一种薄膜体声波谐振器及其制备方法和应用

1.本发明属于电子技术领域，尤其涉及一种薄膜体声波谐振器及其制备方法和应用。


背景技术：

2.根据国际电信联盟(itu)颁布的国际无线电规则，低频段(0.6～2ghz)的大部分频率资源已经被1～4g技术占据，为了在提高传输速率的同时尽可能减小与已开发频段间的重叠，5g频段被扩展到sub6g(0.4～6ghz)与毫米波(26.5～300ghz)频段，且不同于4g频段下使用的(1t2r)天线调制技术，5g技术采用的是(mimo)调制技术，它是在发射端与接收端布置了多个天线扩展通信通路，使通信通路的数量呈现了指数化增长。射频滤波器在5g时代获得了飞速发展，以智能手机为例，4g时代iphone8支持包括1g/2g/3g/4g在内的频段共约20个，每个频段的收发系统中至少需要两个滤波器，而iphone125g版本新增支持17个sub6g频段和3个毫米波频段，单部设备中的滤波器个数增长超过40个。
3.近几年来，薄膜体声波谐振器(fbar)因其具有高频、微型化、高性能、低功耗、高功率容量等优点，且fbar滤波器的制造工艺与ic工艺相兼容，可集成，有利于降低器件功耗和缩小器件尺寸，是目前唯一可集成的射频前端滤波器。故fbar滤波器将成为未来5g高频通讯的核心元器件。采用微机械加工技术(mems)的fbar滤波器的工作频率范围可以从几百mhz到几十ghz，完全覆盖了无线通讯频段的要求。传统介质滤波器体积过大，saw滤波器插损相比fbar滤波器大，且无法满足高频(＞3ghz)需求，因此fbar滤波器是3ghz以上高频段的最优解决方案。
4.薄膜体声波谐振器主要由三部分组成：衬底、声波反射层、以及由上下电极和夹于上下电极之间的压电薄膜构成的三明治压电振荡堆。fbar器件工作时，施加于其电极上的交变射频电压会在电极两端形成交变电场，借助逆压电效应的存在引发极化现象，使得机械振动和电学信号在电极与压电层组成的复合薄膜内发生周期性变化，并以体声波的形式沿压电体纵向传输而产生驻波振荡。
5.目前的fbar器件大体可分为三类：背面刻蚀型、空腔型和固态装配型(smr)。背面刻蚀型、空腔型的制备工艺大多都要引入牺牲层，而刻蚀牺牲层后形成的空腔结构会导致器件可靠性不足，还可能对压电层的晶体质量造成损伤，进而导致谐振器性能的下降；固态装配型大多采用高低声阻抗交替堆叠型布拉格层作为声波反射层，其在生产时需要对薄膜厚度进行精细控制，工艺要求高。因此，需要研究一种新的fbar，使其在具有较好的器件性能的同时，简化制备工艺，降低设备成本。


技术实现要素：

6.为了克服上述现有技术存在的问题，本发明的目的之一在于提供一种薄膜体声波谐振器(fbar)，所述谐振器的声波反射层采用聚酰亚胺材料，即采用单层聚酰亚胺布拉格结构层作为声波反射层，取代常用的高低声阻抗交替堆叠型布拉格层，同时封装层采用的
材料包括聚酰亚胺，其具有防止电极氧化和器件封装的双重作用，得到的器件的稳定性好。
7.本发明的目的之二在于提供一种上述薄膜体声波谐振器的制备方法。
8.本发明的目的之三在于提供一种上述薄膜体声波谐振器在电子器件中的应用。
9.为了实现上述目的，本发明所采取的技术方案是：
10.本发明的第一方面提供了一种薄膜体声波谐振器，所述谐振器包括层叠设置的衬底、声波反射层、压电堆和封装层；所述声波反射层和封装层的材料分别包括聚酰亚胺。
11.聚酰亚胺(pi)具有低介电系数、良好的热稳定性、良好的散热性能等优点，本发明将聚酰亚胺作为器件的封装层材料，完成器件的晶圆级封装，大大提高了器件的稳定性，节省了工艺步骤，可在实际生产中大幅降低投入成本，同时，本发明的封装层还具有抗氧化层的作用，抗氧化层原本为防止电极氧化的普通层级，常用材料为aln，本发明封装层采用的材料包括聚酰亚胺，其在防止电极氧化的同时，还兼具封装作用。此外，由于避免了使用与压电层同样具有压电效应的纤锌矿结构材料、钙钛矿结构材料或钛铁矿结构材料等，可以避免在高频工况下产生的次频谐振，而使用pi，因其本身聚合物的本征性质，可从根源避免次频谐振的发生。
