一种15KV高压脉冲半导体开关的制作方法

一种15kv高压脉冲半导体开关
技术领域
1.本发明涉及高压脉冲开关技术领域，尤其涉及一种15kv高压脉冲半导体开关。


背景技术：

2.多年来，各种脉冲开关已经广泛的应用于电子电路当中，相比于传统的接触式直接开关，脉冲开关具有低能耗、寿命长等特点，但同时对它的脉冲输出信号的处理提出了更高的要求。
3.等离子空气净化器是一种利用高压电源激发产生等离子对空气进行净化的设备，其工作中需要几千伏的高压直流电压，而目前市场上主流的开关电源主要为直流开关电源，且多为低电压，这使得其应用领域得到限制。为了弥补这一市场空缺，研究耐压与可靠性更高的高压脉冲开关是必要的。


技术实现要素：

4.为解决背景技术中存在的技术问题，本发明提出一种15kv高压脉冲半导体开关。
5.本发明提出的一种15kv高压脉冲半导体开关，包括相互连接的输入模块、电源模块、控制模块、开关模块，所述输入模块包括接线端子cn1、用于滤波的去耦电容c11和去耦电容c12、用于组成rc低通滤波器的电阻r11和电容c15；所述cn1包括用于连接外部+5v电源正极的pin_vcc、用于连接外部+5v电源负极的pin_gnd、用于外部脉冲信号输入的pin_in；
6.所述电源模块包括用于将5v转
±
12v的dc/dc模块u1、用于滤波的旁路电容c13和去耦电容c14、用于提高瞬态响应的储能电容c16、用于稳压的稳压管w1和稳压管w2、输出电阻r14；
7.所述控制模块包括光电耦合器u2、输出电阻r12、稳压管w3、负载电阻r13、nmos管v1；
8.所述开关模块包括初级线圈(p1，p2)、次级线圈l1、次级线圈l2、次级线圈l3、次级线圈l4、次级线圈l5、次级线圈l6、次级线圈l7、次级线圈l8、次级线圈l9、次级线圈l10、负载电阻r1、负载电阻r12、负载电阻r3、负载电阻r4、负载电阻r5、负载电阻r6、负载电阻r7、负载电阻r8、负载电阻r9、负载电阻r10、续流二极管d1、续流二极管d2、续流二极管d3、续流二极管d4、续流二极管d5、续流二极管d6、续流二极管d7、续流二极管d8、续流二极管d9、续流二极管d10、晶闸管q1、晶闸管q2、晶闸管q3、晶闸管q4、晶闸管q5、晶闸管q6、晶闸管q7、晶闸管q8、晶闸管q9、晶闸管q10、去耦电容ch1、去耦电容ch2、去耦电容ch3、去耦电容ch4、去耦电容ch5、去耦电容ch6、去耦电容ch7、去耦电容ch8、去耦电容ch9、去耦电容ch10、泄放电阻rh1、泄放电阻rh2、泄放电阻rh3、泄放电阻rh4、泄放电阻rh5、泄放电阻rh6、泄放电阻rh7、泄放电阻rh8、泄放电阻rh9、泄放电阻rh10、接线端子hv_in、接线端子hv_out。
9.优选的，所述dc/dc模块u1包括pin_+5v、pin_gnd、pin_+12v、pin_gnd、pin_-12v；所述pin_+5v、pin_gnd分别与接线端子cn1的pin_vcc、pin_gnd连接；
10.所述去耦电容c11和去耦电容c12并联接在pin_+5v、pin_gnd之间；
11.所述旁路电容c13接在pin_gnd、pin_-12v之间；
12.所述去耦电容c14接在pin_+12v、pin_-12v之间。
13.优选的，所述光电耦合器u2包括pin_a、pin_c、pin_vcc、pin_out、pin_vss；所述pin_a与dc/dc模块u1的pin_in连接，所述pin_c与dc/dc模块u1的pin_gnd连接；
14.所述rc低通滤波器的电阻r11接在pin_a与dc/dc模块u1的pin_in之间，所述rc低通滤波器的电容c15接在pin_a、pin_c之间；所述pin_vcc接地处理；
15.所述pin_vss与dc/dc模块u1的pin_-12v连接，所述pin_vss通过稳压管w1和稳压管w2与dc/dc模块u1的pin_+12v连接；
