用以形成具倾斜角的结构的平版印刷术方法与流程

用以形成具倾斜角的结构的平版印刷术方法
1.背景
技术领域
2.本公开内容的实施方式总体涉及形成光学装置的方法，所述光学装置包含设置在透明基板上的纳米结构。


背景技术：

3.虚拟现实(virtual reality)通常被认为是计算机产生的模拟环境，其中使用者具有表观物理存在。虚拟现实体验可以3d形式产生，并且使用头戴式显示器(head-mounted display,hmd)(诸如眼镜或具有接近眼睛的显示面板(诸如透镜)的其他可穿戴显示装置)观看，以显示替代实际环境的虚拟现实环境。
4.增强现实(augmented reality)还使得能够实现以下体验：在该体验中使用者可经由眼镜或其他hmd设备的显示透镜看到周围环境，但是也使得使用者能够看到被产生以显示并且作为环境的一部分出现的虚拟对象的图像。增强现实可包括任何类型的输入，诸如音频及触觉输入，以及加强或增强使用者体验的真实环境的视觉图像、图形及视频。作为一种新兴技术，增强现实面临许多挑战及设计约束。
5.一种这样的挑战是显示覆盖在周围环境上的虚拟图像。包含多个纳米结构的波导用于帮助覆盖图像。所产生的光经由波导传播，直到光离开波导并且覆盖在周围环境上。由于多个纳米结构的大小，形成工艺可能难以准确控制。图1a至图1b图示根据一个实施方式的形成波导100的多个纳米结构108的传统方法。在图1a中，第一材料104沉积在基板102的顶表面102a上。图案化的硬模106沉积在第一材料104上。
6.在图1b中，使用离子束110移除或蚀刻第一材料104的未被硬模106覆盖的部分112，以形成多个倾斜的纳米结构108。如本文所用，倾斜的是指从x轴和y轴两者偏移的角度，诸如在xy方向上成角度。换言之，多个倾斜的纳米结构108既不平行也不垂直于基板的顶表面102a。多个纳米结构108的倾斜轮廓由离子束110的角度控制，该角度难以控制并且经常需要过度蚀刻以确保每个纳米结构108在整个x方向上具有一致的厚度或宽度。照此，过度蚀刻可能导致基板102的部分114被无意地移除。
7.因此，本领域需要一种形成纳米结构的改进方法。


技术实现要素：

8.本公开内容总体涉及形成光学装置的方法，所述光学装置包含设置在透明基板上的纳米结构。一种形成纳米结构的第一工艺包含在玻璃基板上沉积第一材料的第一层；在所述第一层中形成一或多个沟槽；和在所述一或多个沟槽中沉积第二材料的第二层，以形成交替的第一材料的第一部分和第二材料的第二部分的第一交替层。将第一工艺重复一或多次，以在第一交替层之上形成额外的交替层。每个交替层的每个第一部分设置成与相邻交替层中的相邻第一部分接触并且从所述相邻第一部分偏移一段距离。第二工艺包含从每
个交替层移除第一部分或第二部分以形成多个纳米结构。
9.一种使用平版印刷术工具形成多个倾斜的纳米结构的方法，包含执行第一工艺，所述第一工艺包含：在透明基板的第一表面上沉积第一材料的第一层；移除所述第一材料的所述第一层的一或多个第一部分以形成一或多个沟槽；和在所述一或多个沟槽中沉积第二材料的第一层以形成第一交替层，所述第一交替层包含交替的设置成与第二材料的第二遗留部分接触的第一材料的第一遗留部分，所述第二材料不同于所述第一材料。所述方法进一步包含重复第一工艺一或多次以在第一交替层之上形成一或多个额外交替层，其中每个交替层的每个第一遗留部分被设置成与相邻交替层中的相邻第一遗留部分接触并且从所述相邻第一遗留部分偏移第一距离。所述方法进一步包含执行第二工艺，所述第二工艺包含：从每个交替层移除每个第二遗留部分；和蚀刻每个第一遗留部分的侧壁以使所述侧壁平滑，以形成包含第一材料的多个倾斜纳米结构，其中所述多个倾斜纳米结构中的每一个倾斜纳米结构与透明基板的第一表面成0
°
至约90
°
的角度设置。
