晶圆对准设备及晶圆清洁装置的制作方法

1.本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及一种晶圆对准设备及晶圆清洁装置。


背景技术：

2.在干法刻蚀工艺中，吸盘通过静电吸附的方式吸附晶圆背面，并可以提供氦气对晶圆进行降温。此时，如果晶圆背面有颗粒物质，且吸盘提供的氦气流量大于一定值时，吸盘将无法有效吸附晶圆，容易出现自动报警，甚至导致晶圆返工及设备宕机的问题，从而影响设备的产能。
3.因此，如何在干法刻蚀前清除晶圆背面的颗粒物质，是亟需解决的问题。


技术实现要素：

4.基于此，有必要提供一种晶圆对准设备及晶圆清洁装置，以在干法刻蚀前有效清除晶圆背面的颗粒物质。
5.本技术实施例提供了一种晶圆对准设备，包括：基座；对准转盘，与基座可转动连接，用于吸附晶圆的背面；以及，晶圆清洁装置，设置于基座上，并位于对准转盘的周侧，用于在对准转盘携带晶圆同步转动时，对晶圆的背面进行清洁。
6.本技术实施例中，晶圆对准设备采用如上结构，以于晶圆进入干法刻蚀设备前对晶圆背面进行清洁。在上述晶圆对准设备中，通过对准转盘带动晶圆转动以检测晶圆的圆心及凹口(或切边)进而实现晶圆对准，通过将晶圆清洁装置加装在对准转盘的周侧，使得在对准转盘携带晶圆同步转动时，可以在不影响晶圆转动的前提下，对晶圆的背面进行清洁。也即，上述晶圆对准设备可以利用对准转盘转动实现晶圆对准(也即对位)的时间对晶圆的背面进行清洁，故不增加额外的传片时间，提高了清洁晶圆的效率。如此，在后续晶圆进入干法刻蚀设备时，可以减小干法刻蚀设备由于晶圆背面的异物导致报警的几率，进而提高干法刻蚀设备的产能。
7.可选地，晶圆清洁装置包括：送风管路，具有用于朝向晶圆的出风口；回风管路，具有用于朝向晶圆的回风口；其中，出风口用于提供气流形成风刀，以对晶圆的背面进行清洁；回风口位于出风口的旁侧，用于吸取清洁产生的异物。
8.本技术实施例中，回风口位于出风口的旁侧，如此，当出风口提供的风刀使得晶圆背面的异物脱落时，位于出风口的旁侧回风口可以及时将异物吸取，以实现对晶圆背面异物的及时清洁，确保不污染晶圆对准设备中其他装置或组件的环境。
9.可选地，晶圆清洁装置还包括：超声波发射装置，设置于送风管路靠近出风口的端部且与出风口相连通，用于提供超声波，以与风刀同步对晶圆的背面进行清洁。
10.本技术实施例中，超声波发射装置提供的超声波与出风口相连通，使得风刀对晶圆背面进行清洁的同时，超声波同步对晶圆背面进行清洁，提高了晶圆清洁装置对晶圆背面异物的清洁效率和清洁能力。
11.可选地，出风口包括：沿对准转盘的径向延伸的线性出风口；回风口包括：以线性
出风口为中心对称设置于线性出风口两侧的第一线性回风口和第二线性回风口，且第一线性回风口和第二线性回风口的延伸方向平行于线性出风口的延伸方向。
12.可选地，晶圆清洁装置还包括：具有第一腔室、第二腔室、第三腔室及箱体；其中，送风管路由第一腔室构成；回风管路由第二腔室构成；超声波发射装置设置于第三腔室内。
13.可选地，出风口和回风口位于同一平面，平面平行于对准转盘的上表面且与上表面之间具有间隔。
14.本技术实施例中，出风口和回风口的上表面与对准转盘的上表面之间的间隔，可以保证出风口和回风口对晶圆背面异物的作用距离足够大，进而保证晶圆清洁装置对晶圆背面异物的清洁效果。
15.可选地，送风管路远离出风口的一端与高压气源相连接；回风管路远离回风口的一端与真空装置相连接。
16.本技术实施例中，送风管路远离出风口的一端与高压气源相连接，有利于为风刀清洁晶圆背面提供充足的动力。同样地，回风管路远离回风口的一端与真空装置相连接，保证了可以提供充足的动力以吸取清洁产生的异物。
