有机电致发光器件及其制备方法、显示面板、显示装置与流程

1.本技术一般涉及显示技术领域，具体涉及一种有机电致发光器件及其制备方法、显示面板、显示装置。


背景技术：

2.有机发光二极管(organic light emitting diode，oled)作为液晶显示后的新一代发光显示技术，具有可视角宽、对比度高、色彩鲜艳、可柔性显示等优点，已经被普遍应用于各种手机、可穿戴设备中，具有广泛的由于前景。然而，由于有机材料的热稳定性较差，且存在效率滚降，其亮度较低。
3.为了进一步提升有机电致发光器件的发光效率，可以通过研发新的发光材料，或通过特殊的光学结构，然而这些方法研发周期较长，或大幅增加成本。现有器件结构下电子的传输速率大于空穴的传输速率，导致发光主要发生在靠近空穴传输层一侧，进而影响器件发光效率的问题。


技术实现要素：

4.鉴于现有技术中的上述缺陷或不足，期望提供一种有机电致发光器件及其制备方法、显示面板、显示装置，可以促进载流子平衡，提高有机发光二极管效率以及发光效果。
5.第一方面，本技术提供了一种有机电致发光器件，包括第一电极和第二电极以及在所述第一电极和所述第二电极之间依次层叠设置的空穴传输层、发光层、电子传输层，所述发光层包括层叠设置的至少两层发光子层，所述发光层包括主体材料和掺杂在所述主体材料中的客体材料，其中，沿所述空穴传输层至所述电子传输层方向上，所述至少两层发光子层中所述客体材料相对所述主体材料的掺杂比依次递增。
6.可选地，沿所述空穴传输层至所述电子传输层方向上，所述至少两层发光子层的厚度依次递增。
7.可选地，各所述发光子层中所述主体材料相同，和/或各所述发光子层中所述客体材料相同。
8.可选地，所述主体材料包括与所述空穴传输层材料相同的第一主体材料以及与所述电子传输层材料相同的第二主体材料，所述第一主体材料和所述第二主体材料按照一定比例混合。
9.可选地，所述客体材料选自adn、dpvbi、dsa-ph、firpic、ir(ppy)3、ir(piq)3中的一种或多种；
10.所述第一主体材料包括alq3、almq3、bebq2、balq、zn(btz2、pbd、oxd-7、taz、p-ettaz、bphen、bcp、bzos、ppy、pf-py、pf-bpy中的一种或多种；
11.所述第二主体材料包括npb、tpd、tcta、tdata、mtdata、bspb、pczpca1、pczpca2、pczpcn1、cbp、tcpb、czpa中的一种或多种。
12.可选地，所述至少两层发光子层中所述客体材料相对所述主体材料的掺杂比为
0.5％～15％；
13.相邻两层所述发光子层上所述客体材料相对所述主体材料的掺杂比的递增比例为1.2～2。
14.可选地，还包括设置在所述第一电极和所述空穴传输层之间的空穴注入层、设置在所述空穴传输层和所述发光层之间的电子阻挡层、设置在所述发光层与所述电子传输层之间的空穴阻挡层、设置在所述电子传输层与所述第二电极之间的电子注入层。
15.第二方面，本技术提供了一种有机电致发光器件的制备方法，可选地，用于制备如以上任一所述的有机电致发光器件，所述方法包括：
16.依次形成第一电极、空穴传输层、发光层、电子传输层、第二电极，其中，所述发光层包括层叠设置的至少两层发光子层，所述发光层包括主体材料和掺杂在所述主体材料中的客体材料，在沿所述空穴传输层至所述电子传输层方向上，所述至少两层发光子层中所述客体材料相对所述主体材料的掺杂比依次递增。
17.第三方面，本技术提供了一种显示面板，包括如以上任一所述的有机电致发光器件。
18.第四方面，本技术提供了一种显示装置，包括如以上任一所述的有机电致发光器件。
19.本技术的实施例提供的技术方案可以包括以下有益效果：
20.本技术实施例中提供的有机电致发生器件，通过将设置发光层中逐渐增加客体材料的掺杂比，可以有效改善由于发光层中电子的传输速率大于空穴的传输速率导致的载流子注入不平衡问题，增加靠近电子传输层一侧电子和空穴复合的几率，进而扩大电子和空穴的复合中心，有利于扩大复合区域，提升器件效率，提高发光效果。
