热压接片的制作方法

1.本发明涉及至少包含聚烯烃系树脂的热压接片。


背景技术：

2.由分割预定线划分而在正面上形成有ic、lsi等多个器件的晶片在通过磨削装置对背面进行磨削而形成为期望的厚度之后，通过切割装置、激光加工装置分割成各个器件芯片，并用于移动电话、个人计算机等电子设备。
3.在通过磨削装置对晶片的背面进行磨削的情况下，在晶片的正面上粘贴保护带，从而不会给卡盘工作台所保持的正面造成损伤。
4.另外，在通过切割装置、激光加工装置将晶片分割成各个器件芯片的情况下，借助划片带将晶片支承于中央具有收纳晶片的开口的框架，即使将晶片分割成各个器件芯片，也能够保持晶片的形态而搬送至下一工序。
5.上述的保护带、划片带通常在正面上形成有粘接层，因此当在加工后从晶片剥离时，存在如下的问题：粘接层的一部分剥离而残留于晶片或器件芯片的正面从而使器件芯片的品质降低。
6.因此，本技术人开发了聚烯烃系树脂的片作为热压接于晶片的热压接片，提出了如下的方案：通过将不具有粘接层的该热压接片用作上述的保护片和划片带，解决粘接层的一部分剥离而残留从而使器件芯片的品质降低的问题(例如参照专利文献1、2)。
7.专利文献1：日本特开2019-201016号公报
8.专利文献2：日本特开2019-186488号公报
9.另外，在借助上述热压接片将晶片支承于中央具有收纳晶片的开口的环状的框架且在具有多个收纳槽的盒中以规定的间隔收纳多个该晶片并搬送的情况下，当采用上述聚烯烃系树脂的热压接片作为该热压接片时，存在如下的问题：聚烯烃系树脂的热压接片没有刚度，因此随着时间的经过，收纳于盒的上方的晶片经由该热压接片而下垂到与下方的晶片接触的位置，在从该盒与框架一起拉出晶片时或将加工后的晶片返回至盒时等产生障碍。
10.另外，在磨削装置中，在晶片的正面上粘贴以与晶片相同的尺寸形成的保护带，将保护带侧保持于保持单元，对晶片的背面进行磨削而进行薄化。通过磨削装置进行了薄化的晶片被该保护带保持，但在采用上述聚烯烃系树脂的热压接片作为该保护带的情况下，存在如下的问题：该热压接片没有刚度，因此无法以充分的刚性支承薄化的晶片，在搬送中花费工夫。


技术实现要素：

11.本发明是鉴于上述事实而完成的，其主要的技术课题在于提供热压接片，其是聚烯烃系树脂的热压接片，能够以充分的刚性支承晶片，例如即使在借助聚烯烃系树脂的热压接片将晶片支承于中央具有收纳晶片的开口的环状的框架且在盒等收纳容器中沿上下
方向收纳有多个的情况下，收纳的晶片也不会下垂，不会与收纳于下方的晶片接触。
12.为了解决上述主要的技术课题，根据本发明，提供热压接片，其中，该热压接片是在聚烯烃系树脂中加热混合弯曲强度为60mpa～160mpa的树脂而构成的。
13.优选该聚烯烃系树脂的维卡软化温度为30℃～100℃。另外，优选作为该维卡软化温度为30℃～100℃的聚烯烃系树脂，选择聚乙烯、聚丙烯、聚氯乙烯、聚苯乙烯中的任意树脂。另外，优选作为该弯曲强度为60mpa～160mpa的树脂，选择聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、丙烯酸系树脂、聚碳酸酯、聚乳酸、聚缩醛中的任意树脂。优选对该聚烯烃系树脂混入有体积比为5％～50％的弯曲强度为60mpa～160mpa的树脂。
14.本发明的热压接片是在聚烯烃系树脂中加热混合弯曲强度为60mpa～160mpa的树脂而构成的，因此能够实现能够以充分的刚性支承晶片的聚烯烃系树脂的热压接片。
