用于图案区域的基于特征的单元提取的制作方法

用于图案区域的基于特征的单元提取
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2020年12月21日提交的pct申请pct/cn2020/137957的优先权，该申请通过引用整体并入本文。
技术领域
3.本文提供的实施例涉及计算光刻技术，并且更具体地，涉及计算光刻中的单位单元提取技术。


背景技术：

4.在集成电路(ic)的制造过程中，计算光刻被用于提高ic电路的设计布局的产量。以计算高效的方式执行ic电路布局的计算分析的能力变得越来越重要。


技术实现要素：

5.在一些实施例中，一种基于特征的单元提取方法包括获得表示布局的数据，其中所述布局包括图案，所述图案包括斜角特征，从包括斜角特征的图案区域中提取单位单元，使用所述单位单元识别所述布局的与所述单位单元匹配的区域集；和
6.使用所述单位单元生成用于所述区域集的分级结构。该方法可以包括图案区域，所述图案区域包括斜角特征或包括无顶点特征，确定所述图案区域中的特征斜率，确定所述图案区域中的结构的水平节距或竖直节距，使用所述水平节距和所述竖直节距构造单位单元，其中所述单位单元的顶部边界和底部边界由所述水平节距限定；所述单位单元的左边界和右边界由所述竖直节距限定，所述单位单元的位置基于所述水平节距或竖直节距的起点。该方法还可以包括，确定所述图案区域中的结构的线空间特征，识别所述线空间特征，其中识别所述线空间特征包括识别跨所述图案区域的分割线，确定所述分割线与所述布局上的结构相交的位置的坐标；和基于所述线空间特征确定所述分割线的锚点。该方法可以包括使用所述线空间特征构造单位单元，其中所述单位单元的顶部边界和底部边界由所述线空间特征限定，和所述单位单元的位置基于所述分割线的锚点。在一些实施例中，该方法包括将所述单位单元存储在关联数据结构中，其中用于所述关联数据结构的关键字是所述图案区域的特征。使用所述单位单元识别所述布局的与所述单位单元匹配的区域集可以包括识别所述图案区域的特征，使用所述特征作为关键字从所述关联数据结构中检索单位单元，和使用所检索的单位单元匹配所述图案区域的部分。在一些实施例中，该方法包括使用线性优化函数优化所述区域集上的单位单元分布，其中所述线性优化函数优化跨所述区域集分布的单位单元的数量使得所述分布在所述区域集的每个区域中，并优化跨所述区域的部分分布的单位单元的数量，和保持所述区域的其余部分的块水平对称性。该方法还可以包括合并所提取的单位单元和移除重复的单位单元。在一些实施例中，所述分级结构呈图形数据库系统(gds)格式、图形数据库系统ii(gds ii)格式、开放原图系统交换标准(oasis)格式、或加州理工学院中间格式(cif)，并且所述分级结构被提供用于建模、光学邻
近校正(opc)、缺陷检查、缺陷预测或源掩模优化(smo)中的至少一个。
7.在一些实施例中，一种系统，该系统包括存储指令集的存储器，和至少一个处理器，所述处理器被配置成执行所述指令集，以使所述系统执行获得表示布局的数据，其中所述布局包括图案，所述图案包括斜角特征，或包括无定点特征，使用所述单位单元识别所述布局的与所述单位单元匹配的区域集，和使用所述单位单元生成用于所述区域集的分级结构。被配置成执行所述指令集的所述至少一个处理器可以使所述系统还执行基于包括斜角特征的图案区域的结构来提取单位单元，确定所述图案区域中的特征斜率，确定所述图案区域中的结构的水平节距或竖直节距，使用所述水平节距和所述竖直节距构造单位单元，其中所述单位单元的顶部边界和底部边界由所述水平节距限定；所述单位单元的左边界和右边界由所述竖直节距限定，所述单位单元的位置基于所述水平节距或竖直节距的起点。被配置成执行所述指令集的所述至少一个处理器可以使所述系统还执行确定所述图案区域中的结构的线空间特征、识别所述线空间特征，其中识别所述线空间特征包括识别跨所述图案区域的分割线，确定所述分割线与所述布局上的结构相交的位置的坐标；和基于所述线空间特征确定所述分割线的锚点。被配置成执行所述指令集的所述至少一个处理器可以使所述系统还执行使用所述线空间特征构造单位单元，其中所述单位单元的顶部边界和底部边界由所述线空间特征限定，和所述单位单元的位置基于所述分割线的锚点。在一些实施例中，被配置成执行所述指令集的所述至少一个处理器可以使所述系统还执行将所述单位单元存储在关联数据结构中，其中用于所述关联数据结构的关键字是所述图案区域的特征。使用所述单位单元识别所述布局的与所述单位单元匹配的区域集可以包括识别所述图案区域的特征，使用所述特征作为关键字，从所述关联数据结构中检索单位单元，和使用所检索的单位单元匹配所述图案区域的部分。在一些实施例中，被配置成执行所述指令集的所述至少一个处理器可以使所述系统还执行使用线性优化函数优化所述区域集上的单位单元分布，其中所述线性优化函数最大化跨所述区域集分布的单位单元的数量使得所述分布在所述区域集的每个区域中，并优化跨所述区域的部分分布的单位单元的数量，和保持所述区域的其余部分的块水平对称性。被配置成执行所述指令集的所述至少一个处理器可以使所述系统还执行合并所提取的单位单元，和移除重复的单位单元。在一些实施例中，所述分级结构呈图形数据库系统(gds)格式、图形数据库系统ii(gds ii)格式、开放原图系统交换标准(oasis)格式、或加州理工学院中间格式(cif)，并且所述分级结构被提供用于建模、光学邻近校正(opc)、缺陷检查、缺陷预测或源掩模优化(smo)中的至少一个。
8.在一些实施例中，一种非暂时性计算机可读介质，所述介质存储指令集，能够被计算装置的至少一个处理器执行的指令集可以使所述计算装置执行用于识别图案的特征提取方法，所述方法包括获得表示布局的数据，其中所述布局包括图案，所述图案包括斜角特征或无顶点特征，使用所述单位单元识别所述布局的与所述单位单元匹配的区域集，和使用所述单位单元生成用于所述区域集的分级结构。该方法可以包括基于包括斜角特征的图案区域的结构提取单位单元，确定所述图案区域中的特征斜率，确定所述图案区域中的结构的水平节距或竖直节距，使用所述水平节距和所述竖直节距构造单位单元，其中所述单位单元的顶部边界和底部边界由所述水平节距限定，所述单位单元的左边界和右边界由所述竖直节距限定，和所述单位单元的位置基于所述水平节距或竖直节距的起点。该方法还可以包括，确定所述图案区域中的结构的线空间特征，识别所述线空间特征，其中识别所述
线空间特征包括识别跨所述图案区域的分割线，确定所述分割线与所述布局上的结构相交的位置的坐标；和基于所述线空间特征确定所述分割线的锚点。该方法可以包括使用所述线空间特征构造单位单元，其中所述单位单元的顶部边界和底部边界由所述线空间特征限定，和所述单位单元的位置基于所述分割线的锚点。在一些实施例中，该方法包括将所述单位单元存储在关联数据结构中，其中用于所述关联数据结构的关键字是所述图案区域的特征。使用所述单位单元识别所述布局的与所述单位单元匹配的区域集可以包括识别所述图案区域的特征，使用所述特征作为关键字从所述关联数据结构中检索单位单元，和使用所检索的单位单元匹配所述图案区域的部分。在一些实施例中，该方法包括使用线性优化函数优化所述区域集上的单位单元分布，其中所述线性优化函数最大化跨所述区域集分布的单位单元的数量使得所述分布在所述区域集的每个区域中，并优化跨所述区域的部分分布的单位单元的数量，和保持所述区域的其余部分的块水平对称性。该方法还可以包括合并所提取的单位单元和移除重复的单位单元。在一些实施例中，所述分级结构呈图形数据库系统(gds)格式、图形数据库系统ii(gds ii)格式、开放原图系统交换标准(oasis)格式、或加州理工学院中间格式(cif)，并且所述分级结构被提供用于建模、光学邻近校正(opc)、缺陷检查、缺陷预测或源掩模优化(smo)中的至少一个。
9.本公开的实施例的其他优点将通过以下结合附图的描述变得显而易见，其中通过说明和示例的方式阐述了本发明的特定实施例。
附图说明
10.图1是根据本公开的实施例的示例性光刻投影设备的图。
11.图2是根据本公开的实施例的用于建模或模拟图案化过程的部分的示例性系统的框图。
12.图3是根据本公开的实施例的示例性布局的图。
13.图4是根据本公开的实施例的示例性单元提取系统的框图。
14.图5a-5d示出了根据本公开的实施例的示例性图案特征。
15.图6示出了根据本公开的实施例的图案区域的示例性特征。
16.图7示出了根据本公开的实施例的图案区域的示例性单位单元。
17.图8示出了根据本公开的实施例的布局的示例性补丁切割。
18.图9示出了根据本公开的实施例的示例性布局优化。
19.图10示出了根据本公开的实施例的图案区域的示例性区域。
20.图11是表示根据本公开的实施例的用于图案区域的单元提取的示例性方法的过程流程图。
21.图12是表示根据本公开的实施例的用于单位单元提取的示例性方法的过程流程图。
22.图13是表示根据本公开的实施例的用于线空间确定的示例性方法的过程流程图。
23.图14是表示根据本公开的实施例的用于图案搜索的示例性方法的过程流程图。
24.图15是表示根据本公开的实施例的用于创建块分级结构的示例性方法的过程流程图。