10.一种使用平版印刷术工具形成多个倾斜纳米结构的方法，包含执行第一工艺，所述第一工艺包含：在透明基板上沉积第一材料的第一层；移除所述第一材料的所述第一层的一或多个第一部分以形成一或多个沟槽；在所述第一材料之上和所述一或多个沟槽中沉积第二材料的第一层，所述第二材料不同于所述第一材料；和蚀刻和平面化所述第二材料的所述第一层以形成第一交替层，所述第一交替层包含设置成与第二材料的第二遗留部分接触的第一材料的第一遗留部分，所述第一交替层的厚度为约10nm至约100μm。所述方法进一步包含重复第一工艺一或多次以在第一交替层之上形成一或多个额外交替层，其中每个交替层的每个第二遗留部分被设置成与相邻交替层中的相邻第二遗留部分接触并且从所述相邻第二遗留部分偏移第一距离。所述方法进一步包含执行第二工艺，所述第二工艺包含：从每个交替层移除每个第一遗留部分；和蚀刻每个第二遗留部分的侧壁以形成包含第二材料的多个倾斜纳米结构。
11.一种使用平版印刷术工具形成多个倾斜纳米结构的方法，包含执行第一工艺，所述第一工艺包含：在透明基板的第一表面上沉积第一材料的第一层，所述第一材料包含ti、sb、sn、zr、al、或hf；移除所述第一材料的所述第一层的一或多个第一部分以形成一或多个沟槽；和在所述一或多个沟槽中沉积第二材料的第一层以形成第一交替层，所述第一交替层包含交替的设置成与第二材料的第二遗留部分接触的第一材料的第一遗留部分，所述第二材料包含有机平面化层、旋涂玻璃、sin或含si材料。所述方法进一步包含重复第一工艺一或多次以在第一交替层之上形成一或多个额外交替层，其中每个交替层的每个第一遗留部分被设置成与相邻交替层中的相邻第一遗留部分接触并且从所述相邻第一遗留部分偏移第一距离，并且其中每个第一遗留部分具有第一宽度，所述第一宽度大于所述第一距离。所述方法进一步包含执行第二工艺，所述第二工艺包含：从每个交替层移除每个第一遗留部分或每个第二遗留部分以形成多个倾斜纳米结构；和蚀刻所述多个倾斜纳米结构中的每个倾斜纳米结构的侧壁以使所述侧壁平滑。
附图说明
12.为了能够详细理解本公开内容的上述特征，可以参考实施方式对以上简要概述的本公开内容进行更特别的描述，实施方式中的一些实施方式在附图中图示。然而，应当注意
的是，附图仅图示示例性实施方式，并且因此不应被视为是对本公开内容的范围的限制，并且可以允许其他同等有效的实施方式。
13.图1a至图1b图示根据一个实施方式的形成波导的多个纳米结构的传统方法。
14.图2a至图2h图示根据所公开的实施方式形成纳米结构基底的各种视图。
15.图3图示根据一个实施方式的形成图2a至图2h的纳米结构基底的方法。
16.图4a至图4c图示根据所公开的实施方式，从图2a至图2h的纳米结构基底形成纳米结构的各种视图。
17.图5a至图5c图示根据所公开的实施方式，从图2a至图2h的纳米结构基底形成纳米结构的各种视图。
18.图6a图示根据一个实施方式的形成图4a至图4c的纳米结构的方法。
19.图6b图示根据一个实施方式的形成图5a至图5c的纳米结构的方法。
20.为了促进理解，在可能的情况下，已使用相同的参考数字来表示附图共有的相同元件。预期一个实施方式的元件和特征可以有益地结合在其他实施方式中，而无需进一步叙述。
具体实施方式
21.在下文中，参考本公开内容的实施方式。然而，应当理解的是本公开内容不限于具体描述的实施方式。相反，设想以下特征、要素和实施方式的任何组合来实施和实践本公开内容。此外，尽管本公开内容的实施方式可以实现优于其他可能的解决方案及/或优于现有技术的优点，但是特定的优点是否由给定的实施方式实现并不限制本公开内容。因此，以下方面、特征、实施方式及优点仅仅是说明性的，并且不被认为是所附权利要求的要素或限制，除非在权利要求中明确陈述。同样，对“本公开内容”的提及不应被解释为对本文所公开的任何发明性主题的概括，并且不应被认为是所附权利要求的要素或限制，除非在权利要求中明确陈述。