17.可选地，晶圆清洁装置在对准转盘的径向上的尺寸与对准转盘的半径之和为目标尺寸；目标尺寸等于或大致等于晶圆的半径。
18.本技术实施例中，目标尺寸等于或大致等于晶圆的半径，可以保证晶圆的背面充分被晶圆清洁装置清洁，进而提高了清洁效果。
19.可选地，晶圆清洁装置的数量为至少两个；各晶圆清洁装置以对准转盘为圆心均匀分布于对准转盘的周侧。
20.本技术实施例中，晶圆清洁装置的数量为至少两个，且晶圆清洁装置以对准转盘为圆心均匀分布于对准转盘的周侧。如此，使得在对准转盘携带晶圆同步转动一周时，即可对晶圆背部进行至少两次清洁，故提高了清洁效率。
21.基于同样的实用新型构思，本技术还提供了一种如前述任一方案所述的晶圆清洁装置。
22.本技术实施例中，晶圆清洁装置所能实现的技术效果与前述实施例中晶圆清洁装置所能具有的技术效果相同，此处不再详述。
附图说明
23.为了更清楚地说明本公开实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
24.图1为本技术一实施例中提供的一种晶圆对准设备的剖面结构示意图；
25.图2为本技术一实施例中提供的一种晶圆对准设备的俯视结构示意图；
26.图3为本技术一实施例中提供的一种晶圆清洁装置的沿aa’方向的剖面结构示意图；
27.图4(a)为本技术一实施例中提供的一种晶圆的剖面结构示意图；图4(b)为本技术一实施例中提供的另一种晶圆的剖面结构示意图；
28.图5为本技术一实施例中提供的一种晶圆对准设备的工作示意图。
29.附图标记说明：
30.1-基座；2-对准转盘；3-晶圆；31-异物；
31.4-晶圆清洁装置；l1-送风管路；41-第一腔室；l2-回风管路；42-第二腔室；40-超声波发射装置；43-第三腔室；44-箱体；a-出风口；b-回风口。
具体实施方式
32.为了便于理解本公开，下面将参照相关附图对本公开进行更全面的描述。附图中给出了本公开的实施例。但是，本公开可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使本公开的公开内容更加透彻全面。
33.除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本公开的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本公开的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本公开。
34.在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本公开的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。
35.在本公开实施例的描述中，技术术语“上”“下”“左”“右”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本公开实施例和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开实施例的限制。
36.此外，为了清楚地表示附图中的多个层和区域，放大了图示中各层的厚度及各区域，以对各层之间的相对位置和各区域的分布进行清楚示意。当表述为层、薄膜、区域、板等的部分位于其他部分“上方”或“上”时，该表述不仅包括“直接”在其他部分上方的情况，还包括其中间存在有其他层的情况。