具体实施方式
25.现在将详细参考示例性实施例，其示例在附图中示出。以下描述参考附图，其中不同附图中的相同数字表示相同或相似的元件，除非另有说明。在示例性实施例的以下描述中阐述的实施方式并不代表所有实施方式。相反，它们仅仅是与所附权利要求中所述的公开实施例相关的方面一致的设备和方法的示例。例如，尽管在利用电子束的上下文中描述了一些实施例，但是本公开不限于此。可以类似地应用其他类型的带电粒子束。此外，可以使用其他成像系统，诸如光学成像、光检测、x射线检测等。
26.随着特征和晶体管的尺寸不断减小，在衬底上如实地再创建设计布局的能力变得越来越困难。当试图将这样的小特征沉积到衬底上时，制造设备可能会引入伪影或缺陷。为了解决在这种微观尺度上再创建ic布局的物理困难，ic制造商依靠诸如计算光刻的技术来分析和修改设计，以解释物理制造过程中的已知伪影的原因。通过在制造之前调整布局、掩模或其他光刻数据来考虑已知的制造伪影，ic制造商可以更好地再创建最初的预期设计。
27.为了识别哪些图案特征可能导致哪些物理伪影，ic制造商必须利用大量数据集来进行准确的预测。这可能导致会随着ic设计变得越来越复杂而变得越来越复杂的计算上昂贵的技术。
28.由于增大的计算复杂性和对巨大模式数据集的需求，能够降低复杂性的技术是重要的。由于相同的特征或特征组可能在整个ic设计中重复，因此对这些图案和特征的有效识别、分类和选择可以大大减少校正ic设计所需的计算量。为了有效，重复图案必须易于识别、分类和处理。然而，并不是所有的图案形状都易于识别。特别地，一些技术通常依赖于不同的顶点、边缘和边角来分类和识别特征或特征组。但这些技术对于没有顶点或倾斜边角的图案特征并不那么有效。这些类型的结构经常出现在存储器中(例如，如图3所示)，诸如可以占据ic布局的大部分的dram(动态随机存取存储器)。
29.根据本公开的实施例，可以通过识别ic布局的不同存储器区域所共有的图案特征(例如，图5b-5d中所示的特征)来改进这些类型的特征的识别。这些特征可以用于生成单位单元(例如，如图7所示)，所述单位单元可以被重复以创建覆盖ic布局的存储器区域的阵列(例如，图10所示)。通过识别存储器区域的这些重复单元，可以将对单个单元的处理应用于更大的区域，从而降低校正ic布局的总体复杂度。
30.许多下游应用可以利用根据本文所描述的实施例的图案识别和分类，包括基于机器学习的建模或光学邻近校正(opc)、基于机器学习的缺陷检查和预测、源掩模优化(smo)、或可以选择用于减少运行时间和提高图案覆盖率的代表性图像的任何其他技术。一些应用旨在减少在标准迭代流程期间的循环时间，这可以通过在一些非关键循环中应用代表性图案集而不是全芯片而从本发明受益。尽管本文公开的实施例可以关于opc、smo或其他特定技术进行公开，但是本公开不旨在将实施例限制于那些特定应用。
31.帮助提高设计图案布局处理准确度和质量以及周转时间的一种方法是以分级模式执行opc，其中使用与设计图案布局相关联的图案特征的分级(例如，gds分级)来多次“再粘贴”先前计算的opc结果或选配方案。即，在“再粘贴”之前，可以对设计图案布局的特定图案特征集进行一次或多次光学邻近校正处理，以获得该图案特征集的opc结果，或者可以进行分析来识别用于被opc过程修改或添加的特定特征，从而获得opc选配方案。然后，可以针对该图案特征集的出现扫描设计图案布局分级结构，然后对于每次出现，可以将该图案特
征集的opc结果插入到设计图案布局或opc选配方案中。因此，由于不需要对所有图案特征执行opc处理，因此可以提高opc处理的效率。重新使用先前计算的opc结果或选配方案可以显著减少或消除对重复特征执行opc的必要性。此外，因为仅需要分析图案区域集的一个实例，所以可以提高分析的准确度(例如，通过花费比在其他情况下的可用时间更长的时间)。另外地或替代地，如果相同的图案特征集可能产生不同的光学邻近校正，则由于“再粘贴”可以避免不一致的结果，所以可以实现一致性。因此，可以在将总运行时间保持在规范内的同时使用高级opc。此外，可以实现更一致的opc。
32.为了清楚起见，附图中的部件的相对尺寸可能会被夸大。在附图的以下描述中，相同或相似的附图标记指代相同或相似部件或实体，并且仅描述关于各个实施例的差异。如本文所用，除非另有特别说明，否则术语“或”涵盖所有可能的组合，除非不可行的情况。例如，如果阐述部件可以包括a或b，则除非另有特别说明或不可行，否则该部件可以包括a、或b、或a和b。作为第二示例，如果阐述部件可以包括a、b或c，则除非另有特别说明或不可行，否则该部件可以包括a、或b、或c、或a和b、或a和c、或b和c、或a和b和c。
33.图1示出了示例性光刻投影设备100。主部件可以包括辐射源120，辐射源120可以是深紫外准分子激光源或包括极紫外(euv)源的其他类型的源(如上所述，光刻投影设备本身不需要具有辐射源)；照射光学器件，所述照射光学器件例如限定部分相干性(表示为西格马或σ)，并且可以包括对来自源120的辐射进行整形的光学器件140、160a和160b；图案形成装置180；以及透射式光学器件160c，其将图案形成装置图案的图像投影到衬底平面195上。在投影光学器件的光瞳平面处的可调整滤光器或孔190可以限制入射到衬底平面195上的束的角度范围，其中最大可能的角度限定了投影光学器件的数值孔径na＝n sin(θmax)，其中n是衬底与投影光学器件的最后元件之间的介质的折射率，并且θmax是从投影光学器件出射的仍可以入射到衬底平面195上的束的最大角度。
34.在光刻投影设备中，源向图案形成装置提供照射(即辐照)，并且投影光学器件经由图案形成装置整形照射并且引导到衬底上。投影光学器件可以包括部件140、160a、160b和160c中的至少一些。空间图像(ai)是在衬底水平处的辐射强度分布。可以使用抗蚀剂模型根据空间图像计算抗蚀剂图像。抗蚀剂模型仅与抗蚀剂层的性质(例如，在曝光、曝光后烘烤(peb)和显影期间发生的化学过程的影响)相关。光刻投影设备的光学性质(例如，照射、图案形成装置和投影光学器件的性质)决定了空间图像，并且可以在光学模型中定义。由于可以改变光刻投影设备中使用的图案形成装置，因此期望将图案形成装置的光学性质与光刻投影设备的其余部分的光学性质分开，所述光刻投影设备的其余部分至少包括源和投影光学器件。用于将设计布局转换成各种光刻图像(例如空间图像、抗蚀剂图像等)的技术和模型的细节、使用这些技术和模型应用opc并且评估性能(例如，在过程窗口方面)被描述在美国专利申请公开no.us2008-0301620、us2007-0050749、us2007-0031745、us2008-0309897、us2010-0162197和us2010-0180251中，它们每个的公开内容通过引用整体并入本文。
35.图案形成装置可以包括或可以形成一个或多个设计布局。可以利用cad(计算机辅助设计)程序来生成设计布局，该过程通常被称为eda(电子设计自动化)。大多数cad程序遵循预定设计规则集合，以便创建功能设计布局/图案形成装置。通过处理和设计限制来设置这些规则。例如，设计规则定义了器件(诸如栅极、电容器等)之间的空间容差或互连线，以
便确保器件或线不以不期望的方式彼此相互作用。可以将设计规则限制中的一个或多个称为“临界尺寸”(cd)。器件的临界尺寸可以被定义为线或孔的最小宽度，或者两条线或两个孔之间的最小距离。因此，cd决定了所设计器件的整体尺寸和密度。当然，器件制造中的目标之一在于(经由图案形成装置)在衬底上如实地再现原始设计意图。
36.如本文中所采用的术语“掩模”或“图案形成装置”可以被广义地解释为指代可以用于将经图案化的横截面赋予入射辐射束的通用图案形成装置，所述经图案化的横截面对应于待在衬底的目标部分中产生的图案；术语“光阀”也可以用于这种情境中。除了经典掩模(透射式或反射式掩模；二元式掩模、相移式掩模、混合式掩模等)以外，其它这些图案形成装置的示例包括：
[0037]-可编程反射镜阵列。这种装置的示例是具有粘弹性控制层和反射表面的矩阵可寻址表面。这种设备背后的基本原理是，(例如)反射表面的寻址区域将入射辐射反射为衍射辐射，而未寻址区域将入射辐射反射为未衍射辐射。通过使用合适的滤光器，可以从反射束中滤除所述未衍射辐射，仅保留衍射辐射；以这种方式，束变为根据矩阵可寻址表面的寻址图案而被图案化。所需的矩阵寻址可以使用合适的电子装置执行。
[0038]-可编程lcd阵列。这种构造的示例在美国专利no.5,229,872中给出，该专利通过引用并入本文。
[0039]
理解光刻过程的一个方面是理解辐射与图案形成装置的相互作用。可以根据辐射到达图案形成装置之前的辐射的电磁场以及表征相互作用的函数来确定辐射穿过图案形成装置之后的辐射的电磁场。该函数可以被称为掩模透射函数(其可以用于描述透射式图案形成装置和/或反射式图案形成装置的相互作用)。
[0040]