22.本公开内容总体涉及形成光学装置的方法，所述光学装置包含设置在透明基板上的纳米结构。一种形成纳米结构的第一工艺包含在玻璃基板上沉积含有第一材料的第一层；在所述第一层中形成一或多个沟槽；和在所述一或多个沟槽中沉积含有第二材料的第二层以形成第一交替层，所述第一交替层含有包括第一材料的第一部分和包括第二材料的第二部分。将第一工艺重复一或多次，以在第一交替层之上形成额外的交替层。每个交替层的每个第一部分设置成与相邻交替层中的相邻第一部分接触并且从所述相邻第一部分偏移一段距离。第二工艺包括从每个交替层移除第一部分或第二部分以形成多个纳米结构。
23.图2a至图2h图示根据所公开的实施方式形成纳米结构基底200或形成多个纳米结构中的第一工艺的各种视图。纳米结构基底200将用于形成包含多个倾斜结构的纳米结构，诸如波导，如下文在图4a至图6b中进一步描述的。图3图示根据一个实施方式的形成纳米结构基底200的方法300，或者形成多个纳米结构中的第一工艺。因此，图2a至图2h是与图3一起描述的。使用平版印刷术工具执行方法300。例如，可以使用的平版印刷术工具包括g线、h线、i线、248nm、193nm、193nm浸没(193i)、泰伯(talbot)平版印刷术、或远紫外光刻(extreme ultraviolet lithography,euv)。
24.在操作302中，将含有第一材料204的第一层204a沉积在透明基板202的第一表面
202a上，如图2a中所示。可以使用平版印刷术工具沉积第一层204a。在一些实施方式中，第一材料204包括金属。例如，第一材料204可包括ti、sb、sn、zr、al、或hf等。第一层204a在y方向上具有从约10nm至约100μm，诸如从约30nm至约500nm的第一厚度214。例如，第一厚度214可以当利用euv、193和193i平版印刷术工具时为从约10nm至约1μm，或者当利用g线、h线和i线平版印刷术工具时为从约100nm至约100μm，诸如约100nm至约5μm。在一些实施方式中，基板202包括玻璃。
25.在操作304中，移除包括第一材料204的第一层204a的第一部分以形成一或多个第一沟槽206a，如图2b中所示。第一层204a的第一部分可被移除，以经由平版印刷术工具的平版印刷术图案化形成一或多个第一沟槽206a。第一沟槽206a中的每个第一沟槽在x方向上具有相同的宽度212。类似地，第一材料204的每个遗留部分在x方向上具有相同的宽度216。宽度212和宽度216可以各自单独为约20nm至约5,000nm。照此，第一材料204的每个遗留部分在x方向上间隔开相同的距离，该距离等于第一沟槽206a的宽度212。在一些实施方式中，第一沟槽206a的宽度212等于第一材料204的遗留部分的宽度216。尽管示出五个第一沟槽206a，但是可以形成任意数量的第一沟槽206a，并且第一沟槽206a的数量不意欲为限制性的。
26.在操作306中，将含有第二材料208的第一层208a沉积在第一材料204的遗留部分之上和在一或多个第一沟槽206a中，如图2c中所示。第二材料208可以是有机平面化层(organic planarization layer,opl)、旋涂玻璃、sin、或其他含si材料等。在一些实施方式中，第一材料204包含opl、旋涂玻璃、sin、或其他含si材料，并且第二材料208包含ti、sb、sn、zr、al、或hf。在操作308中，经由平面化和蚀刻移除含有第二材料208的第一层208a的顶部部分，使得第二材料208遗留在一或多个第一沟槽206a中以形成具有第一厚度214的第一交替层210a，如图2d中所示。
