一种太阳能薄膜电池的制作方法与流程

1.本技术涉及光伏领域，更具体的说，涉及一种太阳能薄膜电池的制作方法。


背景技术：

2.随着光伏领域的不断发展，对于太阳能电池的需求越来越多，而太阳能薄膜电池其质量小、厚度薄、可弯曲以及成本低的优点得到了大面积的应用。
3.现有技术在制备太阳能薄膜电池时，在基板上制备第一电极层，通过在第一电极层形成刻缝，以形成多个第一电极；而后在第一电极层上制备光电转换层，通过在光电转换层上制备刻缝，以形成多个光电转换单元；最后在光电转换层上制备第二电极层，通过在第二电极层上制备刻缝，以形成多个第二电极。一般采用沉积工艺形成第二电极层，以使得第二电极能够通过光电转换层中的刻缝与第一电极连接，从而实现电路串联，以使得所述太阳能薄膜电池提供的电压和电流达到目标需求。
4.为了提高光电转换层的有效光电转换面积，一般采用激光刻蚀等方式形成贯穿光电转换层的刻缝，该刻缝的宽度较小，一般为500nm-50μm。由于光电转换层中刻缝宽度较小，故沉积工艺形成第二电极层时，第二电极层在光电转换层中刻缝的形貌较差，导致第一电极和第二电极之间的连接电阻较大。


技术实现要素：

5.有鉴于此，本技术提供了一种太阳能薄膜电池的制作方法，方案如下：
6.一种太阳能薄膜电池的制作方法，包括：
7.提供一基板；
8.在所述基板的一侧表面形成图形化的第一电极层，所述第一电极层包括多个第一电极，相邻所述第一电极之间具有第一刻缝；
9.在所述第一电极背离所述基板的一侧形成电连接结构；
10.形成覆盖所述第一电极层的光电转换层，所述光电转换层露出所述电连接结构的背离所述基板的端部；所述电连接结构将所述光电转换层分割为多个光电转换单元；
11.形成覆盖所述光电转换层的第二电极层，所述第二电极层包括多个第二电极，相邻所述第二电极之间具有第二刻缝；
12.其中，在垂直于所述第一基板所在平面的方向上，所述电连接结构与所述第一刻缝不交叠，所述第二刻缝与所述第一刻缝以及所述电连接结构不交叠；所述第二电极通过所述电连接结构与所述第一电极连接。
13.优选的，在上述太阳能薄膜电池的制作方法中，在第一方向上，具有n个依次排布的所述第一电极，n个所述第一电极依次为第1级第一电极至第n级第一电极，n为大于1的正整数；所述第一方向平行于所述基板所在平面；
14.在所述第一电极背离所述基板的一侧形成电连接结构，包括：
15.在第2级第一电极至第n级第一电极的表面上分别形成一个所述电连接结构。
16.优选的，在上述太阳能薄膜电池的制作方法中，形成所述第二电极层的方法包括：
17.形成未图形化的第二电极层；
18.对所述第二电极层进行图形化处理，以在所述第二电极层表面形成所述第二刻缝，形成n个与所述第一电极一一对应的第二电极；n个所述第二电极在所述第一方向上依次为第1级第二电极至第n级第二电极；
19.其中，在所述第一方向上，所述电连接结构位于所述第一刻缝与所述第二刻缝之间。
20.优选的，在上述太阳能薄膜电池的制作方法中，形成所述光电转换层的方法包括：
21.基于所述电连接结构，在所述第一电极层的表面沉积所述光电转换层。
22.优选的，在上述太阳能薄膜电池的制作方法中，形成所述第一刻缝的方法包括：采用激光刻蚀图形化所述第一电极层，形成所述第一刻缝；
23.形成所述第二刻缝的方法包括：采用激光刻蚀图形化所述第二电极层，形成所述第二刻缝。
24.优选的，在上述太阳能薄膜电池的制作方法中，所述第一电极层透明薄膜电极；
25.所述第一刻缝的宽度是100nm-500nm。
26.优选的，在上述太阳能薄膜电池的制作方法中，所述光电转换层的厚度是200n-50μm；
27.所述光电转换层为钙钛矿膜层或碲化镉膜层。
28.优选的，在上述太阳能薄膜电池的制作方法中，所述电连接结构为金属结构或是合金结构；
29.所述电连接结构的高度为500nm-50μm，宽度为500nm-100μm。
30.优选的，在上述太阳能薄膜电池的制作方法中，所述第二电极层为金属电极、或是金属氧化物电极、或改性金属氧化物电极。
31.优选的，在上述太阳能薄膜电池的制作方法中，所述第二电极的厚度不超过1μm。