附图说明
21.通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本技术的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
22.图1为本技术的实施例提供的一种有机电致发光器件的结构示意图；
23.图2为本技术的实施例提供的另一种有机电致发光器件的结构示意图；
24.图3为本技术的实施例提供的一种有机电致发光器件的发光强度与位置的示意图；
25.图4为本技术的实施例提供的再一种有机电致发光器件的结构示意图。
具体实施方式
26.下面结合附图和实施例对本技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关发明，而非对该发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与发明相关的部分。
27.需要说明的是，在不冲突的情况下，本技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本技术。
28.请详见图1，本技术提供了一种有机电致发光器件，包括第一电极11和第二电极15以及在所述第一电极11和所述第二电极15之间依次层叠设置的空穴传输层12、发光层13、
电子传输层14，所述发光层13包括层叠设置的至少两层发光子层，所述发光层13包括主体材料和掺杂在所述主体材料中的客体材料，其中，沿所述空穴传输层12至所述电子传输层14方向上，所述至少两层发光子层中所述客体材料相对所述主体材料的掺杂比依次递增。
29.本技术中有机电致发光器件，在一定电压驱动下，电子和空穴分别从第二电极12和第一电极11注入到电子注入层19和空穴注入层16，电子和空穴分别经过电子传输层14和空穴传输层12迁移到发光层13，并在发光层13中相遇，形成激子并使发光分子激发，使发光有机化合物成为激发态，由此可以从被激发的发光有机化合物得到发光。
30.本技术实施例中提供的有机电致发生器件，通过将设置发光层13中逐渐增加客体材料的掺杂比，可以有效改善由于发光层13中电子的传输速率大于空穴的传输速率导致的载流子注入不平衡问题，增加靠近电子传输层14一侧电子和空穴复合的几率，进而扩大电子和空穴的复合中心，有利于扩大复合区域，提升器件效率。
31.本技术中的发光层13是指设置在第一电极11和第二电极15之间的有机化合物层当中具有发光功能的层。各发光层13中的主体是在发光层13中所包含的材料当中，用作主要组分的材料。更具体地，主体材料是在各发光层13中所包含的材料当中，构成发光层13的大于50w％的材料，客体材料是在各发光层13所包含的材料当中，构成发光层13的小于主体材料占比的材料。发光层13主要是通过主体材料将激子能量有效转移给发光层13客体材料来激发发光层13客体材料发光。
32.本技术在沿电子传输方向上(自第二电极15向第一电极11的方向)上客体材料的浓度逐渐降低，通过增加发光层13靠近电子传输层14界面位置处的客体材料浓度使得主体材料向客体材料进行激子能量转移的难度增加，相反，在沿空穴传输方向上(自第一电极11向第二电极15的方向)上客体材料的浓度逐渐增加，通过降低发光层13靠近空穴传输层12界面位置处的客体材料浓度，使得主体材料向客体材料进行激子能量转移的难度降低，构建空穴传输快速通道，使电子空穴传输达到平衡。
33.可以理解的是，本技术实施例中，所述发光层13中所包含的材料还可以包括辅助材料，例如，热活化延迟荧光材料(tadf)等，通过辅助材料可以促进主体材料向客体材料进行能量转移等，本技术实施例中对此并不限制。