12.优选的，所述谐振器中，封装层的厚度为20～100nm；进一步优选为30～80nm；更进一步优选为40～60nm。
13.优选的，所述谐振器中，所述压电堆具有贯穿的环绕沟槽，所述封装层通过所述环绕沟槽与所述声波反射层连接。
14.本技术在压电堆中引入环绕沟槽，将聚酰亚胺声阻材料填充在所述环绕沟槽中，可以在物理层面起到完美匹配层(pml)的作用，能够大幅度吸收从压电堆中辐射和逃逸出来的出射波，避免其在压电堆边缘产生谐振寄生。
15.优选的，所述谐振器中，压电堆包括层叠设置的底电极、压电层和顶电极。
16.优选的，所述压电堆中，底电极和顶电极的材料分别包括al、mo、w、pt、ti或au中的至少一种；进一步优选为mo、w或其组合；更进一步优选为mo。
17.优选的，所述压电堆中，压电层的材料包括纤锌矿结构材料、钙钛矿结构材料或钛铁矿结构材料中的至少一种。
18.优选的，所述纤锌矿结构材料包括氮化铝、氧化锌、硒化镉或氮化镓中的至少一种；进一步优选为氮化铝、氧化锌或其组合；更进一步优选为氮化铝。
19.优选的，所述钙钛矿结构材料包括锆钛酸铅(pzt)、钛酸锶钡(bst)或其组合。
20.优选的，所述钛铁矿结构材料选自铌酸锂(linbo3)。
21.优选的，所述压电堆中，压电层的材料包括氮化铝、氧化锌、硒化镉、氮化镓、锆钛酸铅、钛酸锶钡或铌酸锂中的至少一种；进一步优选为氮化铝、氧化锌、锆钛酸铅、钛酸锶钡或铌酸锂中的至少一种；更进一步优选为氮化铝。
22.优选的，氮化铝包括单晶态氮化铝、多晶态氮化铝或其组合；进一步优选的，氮化铝选自单晶态氮化铝。
23.优选的，所述谐振器中，衬底的材料包括硅材料、蓝宝石、铟镓氮(ingan)、铟氮(inn)、碳化硅(sic)或金属中的至少一种。所述金属选自常见的可作为衬底的金属，在本发明中不作限制。
24.优选的，所述硅材料选自石英玻璃；进一步优选的，所述石英玻璃选自硅晶圆。
25.优选的，所述谐振器中，声波反射层的厚度为2～30μm；进一步优选为3～25μm；更进一步优选为5～20μm。
26.优选的，所述谐振器中，压电堆的厚度为200～700nm；进一步优选为260～580nm；更进一步优选为330～490nm。
27.优选的，所述压电堆中，底电极的厚度为50～200nm；进一步优选为70～150nm；更进一步优选为90～120nm。
28.优选的，所述压电堆中，顶电极的厚度为50～200nm；进一步优选为70～150nm；更进一步优选为90～120nm。
29.优选的，所述压电堆中，压电层的厚度为100～300nm；进一步优选为120～280nm；更进一步优选为150～250nm。
30.优选的，所述谐振器的工作频率范围在0.1ghz～30ghz；进一步优选为0.1ghz～10ghz。
31.本发明的第二方面提供了一种本发明的第一方面所述的谐振器的制备方法，包括以下步骤：在衬底上依次制备聚酰亚胺层、压电堆，在压电堆上制备封装层，得到所述谐振器。
32.所述在压电堆上制备封装层具体是在压电堆上包覆形成封装层。
33.优选的，所述谐振器的制备方法中，声波反射层的制备方法包括以下步骤：在衬底上涂布聚酰亚胺溶液，在280～400℃下进行固化，得到所述声波反射层；进一步优选的，在300～380℃下进行固化；更进一步优选的，在340～360℃下进行固化。
34.优选的，聚酰亚胺层的制备方法中，所述固化是在真空条件下进行的。
35.优选的，所述谐振器的制备方法中，压电堆的制备方法包括以下步骤：在声波反射层上制备压电堆，并对压电堆进行刻蚀，得到具有贯穿的环绕沟槽的压电堆。
36.进一步优选的，所述压电堆的制备方法包括以下步骤：
37.1)在声波反射层上制备底电极，并对底电极刻蚀至声波反射层暴露，得到底部环绕沟槽；