32.基于上述介绍，本技术提供了一种太阳能薄膜电池的制作方法，该制作方法在形成光电转换层之前先制备所述电连接结构，基于电连接结构，能够将所述光电转换层分割为多个光电转换单元。一方面，所述电连接结构将所述光电转换层分割为多个光电转换单元，无需通过单独的刻缝工艺分割光电转换层，减少了一次激光刻缝的工艺，避免了所述光电转换层在激光刻缝过程中受到损伤，从而提高了所述激光电转换层的寿命，并且减少了工艺步骤，降低了成本；另一方面，相对于常规技术中基于光电转换层中刻缝沉积第二电极层的串联方案，本技术中电连接结构能够大大降低第一电极和第二电极之间的连接电阻。
附图说明
33.为了更清楚地说明本技术实施例或相关技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
34.本说明书附图所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本技术可实施的限定条件，故不具技术
上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本技术所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本技术所揭示的技术内容得能涵盖的范围内。
35.图1为现有技术中的一种太阳能薄膜电池的结构示意图；
36.图2为图1所示太阳能薄膜电池具有较大连接电阻的原理示意图；
37.图3-图7为本技术实施例提供的一种太阳能薄膜电池制作方法的工艺流程图；
38.图8-图9为本技术实施例提供的一种制备电连接结构的工艺流程图；
39.图10-图11为本技术实施例提供的一种制备第二电极的工艺流程图；
40.图12-图13为本技术实施例提供的一种制备第一电极的工艺流程图。
具体实施方式
41.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术中的实施例进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
42.参考图1和图2所示，图1为一种太阳能薄膜电池的结构示意图，图2为图1所示太阳能薄膜电池具有较大连接电阻的原理示意图，所示太阳能薄膜电池包括：基板20，具有相对的第一表面和第二表面；在所述第一表面具有第一电极层21，所述第一电极层21包括多个第一电极211，相邻的两个第一电极211之间具有刻缝212；位于第一电极层21背离所述基板20的一侧具有光电转换层23，所述光电转换层23具有多个光电转换单元231，相邻的两个光电转换单元231之间具有缝隙；位于所述光电转换层23背离所述基板一侧的第二电极层24，所述第二电极层24包括多个第二电极241，相邻的两个第二电极241之间具有第二刻缝242；其中，所述第二电极241通过相邻的两个光电转换单元231之间的缝隙与所述第一电极211连接，从而实现电路的串联。
43.如果常用沉积方法形成所述第二电极层24，一方面，沉积方法制备第二电极层24的生产成本较高，另一方面，相邻的两个光电转换单元231之间缝隙的侧壁处沉积的第二电极较薄，导致该位置的电阻较大，所述第一电极211与所述第二电极241连接后的串联电阻较大，基于该种形貌结构的第二电极241形成的太阳能薄膜电池的内阻较大，大大影响光电转换效率。
44.有鉴于此，本技术技术方案提供了一种太阳能薄膜电池的制作方法，该制作方法在形成光电转换层之前先制备所述电连接结构，基于电连接结构，能够将所述光电转换层分割为多个光电转换单元。一方面，所述电连接结构将所述光电转换层分割为多个光电转换单元，无需通过单独的刻缝工艺分割光电转换层，减少了一次激光刻缝的工艺，避免了所述光电转换层在激光刻缝过程中受到损伤，从而提高了所述激光电转换层的寿命，并且减少了工艺步骤，降低了成本；另一方面，相对于常规技术中基于光电转换层中刻缝沉积第二电极层的串联方案，本技术中电连接结构能够大大降低第一电极和第二电极之间的连接电阻。
45.为使本技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本技术作进一步详细的说明。
46.参考图3-图7，图3-图7为本技术实施例提供的一种太阳能薄膜电池制作方法的工