34.本技术中“所述客体材料相对所述主体材料的掺杂比”仅考客体材料与主体材料的含量的比值，本技术中实现沿所述空穴传输层12至所述电子传输层14方向上，所述至少两层发光子层中所述客体材料相对所述主体材料的掺杂比依次递增的方式可以包括增加发光层13中客体材料的掺杂量或者减小发光层13主体材料的含量，本技术对此并不限制。
35.本技术实施例中，主体材料和客体材料在形成所述发光层13时，可以经预混或共蒸镀的方式形成，各发光子层中客体材料与主体材料的掺杂比可以为质量比，例如通过预混方式形成发光层13，也可以为厚度比，例如通过共蒸镀方式形成发光层13。以下将以实施例的方式进行介绍。
36.本技术实施例中，有机电致发光器件设置在衬底基板上，本发明实施例中的有机电致发光器件可以为正向结构，还可以为反向结构，本发明实施例对此不作任何限定，其中，第二电极15设置在第一电极11远离衬底基板的一侧时，有机电致发光器件为正向结构，第二电极15设置在第一电极11靠近衬底基板的一侧时，有机电致发光器件为反向结构，本技术中以有机电致发光器件为正向结构为例进行说明的。
37.衬底基板可以为刚性衬底或柔性衬底，其中，刚性衬底可以为但不限于玻璃、金属萡片中的一种或多种；柔性衬底可以为但不限于聚对苯二甲酸乙二醇酯、对苯二甲酸乙二醇酯、聚醚醚酮、聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚芳基酸酯、聚芳酯、聚酰亚胺、聚氯乙烯、聚乙烯、纺织纤维中的一种或多种。
38.如图2所示，在本技术的一个实施例中，该有机电致发光器件还包括设置在所述第一电极11和所述空穴传输层12之间的空穴注入层16、设置在所述空穴传输层12和所述发光层13之间的电子阻挡层17、设置在所述发光层13与所述电子传输层14之间的空穴阻挡层18、设置在所述电子传输层14与所述第二电极15之间的电子注入层19。
39.本技术实施例中，所述第一电极11为阳极，第二电极15为阴极，其中，第一电极11的材料可以是有助于空穴注入至发光层13的材料，其可以是金属、金属氧化物或组合物，例如，其可以是银、金等或它们的合金，也可以是氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、掺杂氟的sno2(sno2:f，简称为fto)等，当然，第一电极11的材料还可以是其他，在此不再一一列举。优选地，第一电极11的材料可以是氧化铟锡(ito)。可通过真空蒸镀的方式形成第一电极11，也可通过化学气相沉积、涂布、喷墨或丝网印刷等方式形成第一电极11，当然，还可以通过其他方式形成第一电极11，在此不做特殊限定。
40.第二电极15可采用有助于电子注入至发光层13的材料，其可以是银、铝、镁、钙等或它们的合金，当然，第二电极15的材料不仅限于此，还可以是其他材料，在此不再一一列举。优选地，第二电极15的材料可以是铝或镁银合金。
41.空穴注入层16用于提升第一电极11表面功函数并提升空穴注入空穴传输层12；空穴传输层12用于将空穴注入发光层13，可提高空穴迁移率，并使更多的空穴能够传输至发光层13。
42.用于空穴注入层16和空穴传输层12的空穴传输性材料的具体例子包括4，4
’‑
双[n-(1-萘基)-n-苯氨基]联苯(简称：npb或α-npd)、n，n
’‑
双(3-甲基苯基)-n，n
’‑
二苯基-[1，1
’‑
联苯]-4，4
’‑
二胺(简称：tpd)、4，4’，4
”‑
三(咔唑-9-基)三苯胺(简称：tcta)、4,4',4
”‑
三(n,n-二苯氨基)三苯胺(简称：tdata)、4,4',4
”‑
三[n-(3-甲基苯基)-n-苯氨基]三苯胺(简称：mtdata)、4,4'-双[n-(螺-9,9'-二芴-2-基)-n-苯氨基]联苯(简称：bspb)等芳香胺化合物；3-[n-(9-苯基咔唑-3-基)-n-苯氨基]-9-苯基咔唑(简称：pczpca1)；3，6-双[n-(9-苯基咔唑-3-基)-n-苯氨基]-9-苯基咔唑(简称：pczpca2)；3-[n-(1-萘基)-n-(9-苯基咔唑-3-基)氨基]-9-苯基咔唑(简称：pczpcn1)。其他的例子包括4，4'-二(n-咔唑基)联苯(简称：cbp)、1，3，5-三[4-(n-咔唑基)苯基]苯(简称：tcpb)、9-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9h-咔唑(简称：czpa)等咔唑衍生物。注意，只要是空穴传输性比电子传输性高的物质，就也可以使用上述以外的任何物质。