38.2)在底电极上制备压电层；
39.3)在压电层上制备顶电极，并对顶电极刻蚀至压电层暴露，得到与底部环绕沟槽在垂直方向相对应的顶部环绕沟槽；
40.4)对步骤3)中暴露的压电层进行刻蚀，至声波反射层暴露，形成压电堆中贯穿的环绕沟槽，制得所述压电堆。
41.优选的，所述压电堆的制备方法中，步骤2)中还可包括对压电层进行刻蚀的步骤。
42.优选的，所述压电堆的制备方法中，底电极、顶电极还可以根据实际需要进行图形化刻蚀。
43.优选的，所述压电堆的制备方法中，压电层可根据实际需要进行刻蚀。将压电层进行刻蚀后，有利于后续将多个谐振器在同一平面上进行大量集成。
44.优选的，所述压电堆的制备方法中，底电极、顶电极的制备方式采用磁控溅射法。
45.优选的，所述压电堆的制备方法中，压电层的制备方式采用磁控溅射法或外延沉积法；进一步优选的，压电层的制备方式采用磁控溅射法。
46.优选的，所述谐振器的制备方法中，抗氧化层的制备方式采用气相沉积法。
47.本发明的第三方面提供了一种本发明的第一方面所述的谐振器在电子器件中的应用。
48.优选的，所述电子器件为集成电路电子器件。
49.本发明的有益效果是：本发明为了获得高度集成化且性能稳定的谐振器，声波反射层采用的材料包括聚酰亚胺，即采用单层聚酰亚胺布拉格结构层作为声波反射层，取代常用的高低声阻抗交替堆叠型布拉格层，工艺上，极大的减少了制备的步骤，同时继承了传统布拉格型fbar稳定性好、高q值的优势，从而在实际生产中减少滤波器制作的成本，而且整个工艺过程相对简单，易于实现。此外，本发明的封装层采用的材料包括聚酰亚胺，其具有防止电极氧化和器件封装的双重作用，能有效避免次频谐振的发生，进一步提高器件性能和稳定性。
50.具体来说，与现有技术相比，本发明具有以下优点：
51.1、本发明的谐振器是一种固态装配型fbar器件，无需采用cmp(化学机械抛光)工艺，无需引入牺牲层，可以避免刻蚀牺牲层对谐振器性能的损害，也可以避免高低声阻抗交替堆叠型布拉格结构在生产时所需要的薄膜厚度精细控制，从而提高器件的稳定性，而且本发明的谐振器制备工艺简单，易于实现，可以有效地降低生产的复杂度，减小器件体积，从而减少器件制作的成本和技术难度。聚酰亚胺(pi)的声学阻抗仅为3.4
×
106rayl，而常见的低声阻抗材料sio2的声学阻抗为9.5
×
106rayl，也就是说，pi的声学阻抗是sio2声学阻抗的约1/3。因此，在采用mo作为高声阻抗材料的情况下，与采用sio2作为低声组抗材料形成mo/sio2布拉格反射层相比，以pi作为低声组抗材料形成的mo/pi布拉格反射层的声学阻抗比值将提高约3倍。
52.2、聚酰亚胺(pi)具有良好的热稳定性、机械性能、化学稳定性、介电性能、绝缘性、粘附性、阻水性等优异的综合性，半导体工业使用聚酰亚胺作高温黏合剂，在生产通信器件半导体材料和mems系统芯片时，由于聚酰亚胺层具有良好的机械延展性和拉伸强度，有助于提高聚酰亚胺层以及聚酰亚胺层与上面沉积的金属层之间的粘合。聚酰亚胺的高温和化学稳定性则起到了将金属层和各种外界环境隔离的作用，同时与标准ic工艺适配。本发明将聚酰亚胺作为一种层间介质材料，应用在晶圆级封装等先进半导体封装工艺中，能有效提高器件稳定性，避免压电堆边缘谐振寄生的产生。
53.3、本发明的压电堆中可设计有环绕沟槽，该环绕沟槽填充有聚酰亚胺声阻材料，其作为完美匹配层(pml)，可大幅度吸收从压电堆中辐射和逃逸出来的出射波，且聚酰亚胺与压电层的结构不同，能够大幅度降低杂波和其他模态波谐振发生，避免在压电堆边缘产生谐振寄生。本发明的抗氧化层和封装层为一体，可一步完成，封装技术更加先进，且为晶圆级封装。
附图说明
54.图1为在衬底上制备声波反射层和底电极后的器件示意图。
55.图2为对底电极进行剥离图形化后的器件示意图。
56.图3为在底电极上制备压电层后的器件示意图。
57.图4为对压电层进行刻蚀后的器件示意图。