图案化过程的变量被称为“处理变量”。图案化过程可以包括在光刻设备中图案的实际转移的上游和下游的过程。第一类可以是光刻设备或光刻过程中使用的任何其他设备的变量。该类别的示例包括光刻设备的照射系统、投影系统、衬底台等的变量。第二类可以是在图案化过程中执行的一个或多个过程的变量。该类别的示例包括聚焦控制或聚焦测量、剂量控制或剂量测量、带宽、曝光持续时间、显影温度、显影中使用的化学成分，等等。第三类可以是图案形成装置中的或使用图案形成装置的设计布局以及其实施方式的变量。该类别的示例可以包括辅助特征的形状和/或位置、通过分辨率增强技术(ret)应用的调整、掩模特征的cd，等等。第四类可以是衬底的变量。示例包括抗蚀剂层下方的结构的特性、抗蚀剂层的化学成分和/或物理尺寸，等等。第五类可以是图案化过程的一个或多个变量的时间变化特性。该类别的示例包括高频载物台移动(例如，频率、振幅等)、高频激光带宽变化(例如，频率、振幅等)、和/或高频激光波长变化的特性。这些高频率变化或移动相对于机制的响应时间的变化或移动，从而调整潜在的变量(例如，载物台位置、激光强度)。第六类可以是光刻设备中的图案转印的上游或下游的过程的特性，诸如旋涂、曝光后烘烤(peb)、显影、蚀刻、沉积、掺杂和/或封装。
[0041]
如将认识到的，这些变量中的许多(如果不是全部)将对图案化过程的参数以及通常感兴趣的参数产生影响。图案化过程的参数的非限制性示例可以包括临界尺寸(cd)、临界尺寸均匀性(cdu)、聚焦、重叠、边缘位置或放置、侧壁角度、图案偏移，等等。通常，这些参数表示相对于标称值(例如，设计值、平均值等)的误差。参数值可以是单个图案的特征的值或一组图案的特征的统计值(例如，平均值、方差等)。
[0042]
一些或所有处理变量或与其相关的参数的值可以通过适当的方法来确定。例如，可以根据使用各种量测工具(例如，衬底量测工具)获得的数据来确定这些值。可以从图案化过程中的设备的各种传感器或系统(例如，光刻设备的传感器(诸如调平传感器或对准传感器)、光刻设备的控制系统(例如，衬底或图案形成装置载物台控制系统)、跟踪工具中的传感器等)获得这些值。这些值可以来自图案化过程的操作员。
[0043]
图2是根据本公开的实施例的用于建模或模拟图案化过程的部分的示例性系统200的框图。
[0044]
如将理解的，系统200所使用或创建的模型可以表示不同的图案化过程，并且不需要包括下面描述的所有模型。源模型201表示图案形成装置的照射的光学特性(包括辐射强度分布、带宽和/或相位分布)。源模型201可以表示照射的光学特性，其包括但不限于数值孔径设置、照射西格玛(σ)设置、以及任何特定照射形状(例如离轴辐射形状(诸如环形、四极、偶极等))，其中σ(或西格玛)是照射器的外部径向范围。
[0045]
投影光学器件模型210表示投影光学器件的光学特性(包括由投影光学器件引起的辐射强度分布和/或相位分布的变化)。投影光学器件模型210可以表示投影光学器件的光学特性，其包括像差、失真、一个或多个折射率、一种或多个物理尺寸、一个或多个物理维度等。
[0046]
图案形成装置/设计布局模型模块220捕获设计特征如何在图案形成装置的图案中布局，并且可以包括图案形成装置的物理性质的详细表示，例如如美国专利no.7,587,704中所描述的，该专利通过引用整体并入。在一些实施例中，图案形成装置/设计布局模型模块220表示设计布局(例如，与集成电路、存储器、电子器件等的特征相对应的器件设计布局)的光学特性(包括由给定设计布局引起的辐射强度分布和/或相位分布的变化)，其是图案形成装置上的或由图案形成装置形成的特征的布置的表示。由于可以改变光刻投影设备中使用的图案形成装置，因此期望将图案形成装置的光学性质与光刻投影设备的其余部分的光学性质分开，所述光刻投影设备的其余部分至少包括照射器和投影光学器件。模拟的目的通常是为准确预测例如边缘放置和cd，然后可以将其与器件设计进行比较。器件设计通常被定义为预opc图案形成装置布局，并可以以诸如gds ii或oasis的标准化数字文件格式提供。
[0047]
可以根据源模型200、投影光学器件模型210和图案形成装置/设计布局模型220模拟空间图像230。空间图像(ai)是衬底水平上的辐射强度分布。光刻投影设备的光学性质(例如，照射、图案形成装置、以及投影光学器件的性质)决定了空间图像。
[0048]
衬底上的抗蚀剂层被空间图像曝光，并且将该空间图像作为其中潜在的“抗蚀剂图像”(ri)而转移到抗蚀剂层上。抗蚀剂图像(ri)可以定义为抗蚀剂在抗蚀剂层中的溶解度的空间分布。可以使用抗蚀剂模型240根据空间图像230模拟抗蚀剂图像250。抗蚀剂模型可以用于根据空间图像计算抗蚀剂图像，其示例可以在美国专利第8,200,468号中找到，其公开内容通过引用整体并入本文。抗蚀剂模型通常描述在抗蚀剂曝光、曝光后烘烤(peb)、以及显影期间发生的化学过程的影响，以便预测例如形成在衬底上的抗蚀剂特征的轮廓，因此抗蚀剂模型通常仅与这种抗蚀剂层的性质(例如，在曝光、曝光后烘烤、以及显影期间发生的化学过程的影响)有关。在一些实施例中，抗蚀剂层的光学性质(例如折射率、膜厚度、传播和偏振效应)可以作为投影光学器件模型210的部分被捕获。
[0049]
光学器件模型与抗蚀剂模型之间的连接是所模拟的抗蚀剂层内的空间图像强度，其根据到衬底上的辐射、抗蚀剂界面处的折射、以及抗蚀剂膜堆叠中的多次反射的投影而得到。辐射强度分布(空间图像强度)通过吸收入射能量而转变为潜在的“抗蚀剂图像”，所述入射能量被漫射过程和各种加载效应进一步修改。对于全芯片应用足够快速的高效模拟方法通过二维空间(和抗蚀剂)图像而近似于抗蚀剂堆叠中的真实三维强度分布。
[0050]
在实施例中，抗蚀剂图像可以用作后图案转印过程模型模块260的输入。后图案转印过程模型260定义一个或多个后抗蚀剂显影过程(例如，蚀刻、显影等)的性能。
[0051]
例如，图案化过程的模拟可以预测抗蚀剂和/或蚀刻图像中的轮廓、cd、边缘放置(例如，边缘放置误差)等。因此，模拟的目的是准确地预测例如印制图案的边缘放置、和/或空间图像强度斜率、或cd等。可以将这些值与预期设计进行比较，以例如校正图案化过程，识别预测发生缺陷的位置等。预期设计通常被定义为预opc设计布局，所述预opc设计布局可以以标准化数字文件格式(诸如gds ii或oasis或其他文件格式)提供。
[0052]
因此，模型公式描述了整个过程的已知物理和化学过程的大部分(如果不是全部)，并且每个模型参数理想地对应于不同的物理或化学效应。因此，模型公式设定了模型可以用于模拟整个制造过程的效果的上限。为了有效地对制造过程进行建模，系统200可以利用诸如本文公开的用于图案选择、分类和分组的有效过程。下面描述的实施例可以提供用于与关于图2描述的计算光刻模型一起使用的图案实例的改进的分级结构。
[0053]
图3是示例性设计布局300的示意图。布局300可以表示与dram集成电路一致的特征。为了说明的目的，与布局300中所示的那些图案相似的图案可以被称为dram区域或dram图案。应当理解，本公开不限于dram集成电路或图案，并且在本公开中的术语“dram”的使用仅是示例性的，而不旨在将本公开仅限于dram电路。例如，可以使用表现出与布局300中所示的特性相似的特性的任何图案特征或布局。特别地，这包括具有没有顶点的特征的图案。
[0054]
在一些实施例中，布局300可以表示整个ic布局。在其他实施例中，布局300可以表示较大布局或设计的一部分。如图3所示，布局300可以包括特征区域320和非特征区域310。如图所示，特征320可以包括均匀间隔的以成角度的重复图案形式的特征分组。该结构的特性可以在于特征线不包括不同的顶点或非斜角。与本公开一致的实施例可以识别具有这些特征的布局(例如，布局300)的区域并处理这些区域。
[0055]
图4是根据本公开的实施例的单元提取系统400的示例性框图。例如，单元提取系统400可以对与图3的布局300中所示的图案相似的图案进行操作。应当理解，在各种实施例中，系统400可以是图案化、建模或计算光刻系统(例如，图2的系统200)或其他光刻系统的一部分。在一些实施例中，系统400可以是例如图案形成装置/设计布局模型220的部分、图1和图2的其他模块的部分、被实现为光刻系统的部分、或独立设备或计算机模块、或电子设计自动化系统的部分。
[0056]
如图4所示，系统400可以包括数据输入410、单元提取器420、图案搜索器430和分级结构生成器440。数据输入410可以获得表示例如图2的系统200中使用的ic设计布局的全部或一部分的图案信息。根据本公开的实施例，数据输入410可以包括以图形数据库系统(gds)格式、图形数据库系统ii(gds ii)格式、开放原图系统交换标准(oasis)格式、加州理工学院中间格式(cif)等存储的数据流，等等。晶片设计布局可以包括用于晶片上的包含物的图案。图案信息可以是用于将特征从光刻掩模或掩模版转移到晶片的掩模图案。在一些
实施例中，gds或oasis格式的图案等可以包括以二进制文件格式存储的特征信息，所述特征信息表示平面几何形状、文本以及与晶片设计布局相关的其他信息。在一些实施例中，图案信息可以是图3的布局300、包括布局300、或包括具有与布局300相似的特征特性的区域。例如，数据输入410可以包括dram区域。
[0057]