[0043]
电子注入层19，用于修饰第二电极15和电子传输层14界面，提高电子注入电子传输层14；电子传输层14用于将电子注入发光层13，可提高电子迁移率，并使更多的电子鞥能够传输至发光层13。
[0044]
电子传输层14是包含电子传输性高的物质的层。对电子传输层14可以使用金属配合物诸如alq3、三(4-甲基-8-羟基喹啉)铝(简称：almq3)、双(10-羟基苯并[h]喹啉合)铍简称：bebq2)、balq、zn(box)2或双[2-(2-羟基苯基)苯并噻唑]锌(简称：zn(btz)2)。也可以使用杂芳族化合物诸如2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁苯基)-1,3,4-噁二唑(简称：pbd)、1,3-双
[5-(对叔丁苯基)-1,3,4-噁二唑-2-基]苯(简称：oxd-7)、3-(4-叔丁苯基)-4-苯基-5-(4-联苯基)-1,2,4-三唑(简称：taz)、3-(4-叔丁苯基)-4-(4-乙苯基)-5-(4-联苯基)-1,2,4-三唑(简称：p-ettaz)、红菲咯啉(简称：bphen)、浴铜灵(简称：bcp)、4,4'-双(5-甲基苯并噁唑-2-基)茋(简称：bzos)。也可以使用高分子化合物诸如聚(2,5-吡啶二基)(简称：ppy)、聚[(9,9-二己基芴-2,7-二基)-co-(吡啶-3,5-二基)](简称：pf-py)、聚[(9,9-二辛基芴-2,7-二基)-co-(2,2'-联吡啶-6,6'-二基)](简称：pf-bpy)。注意，只要是电子传输性比空穴传输性高的物质，就可以将上述物质之外的任何物质用于电子传输层14。
[0045]
电子注入层19是包含具有高电子注入性的物质的层。作为电子注入层19，可以使用碱金属、碱土金属、或者它们的化合物诸如氟化锂(lif)、氟化铯(csf)、氟化钙(caf2)或氧化锂(liox)。也可以使用如氟化铒(erf3)等的稀土金属化合物。可以将电子盐用于电子注入层19。电子盐的例子包括对氧化钙-氧化铝以高浓度添加电子的物质。可以使用用来形成电子传输层14的上述中的任何物质。
[0046]
电子阻挡层17，用于将发光层13内的电子限制在发光层13内，增大器件发光层13靠近第一电极11界面处电子的浓度；空穴阻挡层18用于将发光层13内的空穴限制在发光层14内，增大器件发光层13靠近第二电极15界面处空穴的浓度。
[0047]
电子阻挡层17能够阻碍电子的传输性，电子阻挡层17的材料可以各自独立为具有空穴传输特性的芳胺类或咔唑类材料，具体例如4,4
’‑
双[n-(1-萘基)-n-苯基氨基]联苯(npb)、n,n
’‑
双(3-甲基苯基)-n,n
’‑
二苯基-[1,1
’‑
联苯]-4,4
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二胺(tpd)、4-苯基-4
’‑
(9-苯基芴-9-基)三苯基胺(baflp)、4,4
’‑
双[n-(9,9-二甲基芴-2-基)-n-苯基氨基]联苯(dfldpbi)、4,4
’‑
二(9-咔唑基)联苯(cbp)、9-苯基-3-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9h-咔唑(pczpa)等。
[0048]