58.图5为在压电层上制备顶电极后的器件示意图。
59.图6为对顶电极进行剥离图形化后的器件示意图。
60.图7为在压电层中制备上下贯穿的环绕沟槽后的器件示意图。
61.图8为在顶电极上制备封装层后的器件示意图。
62.图9为实施例1的谐振器的史密斯圆图。
63.图10为对比例1的谐振器的史密斯圆图。
64.图11为实施例1的谐振器的q值表现曲线。
65.图12为对比例2的谐振器的q值表现曲线。
66.附图标记含义如下：
67.1为衬底，2为声波反射层，3为底电极，4为压电层，5为顶电极，6为封装层。
具体实施方式
68.以下通过具体的实施例对本发明的内容作进一步详细的说明。同样应理解，以下实施例只用于对本发明进行进一步说明，不能理解为对本发明保护范围的限制，本领域技术人员根据本发明阐述的原理做出的一些非本质的改进和调整均属于本发明的保护范围。下述示例具体的工艺参数等也仅是合适范围中的一个示例，即本领域技术人员可以通过本文的说明做合适范围内的选择，而并非要限定于下文示例的具体数据。以下实施例和对比例中所用的原料、试剂或装置如无特殊说明，均可从常规商业途径得到，或者可以通过现有已知方法得到。
69.本发明的薄膜体声波谐振器(fbar)中，包括衬底1、声波反射层2、底电极3、压电层4、顶电极5、封装层6，底电极3、压电层4和顶电极5构成压电堆。所述声波反射层(pi-smr层)不是作为柔性衬底，而是作为体声波反射层，近似全反射压电堆中的谐振波；所述压电堆为三明治层叠薄膜结构，从下至上分别为底电极、压电层和顶电极，压电堆设置在声波反射层上，形成谐振结构主体，所述压电堆中还含有上下贯穿的环绕沟槽；所述封装层位于所述压电堆的顶电极上，同时兼具晶圆封装层和抗氧化层的作用。
70.在实施例和对比例中，衬底1材料为4～8寸高阻硅晶圆；声波反射层2材料为聚酰亚胺聚合物；底电极3和顶电极5材料为mo；压电层4材料为单晶态氮化铝(aln)；封装层6材料为聚酰亚胺，以及，压电堆中的环绕沟槽的填充材料也为聚酰亚胺。
71.实施例1
72.一种薄膜体声波谐振器，其制备工艺的具体步骤为：
73.(1)清洗高阻硅晶圆，在衬底1表面涂布聚酰亚胺，具体过程为：
74.①
选择4英寸晶圆大小的石英玻璃(二氧化硅)用丙酮、无水乙醇水洗，然后再用h2so4：h2o2：h2o(3：1：1)和hf：h2o(1：10)清洗，去除硅表面氧化物和污染颗粒，然后用去离子水清洗10min，最后甩干在hf溶液浓度为1.5％的条件下清洗，放入烘箱烘干备用。
75.②
如图1所示，在衬底1(4英寸晶圆)上涂布聚酰亚胺的前驱液，在真空条件下，350℃固化形成聚酰亚胺薄膜，厚度为9μm，得到声波反射层2；在制备的声波反射层2表面涂增粘剂，旋涂光刻胶，前烘去除水汽，紫外光曝光5s，在显影液中浸泡40-60s得到带有底电极3的样品；然后，将固化后的si衬底装入pvd载片腔，腔体背压为5
×
10-7
torr，在ac功率4kw条件下溅射生长mo。在开始溅射生长之前，mo靶被预溅射清洗10分钟，然后对si衬底表面进行短时间(60秒)的ar
+
离子轰击，以达到再次清洁表面的作用。
76.(2)如图2所示，在步骤(1)制备底电极3的基础上对其进行剥离图形化，该底电极3材料通常采用钼，厚度为100nm；丙酮中浸泡3min，剥离光刻胶上的金属得到图形化的底电极3。
77.(3)如图3所示，在步骤(2)制备的带压电堆截面环绕沟槽底部的底电极3的基础上通过磁控溅射制备高质量的aln压电层4，其具体过程为：调整设备参数与靶材，pvd载片腔中，腔体背压为5
×
10-7
torr，在ac功率6kw、ar通入速度10sccm、n2通入速度45sccm条件溅射生长aln，厚度为200nm。溅射气体为99.9999％的高纯n2和ar，溅射al靶材纯度为99.999％，在开始溅射生长之前，al靶同样被预溅射清洗10分钟。