数据输入410可以将数据流提供到单位单元提取器420。单位单元提取器420可以处理输入数据，识别图案的具有特定图案特征的区域(例如，数据流的dram区域)，并生成用于在整个输入数据流、输入图案、或输入布局中匹配相同图案的单位单元。可以由单位单元提取器420识别的示例性图案特征被示出在下面将更详细描述的图5a-图5d中。下面更详细描述的图6和图7示出了由单位单元提取器420创建的示例性单位单元。虽然以下与图5a-图5d、图6和图7有关的公开是涉及系统400的操作和系统400的部件(例如，单位单元提取器420)进行描述的，但是应当理解，相同的功能可以由系统400的其他部件或其他系统来实现。关于单位单元提取器420和系统400的描述旨在是示例性的。
[0058]
参考图5a，图5a是根据本公开的实施例的示例性图案区域500。图案区域500可以与图3中的布局300相同。在一些实施例中，图案区域500可以是布局300内部的区域。在一些实施例中，图案区域500可以表示ic布局或设计的dram区域。图5b-5c可以示出可以在区域500中识别的图案特征。图案区域500可以包括特征505。
[0059]
参考图5b，图5b示出了区域500的示例性图案特征510。图案特征510可以例如通过图4中的单位单元提取器420被识别。如图5b所示，角度510可以是表示图案区域500中的特征的特征斜率的角度a。特征斜率可以通过确定特征的分割线所覆盖的水平(x)方向上的距离和垂直(y)方向上的距离来计算。因此，特征斜率可以是x方向上的变化除以y方向上的变化，并且可以写成例如(“dx，dy”)。然后，可以根据特征斜率来确定角度510，即a。
[0060]
参考图5c，图5c示出了图案区域500的示例性图案特征527和529。图案区域500可以被分割线520水平地划分，并被分割线525竖直地划分。使用该信息，可以确定特征505的节距。例如，通过检查分割线520和525与特征505相交的位置，单位单元提取器420可以识别节距527。节距527可以表示沿图案区域500上的分割线的两个特征505的起点之间的沿分割线(例如分割线520)的距离。节距527可以是图案区域500的水平节距。另外地，节距529可以表示沿分割线(例如分割线525)的在竖直方向上的图案区域500的节距。类似节距527，节距529可以表示两个特征505的边缘之间的距离。
[0061]
参考图5d，图5d示出了图案区域500的示例性图案特征530、533和537。线533可以表示图案特征505的宽度。空间537可以表示在一个特征505之后在另一图案特征505开始之前的空间的宽度。所述特征一起可以被称为图案区域500的线空间特征。在一些实施例中，线空间特征(例如，来自组合线533和空间537)可以等同于图5c的节距527。通过使用一些或全部特征(例如，图5b的角度510、图5c的节距527和节距529、或图5d的线533和空间537)，可以构造单位单元。例如，再参考图4，单位单元提取器420可以通过沿例如图5c的节距529竖直地延伸由线533和空间537形成的线空间特征来生成单位单元530，以创建单位单元530。
[0062]
参考图6，图6示出了图案区域600和特征605的示例性图案特征610、615、620、625、630、635和640。图案特征610、615、620、625、630、635和640可以表示沿分割线650的边界点。特征610、615、620、625、630、635和640中的每一个可以表示图案特征605的沿分割线650的起始或结束。例如，单位单元提取器420可以使用与图案特征610、615、620、625、630、635和
640相关联的坐标来计算图案特征，诸如图5c的节距527和图5d的线533和空间537。例如，图4的单位单元提取器420可以确定图案特征610(具有坐标(100、500))与615(具有坐标(200、500))在x方向上的差是100个单位。因为图案特征610和615可以表示特征605的沿分割线650的起始或结束，所以单位单元提取器420可以确定线特征(例如，图5d的线533)是100个单位。另外地，单位单元提取器420可以确定特征605的空间特征(例如，图5d的空间537)是图案特征620(具有坐标(250、500))与图案特征615(具有坐标(200、500))之间的差。在该示例中，单位单元提取器420可以将空间特征确定为50个单位。另外地，基于该分析，单位单元提取器420可以通过将所计算的100个单位的线特征与所计算的50个单位的空间特征相加来确定特征605的节距是150个单位。通过分析附加的图案特征(例如，图案特征625、630、635、640)，单位单元提取器420可以确定特征605的布局是否均匀。在一些实施例中，如果特征605是均匀的，则单位单元提取器420可以确定图案特征均匀地重复。在一些实施例中，如果特征605被确定为包括不均匀的特征，则单位单元提取器420分支分割线650，并计算附加的图案特征(例如，线533、空间537和节距527)。
[0063]
参考图7，图7示出了根据本公开的实施例的图案区域700的示例性单位单元710。图案区域700可以与图6中的图案区域600和图5a-5d中的图案区域500相同。通过使用图案特征(例如，图5c的节距527和图5d的线533和空间537)，单位单元提取器420可以将单位单元710识别为图案区域700的代表。在一些实施例中，图案区域700包括均匀的图案特征(如上面参考图6所描述的)。在这些实施例中，均匀性允许单位单元710在不改变单位单元710内的特征的表示的情况下四处移动。例如，使单位单元710向左或向右移动节距(例如，图5c的节距527)可以产生被移动但包括相同的图案特征的单位单元。使单位单元偏移一些其他值可以产生代表相同特征，但偏移了所移动的量与节距(例如节距527)之间的差的图案。此外，单位单元可以沿图5a的角度510移动，并且即使单位单元710被移动到不同的位置，由单位单元710表示的图案也可以是相同的。因此，单位单元710可以在图案700内重复多次，其中每个单位单元表示相同的图案。因此，对图案700的被单位单元(例如，单位单元710)覆盖的部分的分析可以被简化成对单个单位单元710的分析。分析的结果可以被应用于图案区域700的被单位单元710覆盖的其他部分，而不需要重复分析。
[0064]
返回参考图4，单位单元提取器420可以存储其分析的结果(例如，角度510、节距527、节距529、线533和空间537)。例如，单位单元提取器420可以以哈希图(hashmap)存储特征，并且单位单元提取器420可以创建各种哈希图来存储例如图5d的单位单元530、图5c的节距527或529、图5d的线533和空间537。在一些实施例中，图5b的角度510可以用作各种哈希图的关键字。
[0065]
图案搜索器430可以使用所存储的哈希图来搜索附加图案的布局或设计。例如，对布局的一个dram区域的分析可以用于搜索布局的附加的类似dram的区域。当图案搜索器430处理布局时，它可以识别图案的各种dram区域中的角度，并使用这些角度从各种哈希图中检索特征值。以这种方式处理布局可以减少必要的处理量，因为单个单位单元的处理可以被应用于布局的与该单位单元匹配的多个区域。如关于图8所描述的，图案搜索器430可以识别多个候选图案区域。
[0066]
参考图8，图8是布局(例如，布局800)的示例性补丁切割布局。图案搜索器430可以搜索布局800并识别该布局的需要分析的dram区域。例如，图案搜索器430可以基于这些区
域中的特征的特性，将区域810、区域820和区域830识别为布局800的dram区域。例如，图案搜索器430可以将缺少顶点或包括仅具有斜角的特征的区域识别为候选区域。
[0067]
返回参考图4，图案搜索器430可以处理布局以识别布局的dram区域，并将这些区域提供到分级结构生成器440。例如，分级结构生成器440可以处理由图案搜索器430识别的布局的区域，应用由单位单元提取器420确定的单位单元，并为布局的所识别的区域生成新的分级结构。所述分级结构可以以gds、oasis或其他相关格式输出，以供例如opc系统或其他计算光刻系统进一步处理。
[0068]
在一些实施例中，如图8所示，由图案搜索器430识别的区域(例如，区域810、区域820)可以通过补丁切割而被横切，所述补丁切割旨在拆分对布局的处理。在一些实施例中，区域(例如，区域830)可以不通过补丁切割来横切。对于通过补丁切割而横切的区域，分级结构生成器440可以将经横切的区域缝合在一起，以允许处理整个区域。通过组合经横切的区域，分级结构生成器440可以最大化可以应用单位单元的区域。在这些实施例中，分级结构生成器440可以防止补丁切割可能跨单位单元边界处的重复处理。然后，分级结构生成器440可以跨区域(例如，区域810、820和830)优化单位单元分布。
[0069]