艺流程图，该制作方法包括：
47.步骤s11：参考图3，提供一基板10；
48.步骤s12：参考图4，在所述基板10的一侧表面形成图形化的第一电极层11，所述第一电极层11包括多个第一电极111，相邻所述第一电极111之间具有第一刻缝112；
49.步骤s13：参考图5，在所述第一电极111背离所述基板10的一侧形成电连接结构12；
50.步骤s14：参考图6，形成覆盖所述第一电极层11的光电转换层13，所述光电转换层13露出所述电连接结构12的背离所述基板10的端部；所述电连接结构12将所述光电转换层13分割为多个光电转换单元131；
51.步骤s15：参考图7，形成覆盖所述光电转换层13的第二电极层14，所述第二电极层14包括多个第二电极141，相邻所述第二电极141之间具有第二刻缝142；其中，在垂直于所述第一基板10所在平面的方向上，所述电连接结构12与所述第一刻缝112不交叠，所述第二刻缝142与所述第一刻缝112以及所述电连接结构12不交叠；所述第二电极141通过所述电连接结构12与所述第一电极111连接。
52.所述第二电极141与所述第一电极111通过所述电连接结构12进行连接，提高了连接的可靠性，设置各个电连接结构12均相同，可以使得所述第二电极141与所述第一电极111的连接阻抗在任一位置处均相同，并且所述第二电极141在连接位置处的形貌变化较小，降低了第一电极111和第二电极141的连接阻抗。而且采用所述电连接结构12将所述光电转换层13分割为多个光电转换单元131，无需通过单独的刻缝工艺分割所述光电转换层13，减少了一次激光刻缝的工艺，避免了所述光电转换层13在激光刻缝过程中受到损伤，从而提高了所述光电转换层13的寿命，并且减少了工艺步骤，降低了成本。
53.以钙钛矿电池为例，通过单独设置所述电连接结构12能够使得形成串联电阻从15欧，降低到3-5欧，使得光电转换效率从10％提高至15％，并且还能提高所述太阳能薄膜电池的使用寿命。
54.在本技术实施例提供的制作方法中，如图5所示，在第一方向(即图5中水平方向)上，具有n个依次排布的所述第一电极111，n个所述第一电极111依次为第1级第一电极至第n级第一电极111，n为大于1的正整数；所述第一方向平行于所述基板10所在平面；在所述第一电极111背离所述基板10的一侧形成电连接结构12，包括：在第2级第一电极111至第n级第一电极111的表面上分别形成一个所述电连接结构12。本技术实施例中，以n＝4为例进行图示说明，显然可以基于需求设置n的取值，可以为任意大于1的正整数，本技术实施例对此不作限定。
55.第一电极111、光电转换单元131和第二电极141三者一一对应，在垂直于基板10的方向上，相对的第一电极111和第二电极141及其之间的光电转换单元131为一个电池单元，通过将所述n个电池单元串联起来提供所需电压，因此在制备过程中，可以基于需求设定数量n，从而设定太阳能薄膜电池的输出电压/电流。
56.在本技术实施例中，位于所述第一电极层11背离所述基板10一侧的所述电连接结构12可以通过印刷工艺直接形所需图形。
57.或，参考图8-图9，图8-图9为本技术实施例提供的一种形成电连接结构的工艺流程图。首先，如图8所示，在所述第一电极层11背离所述基板10的一侧形成一层未图形化的
导电层30，再如图9所示，在导电层30表面上形成图形化的第一光刻胶层1，基于所述第一光刻胶层1图形化所述第二导电层30，形成多个所述电连接结构12。
58.参考图10-图11，图10-图11为本技术实施例提供的一种制备第二电极层14的工艺流程图，在上述实施例介绍的步骤s15中，形成所述第二电极层14的方法包括：首先，如图10所示，形成未图形化的第二电极层14；然后，如图11所示，在为图形化的第二电极层14表面形成第三光刻胶层3，最后，基于所述第三光刻胶层3对所述第二电极层14进行图形化处理，以在所述第二电极层14表面形成所述第二刻缝142，形成n个与所述第一电极111一一对应的第二电极141；n个所述第二电极141在所述第一方向上依次为第1级第二电极141至第n级第二电极141；其中，在所述第一方向上，所述电连接结构12位于所述第一刻缝112与所述第二刻缝142之间。