78.(4)如图4所示，在步骤(3)制备的高质量的aln压电层4上通过刻蚀引出底电极3，其具体过程为：选用了常用的刻蚀设备感应耦合等离子体(icp)刻蚀机来进行aln薄膜的干法刻蚀工艺，设备参数设置如下：icp线圈功率为1500w、刻蚀腔内温度为10℃、5mtorr腔压以及-400v的衬底偏压。在cl2、bcl3和ar的体积流量分别为70、50和30cm3/min的条件下进行干法刻蚀，刻蚀深度贯穿aln压电层4直至底电极3显露。
79.(5)在步骤(4)完成刻蚀步骤的压电层4表面制备顶电极5，同时通过光刻图形化，具体过程为：
80.①
如图5所示，在裸露的压电层4上通过光刻、磁控溅射、剥离得到顶电极5，其具体过程为：在压电层4表面涂增粘剂，旋涂光刻胶，紫外光曝光5s，显影得到带有底电极3的样品。
81.②
如图6所示，使用直流真空磁控溅射镀膜机，在光刻后的基片表面溅射沉积一层金属钼作为顶电极5，顶电极5与底电极3材料通常采用钼，厚度为100nm；丙酮中浸泡3min，剥离光刻胶上的金属得到图形化的顶电极5。
82.(6)如图7所示，使用感应耦合等离子体(icp)刻蚀机来进行aln薄膜的干法刻蚀工艺，设备参数设置如下：icp线圈功率为1500w、刻蚀腔内温度为10℃、5mtorr腔压以及-400v的衬底偏压。在cl2、bcl3和ar的体积流量分别为70、50和30cm3/min的条件下进行干法刻蚀，刻蚀深度贯穿aln压电层4直至底部的声波反射层2显露，形成压电堆中上下贯穿的环绕沟槽。
83.(7)如图8所示，使用元共蒸发设备使pmda和oda单体材料升华，形成气相单体物质；基片温度设定在30～40℃，确保大部分喷射到基片表面的pmda和oda单体材料附着在基片表面；沉积气压为10-3
pa～10-4
pa之间，通常选定为5
×
10-4
pa左右；300℃热亚胺化1小时，聚合生成的聚酰亚胺可将压电堆的环绕沟槽填充完整并在器件表面均匀沉积50nm的封装层6，完整覆盖晶圆表面，完成一体式晶圆级封装。
84.通过以上步骤最终获得一种薄膜体声波谐振器(fbar)。
85.对比例1
86.本对比例提供一种薄膜体声波谐振器，其材料、结构和制备方法基本上与实施例1相同，区别在于，本对比例的封装层采用的材料为aln。
87.对比例2
88.本对比例提供一种薄膜体声波谐振器，其材料、结构和制备方法基本上与实施例1相同，区别在于，本对比例的声波反射层采用常规的布拉格结构，该布拉格结构为由高声阻抗材料mo和低声阻抗材料sio2层叠设置而成，交替层叠共8层，每层厚度约150nm。
89.此外，常规的布拉格结构中，高声阻抗材料还可选自w、aln或sic等，交替层叠层数可为6～10层，采用常规的布拉格结构，其性能与对比例2的性能类似。
90.分别测量实施例1和对比例1的薄膜体声波谐振器的史密斯圆，结果分别如图9和图10所示。从图9和图10可知，图10的次频寄生数量与幅值要远高于图9，可见，与对比例1以aln(纤锌矿结构材料)作为封装层相比，实施例1以pi(非压电材料)作为封装层的寄生效应表现更不显著，以pi作为封装层能够在较大程度上避免封装层和压电层之间次频谐振的产生。
91.聚酰亚胺(pi)的声学阻抗仅为3.4
×
106rayl，而常见的低声阻抗材料sio2的声学阻抗为9.5
×
106rayl，也就是说，pi的声学阻抗是sio2声学阻抗的约1/3。因此，在采用mo作为高声阻抗材料的情况下，与采用sio2作为低声组抗材料形成mo/sio2布拉格反射层相比，以pi作为低声组抗材料形成的mo/pi布拉格反射层的声学阻抗比值将提高约3倍。