27.在操作310中，使用平版印刷术工具在第一交替层210之上沉积第一材料204的第二层204b，如图2e中所示。在一些实施方式中，第二层204b具有与第一层204a相同的厚度214。然而，第二层204b可以具有与第一层204a不同的厚度。在操作312中，移除包括第一材料204的第二层204b的第二部分，以经由平版印刷术工具的平版印刷术图案化形成一或多个第二沟槽206b，如图2f中所示。第二层204b的第二部分可以被移除，以经由平版印刷术图案化形成一或多个第二沟槽206b，如上文在操作304中所述。可以形成相同数量的第一沟槽206a和相同数量的第二沟槽206b。
28.一或多个第二沟槽206b中的每一个第二沟槽在x方向上从现在填充有第二材料208的一或多个第一沟槽206a偏移第一距离218。照此，第一交替层210a的第一材料204在x方向上从第一材料204的第二层204b的遗留部分偏移第一距离218，与此同时仍然维持接触。第一距离218为约1nm至约5μm。例如，第一距离218当利用193和248平版印刷术工具时为约10nm至约50nm(例如，约10nm至约20nm)，当利用g线、h线和i线平版印刷术工具时为约500nm至约5μm，并且当利用euv和193i平版印刷术工具时为约1nm至约50nm(例如，约1nm至约5nm)。第一距离218不超过含有第一材料204的部分的宽度216。由于平版印刷术工具的对准能力，准确地控制第一距离218的对准，或者一或多个第二沟槽206b与一或多个第一沟槽206a的对准。
29.在操作314中，将操作306-312重复一或多次。因此，如图2g中所示，包括第二材料
208的第二层208b沉积在第一交替层210a之上和一或多个第二沟槽206b中。随后经由平面化和蚀刻移除含有第二材料208的第二层208b的顶部部分，使得第二材料208仅遗留在一或多个第二沟槽206b中以形成具有第一厚度214的第二交替层210b，如图2h中所示。
30.通过重复方法300的操作306-312一或多次，形成含有第一材料204和第二材料208的额外交替层(统称为交替层210)，其中交替层210的第一材料204在x方向上与相邻交替层210的第一材料204偏移第一距离218。类似地，交替层210的第二材料208在x方向上与相邻交替层210的第二材料208偏移第一距离218。每个交替层210具有大体上平行于基板202的第一表面202a的平坦表面。一旦所有交替层210共同到达y方向上的期望高度220，则纳米结构基底200完成并且方法300结束。
31.如本文所用，第一距离218可以与偏移距离218可互换地使用，偏移距离218是指交替层210中含有第一材料204的每个部分从相邻交替层210中含有第一材料204的相邻部分偏移的距离，和交替层210中含有第二材料208的每个部分从相邻交替层210中含有第二材料208的相邻部分偏移的距离。如上所述，偏移距离218不能超过含有第一材料204的每个部分或含有第二材料208的每个部分的宽度，因为相邻交替层210中含有第一材料204的相邻部分彼此接触，并且相邻交替层210中含有第二材料208的相邻部分彼此接触。
32.图4a至图4c图示根据实施方式从图2a至图2h的纳米结构基底200形成纳米结构400，或者在形成多个纳米结构中的第二工艺的各种视图。纳米结构400可以是波导。图5a至图5c图示根据实施方式从图2a至图2h的纳米结构基底200形成纳米结构500，或者在形成多个纳米结构中的替代第二工艺的各种视图。纳米结构500可以是波导。图6a图示根据一些实施方式的形成图4a至图4c的纳米结构400的方法600。图6b图示根据一些实施方式的形成图5a至图5c的纳米结构500的方法650。因此，图4a至图4c是与图6a一起描述的，并且图5a至图5c是与图6b一起描述的。