附图说明
15.图1是示出制造本实施方式的热压接片的原料的方式的示意图。
16.图2的(a)是示出使用通过图1所示的原料制造工序制造的原料而制造片基材的方式的示意图，图2的(b)是示出从该片基材形成热压接片的方式的立体图。
17.图3的(a)～(c)是示出将图2所示的热压接片热压接于晶片和框架的方式的立体图。
18.图4是示出对支承于框架的晶片进行切削的方式的立体图。
19.图5的(a)～(c)是示出将图2所示的热压接片热压接于晶片的其他方式的立体图。
20.图6的(a)、(b)是示出对通过图5所示的方式粘贴有热压接片的晶片的背面进行磨削的方式的立体图。
21.标号说明
22.1、2：提供容器；10：原料制造装置；11：混合容器；12：加热单元；20：片制造装置；21：原料投入槽；22：第1辊；23：第2辊；24：第3辊；25：第4辊；26：压延机；27：卷取辊；30：热压接装置；32：卡盘工作台；36：加热辊；37：切削单元；38：切削刀具；39：盒；40：切削装置；42：切削单元；43：主轴壳体；44：刀具罩；45：主轴；46：切削刀具；47：切削水喷嘴；50：热压接装置；52：卡盘工作台；55：加热辊；56：切削单元；57：切削刀具；60：磨削装置；61：卡盘工作台；64：磨削单元；65：旋转主轴；66：磨轮安装座；67：磨削磨轮；68：磨削磨具；100：切削槽；p：原料；p1：第1原料；p2：第2原料；s：片基材。
具体实施方式
23.以下，参照附图对根据本发明而构成的热压接片的实施方式进行详细说明。
24.在图1中示出制造本实施方式的热压接片的原料p的步骤1～步骤3的示意图。在原料p的制造中使用的原料制造装置10包含：混合容器11；以及将混合容器11加热至规定的温度的加热单元12。
25.本实施方式的热压接片的原料p通过以下的过程形成。更具体而言，至少准备收纳于提供容器1的由聚烯烃系树脂构成的第1原料p1和收纳于提供容器2的由弯曲强度(p)为60mpa～160mpa的树脂构成的第2原料p2。另外，本技术说明书中记载的弯曲强度是指在依据iso178的标准或jis k7171的标准的弯曲试验中根据直至试验片破坏为止的最大负荷而
计算出的弯曲应力的值。
26.第1原料p1的聚烯烃系树脂优选维卡软化温度(t)为30℃～100℃的聚烯烃系树脂。作为该聚烯烃系树脂，例如可以选自聚乙烯(pe、t＝70℃～100℃)、聚丙烯(pp、t＝80℃～100℃)、聚氯乙烯(pvc、t＝70℃～100℃)、聚苯乙烯(ps、t＝85℃～100℃)中的任意树脂。另外，本技术说明书中的维卡软化温度是通过依据jis k7206、astm d1525的标准而实施的试验而得到的，更具体而言，是对塑料试验片施加规定的试验负荷而以一定的速度使传热介质升温并测量针状压头从试验片的正面进入1mm时的传热介质的温度而得到的，试验条件为b50法中规定的条件(试验负荷50n、升温温度50℃/h)。作为弯曲强度(p)为60mpa～160mpa的树脂的第2原料p2例如可以选自聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet、p＝75mpa～105mpa)、聚对苯二甲酸丁二醇酯(pbt、p＝93mpa)、丙烯酸系树脂(pmma、p＝118mpa)、聚碳酸酯(pc、p＝85mpa)、聚乳酸(pla、p＝70mpa～100mpa、聚缩醛(pom、p＝88mpa)中的任意树脂。