16.所述pin_out通过输出电阻r12与nmos的门极连接，所述pin_vss与nmos的源极连接；
17.所述稳压管w3与负载电阻r13接在nmos的门极与pin_vss之间。
18.优选的，所述初级线圈(p1，p2)包括pin_p1、pin_p2，所述pin_p1通过输出电阻r14与dc/dc模块u1的pin_+12v连接，所述pin_p2与nmos的漏极连接；
19.所述pin_p1通过稳压管w1与nmos的漏极连接，其中，pin_p1与稳压管w1的阴极连接；
20.所述pin_p2通过稳压管w2与光电耦合器u2的pin_vss连接，其中，pin_p2与稳压管w2的阴极连接；
21.所述储能电容c16接在pin_p2和pin_vss之间。
22.优选的，所述次级线圈l1、次级线圈l2、次级线圈l3、次级线圈l4、次级线圈l5、次级线圈l6、次级线圈l7、次级线圈l8、次级线圈l9、次级线圈l10的一端依次分别与晶闸管q1、晶闸管q2、晶闸管q3、晶闸管q4、晶闸管q5、晶闸管q6、晶闸管q7、晶闸管q8、晶闸管q9、晶闸管q10的门极连接；
23.所述次级线圈l1、次级线圈l2、次级线圈l3、次级线圈l4、次级线圈l5、次级线圈l6、次级线圈l7、次级线圈l8、次级线圈l9、次级线圈l10的另一端依次分别与晶闸管q1、晶闸管q2、晶闸管q3、晶闸管q4、晶闸管q5、晶闸管q6、晶闸管q7、晶闸管q8、晶闸管q9、晶闸管q10的阴极连接；
24.所述负载电阻r1、负载电阻r12、负载电阻r3、负载电阻r4、负载电阻r5、负载电阻r6、负载电阻r7、负载电阻r8、负载电阻r9、负载电阻r10依次分别跨接在晶闸管q1、晶闸管q2、晶闸管q3、晶闸管q4、晶闸管q5、晶闸管q6、晶闸管q7、晶闸管q8、晶闸管q9、晶闸管q10的门极与阴极之间；
25.所述续流二极管d1、续流二极管d2、续流二极管d3、续流二极管d4、续流二极管d5、续流二极管d6、续流二极管d7、续流二极管d8、续流二极管d9、续流二极管d10依次分别跨接在晶闸管q1、晶闸管q2、晶闸管q3、晶闸管q4、晶闸管q5、晶闸管q6、晶闸管q7、晶闸管q8、晶闸管q9、晶闸管q10的门极与阴极之间，其中，所述续流二极管d1、续流二极管d2、续流二极管d3、续流二极管d4、续流二极管d5、续流二极管d6、续流二极管d7、续流二极管d8、续流二极管d9、续流二极管d10的阴极依次分别与晶闸管q1、晶闸管q2、晶闸管q3、晶闸管q4、晶闸管q5、晶闸管q6、晶闸管q7、晶闸管q8、晶闸管q9、晶闸管q10的门极连接；
26.所述晶闸管q1、晶闸管q2、晶闸管q3、晶闸管q4、晶闸管q5、晶闸管q6、晶闸管q7、晶闸管q8、晶闸管q9、晶闸管q10串联接在接线端子hv_in、接线端子hv_out之间；
27.所述去耦电容ch1、去耦电容ch2、去耦电容ch3、去耦电容ch4、去耦电容ch5、去耦电容ch6、去耦电容ch7、去耦电容ch8、去耦电容ch9、去耦电容ch10串联接在接线端子hv_in、接线端子hv_out之间；
28.所述泄放电阻rh1、泄放电阻rh2、泄放电阻rh3、泄放电阻rh4、泄放电阻rh5、泄放电阻rh6、泄放电阻rh7、泄放电阻rh8、泄放电阻rh9、泄放电阻rh10串联接在接线端子hv_in、接线端子hv_out之间。
29.优选的，所述晶闸管q1、晶闸管q2、晶闸管q3、晶闸管q4、晶闸管q5、晶闸管q6、晶闸管q7、晶闸管q8、晶闸管q9、晶闸管q10单个耐压值为1600v。
30.本发明，所提出的15kv高压脉冲半导体开关，具有以下有益效果：
31.1、高、低压部分隔离，通过低压隔离控制高压信号的导通，可降低低压控制部分的元器件的选型成本，同时提高装置使用的安全性；
32.2、通过调整使用晶闸管的数量，可方便的适配外部需求的高压条件，使得电路不需要大改就可应用于控制更高的电压信号的导通。