空穴阻挡层18能够阻碍空穴的传输性，空穴阻挡层18的材料可以各自独立为芳族杂环化合物，例如苯并咪唑衍生物、咪唑并吡啶衍生物、苯并咪唑并菲啶衍生物等咪唑衍生物，嘧啶衍生物、三嗪衍生物等嗪衍生物，喹啉衍生物、异喹啉衍生物、菲咯啉衍生物等包含含氮六元环结构的化合物(也包括在杂环上具有氧化膦系的取代基的化合物。具体例如2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(pbd)、1,3-双[5-(对叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑-2-基]苯(oxd-7)、3-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-5-(4-联苯基)-1,2,4-三唑(taz)、3-(4-叔丁基苯基)-4-(4-乙基苯基)-5-(4-联苯基)-1,2,4-三唑(p-ettaz)、红菲咯啉(bphen)、浴铜灵(bcp)、4,4'-双(5-甲基苯并噁唑-2-基)芪(bzos)等。
[0049]
可以理解的是，本技术实施例中并不限制所述有机电致发光器件的层级结构，所述有机电致发光器件还可以包括更多层或者更少层，本技术对此并不限制，在不同实施例中根据需要进行确定。
[0050]
在本技术实施例中并不限制所述发光子层的数量，所述发光子层的数量可以为两层、三层或者更多层。在不同的实施例中根据需要进行设置。可选地，各所述发光子层中所述主体材料相同，和/或各所述发光子层中所述客体材料相同。通过各发光子层中采用相同的主体材料和客体材料，形成较好的能级匹配，可以避免内部对载流子的争夺发生竞争，提高发光效果。
[0051]
可选地，所述主体材料包括与所述空穴传输层12材料相同的第一主体材料以及与所述电子传输层14材料相同的第二主体材料，所述第一主体材料和所述第二主体材料按照
一定比例混合。
[0052]
主体材料通常可由上文中的电子传输层14和空穴传输层12材料构成，或按任意比例(如第二主体材料：第一主体材料＝4:6，比例为质量比或厚度比)混合而成。示例性地，所述第一主体材料包括alq3、almq3、bebq2、balq、zn(btz2、pbd、oxd-7、taz、p-ettaz、bphen、bcp、bzos、ppy、pf-py、pf-bpy中的一种或多种；所述第二主体材料包括npb、tpd、tcta、tdata、mtdata、bspb、pczpca1、pczpca2、pczpcn1、cbp、tcpb、czpa中的一种或多种。
[0053]
客体材料可以为荧光或磷光掺杂剂，常见的蓝色荧光客体材料有adn、dpvbi、dsa-ph，常见的磷光客体材料有firpic(蓝色发光体)，ir(ppy)3(绿色发光体)和ir(piq)3(红色发光体)等，当然，主体和客体材料也可以是其他材料，在此不一一列举。
[0054]
可选地，沿所述空穴传输层12至所述电子传输层14方向上，所述至少两层发光子层的厚度依次递增。本技术实施例中在通过控制发光层13中主体材料和客体材料的掺杂比的基础上，还可以进一步通过控制发光子层的厚度，使得发光层13中电子和空穴的复合中心向电子传输层14一侧的方向上偏移，以提高有机电致发光器件的发光效率。
[0055]
本技术实施例中，所述发光层13的总厚度可以是10-80nm，举例而言，其可以是10nm、30nm、50nm、80nm，当然，还可以是其他厚度，在此不再一一列举。第一发光子层131的厚度可以小于第二发光子层132的厚度，举例而言，若发光层13的总厚度为50nm，则第一发光子层131的厚度可以是15nm，则第二发光子层132的厚度可以是35nm。
[0056]
本技术实施例中，所述至少两层发光子层中所述客体材料相对所述主体材料的掺杂比为0.5％～15％。示例性地，蓝色荧光结构中，客体材料占主体材料的比例介于0.5％-3％；绿色磷光结构中，客体材料占主体材料的比例介于3％-15％；红色磷光结构中，客体材料占主体材料的比例介于1％-5％。本技术中客体材料占比过低，能量从主体到客体的传递不充分，发光效率低；客体材料占比过高，电子或空穴中的一方过剩，可能产生发光猝灭，导致效率降低。