参考图9，图9示出了根据本公开的实施例的示例性布局优化。为了生成最有效的分级结构，分级结构生成器440可以优化单位单元在dram图案中的放置。分级结构生成器440可以将单位单元放置在dram图案上，使得单位单元放置可以具有块水平对称性。块水平对称性可以表示在单位单元被放置在dram图案上之后，将存在图案的八个不同区域(如关于图10更详细地描述的)。这些区域可以包括在dram图案的中心处的可以由单位单元组成的一个区域，以及八个附加区域，包括布局的顶部、底部、左侧、右侧以及四个角。块水平对称性可以表示八个附加区域中的每一个在取向和尺寸上与其对应的区域匹配(例如，顶部区域与底部区域匹配，右侧区域与左侧区域匹配，四个角匹配)。此外，块水平对称性可以表示可以旋转、镜像或以其他方式操纵八个附加区域，以得出可以与相应的附加图案匹配的八个附加图案。布局优化900可以对单位单元在dram图案区域上的放置强制块水平对称性，并且可以优化单位单元的覆盖。分级结构生成器440可以将区域900分析为线性优化方程。为了最大化单位单元对区域900的覆盖，分级结构生成器440可以针对图9的各个部分，使用以下方程组来优化覆盖区域：
[0070]
t.x＝s.x+n*dx
[0071]
t.y＝s.y+m*dy
[0072]
w＝n*pitch.x+2(t.x-b.left)
[0073]
h＝m*pitch.y+2(t.y-b.bottom)
[0074]
在上述方程中，“t.x”和“t.y”可以表示覆盖区域的起始坐标(即左下角坐标)。如图9所示，“s.x”和“s.y”可以表示单位单元的起始坐标(即左下角坐标)。“dx”和“dy”可以表示单位单元的斜率，并可以称为“x”上的变化和“y”上的变化。“w”表示正被分析的布局或图案区域的宽度，“h”可以表示布局或图案区域的高度。坐标“b.left”和“b.bottom”可以表示正在分析的布局或图案区域的起始坐标(即左下角坐标)。“pitch.x”和“pitch.y”分别表示单位单元在水平方向和竖直方向上的节距，如上面关于图5c和图6所述。分级结构生成器440可以使用上述方程和变量，并且当最大化{n，m}时寻求{n，m}的解。通过最大化{n，m}，分级结构生成器440可以确保单位单元覆盖最大的可能区域，这可以最小化处理整个dram图
案区域所需的计算复杂性。
[0075]
参考图10，图10示出了根据本公开的实施例的布局1000的示例性区域1010、1020和1030。区域1010可以表示布局1000的与由系统400计算的单位单元相对应的均匀区域。在一些实施例中，布局1000是ic布局的单个图案区域(例如，图8的区域810、区域820和区域830)。如上所述，系统400可以识别布局的与重复区域匹配的单位单元。分级结构生成器440可以跨布局1000复制单位单元。在一些实施例中，布局1000的被区域1010覆盖的部分可以在优化区域110的放置(如上文参考图9所述)之后确定。由区域1010创建的图案可以被视为单位单元的二维阵列。分级结构生成器440也可以创建由区域1020组成的一维阵列，以覆盖布局1000的没有被区域1010覆盖的在区域1010的上方、下方、左侧和右侧的区域。在一些实施例中，可以根据针对布局1000的那些特定区域计算的单位单元来划分包括重复特征的区域1020。在一些实施例中，可以使用本文所述的相同方法和系统计算区域1020的图案特征，例如包括计算角度和节距。在一些实施例中，区域1020将包括竖直节距，而不包括水平节距。在其他实施例中，区域1020将包括水平节距而不包括竖直节距。在一些实施例中，区域1030可以是布局1000的拐角部分，并且可以是以与区域1020相同的方式处理的附加一维阵列。在计算并分布单位单元以覆盖区域1010、区域1020和区域1030之后，包括区域1010、区域1020和区域1030的布局1000的分级结构可以被输出以被opc系统、计算光刻系统或其他光刻过程或系统进行附加处理。分级结构可以以各种数据格式输出，包括例如gds或oasis文件。
[0076]
图11是根据本公开的实施例的表示用于图案区域的单元提取的示例性方法的过程流程图1100。为了说明的目的，方法1100的步骤可以由例如图4的系统400来执行，所述系统400执行或以其他方式使用计算装置的特征，例如图2的图案形成装置/设计布局模型220。应当理解，方法1100可以被改变以修改步骤的顺序并包括附加的步骤。此外，应当理解，方法1100的步骤可以在分布式计算情境中实现。例如，方法1100的一些步骤或方法1100的部分步骤可以在分布式计算机上并行运行，并且这些步骤的结果或输出可以被合并在一起以形成结果。在一些实施例中，这样的分布式结构可以被称为叶主机结构。
[0077]
在步骤1110中，系统400可以获得布局(例如，图3的布局300)或布局的一部分。布局可以是ic设计或者可以是ic设计的一部分。在一些实施例中，布局可以包括具有dram区域的特性的区域。例如，这些区域可以包括不具有不同的顶点或非斜角的重复特征。布局可以包括零个、一个或多个dram区域(例如，如图8所示)。
[0078]
在步骤1120中，系统400可以提取表示布局上的dram区域的重复部分的单位单元(例如，图7的单位单元710)。系统400可以通过识别dram图案区域的特征来识别单位单元。例如，系统400可以识别倾斜角度a(例如，图5b的角度510)、节距(例如，图5c的节距527和节距529)以及线空间特征(例如，图5c的线533和空间537)。系统400可以计算节距和线空间特征，如上关于图6所描述的。基于这些特征，系统400可以创建单位单元(例如，图7的单位单元710)。在一些实施例中，单位单元可以表示图案区域的可重复块。系统400可以以各种哈希图存储单位单元和特征，所述哈希图可以用于匹配布局的其他区域。
[0079]
在步骤1130中，系统400可以搜索布局以识别可能共享布局的dram部分的特性的候选区域。系统400可以将包括没有顶点的特征的区域或者具有斜线角的特征的区域识别为布局的dram区域。在一些实施例中，作为步骤1120的部分创建的以哈希图存储的信息可
以被检索并用于匹配具有与先前处理的dram区域相同的特征和图案的区域。使用该过程，系统400可以识别布局的候选dram区域(例如，图8的区域810、区域820和区域830)。
[0080]
在步骤1140中，系统400可以生成覆盖布局的dram区域的单位单元的分级结构。系统400可以使用在步骤1120中创建的单位单元来处理每个dram候选区域。对于每个区域，系统400可以通过将该区域视为线性优化问题(例如，如上关于图9所描述的)，来优化dram区域上的单位单元的布局。系统400可以最大化可用于重复dram区域的部分的单位单元的数量，并创建单位单元的二维阵列(例如，图10的区域1010)。对于dram区域的其余部分，系统400可以创建可用于形成单位单元的一维阵列的单位单元，以覆盖那些区域(例如，图10的区域1020)。因此，系统400可以用表示重复特征的单位单元来划分布局的多个dram部分。因为特征重复，所以可以对一个单位单元进一步处理，并且可以将结果应用于附加的单位单元，从而无需高计算成本来单独地处理dram区域的每个部分。为了允许进一步处理，系统400可以生成表示布局上的单元阵列的分级结构(例如，如图10所示)。在一些实施例中，系统400可以以gds文件、oasis文件或类似的数据结构或格式输出分级结构。
[0081]
图12是根据本公开的实施例的表示用于单位单元提取的示例性方法1200的过程流程图。为了说明的目的，方法1200的步骤可以由例如图4的系统400来执行，所述系统400执行或以其他方式使用计算装置的特征，例如图2的图案形成装置/设计布局模型220。应当理解，方法1200可以被改变以修改步骤的顺序并包括附加的步骤。此外，应当理解，方法1200的步骤可以在分布式计算情境中实现。例如，方法1200的一些步骤或方法1200的部分步骤可以在分布式计算机上并行运行，并且这些步骤的结果或输出可以合并在一起以形成结果。在一些实施例中，这样的分布式结构可以被称为叶主机结构。在一些实施例中，方法1200可以用于实现方法1100的步骤1120。
[0082]
在步骤1210中，可以向系统400提供布局(例如，图3的布局300)或布局的一部分。布局可以是ic设计或ic设计的一部分。在一些实施例中，布局可以包括具有dram区域的特性的区域。例如，这些区域可以包括不具有不同的顶点或非斜角的重复特征。布局可以包括零个、一个或多个dram区域(例如，如图8所示)。系统300可以识别候选区域，以作为dram区域进行处理。
[0083]
在步骤1220中，系统400可以识别dram候选区域的图案特征。例如，系统400可以识别倾斜角度a(例如，图5b的角度510)、节距(例如，图5c的节距527和节距529)以及线空间特征(例如，图5c的线533和空间537)。系统400可以如上关于图6所述的计算节距和线空间特征。系统400可以以各种哈希图存储这些特征，所述哈希图可以用于匹配布局的其他区域。
[0084]
在步骤1230中，系统400可以创建单位单元(例如，图7的单位单元710)，所述单位单元表示布局的dram候选区域的重复部分。使用在步骤1220中识别的特征，系统400可以创建单位单元(例如，图7的单位单元710)。在一些实施例中，单位单元可以表示图案区域的可重复块。
[0085]