59.在本技术实施例中，对所述第二电极层14制备之前，已经形成了所述光电转换层13以及所述电连接结构12，因此在使用沉积法制备所述第二电极层14的时候，使用常规的沉积方法直接形成平面膜层结构的第二电极层14，再进行第二电极层14的图形化即可，相对于图2所示方式无需在刻缝中沉积第二电极层14就能够使得所述第二电极层14与电连接结构12形成有效的电连接。
60.其他方式中，第二电极层14的制备还可以包括：直接在所述光电转换层背离所述基板一侧表面印刷形成具有第二刻缝142的第二电极层14。或，提前制备多个第二电极141，然后将制备的所述第二电极141依次贴合在所述光电转换层131背离所述基板一侧的表面，并使得所述第二电极141与所述光电转换层131与所述电连接结构12电连接。采用上述两种方法制备所述第二电极层14，能简化制备流程，同时降低制作成本。
61.在所述第一电极层11与所述第二电极层14之间具有n-1个电连接结构12，通过设置n-1个电连接结构12，将所述光电转换层13分割成n个光电转换单元131，在第一方向上，该n个光电转换单元131依次为第1级光电转换单元131至第n级光电转换单元131。而所述太阳能薄膜电池基于所述n个光电转换单元131和与之对应的第一电极111和第二电极141形成了n个电池单元，相邻的两个电池单元通过所述电连接结构12进行串联，从而使得所述n个电池单元在所述第一方向上串联。
62.其中，在第一方向上的n个电池单元依次为第1级电池单元至第n级电池单元。第i级电池包括第i级第一电极111、第i级光电转换单元131和第i级第二电极141，i为不大于n的正整数。所述串联方式为：任意相邻两个电池单元串联，包括：第j级第二电极141连接第j+1级第一电极111，j为小于n的正整数。通过设置n-1个电连接结构12将所述n个电池单元串联起来，省去了多余的连接导线，使得串联结构更为简单。同时所述电连接结构12集成在了所述太阳能薄膜电池内部，降低了所述太阳能薄膜电池的体积，同时由于外部无串联导线，降低了损坏的风险。
63.在本技术实施例提供的制作方法中，形成所述光电转换层13的方法包括：基于所述电连接结构12，在所述第一电极层11的表面沉积所述光电转换层13。
64.由于所述光电转换层13是基于所述电连接结构12形成的，并且光电转换层13的上表面与所述电连接结构12的上表面齐平，因此减少了一次对所述光电转换层13进行激光刻缝的工艺步骤，避免了所光电转换层13在激光刻缝工艺中受到损伤，同时降低了制作成本。
65.参考图12-图13，图12-图13为本技术实施例提供的一种形成第一电极层工艺流程
图，如图12-图13所示，在本技术实施例提供的制作方法中，形成所述第一刻缝112的方法包括：首先，形成如图12所示的未图形化的第一电极层11。然后，如图13所示，在所述第一电极层表面形成第二光刻胶层2，基于所述第二光刻胶层2采用激光刻蚀图形化所述第一电极层11，形成所述第一刻缝112。由于激光功率较大，能提高刻蚀效率，同时激光刻蚀还能够形成宽度较小的刻缝，且工艺精度高，产生的损伤小。
66.在本技术实施例提供的制作方法中，所述第一电极层11透明薄膜电极；所述第一刻缝112的宽度是100nm-500nm。
67.所述第一电极111选取的透明薄膜电极为fto(掺氟的氧化锡)透明导电薄膜、ito(氧化铟锡)透明导电薄膜、azo(铝掺杂的氧化锌)透明导电薄膜或iwo(掺钨氧化铟)透明导电薄膜中的任一种。其中上述任一种透明导电薄膜均具备较高的光透射率，减少了对于光线的吸收，使得更多的光线到达所述光电转换层13，从而提高所述太阳能薄膜电池的光电转化效率。而所述第一刻缝112的宽度通常会在100nm-500nm之间，在这个宽度范围能够确保所述第一电极111被完全分割，同时刻缝宽度较窄，提高了所述太阳能薄膜电池的空间利用率，避免所述刻缝宽度过大导致的所述太阳能薄膜电池的尺寸大幅增加，提高了所述太阳能薄膜电池的便携度。
68.在本技术实施例提供的制作方法中，所述光电转换层13的厚度是200n-50μm；所述光电转换层13为钙钛矿膜层或碲化镉膜层。