[0057]
另外，相邻两层所述发光子层上所述客体材料相对所述主体材料的掺杂比的递增比例为1.2～2。本技术中“递增比例”为相邻两客体材料的掺杂比的比值，例如，第二发光子层132的客体材料的掺杂比与第一发光子层131的客体材料的掺杂比的比值为1.2～2，其中，第二发光子层132设置在第一发光子层131靠近第二电极15的一侧，举例而言，以绿色为例，若第一发光子层131中客体材料占主体材料的比例为5％，则第二发光子层132中客体材料占主体材料的比例为6％-10％。本技术实施例中控制客体材料的掺杂比的递增比例，可以防止相邻两发光子层上客体材料含量增长过快导致发光猝灭，反而降低发光效果
[0058]
在本技术的一个示例性实施例中，所述发光层13包括第一发光子层131和第二发光子层132，所述第一发光子层131设置在靠近第一电极11的一侧，所述第二发光子层132设置在靠近第二电极15的一侧。其中，第一发光子层131中客体材料相对于主体材料的掺杂比小于第二发光子层132中客体材料相对于主体材料的掺杂比。
[0059]
在本技术实施例中，该有机电致发光器件包括在衬底基板上依次层叠设置的第一电极11/空穴注入层16/空穴传输层12/电子阻挡层17/发光层13/空穴阻挡层18/电子传输层14/电子注入层19/第二电极15，其中发光层13(总厚度35nm)由第一发光子层131(厚度10nm)和第二发光子层132(厚度25nm)组成，其中，第一发光子层131中客体材料占主体材料的掺杂比为6％，第二发光子层132中客体材料占主体材料的掺杂比为8％。
[0060]
本技术实施例中还提供了两种有机电致器件作为对比例，对比例1和对比例2中分别采用的是单发光层13，其中客体材料占主体材料的掺杂比分别为6％和8％。器件性能对比如表1所示，可以看出，本技术中提供的有机电致发光器件的结构(表格中为双发光层13)的效率显著高于其他结构的器件性能水平，且其余性能保持在相当的水平。
[0061]
表1：
[0062] 电压(相对值)器件效率(相对值)器件寿命(相对值)对比例1(6％)100％100％100％对比例2(8％)101％99％105％双发光层100％103％98％
[0063]
在上述方案中，现有器件(例如对比例1或对比例2)空穴和载流子的复合中心往往位于发光层13靠近空穴传输层12一侧(即发光层13靠近空穴传输层12界面的0～10nm)，而在靠近电子传输层14一侧(即发光层13靠近电子传输层14界面的10～40nm)电子和空穴复合的几率较低，通过本技术实施例中提供的有机电致发光器件，提高了靠近电子传输层14(即图3中的10～40nm)一侧电子和空穴复合的几率，因而提高了器件效率。
[0064]
本技术还提供了一种有机电致发光器件的制备方法，可选地，用于制备如以上任一所述的有机电致发光器件，所述方法包括：
[0065]
依次形成第一电极11、空穴传输层12、发光层13、电子传输层14、第二电极15，其中，所述发光层13包括层叠设置的至少两层发光子层，所述发光层13包括主体材料和掺杂在所述主体材料中的客体材料，在沿所述空穴传输层12至所述电子传输层14方向上，所述至少两层发光子层中所述客体材料相对所述主体材料的掺杂比依次递增。
[0066]
在具体制备时，可以通过三源混蒸的方法实现上述方案。例如，可以通过蒸镀腔室设定两个主体材料蒸镀源和一个客体材料蒸镀源，其中两个主体材料的蒸镀速率分别为0.1nm/s和0.05nm/s，客体材料的蒸镀速率为0.015nm/s；在蒸镀第一发光子层131时，三个蒸镀源同时打开，在蒸镀第二发光子层132时将速率较慢的主体材料蒸镀源关闭，实现第一发光子层131中客体材料占主体材料的比例为10％，第二发光子层132中客体材料占主体材料的比例为15％。
[0067]