27.图1所示的本实施方式的第1原料p1例如是聚乙烯(pe)，收纳于提供容器2的第2原料p2例如是弯曲强度(p)为75mpa～105mpa的聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)。第1原料p1、第2原料p2均以颗粒状形成，便于搬送。如图1的步骤1所示，对原料制造装置10的混合容器11投入第1原料p1和第2原料p2。优选第2原料p2相对于第1原料p1的投入量例如体积比为5％～50％。
28.接着，如图1的步骤2所示，通过使加热单元12进行动作，将投入至混合容器11的第1原料p1和第2原料p2加热至第1原料p1和第2原料p2发生软化且能够适当地混合的规定的温度。关于该加热时的规定的温度，对第1原料p1和第2原料p2的维卡软化温度进行比较，设定成高的那一方的维卡软化温度。在本实施方式中，第1原料p1的聚乙烯的维卡软化温度为70℃～100℃，第2原料p2的聚对苯二甲酸乙二醇酯的维卡软化温度为200℃～210℃，因此例如使该加热单元12进行动作而将混合容器11内的温度加热至210℃。
29.接着，如图1的步骤3所示，在加热单元12进行动作的同时，将软化后的第1原料p1和第2原料p2按照第1原料p1和第2原料p2相互均匀混合的方式进行混合，制成对于本实施方式的热压接片而言优选的原料p。另外，本实施方式中的混合是在第1原料p1与第2原料p2之间不伴随化学反应的混合。
30.若如上述那样通过原料制造装置10制造了热压接片的原料p，则将收纳于混合容器11的原料p搬送至图2所示的片制造装置20，提供至原料投入槽21。该原料投入槽21一边维持投入的原料p软化的状态一边以薄且均匀的宽度向第1辊22的表面提供该原料p。提供至旋转的第1辊22的片基材s经由旋转的第2辊23、第3辊24和第4辊25而投入至压延机26，在长度方向和宽度方向上延伸，调整为规定的均匀的厚度和规定的均匀的宽度，成型为期望的片基材s而卷取至卷取辊27。另外，本实施方式的片基材s的厚度例如为100μm。
31.将上述的卷取至卷取辊27的片基材s如图2的(b)所示那样根据要实施的加工条件而切割成圆形状，由此得到能够作为后述的保护带、划片带使用的热压接片t。
32.如上所述，本实施方式的热压接片t是在聚烯烃系树脂中加热混合弯曲强度(p)为60mpa～160mpa的树脂而构成的，因此能够维持通过加热而发挥粘接力的热压接片的特性，同时与仅由聚烯烃系树脂形成热压接片的情况相比，刚度增强，能够以高刚性支承晶片。
33.另外，聚烯烃系树脂中存在聚合物和共聚物，优选构成本实施方式的热压接片t的
聚烯烃系树脂中包含聚合物和共聚物这双方。作为该聚烯烃系树脂所包含的共聚物，例如优选乙烯乙酸乙烯酯共聚物(eva、t＝40℃～70℃)、乙烯丙烯酸乙酯共聚物(eea、t＝40℃～80℃)、离聚物(io、t＝40℃～80℃)、其他共聚物(abs树脂、sbs树脂、as树脂)等。
34.下文，参照图3～图6对通过上述实施方式构成的热压接片t的具体使用方式进行说明。
35.在图3中示出将本实施方式的热压接片t热压接于作为被加工物的晶片w和环状的框架f的热压接装置30(仅示出一部分)。热压接装置30具有卡盘工作台32。卡盘工作台32具有：圆板形状的吸附卡盘33，其由具有通气性的多孔材料形成；以及框体34，其围绕该吸附卡盘33，将来自省略图示的吸引单元的负压传递至吸附卡盘33的保持面。