在步骤1240中，系统400可以移除重复的单位单元。系统400可以基于图案的不同候选区域来生成多个单位单元。在某些情况下，不同的图案区域可以产生相同的单位单元。因为可以重复使用相同的单位单元，所以系统400可以移除重复的单位单元。此外，在一些实施例中，不同的图案区域可以由不同的过程或在分布式计算装置上进行处理，这可以被称为“叶”节点。在这些实施例中，由这些“叶”节点找到的单位单元可以被提供到“主机”节
点。在这些实施例中，“主机”节点负责移除可以由不同的“叶”节点提供的重复的单位单元。这些实施例允许在分布式计算机系统中拆分方法1200的处理，从而提高处理的效率。
[0086]
在一些实施例中，可以在分布式计算情境中的叶节点上执行步骤1210、步骤1220、步骤1230和步骤1240。在这些实施例中，叶节点可以提供来自步骤1240的输出，所述输出可以被提供到主机以用于进一步处理。在这些实施例中，主机节点可以执行方法1200的其余步骤。
[0087]
在步骤1250中，系统400可以将由不同的过程找到的或通过处理候选区域的不同部分而找到的单位单元合并成组合数据结构。在一些实施例中，被合并的单位单元可以源自不同的分布式处理系统，或在一些实施例中，可以源自候选dram区域的不同部分。
[0088]
在步骤1260中，系统400可以从合并数据结构中移除任何剩余的重复项。在步骤1270中，系统400可以将剩余的单位单元提供到其他部件或系统以供进一步使用。
[0089]
在一些实施例中，步骤1250、步骤1260和步骤1270可以在分布式计算情境中的主机节点上执行。在这些实施例中，主机节点可以(例如，在步骤1240之后)从一个或多个叶节点接收输入，并且可以在步骤1250、步骤1260和步骤1270中使用所述输入进行处理。
[0090]
图13是根据本公开的实施例的表示用于线空间确定的示例性方法1300的过程流程图。为了说明的目的，方法1300的步骤可以由例如图4的系统400来执行，所述系统400执行或以其他方式使用计算装置的特征，例如图2的图案形成装置/设计布局模型220。应当理解，方法1300可以被改变以修改步骤的顺序并包括附加的步骤。此外，应当理解，方法1300的步骤可以在分布式计算情境中实现。例如，方法1300的一些步骤或方法1300的部分步骤可以在分布式计算机上并行运行，并且这些步骤的结果或输出可以合并在一起以形成结果。在一些实施例中，这样的分布式结构可以被称为叶主机结构。在一些实施例中，方法1300可以用于实现方法1200的步骤1220的部分和方法1100的步骤1120的部分。
[0091]
在步骤1310中，系统400可以识别分割线(例如，图5c的分割线525或分割线520)。系统400可以识别横切dram图案区域(例如图6的区域600)的多个候选分割线。
[0092]
在步骤1320中，系统400可以从分割线中选择候选分割线(例如，图6的分割线650)。候选分割线可以被选择成使分割线的长度最大化、使分割线的节距最小化(例如，图5的节距527)、并使分割线的起点最小化。所述分割线的起点可以被视为分割线的与图案特征重叠的第一部分。
[0093]
在步骤1330中，系统400可以确定候选分割线的线空间特征(例如，图5d的线533和空间537)。如关于图6所描述的，系统400可以识别候选分割线上的在图案特征沿分割线的起始或结束处的点。基于与这些点中的每个相关联的坐标，系统400可以确定线空间特征。例如，如图6中所述，系统400可以确定线分割线的节距是150个单位(例如，图6中的候选分割线650的特征620和610的x坐标之间的差)。
[0094]
在步骤1340中，在确定候选分割线的线空间特征之后，系统400可以识别候选分割线的锚点。所述锚点可以被选择位于在线特征处开始移动的候选分割线的中间。锚点可以用于识别具有与候选线相同特性的线和图案区域。
[0095]
为了说明的目的，方法1400的步骤可以由例如图4的系统400来执行，所述系统400执行或以其他方式使用计算装置的特征，例如图2的图案形成装置/设计布局模型220。应当理解，方法1400可以被改变以修改步骤的顺序并包括附加的步骤。此外，应当理解，方法
1400的步骤可以在分布式计算情境中实现。例如，方法1400的一些步骤或方法1400的部分步骤可以在分布式计算机上并行运行，并且这些步骤的结果或输出可以合并在一起以形成结果。在一些实施例中，这样的分布式结构可以被称为叶主机结构。在一些实施例中，方法1400可以用于实现方法1100的步骤1140的部分。
[0096]
在步骤1410中，可以向系统400提供布局(例如，图3的布局300)或布局的一部分。布局可以是ic设计或者可以是ic设计的一部分。在一些实施例中，布局可以包括具有dram区域的特性的区域。
[0097]
在步骤1420中，系统400可以识别布局的具有dram特性的区域。在一些实施例中，系统400可以被提供有区域(例如，图8的区域810、区域820和区域830)。在其他实施例中，系统400可以搜索布局并识别候选区域。
[0098]
在步骤1430中，系统400可以在dram区域上布局单位单元(例如，图7的单位单元710)。系统400可以分析dram区域，并将线性优化技术(例如，关于图9描述的线性优化)应用于单位单元布局。优化可以确保在dram区域上放置最大数量的单位单元。单位单元可以用于创建二维阵列(例如，图10的区域1010)。另外地，系统400可以针对区域的左侧、右侧、顶部、底部和拐角，布局计算用单位单元的一维阵列来覆盖dram区域的其余部分的单位单元。在一些实施例中，系统400可以跳过没有特征的区域的单位单元。
[0099]
在步骤1440中，系统400可以处理单位单元布局(例如，图10中所示的区域1010和1020的单位单元)，并生成表示布局的分级结构。分级结构可以以例如gds ii或oasis格式生成。这些是示例性的，并且系统400可以使用保留所计算的分级结构的任何数据结构或文件格式。
[0100]
图15是根据本公开的实施例的表示用于创建块分级结构的示例性方法1500的过程流程图。为了说明的目的，方法1500的步骤可以由例如图4的系统400来执行，所述系统400执行或以其他方式使用计算装置的特征，例如图2的图案形成装置/设计布局模型220。应当理解，方法1500可以被改变以修改步骤的顺序并包括附加的步骤。此外，应当理解，方法1500的步骤可以在分布式计算情境中实现。例如，方法1500的一些步骤或方法1500的部分步骤可以在分布式计算机上并行运行，并且这些步骤的结果或输出可以合并在一起以形成结果。在一些实施例中，这样的分布式结构可以被称为叶主机结构。
[0101]
在步骤1510中，系统400可以获得布局(例如，图3的布局300)或布局的一部分，所述布局已经被补丁线分离或切割成补丁区域。布局可以是ic设计或者可以是ic设计的一部分。在一些实施例中，布局可以包括具有dram特性的所识别的候选区域。在某些情况下
[0102]
在步骤1520中，系统400可以使用布局(例如，图8的布局800)的补丁切割信息来确定哪些区域(例如，图8的区域830)可以完全在补丁切割区域内，以及哪些区域(例如，图8的区域810和区域820)被补丁切割线横切。系统400可以将完全在补丁切割中的区域(例如，区域830)提供到步骤1530以用于进一步处理，并且可以将被补丁切割线横切的区域提供到步骤1540以用于进一步处理。
[0103]
在一些实施例中，方法1500可以在包括叶节点和主机节点的分布式计算情境中实现。在这些实施例中，步骤1520可以在叶节点上执行。在这些实施例中，因为叶节点可能无法访问布局的每个区域(包括存在于补丁切割线的其他侧上的区域)，所以在步骤1540中，被补丁切割线横切的区域可以被提供回主机以进行处理。
[0104]
如上所述，对于完全存在于补丁内的区域，系统400可以进行到步骤1530。在步骤1530中，系统400可以处理区域并生成适当的单位单元(例如，如关于图5a-图5d、图6和图7所描述的以及如关于图12的方法1200所描述的)。在针对所提供的区域生成单位单元之后，系统400可以将单位单元信息提供到步骤1550以进行附加处理。在一些实施例中，步骤1530可以在分布式计算系统的叶节点中实现。在这些实施例中，叶节点可以将单位单元提供回主机以用于附加处理。
[0105]
如上所述，对于被补丁线横切的区域，系统400可以进行到步骤1540。在步骤1540中，系统400可以识别被补丁切割线横切的区域的其他部分，并将相邻区域合并成单个区域。在一些实施例中，在方法1500在包括叶主机结构的分布式计算情境中实现的情况下，步骤1540可以在主机上实现，并且可以从不同的叶节点接收被补丁切割线分离的区域。在合并区域之后，在步骤1540中，系统400可以生成适当的单位单元(例如，如关于图5a-图5d、图6和图7所描述的以及如关于图12的方法1200所描述的)。在针对所提供的区域生成单位单元之后，系统400可以将单位单元信息提供到步骤1550以进行附加处理。
[0106]
在步骤1550中，系统400可以根据单位单元布局(例如，图10的区域1010和区域1020)生成分级结构，并且例如以gds ii或oasis格式输出该分级结构。系统400可以如关于图10和图11的方法1100所描述的那样生成分级结构。