37.在干法刻蚀工艺中，吸盘通过静电吸附的方式吸附晶圆背面，并可以提供氦气对晶圆进行降温。此时，如果晶圆背面有颗粒物质，且吸盘提供的氦气流量大于一定值时，吸盘将无法有效吸附晶圆，容易出现自动报警，甚至导致晶圆返工及设备宕机的问题，从而影响设备的产能。
38.因此，如何清除干法刻蚀前晶圆背面的颗粒物质，是亟需解决的问题。
39.基于此，本技术希望提供一种能够解决上述技术问题的方案，其详细内容将在后续实施例中得以阐述。
40.请参阅图1，本技术实施例提供了一种晶圆对准设备，包括：基座1；对准转盘2，与基座1可转动连接，用于吸附晶圆3的背面；以及，晶圆清洁装置4，设置于基座1上，并位于对准转盘2的周侧，用于在对准转盘2携带晶圆3同步转动时，对晶圆3的背面进行清洁。
41.本技术实施例中，晶圆对准设备采用如上结构，以于晶圆3进入干法刻蚀设备前对晶圆3背面进行清洁。在上述晶圆对准设备中，通过将晶圆清洁装置4加装在对准转盘2的周侧，使得在对准转盘2携带晶圆3同步转动时，可以在不影响晶圆3转动的前提下，对晶圆3的背面进行清洁。也即，上述晶圆对准设备可以利用对准转盘2转动至凹口(也即对位)的时间
对晶圆3的背面进行清洁，故不增加额外的传片时间，提高了清洁晶圆3的效率。如此，在后续晶圆3进入干法刻蚀设备时，上述晶圆对准设备可以减小干法刻蚀设备由于晶圆3背面的异物31导致报警的几率，进而提高干法刻蚀设备的产能。
42.在一些实施例中，请参阅图2，晶圆清洁装置4在对准转盘2的径向上的尺寸与对准转盘2的半径之和为目标尺寸；目标尺寸等于或大致等于晶圆3的半径。
43.本技术实施例中，目标尺寸等于或大致等于晶圆3的半径，可以保证晶圆3的背面充分被晶圆清洁装置4清洁，进而提高了清洁效果。
44.在一些实施例中，晶圆清洁装置4的数量为至少两个；各晶圆清洁装置4以对准转盘2为圆心均匀分布于对准转盘2的周侧。
45.本技术实施例中，晶圆清洁装置4的数量为至少两个，且晶圆清洁装置4以对准转盘2为圆心均匀分布于对准转盘2的周侧。如此，使得在对准转盘2携带晶圆3同步转动一周时，即可对晶圆3背部进行至少两次清洁，故提高了清洁效率。
46.在一些示例中，目标尺寸还包括：两个晶圆清洁装置4在对准转盘2的径向上的尺寸与对准转盘2的直径之和。目标尺寸等于或大致等于晶圆3的直径。
47.示例地，晶圆清洁装置4在对准转盘2的径向上的尺寸与对准转盘2直径的比例范围包括：2：1。例如：当晶圆3的尺寸为300mm时，晶圆清洁装置4在对准转盘2的径向上的尺寸为120mm，对准转盘2直径为60mm。
48.相应地，在一些示例中，晶圆清洁装置4在垂直于对准转盘2的径向上的尺寸包括：50mm～70mm。例如：晶圆清洁装置4在垂直于对准转盘2的径向上的尺寸可以为50mm、52mm、54mm、56mm、58mm、60mm、62mm、64mm、66mm、68mm或70mm等等。
49.在一些实施例中，请参阅图2和图3，晶圆清洁装置4包括：送风管路l1，具有用于朝向晶圆3的出风口a；回风管路l2，具有用于朝向晶圆3的回风口b；其中，出风口a用于提供气流形成风刀，以对晶圆3的背面进行清洁；回风口b位于出风口a的旁侧，用于吸取清洁产生的异物31。
50.本技术实施例中，回风口b位于出风口a的旁侧，如此，当出风口a提供的风刀使得晶圆3背面的异物31脱落时，位于出风口a旁侧的回风口b可以及时将异物31吸取，以实现对晶圆3背面的异物31的及时清洁，确保不污染晶圆对准设备中其他装置或组件的环境。
51.在一些示例中，请参阅图4(a)和图4(b)，上述晶圆清洁装置4在确保不污染晶圆对准设备4中其他装置或组件的环境的前提下，对晶圆3的背面的异物31进行清洁，当对准转盘2转动实现晶圆对准时，完成对晶圆3背面的清洁，也即，晶圆3的背面没有异物残余。
52.在一些示例中，风刀包括干燥压缩气体。