36.由图3的(a)可理解，在卡盘工作台32的吸附卡盘33上载置在中央具有能够收纳晶片w的开口的框架f，并且使晶片w的背面wb侧朝向上方而载置于该开口的中央。接着，从卡盘工作台32的上方敷设热压接片t。如图3的(b)所示，热压接片t以大于吸附卡盘33且略小于框体34的尺寸形成。若将热压接片t敷设于卡盘工作台32，则使上述吸引单元进行动作而对热压接片t进行吸引，使热压接片t紧贴于晶片w的背面wb和框架f。接着，将加热辊36定位于热压接片t的上方。加热辊36在内部具有省略图示的加热器和温度传感器，能够将加热辊36升温至期望的温度。另外，在加热辊36的表面上涂布有氟树脂以便即使热压接片t发挥粘接力也不会与该表面粘接。
37.若将加热辊36定位在热压接片t上，则使加热辊36的该加热器进行动作，将加热辊36的表面加热至规定的温度(例如120℃～140℃)，从热压接片t的上方进行按压，一边在箭头r1所示的方向上旋转一边在箭头r2所示的方向上移动，从而将热压接片t热压接于晶片w和框架f。该规定的温度是热压接片t发挥粘接力的温度，设定为构成热压接片t的聚烯烃系树脂(在本实施方式中为聚乙烯)的熔融温度附近。
38.若将热压接片t热压接于晶片w和框架f，则如图3的(c)所示，将切削单元37的切削刀具38定位在框架f上。接着，一边使切削刀具38在箭头r3所示的方向上旋转并使卡盘工作台32在箭头r4所示的方向上旋转，一边沿着沿框架f的切断线l1将热压接片t环状切割，将外周侧的剩余区域去除。在图3的(c)的下方示出将该剩余区域去除而通过热压接片t使框架f与晶片w一体地翻转的状态。这样，将借助热压接片t而与框架f成为一体的多个晶片w收纳于沿上下方向具有图示那样的多个收纳槽的盒39中。
39.如上所述通过热压接片t而与框架f成为一体的多个晶片w利用上述盒39而搬送至图4所示的切削装置40(仅示出一部分)。如上所述，本实施方式的热压接片t是在聚烯烃系树脂中加热混合弯曲强度为60mpa～160mpa的树脂而构成的，因此成为发挥粘接力并且具有刚度的片，即使收纳在图3的(c)所示的盒39中进行搬送而经过时间，盒39中收纳的上方的晶片w也不会经由热压接片t而垂下到与下方的晶片w接触的位置，在从盒39拉出晶片w时等也不会产生障碍，进而在将该晶片w分割成器件芯片时也不会产生粘接层残留而使器件芯片的品质降低的问题。
40.切削装置40具有：卡盘工作台(省略图示)，其对晶片w进行吸引保持；以及切削单元42，其对吸引保持于该卡盘工作台的晶片w进行切削。该卡盘工作台构成为旋转自如，具有移动单元(省略图示)，该移动单元将该卡盘工作台在图中箭头x所示的方向上进行加工进给。另外，切削单元42具有：主轴45，其沿图中箭头y所示的y轴方向配设，保持于主轴壳体
43；环状的切削刀具46，其保持于主轴45的前端，被刀具罩44覆盖；切削水喷嘴47，其在通过切削刀具46实施切削加工时提供切削水；以及y轴移动单元(省略图示)，其将切削刀具46在y轴方向上进行分度进给。主轴45通过省略图示的主轴电动机进行旋转驱动。
