层621)、第一sus层(第一层621)上的cu层(第二层622)、以及cu层(第二层622)上的第二sus层(第三层623)。第一导电部(61)的电阻率比cu层(第二层622)的电阻率高。
196.第11方式所涉及的高频模块(100；100a；100b)能够实现可靠性的提高。
197.在第12方式所涉及的高频模块(100；100a；100b)中，根据第1方式～第10方式中的任一方式，第二导电部(62)包括第一ti层(第一层621)、第一ti层(第一层621)上的cu层(第二层622)、以及cu层(第二层622)上的第二ti层(第三层623)。第一导电部(61)的电阻率比cu层(第二层622)的电阻率高。
198.第12方式所涉及的高频模块(100；100a；100b)能够实现可靠性的提高。
199.第13方式所涉及的高频模块(100；100b)具备安装基板(9)、第一电子部件(1)、第二电子部件(2)、树脂层(5)以及导电层(6)。安装基板(9)具有主面(91)。第一电子部件(1)具有包括第一rf端子(11)的多个第一外部端子(10)。第一电子部件(1)通过多个第一外部端子(10)来安装于安装基板(9)的主面(91)。第二电子部件(2)具有包括第二rf端子(21)的多个第二外部端子(20)。第二电子部件(2)通过多个第二外部端子(20)来安装于安装基板(9)的主面(91)。树脂层(5)配置于安装基板(9)的主面(91)，至少覆盖第一电子部件(1)的外周面(14)和第二电子部件(2)的外周面(24)。导电层(6)覆盖树脂层(5)，在从安装基板(9)的厚度方向(d1)俯视时，导电层(6)与第一电子部件(1)及第二电子部件(2)重叠。导电层(6)包括第一导电部(61)和第二导电部(62)。在从安装基板(9)的厚度方向(d1)俯视时，第一导电部(61)位于第一rf端子(11)与第二rf端子(21)之间。在从安装基板(9)的厚度方
向(d1)俯视时，第二导电部(62)与第一导电部(61)相邻。第二导电部(62)具有第一金属层(62a)和第二金属层(62b)，第一金属层(62a)包含第一金属材料，第二金属层(62b)形成在第一金属层(62a)上，包含不同于第一金属材料的第二金属材料。第一导电部(61)具有包含第一金属材料和第二金属材料的合金部。
200.第13方式所涉及的高频模块(100；100b)能够实现隔离度的提高。
201.在第14方式所涉及的高频模块(100；100b)中，根据第13方式，第一金属材料是cu，第二金属材料是包含fe、cr以及ni的材料。
202.在第15方式所涉及的高频模块(100；110b)中，根据第13方式，第一金属材料是cu，第二金属材料是ti。
203.第16方式所涉及的通信装置(300)具备：第1方式～第15方式中的任一方式的高频模块(100；100a；100b)；以及信号处理电路(301)。信号处理电路(301)与高频模块(100；100a；100b)连接。
204.第16方式所涉及的通信装置(300)能够实现隔离度的提高。
205.附图标记说明
206.1：第一电子部件；10：第一外部端子；11：第一rf端子；14：外周面；15：上表面；17：功率放大器；18：低噪声放大器；19：第一匹配元件；2：第二电子部件；20：第二外部端子；21：第二rf端子；24：外周面；25：上表面；29：第二匹配元件；3：电子部件；4：双工器；40：基板；41：第一主面；42：第二主面；5：树脂层；51：主面；53：外周面；6：导电层；61：第一导电部；62：第二导电部；62a：第一金属层；62b：第二金属层；621：第一层(第一sus层、第一ti层)；622：第二层(cu层)；623：第三层(第二sus层)；7：发送滤波器(发送系统电路部件)；70：基板；71：第一主面；72：第二主面；73：布线电极；74：电路部；75：idt电极；76：间隔层；77：外壳构件；78：第一空间；79：外部端子；8：接收滤波器；80：基板；81：第一主面；82：第二主面；83：布线电极；84：电路部；85：idt电极；86：间隔层；87：外壳构件；88：第二空间；89：外部端子；9：安装基板；91：第一主面；92：第二主面；93：外周面；100、100a、100b：高频模块；300：通信装置；301：信号处理电路；302：rf信号处理电路；303：基带信号处理电路；310：天线；d1：厚度方向；l1：第一电感器；l2：第二电感器；
207.t0：天线端子；t1：发送端子(信号输入端子)；t2：接收端子(信号输出端子)；t5：地端子。