33.方法300可以与方法600和方法650两者一起使用。例如，在完成方法300后，随后可以使用方法600。例如，在完成方法300后，随后可以使用方法650。方法600和650可以各自单独地使用平版印刷术工具来执行。例如，可以使用的平版印刷术工具包括g线、h线、i线、248nm、193nm、193i、或euv。
34.图4a图示使用上述方法300形成的纳米结构基底200。纳米结构基底200包含在y方向上具有高度420的多个交替层210。高度420为约20nm至约1μm。在一些实施方式中，高度420为约20nm至约2μm。尽管示出三个交替层210，但是纳米结构基底200可具有任意数量的交替层210，并且交替层210的数量不意欲为限制性的。
35.在方法600的操作602中，移除第一材料204以形成含有第二材料208的多个纳米结构408，如图4b中所示。多个纳米结构408由第一材料204先前设置于的多个沟槽424间隔开。在第一材料204包含ti、sb、sn、zr、al、或hf的实施方式中，第一材料204可以经由氧化蚀刻(oxide etching)移除。第一材料204在仍设置在基板202上的同时被移除。
36.在操作604中，蚀刻多个纳米结构408的侧壁422，使得侧壁422是大体上平滑的或平坦的，并且以倾斜角428设置，如图4c中所示。在第二材料208包含opl、旋涂玻璃、sin或其他含si材料的实施方式中，侧壁422可以使用ch3f、ch4、chf3、cf4、o2或cl来蚀刻。多个纳米结构408在仍然设置在基板202上的同时被蚀刻。侧壁422的蚀刻相对较小，造成多个纳米结构408中的每一个纳米结构的总电介质体积大体上不受蚀刻的影响。
37.倾斜角428可为0
°
至约90
°
。倾斜角428可以取决于偏移距离218，或者交替层210的每个第二材料208部分从相邻交替层210的每个第二材料208部分偏移的距离，如以上在图2a至图2h中所述。因为每个交替层210的偏移距离218由于由平版印刷术工具沉积而被准确对准，所以可以准确地控制倾斜角428。
38.图5a图示使用上述方法300形成的纳米结构基底200。纳米结构基底200包括在y方向上具有高度520的多个交替层210。高度520为约20nm至约1μm。在一些实施方式中，高度520为约20nm至约2μm。角度大小428和528可以通过控制交替层210的数量来分别确定高度420和520。尽管示出三个交替层210，但是纳米结构基底200可具有任意数量的交替层210，并且交替层210的数量不意欲为限制性的。
39.在方法650的操作652中，移除第二材料208以形成含有第一材料204的多个纳米结构504，如图6b中所示。多个纳米结构504由第二材料208先前设置于的多个沟槽526间隔开。在第二材料208包含opl、旋涂玻璃、sin、或其他含si材料的实施方式中，第二材料208可以经由sin蚀刻移除。第二材料208在仍设置在基板202上的同时被移除。
40.在操作654中，蚀刻多个纳米结构504的侧壁522，使得侧壁522是大体上平滑的或平坦的，并且以倾斜角528设置，如图5c中所示。在第一材料204包含ti、sb、sn、zr、al、或hf的实施方式中，可以使用ch3f、ch4、chf3、cf4或o2来蚀刻侧壁522。多个纳米结构504在仍然设置在基板202上的同时被蚀刻。侧壁522的蚀刻相对较小，造成多个纳米结构504中的每一个纳米结构的总电介质体积大体上不受蚀刻的影响。
41.倾斜角528可为0
°
至约90
°
。倾斜角528可以取决于偏移距离218，或者交替层210的每个第一材料204部分从相邻交替层210的每个第一材料204部分偏移的距离，如以上在图2a至图2h中所述。因为每个交替层210的偏移距离218由于由平版印刷术工具沉积而被准确对准，所以可以准确地控制倾斜角528。