53.在一些实施例中，晶圆清洁装置4还包括：超声波发射装置40，设置于送风管路l1靠近出风口a的端部且与出风口a相连通，用于提供超声波，以使超声波与风刀同步对晶圆3的背面进行清洁。
54.本技术实施例中，超声波发射装置40提供的超声波与出风口a相连通，使得风刀对晶圆3背面进行清洁的同时，超声波同步对晶圆3背面进行清洁，提高了晶圆清洁装置4对晶圆3背面异物31的清洁效率和清洁能力。
55.在一些示例中，超声波发射装置40，设置于送风管路l1靠近出风口a的端部且与出风口a相连通包括：超声波发射装置40设置于送风管路l1靠近出风口a的管壁上，或设置于
送风管路l1靠近出风口a的管路旁侧。
56.在一些实施例中，出风口a包括：沿对准转盘2的径向延伸的线性出风口；回风口b包括：以线性出风口为中心对称设置于线性出风口两侧的第一线性回风口和第二线性回风口，且第一线性回风口和第二线性回风口的延伸方向平行于线性出风口a的延伸方向。
57.在一些实施例中，晶圆清洁装置4还包括：具有第一腔室41、第二腔室42、第三腔室43及箱体44；其中，送风管路l1由第一腔室41构成；回风管路l2由第二腔室42构成；超声波发射装置40设置于第三腔室43内。
58.在一些示例中，第一腔室41呈三棱柱状设置于箱体44的底部，出风口a位于三棱柱状的第一腔室41的顶部，也即，第一腔室41的两个倾斜顶面相交的区域。
59.在一些示例中，晶圆清洁装置4包括两个第二腔室42，两个第二腔室42分别设置于第一腔室41的两个倾斜顶面上，且靠近箱体44的边缘。回风口b位于第二腔室42的顶部。
60.在一些示例中，晶圆清洁装置4包括两个第三腔室43，两个第三腔室43分别设置于第一腔室41的两个倾斜顶面上，位于第二腔室42靠近第一腔室41的一侧，且靠近出风口a。
61.在一些实施例中，出风口a和回风口b位于同一平面，平面平行于对准转盘2的上表面且与上表面之间具有间隔。
62.本技术实施例中，出风口a和回风口b的上表面与对准转盘2的上表面之间的间隔，可以保证出风口a和回风口b对晶圆3背面异物31的作用距离足够大，进而保证晶圆清洁装置4对晶圆3背面异物31的清洁效果。
63.在一些实施例中，送风管路l1远离出风口a的一端与高压气源(未示出)相连接；回风管路l2远离回风口b的一端与真空装置(未示出)相连接。
64.本技术实施例中，送风管路l1远离出风口a的一端与高压气源相连接，有利于为风刀清洁晶圆3背面提供充足的动力。同样地，回风管路l2远离回风口b的一端与真空装置相连接，保证了可以提供充足的动力以吸取清洁产生的异物31。
65.此外，风刀对晶圆3产生垂直向上的力，风刀周侧的回风口b内为真空环境，对晶圆3产生垂直向下的力。如此，晶圆3在垂直方向上可以实现合力为零，保证了对准转盘2携带晶圆3同步转动过程中垂直方向上无位移，故不影响对准转盘2携带晶圆3同步转动。
66.在一些示例中，晶圆清洁装置4的工作时间小于或等于对准转盘2携带晶圆3同步转动的时间。如此，保证了晶圆清洁装置4对晶圆3背面进行清洁时不会改变晶圆对准设备中其他装置或部件的正压环境。
67.示例地，请参阅图5，当对准转盘2携带晶圆3同步转动时，晶圆清洁装置4开始工作；当对准转盘2携带晶圆3同步转动实现晶圆对准时，晶圆清洁装置4停止工作。如此，不仅保证了晶圆清洁装置4对晶圆3背面进行清洁时不会改变晶圆对准设备中其他装置或部件的正压环境，而且可以利用对准转盘2转动实现晶圆对准的时间对晶圆3的背面进行清洁，故不增加额外的传片时间，提高了清洁晶圆3的效率。
68.基于同样的实用新型构思，请参阅图2和图3，本技术还提供了一种如前述任一方案所述的晶圆清洁装置。