附图说明
33.图1为本发明提出的15kv高压脉冲半导体开关的模拟电路结构示意图。
具体实施方式
34.参照图1，本实施例提供一种15kv高压脉冲半导体开关，通过前端电路控制晶闸管的导通以导通外部高电压信号。
35.为达到上述技术效果，本实施例中的技术方案如下：一种15kv高压脉冲半导体开关，包括相互连接的输入模块、电源模块、控制模块、开关模块，所述输入模块包括接线端子cn1、用于滤波的去耦电容c11和去耦电容c12、用于组成rc低通滤波器的电阻r11和电容c15；所述cn1包括用于连接外部+5v电源正极的pin_vcc、用于连接外部+5v电源负极的pin_gnd、用于外部脉冲信号输入的pin_in；
36.所述电源模块包括用于将5v转
±
12v的dc/dc模块u1、用于滤波的旁路电容c13和去耦电容c14、用于提高瞬态响应的储能电容c16、用于稳压的稳压管w1和稳压管w2、输出电阻r14；
37.所述控制模块包括光电耦合器u2、输出电阻r12、稳压管w3、负载电阻r13、nmos管v1；
38.所述开关模块包括初级线圈(p1，p2)、次级线圈l1、次级线圈l2、次级线圈l3、次级线圈l4、次级线圈l5、次级线圈l6、次级线圈l7、次级线圈l8、次级线圈l9、次级线圈l10、负载电阻r1、负载电阻r12、负载电阻r3、负载电阻r4、负载电阻r5、负载电阻r6、负载电阻r7、负载电阻r8、负载电阻r9、负载电阻r10、续流二极管d1、续流二极管d2、续流二极管d3、续流二极管d4、续流二极管d5、续流二极管d6、续流二极管d7、续流二极管d8、续流二极管d9、续流二极管d10、晶闸管q1、晶闸管q2、晶闸管q3、晶闸管q4、晶闸管q5、晶闸管q6、晶闸管q7、晶闸管q8、晶闸管q9、晶闸管q10、去耦电容ch1、去耦电容ch2、去耦电容ch3、去耦电容ch4、去耦电容ch5、去耦电容ch6、去耦电容ch7、去耦电容ch8、去耦电容ch9、去耦电容ch10、泄放电阻rh1、泄放电阻rh2、泄放电阻rh3、泄放电阻rh4、泄放电阻rh5、泄放电阻rh6、泄放电阻
rh7、泄放电阻rh8、泄放电阻rh9、泄放电阻rh10、接线端子hv_in、接线端子hv_out。
39.在本发明的实施例中，所述dc/dc模块u1包括pin_+5v、pin_gnd、pin_+12v、pin_gnd、pin_-12v；所述pin_+5v、pin_gnd分别与接线端子cn1的pin_vcc、pin_gnd连接；
40.所述去耦电容c11和去耦电容c12并联接在pin_+5v、pin_gnd之间；
41.所述旁路电容c13接在pin_gnd、pin_-12v之间；
42.所述去耦电容c14接在pin_+12v、pin_-12v之间。
43.在本发明的实施例中，所述光电耦合器u2包括pin_a、pin_c、pin_vcc、pin_out、pin_vss；所述pin_a与dc/dc模块u1的pin_in连接，所述pin_c与dc/dc模块u1的pin_gnd连接；
44.所述rc低通滤波器的电阻r11接在pin_a与dc/dc模块u1的pin_in之间，所述rc低通滤波器的电容c15接在pin_a、pin_c之间；所述pin_vcc接地处理；
45.所述pin_vss与dc/dc模块u1的pin_-12v连接，所述pin_vss通过稳压管w1和稳压管w2与dc/dc模块u1的pin_+12v连接；
46.所述pin_out通过输出电阻r12与nmos的门极连接，所述pin_vss与nmos的源极连接；
47.所述稳压管w3与负载电阻r13接在nmos的门极与pin_vss之间。
48.在本发明的实施例中，所述初级线圈(p1，p2)包括pin_p1、pin_p2，所述pin_p1通过输出电阻r14与dc/dc模块u1的pin_+12v连接，所述pin_p2与nmos的漏极连接；