69.所述光电转换层13的材料通常采用的钙钛矿、碲化镉等具有光生伏特效应的半导体材料。设置所述光电转换层13的厚度范围是200n-50μm，一方面，能够保证具有较高的光电转换效率，另一方面，同时具有较薄的厚度。而采用钙钛矿材料作为光电转换层13时，可以可设置厚度为700nm。
70.在本技术实施例提供的制作方法中，所述电连接结构12为金属结构或是合金结构；所述电连接结构12的高度为500nm-50μm，宽度为500nm-100μm。
71.所述电连接结构12的材料可以选择银、铜、铁、锡、铂、镍、铋等导电材料的一种或几种材料形成的复合导电材料，而形成的电连接结构12的宽度在500nm-100um之间，而所述电连接结构12的高度与后续形成的所述光电转换层13的最佳厚度相同，通常在500nm-50um之间，当采用所述光电转换层13采用钙钛矿材料时，所述电连接结构12的高度在700nm-1um之间，从而使得所述电连接结构12与所述光电转换层13的高度一致，或存在略微差异均可。此时能保证所述第二电极层14能在所电连接结构12与所述光电转换层13的交替位置不存在较大的形变。
72.在本技术实施例提供的制作方法中，所述第二电极层14为金属电极、或是金属氧化物电极、或改性金属氧化物电极。
73.其中，当所述第二电极141的材料为金属材料时，所述金属材料可以采用如au、ag、al、cu、mo等。当所述第二电极141采用金属氧化物时可以采用如：azo、ito、iwo等导电金属氧化物，若采用改性金属氧化物作为第二电极141时，通常会采用上述介绍的几种金属氧化的改性材料使用。其中，采用金属氧化物作为第二电极141较为常见，以ito为例，使用ito制备的第二电极141的电阻很低，降低了能量的损耗。并且ito制备的第二电极141的硬度较高、耐磨、耐化学腐蚀，提高了使用寿命。
74.在本技术实施例提供的制作方法中，所述第二电极141的厚度不超过1μm。
75.以ito制备第二电极141为例，使用ito制备的第二电极141在厚度小于1μm时，对于可见光的透射率在85％以上，使得所述光电转换层13能获取更多的可见光，从而增加所述太阳能薄膜电池产生的电量，同时透射率更高，还能够使得之所述太阳能薄膜电池的实用性强，适用范围更大。
76.本说明书中各个实施例采用递进、或并列、或递进和并列结合的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。
77.需要说明的是，在本技术的描述中，需要理解的是，附图和实施例的描述是说明性的而不是限制性的。贯穿说明书实施例的同样的附图标记标识同样的结构。另外，处于理解和易于描述，附图可能夸大了一些层、膜、面板、区域等厚度。同时可以理解的是，当诸如层、膜、区域或基板的元件被称作“在”另一元件“上”时，该元件可以直接在其他元件上或者可以存在中间元件。另外，“在
…
上”是指将元件定位在另一元件上或者另一元件下方，但是本质上不是指根据重力方向定位在另一元件的上侧上。
78.术语“上”、“下”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。当一个组件被认为是“连接”另一个组件，它可以是直接连接到另一个组件或者可能同时存在居中设置的组件。
79.还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个
……”
限定的要素，并不排除在包括上述要素的物品或者设备中还存在另外的相同要素。
80.对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本技术。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本技术的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本技术将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

技术特征：