92.分别测试实施例1和对比例2的谐振器的q值表现曲线，结果分别如图11和图12所示。图11和图12中，m1点的频率为2.239ghz，q值为2203.72；m2点的频率为2.299ghz，q值为2759.75；m3点的频率为2.255ghz，q值为1944.83；m4点的频率为2.316ghz，q值为2684.05。其中，m1点为实施例1的谐振器的串联谐振点，m2点为其并联谐振点；m3点为对比例2的谐振器的串联谐振点，m4点为其并联谐振点。谐振器的q值高点通常会在器件的串联谐振点和并联谐振点产生，一般并联谐振点的q值会高于并联谐振点。在通用的界定标准中，取q值峰值代表此器件的q值。由图11和图12可知，实施例1制备的谐振器，其器件的各点q值均高于对比例2的谐振器。在通常范畴内，q值高于2500就进入了高q值的范畴。
93.本发明的谐振器可在0.1ghz～30ghz的较高频率下工作，更优选的，可在0.1ghz～10ghz下工作。
94.本发明所提供的制备方法无需采用cmp工艺，无需引入牺牲层，能够保证压电层的晶体质量不受损伤，同时简化生产工艺，降低设备成本。本发明提出的结构工艺可以避免刻蚀牺牲层对谐振器性能的损害，以及避免高低声阻抗交替堆叠型布拉格结构在生产时所需要的薄膜厚度精细控制，从而提高器件的稳定性，可以有效地降低生产的复杂度、减小谐振器体积，从而减少谐振器制作的成本，而且整个工艺相对简单，易于实现。本发明的谐振器在电子器件尤其是集成电路电子器件中具有广泛的应用。

技术特征：
1.一种薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述谐振器包括层叠设置的衬底、声波反射层、压电堆和封装层；所述声波反射层和封装层的材料分别包括聚酰亚胺。2.根据权利要求1所述谐振器，其特征在于，所述封装层的厚度为20～100nm。3.根据权利要求1所述谐振器，其特征在于，所述压电堆具有贯穿的环绕沟槽，所述封装层通过所述环绕沟槽与所述声波反射层连接。4.根据权利要求1所述谐振器，其特征在于，所述压电堆包括层叠设置的底电极、压电层和顶电极；所述底电极和所述顶电极的材料分别包括al、mo、w、pt、ti或au中的至少一种；所述压电层的材料包括纤锌矿结构材料、钙钛矿结构材料或钛铁矿结构材料中的至少一种。5.根据权利要求1所述谐振器，其特征在于，所述衬底的材料包括硅材料、蓝宝石、铟镓氮、铟氮、碳化硅或金属中的至少一种。6.根据权利要求1所述谐振器，其特征在于，所述声波反射层的厚度为2～30μm；所述压电堆的厚度为200～700nm。7.权利要求1～6任一项所述谐振器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在衬底上依次制备声波反射层、压电堆，在压电堆上制备封装层，得到所述谐振器。8.根据权利要求7所述制备方法，其特征在于，所述声波反射层的制备方法包括以下步骤：在衬底上涂布聚酰亚胺溶液，在280～400℃下进行固化，得到所述声波反射层。9.根据权利要求7所述制备方法，其特征在于，所述压电堆的制备方法包括以下步骤：在声波反射层上制备压电堆，并对压电堆进行刻蚀，得到具有贯穿的环绕沟槽的压电堆。10.权利要求1～6任一项所述谐振器在电子器件中的应用。

技术总结
本发明公开了一种薄膜体声波谐振器及其制备方法和应用，属于电子技术领域。本发明提供的薄膜体声波谐振器包括层叠设置的衬底、声波反射层、压电堆和封装层；所述声波反射层和封装层的材料分别包括聚酰亚胺。本发明的声波反射层采用的材料包括聚酰亚胺，即采用单层聚酰亚胺布拉格结构层作为声波反射层，取代常用的高低声阻抗交替堆叠型布拉格层，工艺上，极大的减少了制备的步骤，同时继承了传统布拉格型FBAR稳定性好、高Q值的优势，而且整个工艺过程相对简单，易于实现。此外，本发明的封装层采用的材料包括聚酰亚胺，其具有防止电极氧化和器件封装的双重作用，能有效避免次频谐振的发生，进一步提高器件性能和稳定性。进一步提高器件性能和稳定性。进一步提高器件性能和稳定性。


技术研发人员：李国强 许锴镔 曲文韬 陈志鹏 胡晗
受保护的技术使用者：华南理工大学
技术研发日：2023.05.29
技术公布日：2023/8/24