49.所述pin_p1通过稳压管w1与nmos的漏极连接，其中，pin_p1与稳压管w1的阴极连接；
50.所述pin_p2通过稳压管w2与光电耦合器u2的pin_vss连接，其中，pin_p2与稳压管w2的阴极连接；
51.所述储能电容c16接在pin_p2和pin_vss之间。
52.在本发明的实施例中，所述次级线圈l1、次级线圈l2、次级线圈l3、次级线圈l4、次级线圈l5、次级线圈l6、次级线圈l7、次级线圈l8、次级线圈l9、次级线圈l10的一端依次分别与晶闸管q1、晶闸管q2、晶闸管q3、晶闸管q4、晶闸管q5、晶闸管q6、晶闸管q7、晶闸管q8、晶闸管q9、晶闸管q10的门极连接；
53.所述次级线圈l1、次级线圈l2、次级线圈l3、次级线圈l4、次级线圈l5、次级线圈l6、次级线圈l7、次级线圈l8、次级线圈l9、次级线圈l10的另一端依次分别与晶闸管q1、晶闸管q2、晶闸管q3、晶闸管q4、晶闸管q5、晶闸管q6、晶闸管q7、晶闸管q8、晶闸管q9、晶闸管q10的阴极连接；
54.所述负载电阻r1、负载电阻r12、负载电阻r3、负载电阻r4、负载电阻r5、负载电阻r6、负载电阻r7、负载电阻r8、负载电阻r9、负载电阻r10依次分别跨接在晶闸管q1、晶闸管q2、晶闸管q3、晶闸管q4、晶闸管q5、晶闸管q6、晶闸管q7、晶闸管q8、晶闸管q9、晶闸管q10的门极与阴极之间；
55.所述续流二极管d1、续流二极管d2、续流二极管d3、续流二极管d4、续流二极管d5、续流二极管d6、续流二极管d7、续流二极管d8、续流二极管d9、续流二极管d10依次分别跨接在晶闸管q1、晶闸管q2、晶闸管q3、晶闸管q4、晶闸管q5、晶闸管q6、晶闸管q7、晶闸管q8、晶闸管q9、晶闸管q10的门极与阴极之间，其中，所述续流二极管d1、续流二极管d2、续流二极
管d3、续流二极管d4、续流二极管d5、续流二极管d6、续流二极管d7、续流二极管d8、续流二极管d9、续流二极管d10的阴极依次分别与晶闸管q1、晶闸管q2、晶闸管q3、晶闸管q4、晶闸管q5、晶闸管q6、晶闸管q7、晶闸管q8、晶闸管q9、晶闸管q10的门极连接；
56.所述晶闸管q1、晶闸管q2、晶闸管q3、晶闸管q4、晶闸管q5、晶闸管q6、晶闸管q7、晶闸管q8、晶闸管q9、晶闸管q10串联接在接线端子hv_in、接线端子hv_out之间；
57.所述去耦电容ch1、去耦电容ch2、去耦电容ch3、去耦电容ch4、去耦电容ch5、去耦电容ch6、去耦电容ch7、去耦电容ch8、去耦电容ch9、去耦电容ch10串联接在接线端子hv_in、接线端子hv_out之间；
58.所述泄放电阻rh1、泄放电阻rh2、泄放电阻rh3、泄放电阻rh4、泄放电阻rh5、泄放电阻rh6、泄放电阻rh7、泄放电阻rh8、泄放电阻rh9、泄放电阻rh10串联接在接线端子hv_in、接线端子hv_out之间。
59.在本发明的实施例中，所述晶闸管q1、晶闸管q2、晶闸管q3、晶闸管q4、晶闸管q5、晶闸管q6、晶闸管q7、晶闸管q8、晶闸管q9、晶闸管q10单个耐压值为1600v；实际使用中，可以根据实际需要的耐压值，增加或减少串联的晶闸管数量；
60.实际使用中，由接线端子cn1的pin_vcc和pin_gnd输入的外部+5v电经过dc/dc模块u1转换为
±
12v电，此电压通过初级线圈(p1，p2)加在nmos管v1源极和漏极。其中dc/dc模块u1输出-12v电压给光电耦合器u2提供工作电源；
61.当通过接线端子cn1的pin_in输入的触发脉冲信号施加于光电耦合器u2的pin_a、pin_c后，光电耦合器u2输出电压驱动nmos管v1导通，v1导通后初级线圈(p1，p2)的pin_p1、pin_p2之间形成电势差，此时在次级线圈l1、次级线圈l2、次级线圈l3、次级线圈l4、次级线圈l5、次级线圈l6、次级线圈l7、次级线圈l8、次级线圈l9、次级线圈l10互感出的电压驱动晶闸管q1、晶闸管q2、晶闸管q3、晶闸管q4、晶闸管q5、晶闸管q6、晶闸管q7、晶闸管q8、晶闸管q9、晶闸管q10导通；并最终使接线端子hv_in、接线端子hv_out之间导通。