41.在通过切削装置40实施切削加工时，首先使从上述盒39与框架f一起搬出的晶片w的正面wa朝向上方而载置于切削装置40的该卡盘工作台并进行吸引保持，通过省略图示的对准单元使晶片w的规定的分割预定线与x轴方向对齐，并且实施与切削刀具46的对位。接着，将高速旋转的切削刀具46定位于与x轴方向对齐的分割预定线，从正面wa侧切入，并且将该卡盘工作台在x轴方向上进行加工进给而形成切削槽100。另外，使该y轴移动单元进行动作，将切削单元42的切削刀具46分度进给至与形成有切削槽100的分割预定线在y轴方向上相邻的未加工的分割预定线上，与上述同样地形成切削槽100。通过重复上述过程，沿着沿x轴方向的所有分割预定线形成切削槽100。接着，使卡盘工作台旋转90度，使与之前形成有切削槽100的方向垂直的方向与x轴方向对齐，对新与x轴方向对齐的所有分割预定线实施上述切削加工，沿着形成于晶片w的所有分割预定线形成切削槽100。若这样对晶片w实施了切削加工，则使用省略图示的搬送单元将晶片w搬送至省略图示的清洗装置，通过该清洗装置实施清洗、干燥。若完成了该清洗、干燥，则将晶片w收纳于上述盒39中原本收纳该晶片w的位置。在将切削加工后的晶片w收纳于盒39时，晶片w也不会经由热压接片t而向下方垂下，不会产生当使晶片w返回至盒39时产生障碍的问题。
42.在上述实施方式中，示出了如下的例子：使用根据本实施方式而构成的热压接片t，通过在中央具有收纳晶片w的开口的环状的框架f对晶片w进行支承而与晶片w成为一体，对晶片w实施切削加工，但使用本实施方式的热压接片t的方式不限于此。例如也可以将图2的(b)所示的热压接片t用作磨削晶片w时的保护片。关于将热压接片t用于磨削加工的实施方式，下文参照图5、图6进行说明。
43.在使用图2的(b)所示的由片基材s得到的热压接片t时，将晶片w搬送至图5所示的热压接装置50(仅示出一部分)。热压接装置50具有卡盘工作台52。卡盘工作台52具有：圆板形状的吸附卡盘53，其由具有通气性的多孔材料形成；以及框体54，其围绕该吸附卡盘53，将来自省略图示的吸引单元的负压传递至吸附卡盘53的保持面。
44.将搬送至热压接装置50的晶片w以正面wa侧朝向上方的方式载置于卡盘工作台52的吸附卡盘53的中央。晶片w是在由分割预定线划分的正面wa上形成有多个器件d的晶片w。接着，如图5的(a)所示，从卡盘工作台52的上方敷设本实施方式的热压接片t。如图5的(b)所示，热压接片t以大于吸附卡盘53且略小于框体54的尺寸形成。若将热压接片t敷设在卡盘工作台52上，则使省略图示的吸引单元进行动作而对热压接片t进行吸引，使热压接片t紧贴于晶片w的正面wa。接着，将加热辊55定位于热压接片t的上方。加热辊55在内部具有省略图示的加热器和温度传感器，能够将加热辊55升温至期望的温度。另外，在加热辊55的表面上涂布有氟树脂以便即使热压接片t发挥粘接力也不会与该表面粘接。
45.若将加热辊55定位在热压接片t上，则使加热辊55的该加热器进行动作，将加热辊55的表面加热至规定的温度(例如120℃～140℃)，从热压接片t的上方进行按压，一边在箭头r5所示的方向上旋转一边在箭头r6所示的方向上移动，从而将热压接片t热压接于晶片w的正面wa。该规定的温度是热压接片t发挥粘接力的温度，设定为构成热压接片t的聚烯烃系树脂(在本实施方式中为聚乙烯)的熔融温度附近。
46.若将热压接片t热压接于晶片w，则如图5的(c)所示，将切削单元56定位于晶片w的外缘。接着，一边使切削单元56的切削刀具57在箭头r7所示的方向上旋转一边沿着沿晶片w的外缘的切断线l2将热压接片t切割成圆形，将外周侧的剩余区域去除。通过将热压接片t的外周侧的剩余区域去除，使热压接片t与晶片w成为一体，将该状态示于图5的(c)的右下方。若这样使晶片w与热压接片t成为一体，则搬送至图6所示的磨削装置60(仅示出一部分)。