42.因此，通过利用平版印刷术工具，可以在玻璃基板上直接图案化多个倾斜纳米结构，并且可以准确控制多个倾斜纳米结构中的每一个倾斜纳米结构的倾斜角度。类似地，由于平版印刷术工具的对准能力，每个交替层中的第一材料和第二材料的每个部分的对准被准确控制。此外，上述形成多个纳米结构的方法可以与许多平版印刷术工具一起利用，从而允许实施方法的更大灵活性和更低成本。
43.尽管前述内容针对本公开内容的实施方式，但是在不脱离本公开内容的基本范围的情况下可以设计本公开内容的其他和进一步实施方式，并且本公开内容的范围由所附权利要求确定。

技术特征：
1.一种使用平版印刷术工具形成多个倾斜纳米结构的方法，包含以下步骤：执行第一工艺，所述第一工艺包含以下步骤：在透明基板的第一表面上沉积包含第一材料的第一层；移除包含所述第一材料的所述第一层的一或多个第一部分以形成一或多个沟槽；和在所述一或多个沟槽中沉积包含第二材料的第二层以形成第一交替层，所述第一交替层包含交替的第一遗留部分，所述第一遗留部分包含所述第一材料，所述第一遗留部分设置为与包含所述第二材料的第二遗留部分接触，所述第二材料不同于所述第一材料；重复所述第一工艺一或多次以在所述第一交替层之上形成一或多个额外交替层，每个交替层的每个第一遗留部分与相邻交替层中的相邻第一遗留部分接触并且从所述相邻第一遗留部分偏移第一距离；和执行第二工艺，所述第二工艺包含以下步骤：从每个交替层移除每个第二遗留部分；和蚀刻每个第一遗留部分的侧壁以使所述侧壁平滑，以形成包含所述第一材料的所述多个倾斜纳米结构，所述多个倾斜纳米结构中的每一个倾斜纳米结构设置为与所述透明基板的所述第一表面成0
°
至约90
°
的角度。2.如权利要求1所述的方法，其中将所述第一工艺重复一或多次，直到所述交替层的总和具有约20nm至约2μm的高度。3.如权利要求1所述的方法，其中每个第一遗留部分具有第一宽度，所述第一宽度大于所述第一距离，并且其中所述第一距离为约10nm至约200nm。4.如权利要求1所述的方法，其中所述第一材料包含ti、sb、sn、zr、al、或hf，并且所述第二材料包含有机平面化层、旋涂玻璃、sin、或含si材料。5.如权利要求1所述的方法，其中使用ch3f、ch4、chf3、cf4、或o2蚀刻每个第一遗留部分的所述侧壁。6.如权利要求1所述的方法，其中每个交替层的厚度为约10nm至约100μm。7.如权利要求1所述的方法，其中所述平版印刷术工具是g线、h线、i线、248nm、193nm、193nm浸没、或远紫外平版印刷术工具。8.一种使用平版印刷术工具形成多个倾斜纳米结构的方法，包含以下步骤：执行第一工艺，所述第一工艺包含以下步骤：在透明基板上沉积包含第一材料的第一层；移除包含所述第一材料的所述第一层的一或多个第一部分以形成一或多个沟槽；在所述第一材料之上和所述一或多个沟槽中沉积包含第二材料的第二层，所述第二材料不同于所述第一材料；和蚀刻并且平面化包含所述第二材料的所述第二层以形成第一交替层，所述第一交替层包含第一遗留部分，所述第一遗留部分包含所述第一材料，所述第一遗留部分设置为与包含所述第二材料的第二遗留部分接触，所述第一交替层具有约10nm至约100μm的厚度；重复所述第一工艺一或多次以在所述第一交替层之上形成一或多个额外交替层，每个交替层的每个第二遗留部分设置为与相邻交替层中的相邻第二遗留部分接触并且从所述相邻第二遗留部分偏移第一距离；和
执行第二工艺，所述第二工艺包含以下步骤：从每个交替层移除每个第一遗留部分；和蚀刻每个第二遗留部分的侧壁，以形成包含所述第二材料的多个倾斜纳米结构。9.如权利要求8所述的方法，其中所述多个倾斜纳米结构中的每个倾斜纳米结构设置为与所述透明基板的第一表面成0