62.以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本发明的保护范围之内。

技术特征：
1.一种15kv高压脉冲半导体开关，包括相互连接的输入模块、电源模块、控制模块、开关模块，其特征在于，所述输入模块包括接线端子cn1、用于滤波的去耦电容c11和去耦电容c12、用于组成rc低通滤波器的电阻r11和电容c15；所述cn1包括用于连接外部+5v电源正极的pin_vcc、用于连接外部+5v电源负极的pin_gnd、用于外部脉冲信号输入的pin_in；所述电源模块包括用于将5v转
±
12v的dc/dc模块u1、用于滤波的旁路电容c13和去耦电容c14、用于提高瞬态响应的储能电容c16、用于稳压的稳压管w1和稳压管w2、输出电阻r14；所述控制模块包括光电耦合器u2、输出电阻r12、稳压管w3、负载电阻r13、nmos管v1；所述开关模块包括初级线圈(p1，p2)、次级线圈l1、次级线圈l2、次级线圈l3、次级线圈l4、次级线圈l5、次级线圈l6、次级线圈l7、次级线圈l8、次级线圈l9、次级线圈l10、负载电阻r1、负载电阻r12、负载电阻r3、负载电阻r4、负载电阻r5、负载电阻r6、负载电阻r7、负载电阻r8、负载电阻r9、负载电阻r10、续流二极管d1、续流二极管d2、续流二极管d3、续流二极管d4、续流二极管d5、续流二极管d6、续流二极管d7、续流二极管d8、续流二极管d9、续流二极管d10、晶闸管q1、晶闸管q2、晶闸管q3、晶闸管q4、晶闸管q5、晶闸管q6、晶闸管q7、晶闸管q8、晶闸管q9、晶闸管q10、去耦电容ch1、去耦电容ch2、去耦电容ch3、去耦电容ch4、去耦电容ch5、去耦电容ch6、去耦电容ch7、去耦电容ch8、去耦电容ch9、去耦电容ch10、泄放电阻rh1、泄放电阻rh2、泄放电阻rh3、泄放电阻rh4、泄放电阻rh5、泄放电阻rh6、泄放电阻rh7、泄放电阻rh8、泄放电阻rh9、泄放电阻rh10、接线端子hv_in、接线端子hv_out。2.根据权利要求1所述的一种15kv高压脉冲半导体开关，其特征在于，所述dc/dc模块u1包括pin_+5v、pin_gnd、pin_+12v、pin_gnd、pin_-12v；所述pin_+5v、pin_gnd分别与接线端子cn1的pin_vcc、pin_gnd连接；所述去耦电容c11和去耦电容c12并联接在pin_+5v、pin_gnd之间；所述旁路电容c13接在pin_gnd、pin_-12v之间；所述去耦电容c14接在pin_+12v、pin_-12v之间。3.根据权利要求2所述的一种15kv高压脉冲半导体开关，其特征在于，所述光电耦合器u2包括pin_a、pin_c、pin_vcc、pin_out、pin_vss；所述pin_a与dc/dc模块u1的pin_in连接，所述pin_c与dc/dc模块u1的pin_gnd连接；所述rc低通滤波器的电阻r11接在pin_a与dc/dc模块u1的pin_in之间，所述rc低通滤波器的电容c15接在pin_a、pin_c之间；所述pin_vcc接地处理；所述pin_vss与dc/dc模块u1的pin_-12v连接，所述pin_vss通过稳压管w1和稳压管w2与dc/dc模块u1的pin_+12v连接；所述pin_out通过输出电阻r12与nmos的门极连接，所述pin_vss与nmos的源极连接；所述稳压管w3与负载电阻r13接在nmos的门极与pin_vss之间。4.根据权利要求3所述的一种15kv高压脉冲半导体开关，其特征在于，所述初级线圈(p1，p2)包括pin_p1、pin_p2，所述pin_p1通过输出电阻r14与dc/dc模块u1的pin_+12v连接，所述pin_p2与nmos的漏极连接；所述pin_p1通过稳压管w1与nmos的漏极连接，其中，pin_p1与稳压管w1的阴极连接；所述pin_p2通过稳压管w2与光电耦合器u2的pin_vss连接，其中，pin_p2与稳压管w2的阴极连接；