69.本技术实施例中，晶圆清洁装置所能实现的技术效果与前述实施例中晶圆清洁装置所能具有的技术效果相同，此处不再详述。
70.在一些实施例中，晶圆清洁装置4包括：送风管路l1，具有用于朝向晶圆3的出风口
a；回风管路l2，具有用于朝向晶圆3的回风口b；其中，出风口a用于提供气流形成风刀，以对晶圆3的背面进行清洁；回风口b位于出风口a的旁侧，用于吸取清洁产生的异物31。
71.本技术实施例中，回风口b位于出风口a的旁侧，如此，当出风口a提供的风刀使得晶圆3背面的异物31脱落时，位于出风口a的旁侧回风口b可以及时将异物31吸取，以实现对晶圆3背面的异物31的及时清洁，确保不污染晶圆对准设备中其他装置或组件的环境。
72.在一些实施例中，晶圆清洁装置还包括：超声波发射装置40，设置于送风管路l1靠近出风口a的端部且与出风口a相连通，用于提供超声波，以与风刀同步对晶圆3的背面进行清洁。
73.本技术实施例中，超声波发射装置40提供的超声波与出风口a相连通，使得风刀对晶圆3背面进行清洁的同时，超声波同步对晶圆3背面进行清洁，提高了晶圆清洁装置4对晶圆3背面异物31的清洁效率和清洁能力。
74.在一些示例中，超声波发射装置40，设置于送风管路l1靠近出风口a的端部且与出风口a相连通包括：超声波发射装置40设置于送风管路l1靠近出风口a的管壁上，或设置于送风管路l1靠近出风口a的管路旁侧。
75.在一些实施例中，出风口a包括：沿对准转盘2的径向延伸的线性出风口；回风口b包括：以线性出风口为中心对称设置于线性出风口两侧的第一线性回风口和第二线性回风口，且第一线性回风口和第二线性回风口的延伸方向平行于线性出风口a的延伸方向。
76.在一些实施例中，晶圆清洁装置4还包括：具有第一腔室41、第二腔室42、第三腔室43及箱体44；其中，送风管路l1由第一腔室41构成；回风管路l2由第二腔室42构成；超声波发射装置40设置于第三腔室43内。
77.在一些示例中，第一腔室41呈三棱柱状设置于箱体44的底部，出风口a位于三棱柱状的第一腔室41的顶部，也即，第一腔室41的两个倾斜顶面相交的区域。
78.在一些示例中，晶圆清洁装置4包括两个第二腔室42，两个第二腔室42分别设置于第一腔室41的两个倾斜顶面上，且靠近箱体44的边缘。回风口b位于第二腔室42的顶部。
79.在一些示例中，晶圆清洁装置4包括两个第三腔室43，两个第三腔室43分别设置于第一腔室41的两个倾斜顶面上，位于第二腔室42靠近第一腔室41的一侧，且靠近出风口a。
80.在一些实施例中，出风口a和回风口b位于同一平面，平面平行于对准转盘2的上表面且与上表面之间具有间隔。
81.本技术实施例中，出风口a和回风口b的上表面与对准转盘2的上表面之间的间隔，可以保证出风口a和回风口b对晶圆3背面异物31的作用距离足够大，进而保证晶圆清洁装置4对晶圆3背面异物31的清洁效果。
82.在一些实施例中，送风管路l1远离出风口a的一端与高压气源(未示出)相连接；回风管路l2远离回风口b的一端与真空装置(未示出)相连接。
83.本技术实施例中，送风管路l1远离出风口a的一端与高压气源相连接，有利于为风刀清洁晶圆3背面提供充足的动力。同样地，回风管路l2远离回风口b的一端与真空装置相连接，保证了可以提供充足的动力以吸取清洁产生的异物31。
84.在一些实施例中，请参阅图3，晶圆清洁装置4在对准转盘2的径向上的尺寸与对准转盘2的半径之和为目标尺寸；目标尺寸等于或大致等于晶圆3的半径。
85.本技术实施例中，目标尺寸等于或大致等于晶圆3的半径，可以保证晶圆3的背面
充分被晶圆清洁装置4清洁，进而提高了清洁效果。
86.在一些示例中，目标尺寸包括：两个晶圆清洁装置4在对准转盘2的径向上的尺寸与对准转盘2的半径之和。