°
至约90
°
的角度。10.如权利要求8所述的方法，其中每个第二遗留部分具有第一宽度，所述第一宽度大于所述第一距离，并且其中所述第一距离为约10nm至约200nm。11.如权利要求8所述的方法，其中所述第一材料包含ti、sb、sn、zr、al、或hf，并且所述第二材料包含有机平面化层、旋涂玻璃、sin、或含si材料。12.如权利要求8所述的方法，其中使用ch3f、ch4、chf3、cf4、o2、或cl蚀刻每个第二遗留部分的所述侧壁。13.如权利要求8所述的方法，其中将所述第一工艺重复一或多次，直到所述交替层的总和具有约20nm至约2μm的高度。14.如权利要求8所述的方法，其中所述平版印刷术工具是g线、h线、i线、248nm、193nm、193nm浸没、或远紫外平版印刷术工具。15.一种使用平版印刷术工具形成多个倾斜纳米结构的方法，包含以下步骤：执行第一工艺，所述第一工艺包含以下步骤：在透明基板的第一表面上沉积包含第一材料的第一层，所述第一材料包含ti、sb、sn、zr、al、或hf；移除包含所述第一材料的所述第一层的一或多个第一部分以形成一或多个沟槽；和在所述一或多个沟槽中沉积包含第二材料的第二层以形成第一交替层，所述第一交替层包含交替的第一遗留部分，所述第一遗留部分包含所述第一材料，所述第一遗留部分设置为与包含所述第二材料的第二遗留部分接触，所述第二材料包含有机平面化层、旋涂玻璃、sin、或含si材料；重复所述第一工艺一或多次以在所述第一交替层之上形成一或多个额外交替层，每个交替层的每个第一遗留部分被设置成与相邻交替层中的相邻第一遗留部分接触并且从所述相邻第一遗留部分偏移第一距离，并且其中每个第一遗留部分具有第一宽度，所述第一宽度大于所述第一距离；和执行第二工艺，所述第二工艺包含以下步骤：从每个交替层移除每个第一遗留部分或每个第二遗留部分，以形成多个倾斜纳米结构；和蚀刻所述多个倾斜纳米结构中的每一个倾斜纳米结构的侧壁以使所述侧壁平滑。16.如权利要求15所述的方法，其中所述多个倾斜纳米结构中的每个倾斜纳米结构设置为与所述透明基板的所述第一表面成0
°
至约90
°
的角度。17.如权利要求15所述的方法，其中所述第一距离为约10nm至约200nm，其中每个交替层具有约10nm至约100μm的厚度，并且其中将所述第一工艺重复一或多次，直到所述交替层的总和具有约20nm至约2μm的高度。18.如权利要求15所述的方法，其中所述平版印刷术工具是g线、h线、i线、248nm、193nm、193nm浸没、或远紫外平版印刷术工具。
19.如权利要求18所述的方法，其中执行所述第二工艺包含从每个交替层移除每个第一遗留部分，并且其中使用ch3f、ch4、chf3、cf4、o2、或cl蚀刻每个第二遗留部分的所述侧壁。20.如权利要求18所述的方法，其中执行所述第二工艺包含从每个交替层移除每个第二遗留部分，并且其中使用ch3f、ch4、chf3、cf4、或o2蚀刻每个第一遗留部分的所述侧壁。

技术总结
本公开内容总体涉及形成光学装置的方法，所述光学装置包含设置在透明基板上的纳米结构。一种形成纳米结构的第一工艺包含在玻璃基板上沉积第一材料的第一层；在所述第一层中形成一或多个沟槽；和在一或多个孔至沟槽中沉积第二材料的第二层，交替的第一材料的第一部分和第二材料的第二部分的第一交替层。将第一工艺重复一或多次，以在第一交替层之上形成额外的交替层。每个交替层的每个第一部分设置成与相邻交替层中的相邻第一部分接触并且从所述相邻第一部分偏移一段距离。第二工艺包含从每个交替层移除第一部分或第二部分以形成多个纳米结构。纳米结构。纳米结构。


技术研发人员：徐永安 傅晋欣 杨政翰 卢多维克
受保护的技术使用者：应用材料公司
技术研发日：2021.11.23
技术公布日：2023/8/24