1.一种太阳能薄膜电池的制作方法，其特征在于，包括：提供一基板；在所述基板的一侧表面形成图形化的第一电极层，所述第一电极层包括多个第一电极，相邻所述第一电极之间具有第一刻缝；在所述第一电极背离所述基板的一侧形成电连接结构；形成覆盖所述第一电极层的光电转换层，所述光电转换层露出所述电连接结构的背离所述基板的端部；所述电连接结构将所述光电转换层分割为多个光电转换单元；形成覆盖所述光电转换层的第二电极层，所述第二电极层包括多个第二电极，相邻所述第二电极之间具有第二刻缝；其中，在垂直于所述第一基板所在平面的方向上，所述电连接结构与所述第一刻缝不交叠，所述第二刻缝与所述第一刻缝以及所述电连接结构不交叠；所述第二电极通过所述电连接结构与所述第一电极连接。2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在第一方向上，具有n个依次排布的所述第一电极，n个所述第一电极依次为第1级第一电极至第n级第一电极，n为大于1的正整数；所述第一方向平行于所述基板所在平面；在所述第一电极背离所述基板的一侧形成电连接结构，包括：在第2级第一电极至第n级第一电极的表面上分别形成一个所述电连接结构。3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，形成所述第二电极层的方法包括：形成未图形化的第二电极层；对所述第二电极层进行图形化处理，以在所述第二电极层表面形成所述第二刻缝，形成n个与所述第一电极一一对应的第二电极；n个所述第二电极在所述第一方向上依次为第1级第二电极至第n级第二电极；其中，在所述第一方向上，所述电连接结构位于所述第一刻缝与所述第二刻缝之间。4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，形成所述光电转换层的方法包括：基于所述电连接结构，在所述第一电极层的表面沉积所述光电转换层。5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，形成所述第一刻缝的方法包括：采用激光刻蚀图形化所述第一电极层，形成所述第一刻缝；形成所述第二刻缝的方法包括：采用激光刻蚀图形化所述第二电极层，形成所述第二刻缝。6.根据权利要求1所述的之制作方法，其特征在于，所述第一电极层透明薄膜电极；所述第一刻缝的宽度是100nm-500nm。7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述光电转换层的厚度是200n-50μm；所述光电转换层为钙钛矿膜层或碲化镉膜层。8.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述电连接结构为金属结构或是合金结构；所述电连接结构的高度为500nm-50μm，宽度为500nm-100μm。9.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第二电极层为金属电极、或是金属氧化物电极、或改性金属氧化物电极。10.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第二电极的厚度不超过1μm。

技术总结
本申请公开了一种太阳能薄膜电池的制作方法，包括：提供一基板；在基板的一侧表面形成图形化的第一电极层，第一电极层包括多个第一电极，相邻第一电极之间具有第一刻缝；在第一电极背离基板的一侧形成电连接结构；形成覆盖第一电极层的光电转换层，光电转换层露出电连接结构的背离基板的端部；电连接结构将光电转换层分割为多个光电转换单元；形成覆盖光电转换层的第二电极层，第二电极层包括多个第二电极，相邻第二电极之间具有第二刻缝；其中，在垂直于第一基板所在平面的方向上，电连接结构与第一刻缝不交叠，第二刻缝与第一刻缝以及电连接结构不交叠；第二电极通过电连接结构与第一电极连接。电极连接。电极连接。


技术研发人员：赵志国 李新连 熊继光 秦文涛 王兴涛 张迟 叶林 黄斌 冯笑丹 赵东明 秦校军 李梦洁 张赟
受保护的技术使用者：中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司
技术研发日：2023.06.09
技术公布日：2023/8/24