[0107]
可以提供非暂时性计算机可读介质，其存储用于控制器(例如图1的控制器50)或系统(例如图3的系统300)的处理器执行图像检查、图像获取、图像变换、图像处理、图像比较、载物台定位、束聚焦、电场调节、束弯曲、聚光镜调节、激活带电粒子源和束偏转等等的指令。例如，常见形式的非暂时性介质包括软磁盘、软盘、硬盘、固态驱动器、磁带或任何其他磁性数据存储介质、光盘只读存储器(cd-rom)、任何其他光学数据存储介质，任何具有孔图案的物理介质、随机存取存储器(ram)、可编程只读存储器(prom)以及可擦除可编程只读存储器(eprom)、flash-eprom或任何其他闪存、非易失性随机存取存储器(nvram)、高速缓存、寄存器、任何其他存储器芯片或卡盒以及其网络版本。
[0108]
以下条项进一步描述了本公开的实施例。
[0109]
1.一种基于特征的单元提取方法，包括：
[0110]
获得表示布局的数据，其中所述布局包括图案，所述图案包括斜角特征；
[0111]
从包括斜角特征的图案区域中提取单位单元；
[0112]
使用所述单位单元识别所述布局的与所述单位单元匹配的区域集；和
[0113]
使用所述单位单元生成用于所述区域集的分级结构。
[0114]
2.根据条项1所述的方法，其中所述图案区域包括斜角特征。
[0115]
3.根据条项1或2所述的方法，其中所述图案区域包括无顶点特征。
[0116]
4.根据条项1-3中任一项所述的方法，还包括确定所述图案区域中的特征斜率。
[0117]
5.根据条项1-3中任一项所述的方法，还包括确定所述图案区域中的结构的水平节距或竖直节距。
[0118]
6.根据条项5所述的方法，还包括：
[0119]
使用所述水平节距和所述竖直节距构造单位单元，其中：
[0120]
所述单位单元的顶部边界和底部边界由所述水平节距限定；
[0121]
所述单位单元的左边界和右边界由所述竖直节距限定；和
[0122]
所述单位单元的位置基于所述水平节距或竖直节距的起点。
[0123]
7.根据条项1-3中任一项所述的方法，还包括确定所述图案区域中的结构的线空间特征。
[0124]
8.根据条项7所述的方法，还包括识别所述线空间特征，其中识别所述线空间特征包括：
[0125]
识别跨所述图案区域的分割线；
[0126]
确定所述分割线与所述布局上的结构相交的位置的坐标；和
[0127]
基于所述线空间特征确定所述分割线的锚点。
[0128]
9.根据条项8所述的方法，还包括：
[0129]
使用所述线空间特征构造单位单元，其中：
[0130]
所述单位单元的顶部边界和底部边界由所述线空间特征限定；和
[0131]
所述单位单元的位置基于所述分割线的锚点。
[0132]
10.根据条项1-9中任一项所述的方法，还包括：
[0133]
将所述单位单元存储在关联数据结构中，其中用于所述关联数据结构的关键字是所述图案区域的特征。
[0134]
11.根据条项10所述的方法，其中使用所述单位单元识别所述布局的与所述单位单元匹配的区域集还包括：
[0135]
识别所述图案区域的特征；
[0136]
使用所述特征作为关键字，从所述关联数据结构中检索单位单元；
[0137]
使用所检索的单位单元匹配所述图案区域的部分。
[0138]
12.根据条项1-11中任一项所述的方法，还包括使用线性优化函数优化所述区域集上的单位单元分布。
[0139]
13.根据条项12中任一项所述的方法，其中所述线性优化函数包括：
[0140]
优化跨所述区域集分布的单位单元的数量使得所述分布在所述区域集的每个区域中，包括：
[0141]
优化跨所述区域的部分分布的单位单元的数量；和
[0142]
保持所述区域的其余部分的块水平对称性。
[0143]
14.根据条项1-13中任一项所述的方法，其中所述方法还包括：
[0144]
合并所提取的单位单元；和
[0145]
移除重复的单位单元。
[0146]
15.根据条项1-14中任一项所述的方法，其中所述分级结构呈图形数据库系统(gds)格式、图形数据库系统ii(gds ii)格式、开放原图系统交换标准(oasis)格式、或加州理工学院中间格式(cif)。
[0147]
16.根据条项1-15中任一项所述的方法，其中所述分级结构被提供用于建模、光学邻近校正(opc)、缺陷检查、缺陷预测或源掩模优化(smo)中的至少一个。
[0148]
17.一种系统，包括：
[0149]
存储器，所述存储器存储指令集；和
[0150]
至少一个处理器，所述处理器被配置成执行所述指令集，以使所述系统执行：
[0151]
获得表示布局的数据，其中所述布局包括图案，所述图案包括斜角特征；
[0152]
从包括斜角特征的图案区域中提取单位单元；
[0153]
使用所述单位单元识别所述布局的与所述单位单元匹配的区域集；和
[0154]
使用所述单位单元生成用于所述区域集的分级结构。
[0155]
18.根据条项17所述的系统，其中所述图案区域包括斜角特征。
[0156]
19.根据条项17或18所述的系统，其中所述图案区域包括无顶点特征。
[0157]
20.根据条项17-19中任一项所述的系统，其中所述至少一个处理器被配置成执行所述指令集，以使所述系统还执行确定所述图案区域中的特征斜率。
[0158]
21.根据条项17-19中任一项所述的系统，其中所述至少一个处理器被配置成执行所述指令集，以使所述系统还执行确定所述图案区域中的结构的水平节距或竖直节距。
[0159]
22.根据条项21所述的系统，其中所述至少一个处理器被配置成执行所述指令集，以使所述系统还执行：
[0160]
使用所述水平节距和所述竖直节距构造单位单元，其中：
[0161]
所述单位单元的顶部边界和底部边界由所述水平节距限定；
[0162]
所述单位单元的左边界和右边界由所述竖直节距限定；和
[0163]
所述单位单元的位置基于所述水平节距或竖直节距的起点。
[0164]
23.根据条项17-19中任一项所述的系统，其中所述至少一个处理器被配置成执行所述指令集，以使所述系统还执行确定所述图案区域中的结构的线空间特征。
[0165]
24.根据条项23所述的系统，其中所述至少一个处理器被配置成执行所述指令集，以使所述系统还执行：
[0166]
识别跨所述图案区域的分割线；
[0167]
确定所述分割线与所述布局上的结构相交的位置的坐标；和
[0168]
基于所述线空间特征确定所述分割线的锚点。
[0169]
25.根据条项24所述的系统，其中所述至少一个处理器被配置成执行所述指令集，以使所述系统还执行：
[0170]
使用所述线空间特征构造单位单元，其中：
[0171]
所述单位单元的顶部边界和底部边界由所述线空间特征限定；和
[0172]
所述单位单元的位置基于所述分割线的锚点。
[0173]
26.根据条项17-25中任一项所述的系统，其中所述至少一个处理器被配置成执行所述指令集，以使所述系统还执行：
[0174]
将所述单位单元存储在关联数据结构中，其中用于所述关联数据结构的关键字是所述图案区域的特征。
[0175]
27.根据条项26中任一项所述的系统，其中所述至少一个处理器被配置成执行所述指令集，以使所述系统还执行：
[0176]
识别所述图案区域的特征；
[0177]
使用所述特征作为关键字，从所述关联数据结构中检索单位单元；
[0178]
使用所检索的单位单元匹配所述图案区域的部分。
[0179]
28.根据条项17-27中任一项所述的系统，其中所述至少一个处理器被配置成执行所述指令集，以使所述系统还执行使用线性优化函数优化所述区域集上的单位单元分布。
[0180]
29.根据条项28所述的系统，其中所述线性优化函数包括：
[0181]
优化跨所述区域集分布的单位单元的数量使得所述分布在所述区域集的每个区域中，包括：
[0182]
优化跨所述区域的部分分布的单位单元的数量；和
[0183]
保持所述区域的其余部分的块水平对称性。
[0184]
30.根据条项17-29中任一项所述的系统，其中所述至少一个处理器被配置成执行所述指令集，以使所述系统还执行：
[0185]
合并所提取的单位单元；和
[0186]
移除重复的单位单元。
[0187]
31.根据条项17-30中任一项所述的系统，其中所述分级结构呈图形数据库系统(gds)格式、图形数据库系统ii(gds ii)格式、开放原图系统交换标准(oasis)格式、或加州理工学院中间格式(cif)。
[0188]
32.根据条项17-31中任一项所述的系统，其中所述分级结构被提供用于建模、光学邻近校正(opc)、缺陷检查、缺陷预测或源掩模优化(smo)中的至少一个。
[0189]
33.一种非暂时性计算机可读介质，所述介质存储指令集，所述指令集能够被计算装置的至少一个处理器执行以使所述计算装置执行用于识别图案的特征提取方法，所述方法包括：
[0190]
获得表示布局的数据，其中所述布局包括图案，所述图案包括斜角特征；
[0191]
从包括斜角特征的图案区域中提取单位单元；
[0192]
使用所述单位单元识别所述布局的与所述单位单元匹配的区域集；和
[0193]
使用所述单位单元生成用于所述区域集的分级结构。