所述储能电容c16接在pin_p2和pin_vss之间。5.根据权利要求4所述的一种15kv高压脉冲半导体开关，其特征在于，所述次级线圈l1、次级线圈l2、次级线圈l3、次级线圈l4、次级线圈l5、次级线圈l6、次级线圈l7、次级线圈l8、次级线圈l9、次级线圈l10的一端依次分别与晶闸管q1、晶闸管q2、晶闸管q3、晶闸管q4、晶闸管q5、晶闸管q6、晶闸管q7、晶闸管q8、晶闸管q9、晶闸管q10的门极连接；所述次级线圈l1、次级线圈l2、次级线圈l3、次级线圈l4、次级线圈l5、次级线圈l6、次级线圈l7、次级线圈l8、次级线圈l9、次级线圈l10的另一端依次分别与晶闸管q1、晶闸管q2、晶闸管q3、晶闸管q4、晶闸管q5、晶闸管q6、晶闸管q7、晶闸管q8、晶闸管q9、晶闸管q10的阴极连接；所述负载电阻r1、负载电阻r12、负载电阻r3、负载电阻r4、负载电阻r5、负载电阻r6、负载电阻r7、负载电阻r8、负载电阻r9、负载电阻r10依次分别跨接在晶闸管q1、晶闸管q2、晶闸管q3、晶闸管q4、晶闸管q5、晶闸管q6、晶闸管q7、晶闸管q8、晶闸管q9、晶闸管q10的门极与阴极之间；所述续流二极管d1、续流二极管d2、续流二极管d3、续流二极管d4、续流二极管d5、续流二极管d6、续流二极管d7、续流二极管d8、续流二极管d9、续流二极管d10依次分别跨接在晶闸管q1、晶闸管q2、晶闸管q3、晶闸管q4、晶闸管q5、晶闸管q6、晶闸管q7、晶闸管q8、晶闸管q9、晶闸管q10的门极与阴极之间，其中，所述续流二极管d1、续流二极管d2、续流二极管d3、续流二极管d4、续流二极管d5、续流二极管d6、续流二极管d7、续流二极管d8、续流二极管d9、续流二极管d10的阴极依次分别与晶闸管q1、晶闸管q2、晶闸管q3、晶闸管q4、晶闸管q5、晶闸管q6、晶闸管q7、晶闸管q8、晶闸管q9、晶闸管q10的门极连接；所述晶闸管q1、晶闸管q2、晶闸管q3、晶闸管q4、晶闸管q5、晶闸管q6、晶闸管q7、晶闸管q8、晶闸管q9、晶闸管q10串联接在接线端子hv_in、接线端子hv_out之间；所述去耦电容ch1、去耦电容ch2、去耦电容ch3、去耦电容ch4、去耦电容ch5、去耦电容ch6、去耦电容ch7、去耦电容ch8、去耦电容ch9、去耦电容ch10串联接在接线端子hv_in、接线端子hv_out之间；所述泄放电阻rh1、泄放电阻rh2、泄放电阻rh3、泄放电阻rh4、泄放电阻rh5、泄放电阻rh6、泄放电阻rh7、泄放电阻rh8、泄放电阻rh9、泄放电阻rh10串联接在接线端子hv_in、接线端子hv_out之间。6.根据权利要求5所述的一种15kv高压脉冲半导体开关，其特征在于，所述晶闸管q1、晶闸管q2、晶闸管q3、晶闸管q4、晶闸管q5、晶闸管q6、晶闸管q7、晶闸管q8、晶闸管q9、晶闸管q10单个耐压值为1600v。

技术总结
本发明公开了一种15KV高压脉冲半导体开关，包括相互连接的输入模块、电源模块、控制模块、开关模块，所述输入模块包括接线端子CN1、用于滤波的去耦电容C11和去耦电容C12、用于组成RC低通滤波器的电阻R11和电容C15；所述CN1包括用于连接外部+5V电源正极的PIN_VCC、用于连接外部+5V电源负极的PIN_GND、用于外部脉冲信号输入的PIN_IN；所述电源模块包括用于将5V转


技术研发人员：彭新俊 金善益 冯红波
受保护的技术使用者：上海市计量测试技术研究院
技术研发日：2023.04.17
技术公布日：2023/8/24