87.在本说明书的描述中，上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
88.以上所述实施例仅表达了本公开的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本公开构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本公开的保护范围。因此，本公开专利的保护范围应以所附权利要求为准。

技术特征：
1.一种晶圆对准设备，其特征在于，包括：基座；对准转盘，与所述基座可转动连接，用于吸附晶圆的背面；以及，晶圆清洁装置，设置于所述基座上，并位于所述对准转盘的周侧，用于在所述对准转盘携带所述晶圆同步转动时，对所述晶圆的背面进行清洁。2.根据权利要求1所述的晶圆对准设备，其特征在于，所述晶圆清洁装置包括：送风管路，具有用于朝向所述晶圆的出风口；回风管路，具有用于朝向所述晶圆的回风口；其中，所述出风口用于提供气流形成风刀，以对所述晶圆的背面进行清洁；所述回风口位于所述出风口的旁侧，用于吸取清洁产生的异物。3.根据权利要求2所述的晶圆对准设备，其特征在于，所述晶圆清洁装置还包括：超声波发射装置，设置于所述送风管路靠近所述出风口的端部且与所述出风口相连通，用于提供超声波，以使所述超声波与所述风刀同步对所述晶圆的背面进行清洁。4.根据权利要求3所述的晶圆对准设备，其特征在于，所述出风口包括：沿所述对准转盘的径向延伸的线性出风口；所述回风口包括：以所述线性出风口为中心对称设置于所述线性出风口两侧的第一线性回风口和第二线性回风口，且所述第一线性回风口和所述第二线性回风口的延伸方向平行于所述线性出风口的延伸方向。5.根据权利要求3所述的晶圆对准设备，其特征在于，所述晶圆清洁装置还包括：具有第一腔室、第二腔室及第三腔室的箱体；其中，所述送风管路由所述第一腔室构成；所述回风管路由所述第二腔室构成；所述超声波发射装置设置于所述第三腔室内。6.根据权利要求2所述的晶圆对准设备，其特征在于，所述出风口和所述回风口位于同一平面，所述平面平行于所述对准转盘的上表面且与所述上表面之间具有间隔。7.根据权利要求2所述的晶圆对准设备，其特征在于，所述送风管路远离所述出风口的一端与高压气源相连接；所述回风管路远离所述回风口的一端与真空装置相连接。8.根据权利要求1～7中任一项所述的晶圆对准设备，其特征在于，所述晶圆清洁装置在所述对准转盘的径向上的尺寸与所述对准转盘的半径之和为目标尺寸；所述目标尺寸等于或大致等于所述晶圆的半径。9.根据权利要求8所述的晶圆对准设备，其特征在于，所述晶圆清洁装置的数量为至少两个；各所述晶圆清洁装置以所述对准转盘为圆心均匀分布于所述对准转盘的周侧。10.一种晶圆清洁装置，其特征在于，所述晶圆清洁装置设置于基座上，并位于对准转盘的周侧，用于在所述对准转盘携带晶圆同步转动时，对所述晶圆的背面进行清洁；其中，所述对准转盘与所述基座可转动连接，用于吸附所述晶圆的背面。

技术总结
本实用新型涉及一种晶圆对准设备及晶圆清洁装置。所述晶圆对准设备包括：基座；对准转盘，与基座可转动连接，用于吸附晶圆的背面；以及，晶圆清洁装置，设置于基座上，并位于对准转盘的周侧，用于在对准转盘携带晶圆同步转动时，对晶圆的背面进行清洁。上述晶圆对准设备可以减小干法刻蚀设备由于晶圆背面的异物导致报警的几率，进而提高干法刻蚀设备的产能。进而提高干法刻蚀设备的产能。进而提高干法刻蚀设备的产能。


技术研发人员：郭茨良 张军 谢强
受保护的技术使用者：上海鼎泰匠芯科技有限公司
技术研发日：2023.01.12
技术公布日：2023/8/26