[0194]
34.根据条项33所述的非暂时性计算机可读介质，其中所述图案区域包括斜角特征。
[0195]
35.根据条项33或34中任一项所述的非暂时性计算机可读介质，其中所述图案区域包括无顶点特征。
[0196]
36.根据条项33-35中任一项所述的非暂时性计算机可读介质，所述介质存储指令集，所述指令集能够被计算装置的至少一个处理器执行以使所述计算装置还执行确定所述图案区域中的特征斜率。
[0197]
37.根据条项33-35中任一项所述的非暂时性计算机可读介质，所述介质存储指令集，所述指令集能够被计算装置的至少一个处理器执行以使所述计算装置还执行确定所述图案区域中的结构的水平节距或竖直节距。
[0198]
38.根据条项37所述的非暂时性计算机可读介质，所述介质存储指令集，所述指令集能够被计算装置的至少一个处理器执行以使所述计算装置还执行：
[0199]
使用所述水平节距和所述竖直节距构造单位单元，其中：
[0200]
所述单位单元的顶部边界和底部边界由所述水平节距限定；
[0201]
所述单位单元的左边界和右边界由所述竖直节距限定；和
[0202]
所述单位单元的位置基于所述水平节距或竖直节距的起点。
[0203]
39.根据条项33-35中任一项所述的非暂时性计算机可读介质，所述介质存储指令集，所述指令集能够被计算装置的至少一个处理器执行以使所述计算装置还执行确定所述图案区域中的结构的线空间特征。
[0204]
40.根据条项39所述的非暂时性计算机可读介质，所述介质存储指令集，所述指令集能够被计算装置的至少一个处理器执行以使所述计算装置还执行识别所述线空间特征，其中识别所述线空间特征包括：
[0205]
识别跨所述图案区域的分割线；
[0206]
确定所述分割线与所述布局上的结构相交的位置的坐标；和
[0207]
基于所述线空间特征确定所述分割线的锚点。
[0208]
41.根据条项40所述的非暂时性计算机可读介质，所述介质存储指令集，所述指令集能够被计算装置的至少一个处理器执行以使所述计算装置还执行，还包括：
[0209]
使用所述线空间特征构造单位单元，其中：
[0210]
所述单位单元的顶部边界和底部边界由所述线空间特征限定；和
[0211]
所述单位单元的位置基于所述分割线的锚点。
[0212]
42.根据条项33-41中任一项所述的非暂时性计算机可读介质，所述介质存储指令集，所述指令集能够被计算装置的至少一个处理器执行以使所述计算装置还执行，还包括：
[0213]
将所述单位单元存储在关联数据结构中，其中用于所述关联数据结构的关键字是图案区域的特征。
[0214]
43.根据条项42所述的非暂时性计算机可读介质，所述介质存储指令集，所述指令集能够被计算装置的至少一个处理器执行以使所述计算装置还执行，其中使用所述单位单元识别所述布局的与所述单位单元匹配的区域集还包括：
[0215]
识别所述图案区域的特征；
[0216]
使用所述特征作为关键字，从所述关联数据结构中检索单位单元；
[0217]
使用所检索的单位单元匹配所述图案区域的部分。
[0218]
44.根据条项33-43中任一项所述的非暂时性计算机可读介质，所述介质存储指令集，所述指令集能够被计算装置的至少一个处理器执行以使所述计算装置还执行使用线性优化函数优化所述区域集上的单位单元分布。
[0219]
45.根据条项44所述的非暂时性计算机可读介质，其中所述线性优化函数：
[0220]
优化跨所述区域集分布的单位单元的数量使得所述分布在所述区域集的每个区域中，包括：
[0221]
优化跨所述区域的部分分布的单位单元的数量；和
[0222]
保持所述区域的其余部分的块水平对称性。
[0223]
46.根据条项33-45中任一项所述的非暂时性计算机可读介质，所述介质存储指令集，所述指令集能够被计算装置的至少一个处理器执行以使所述计算装置还执行，其中所述方法还包括：
[0224]
合并所提取的单位单元；和
[0225]
移除重复的单位单元。
[0226]
47.根据条项33-46中任一项所述的非暂时性计算机可读介质，其中所述分级结构呈图形数据库系统(gds)格式、图形数据库系统ii(gds ii)格式、开放原图系统交换标准(oasis)格式、或加州理工学院中间格式(cif)。
[0227]
48.根据条项33-47中任一项所述的非暂时性计算机可读介质，其中所述分级结构被提供用于建模、光学邻近校正(opc)、缺陷检查、缺陷预测或源掩模优化(smo)中的至少一
个。
[0228]
附图中的框图示出了根据本公开的各种示例性实施例的系统、方法和计算机硬件/软件产品的可能实现的架构、功能和操作。在这方面，示意图中的每个块可以表示可以使用诸如电子电路的硬件来实现的某些算术或逻辑运算处理。块还可以表示包括用于实现指定逻辑功能的一个或多个可执行指令的代码的模块、区段或一部分。应该理解的是，在一些替代实施方式中，块中指示的功能可以以除了附图中所示的顺序之外的顺序发生。例如，根据所涉及的功能，连续显示的两个块可以基本上同时执行或实现，或者两个块有时可以以相反的顺序执行。也可以省略一些块。
[0229]
将理解的是，本公开的实施例不限于上面已经描述并在附图中示出的确切构造，并且在不脱离其范围的情况下可以进行各种修改和改变。已经结合各种实施例描述了本公开，通过考虑本文公开的本发明的说明和实践，本发明的其他实施例对于本领域技术人员也将是显而易见的。说明和实施例旨在仅被认为是示例性的，本发明的真正范围和精神由以下权利要求指示。
[0230]
上面的描述旨在是说明性的，而不是限制性的。因此，对于本领域的技术人员来说显而易见的是，在不脱离下面所阐述的权利要求的范围的情况下，可以如所描述的那样进行修改。

技术特征：
1.一种基于特征的单元提取方法，包括：获得表示布局的数据，其中所述布局包括图案，所述图案包括斜角特征；从包括斜角特征的图案区域中提取单位单元；使用所述单位单元识别所述布局的与所述单位单元匹配的区域集；和使用所述单位单元生成用于所述区域集的分级结构。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述图案区域包括无顶点特征。3.根据权利要求1所述的方法，还包括确定所述图案区域中的特征斜率。4.根据权利要求1所述的方法，还包括确定所述图案区域中的结构的水平节距或竖直节距。5.根据权利要求4所述的方法，还包括：使用所述水平节距和所述竖直节距构造单位单元，其中：所述单位单元的顶部边界和底部边界由所述水平节距限定；所述单位单元的左边界和右边界由所述竖直节距限定；并且所述单位单元的位置基于所述水平节距或竖直节距的起点。6.根据权利要求1所述的方法，还包括确定所述图案区域中的结构的线空间特征。7.根据权利要求6所述的方法，还包括识别所述线空间特征，其中识别所述线空间特征包括：识别跨所述图案区域的分割线；确定所述分割线与所述布局上的结构相交的位置的坐标；和基于所述线空间特征确定所述分割线的锚点。8.根据权利要求7所述的方法，还包括：使用所述线空间特征构造单位单元，其中：所述单位单元的顶部边界和底部边界由所述线空间特征限定；并且所述单位单元的位置基于所述分割线的锚点。9.根据权利要求1所述的方法，还包括：将所述单位单元存储在关联数据结构中，其中用于所述关联数据结构的关键字是所述图案区域的特征。10.根据权利要求9所述的方法，其中使用所述单位单元识别所述布局的与所述单位单元匹配的区域集还包括：识别所述图案区域的特征；使用所述特征作为关键字，从所述关联数据结构中检索单位单元；使用检索到的单位单元匹配所述图案区域的部分。11.根据权利要求1所述的方法，还包括使用线性优化函数优化所述区域集上的单位单元分布。12.根据权利要求11所述的方法，其中所述线性优化函数包括：优化跨所述区域集分布的单位单元的数量，使得所述分布在所述区域集的每个区域中，包括：优化跨所述区域的部分分布的单位单元的数量；和保持所述区域的其余部分的块水平对称性。
13.根据权利要求12所述的方法，其中所述方法还包括：合并所提取的单位单元；和移除重复的单位单元。14.根据权利要求1所述的方法，其中所述分级结构呈图形数据库系统(gds)格式、图形数据库系统ii(gds ii)格式、开放原图系统交换标准(oasis)格式、或加州理工学院中间格式(cif)。15.根据权利要求1所述的方法，其中所述分级结构被提供用于建模、光学邻近校正(opc)、缺陷检查、缺陷预测或源掩模优化(smo)中的至少一个。

技术总结
公开了基于特征的单元提取的改进系统和方法。该方法包括获得表示布局的数据，其中该布局包括无顶点的图案区域，从无顶点的图案区域中提取单位单元，使用单位单元识别布局的与单位单元匹配的区域集，并使用单位单元生成用于区域集的分级结构。在一些实施例中，图案区域包括斜角特征或包括无顶点特征。图案区域可以包括包含特征斜率、水平节距或竖直节距、或线空间特征的特征。在一些实施例中，分级结构被使用线性优化方程优化，并可以被提供用于建模、OPC、缺陷检查、缺陷预测、或SMO。或SMO。或SMO。


技术研发人员：林彦廷
受保护的技术使用者：ASML荷兰有限公司
技术研发日：2021.11.24
技术公布日：2023/8/24