47.如图6的(a)所示，磨削装置60具有卡盘工作台61。卡盘工作台61具有：圆板形状的吸附卡盘62，其由具有通气性的多孔材料形成；以及框体63，其围绕该吸附卡盘62，将来自省略图示的吸引单元的负压传递至吸附卡盘62的保持面。将搬送至磨削装置60的晶片w以晶片w的背面wb侧朝向上方而热压接片t侧朝向下方的方式载置于卡盘工作台61的吸附卡盘62，使该吸引单元进行动作而进行吸引保持。
48.接着，使省略图示的移动单元进行动作，如图6的(b)所示，将卡盘工作台61定位于磨削单元64的正下方的加工区域。磨削单元64具有：旋转主轴65，其通过未图示的旋转驱动机构进行旋转；磨轮安装座66，其安装于旋转主轴65的下端；以及磨削磨轮67，其安装于磨轮安装座66的下表面，在磨削磨轮67的下表面上呈环状配设有多个磨削磨具68。
49.若将吸引保持于卡盘工作台61的晶片w定位于磨削单元64的正下方，则使磨削单元64的旋转主轴65在图6的(b)中箭头r9所示的方向上以例如6000rpm进行旋转，同时使卡盘工作台61在箭头r10所示的方向上以例如300rpm进行旋转。并且，通过未图示的磨削水提供单元将磨削水提供至晶片w的背面wb上，同时使省略图示的磨削进给单元进行动作，使磨削单元64在图中箭头r11所示的方向上下降，使磨削磨具68与晶片w的背面wb接触，将磨削单元64以例如1μm/秒的磨削进给速度进行磨削进给。此时，能够一边通过未图示的接触式的测量仪测量晶片w的厚度一边进行磨削，将晶片w的背面wb磨削规定量，使晶片w成为规定的厚度。若完成规定量的磨削，则使磨削单元64停止，经由清洗、干燥工序等，完成对晶片w的背面wb进行磨削的背面磨削加工。
50.若完成了上述背面磨削加工，则通过省略图示的搬送单元对晶片w进行吸附而搬送至下一工序或收纳于省略图示的盒等中。此时，在晶片w的正面wa上粘贴有本实施方式的热压接片t，该热压接片t是在聚烯烃系树脂中加热混合弯曲强度为60mpa～160mpa的树脂而构成的具有刚度的片，因此即使是薄化的晶片w，也能够稳定地进行支承并搬送，并且在分割成器件芯片时也不会残留粘接层，不会产生品质降低的问题。

技术特征：
1.一种热压接片，其中，该热压接片是在聚烯烃系树脂中加热混合弯曲强度为60mpa～160mpa的树脂而构成的。2.根据权利要求1所述的热压接片，其中，该聚烯烃系树脂的维卡软化温度为30℃～100℃。3.根据权利要求2所述的热压接片，其中，作为该维卡软化温度为30℃～100℃的聚烯烃系树脂，选择聚乙烯、聚丙烯、聚氯乙烯、聚苯乙烯中的任意树脂。4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的热压接片，其中，作为该弯曲强度为60mpa～160mpa的树脂，选择聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、丙烯酸系树脂、聚碳酸酯、聚乳酸、聚缩醛中的任意树脂。5.根据权利要求1至4中的任意一项所述的热压接片，其中，对该聚烯烃系树脂混入有体积比为5％～50％的弯曲强度为60mpa～160mpa的树脂。

技术总结
本发明提供热压接片，其是聚烯烃系树脂的热压接片，能够以充分的刚性支承晶片。该热压接片是在聚烯烃系树脂中加热混合弯曲强度为60Mpa～160Mpa的树脂而构成的。60Mpa～160Mpa的树脂而构成的。60Mpa～160Mpa的树脂而构成的。


技术研发人员：有福法久 木村昌照
受保护的技术使用者：株式会社迪思科
技术研发日：2023.02.21
技术公布日：2023/8/28