技术特征：
1.一种高频模块，具备：安装基板，其具有主面；第一电子部件，其具有包括第一rf端子的多个第一外部端子，所述第一电子部件通过所述多个第一外部端子来安装于所述安装基板的所述主面；第二电子部件，其具有包括第二rf端子的多个第二外部端子，所述第二电子部件通过所述多个第二外部端子来安装于所述安装基板的所述主面；树脂层，其配置于所述安装基板的所述主面，至少覆盖所述第一电子部件的外周面和所述第二电子部件的外周面；以及导电层，其覆盖所述树脂层，在从所述安装基板的厚度方向俯视时，所述导电层与所述第一电子部件及所述第二电子部件重叠，其中，所述导电层包括：第一导电部，在从所述厚度方向俯视时，所述第一导电部位于所述第一rf端子与所述第二rf端子之间；以及第二导电部，在从所述厚度方向俯视时，所述第二导电部与所述第一导电部相邻，所述第一导电部的电阻率比所述第二导电部的电阻率高。2.一种高频模块，具备：安装基板，其具有主面；电子部件，其具有多个外部端子，所述电子部件通过所述多个外部端子来安装于所述安装基板的所述主面；树脂层，其配置于所述安装基板的所述主面，至少覆盖所述电子部件的外周面；以及导电层，其覆盖所述树脂层，在从所述安装基板的厚度方向俯视时，所述导电层与所述电子部件重叠，其中，所述电子部件的所述多个外部端子包括第一rf端子和第二rf端子，所述导电层包括：第一导电部，在从所述厚度方向俯视时，所述第一导电部位于所述第一rf端子与所述第二rf端子之间；以及第二导电部，在从所述厚度方向俯视时，所述第二导电部与所述第一导电部相邻，所述第一导电部的电阻率比所述第二导电部的电阻率高。3.根据权利要求1所述的高频模块，其中，所述导电层与所述第一电子部件的上表面及所述第二电子部件的上表面相接。4.根据权利要求2所述的高频模块，其中，所述导电层与所述电子部件的上表面相接。5.根据权利要求3所述的高频模块，其中，所述第一电子部件是发送系统电路部件。6.根据权利要求5所述的高频模块，其中，所述第一电子部件是发送滤波器，所述第二电子部件是接收滤波器。7.根据权利要求6所述的高频模块，其中，所述第一电子部件和所述第二电子部件分别是弹性波滤波器。
8.根据权利要求1所述的高频模块，还具备：发送滤波器；以及接收滤波器，所述第一电子部件是与所述发送滤波器连接的表面安装型电子部件，所述第二电子部件是与所述接收滤波器连接的表面安装型电子部件。9.根据权利要求1、3、5～8中的任一项所述的高频模块，其中，在从所述厚度方向俯视时，在同所述第一rf端子与所述第二rf端子并排的方向正交的方向上，所述第一导电部的长度比所述第一电子部件的长度及所述第二电子部件的长度长。10.根据权利要求2或4所述的高频模块，其中，所述电子部件是双工器。11.根据权利要求1～10中的任一项所述的高频模块，其中，所述第二导电部包括第一sus层、所述第一sus层上的cu层以及所述cu层上的第二sus层，所述第一导电部的电阻率比所述cu层的电阻率高。12.根据权利要求1～10中的任一项所述的高频模块，其中，所述第二导电部包括第一ti层、所述第一ti层上的cu层以及所述cu层上的第二ti层，所述第一导电部的电阻率比所述cu层的电阻率高。13.一种高频模块，具备：安装基板，其具有主面；第一电子部件，其具有包括第一rf端子的多个第一外部端子，所述第一电子部件通过所述多个第一外部端子来安装于所述安装基板的所述主面；第二电子部件，其具有包括第二rf端子的多个第二外部端子，所述第二电子部件通过所述多个第二外部端子来安装于所述安装基板的所述主面；树脂层，其配置于所述安装基板的所述主面，至少覆盖所述第一电子部件的外周面和所述第二电子部件的外周面；以及导电层，其覆盖所述树脂层，在从所述安装基板的厚度方向俯视时，所述导电层与所述第一电子部件及所述第二电子部件重叠，其中，所述导电层包括：第一导电部，在从所述厚度方向俯视时，所述第一导电部位于所述第一rf端子与所述第二rf端子之间；以及第二导电部，在从所述厚度方向俯视时，所述第二导电部与所述第一导电部相邻，所述第二导电部具有：第一金属层，其包含第一金属材料；以及第二金属层，其形成在所述第一金属层上，包含不同于所述第一金属材料的第二金属材料，所述第一导电部具有包含所述第一金属材料和所述第二金属材料的合金部。14.根据权利要求13所述的高频模块，其中，所述第一金属材料是cu，
所述第二金属材料是包含fe、cr以及ni的材料。15.根据权利要求13所述的高频模块，其中，所述第一金属材料是cu，所述第二金属材料是ti。16.一种通信装置，具备：根据权利要求1～15中的任一项所述的高频模块；以及信号处理电路，其与所述高频模块连接。

技术总结
实现隔离度的提高。在高频模块(100)中，第一电子部件(1)和第二电子部件(2)安装于安装基板(9)的主面(91)。树脂层(5)至少覆盖第一电子部件(1)的外周面(14)和第二电子部件(2)的外周面(24)。导电层(6)覆盖树脂层(5)，在从安装基板(9)的厚度方向(D1)俯视时，导电层(6)与第一电子部件(1)及第二电子部件(2)重叠。导电层(6)包括第一导电部(61)和第二导电部(62)。在从厚度方向(D1)俯视时，第一导电部(61)位于第一电子部件(1)的第一RF端子(11)与第二电子部件(2)的第二RF端子(21)之间。在从厚度方向(D1)俯视时，第二导电部(62)与第一导电部(61)相邻。第一导电部(61)的电阻率比第二导电部(62)的电阻率高。(62)的电阻率高。(62)的电阻率高。


技术研发人员：黑柳琢真
受保护的技术使用者：株式会社村田制作所
技术研发日：2021.12.09
技术公布日：2023/8/24