在具体制备时，还可以通过蒸镀腔室设定一个主体材料和两个客体材料蒸镀源，其中主体材料的蒸镀速率为0.1nm/s，两个客体材料的蒸镀速率为0.005nm/s和0.002nm/s；在蒸镀第一发光子层131时，仅打开主体材料和速率较快的客体材料的蒸镀源，在蒸镀第二发光子层132时，则将所有蒸镀源同时打开，则第一发光子层131中客体材料占主体材料的比例为5％，第二发光子层132中客体材料占主体材料的比例为7％。
[0068]
在本技术的另一个示例性实施例中，发光层13还可以包括三层及三层以上的发光子层，例如，如图4所示，发光层13可以包括第一发光子层131、第二发光子层132和第三发光子层，其中，第三发光子层位于靠近第二发光子层132远离第一发光子层131一侧，其中，第二发光子层132中客体材料占主体材料的比例大于第一发光子层131中客体材料占主体材料的比例外，第三发光子层中客体材料占主体材料的比例大于第二发光子层132中客体材料占主体材料的比例。由于电子和空穴主要在发光层13靠近空穴传输层12的一侧发生复合，在靠近电子传输层14一侧发光几率逐渐变低，上述方案可有效扩大发光复合区域，提升器件效率。其他参数的设置可以参考本技术实施例中发光层13包括两层发光子层的描述，
本技术在此不再赘述。
[0069]
可以理解的是，本技术实施方式的有机电致发光器件还可以包括光提取层，该光提取层可用于提高出光效率，增加显示亮度。光提取层可设于第二电极15远离电子传输层14的一侧，其可以是形成于第二电极15上的透明薄膜，也可以是贴附于第二电极15上的增光片。可通过喷墨印刷、旋涂、涂布等方式将光提取层设置于第二电极15上，当然，也可以将其直接贴附于第二电极15远离电子传输层14的表面。
[0070]
基于相同的发明构思，本技术提供了一种显示面板，包括如以上任一所述的有机电致发光器件。该显示面板可以包括阵列设置多个如以上所述的有机电致发光器件，所述显示面板还可以包括阵列基板、彩膜基板等其它部件，在此不再详述。
[0071]
所述显示面板可以为显示面板可以为主动发光型显示面板，例如有机发光二极管(organic light emitting diode，oled)显示面板，主动矩阵有机发光二极管(active matrix organic light emitting diode，amoled)显示面板，被动矩阵有机发光二极管(passive matrix oled)显示面板、量子点有机发光二极管(quantum dot light emitting diodes，qled)显示面板等。
[0072]
基于相同的发明构思，本技术提供了一种显示装置，包括如以上任一所述的有机电致发光器件。该显示装置可以是柔性显示装置(又称柔性屏)，也可以是刚性显示装置(即不能折弯的显示装置)，这里不做限定。该显示装置可以是oled(organic light-emitting diode，有机发光二极管)显示装置，还可以是包括oled的电视、数码相机、手机、平板电脑等任何具有显示功能的产品或者部件。该显示装置具有显示效果好、寿命长、稳定性高、对比度高等优点。
[0073]
需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
[0074]
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
[0075]
除非另有定义，本文中所使用的技术和科学术语与本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中使用的术语只是为了描述具体的实施目的，不是旨在限制本发明。本文中出现的诸如“设置”等术语既可以表示一个部件直接附接至另一个部件，也可以表示一个部件通过中间件附接至另一个部件。本文中在一个实施方式中描述的特征可以单独地或与其它特征结合地应用于另一个实施方式，除非该特征在该另一个实施方式中不适用或是另有说明。
[0076]
本发明已经通过上述实施方式进行了说明，但应当理解的是，上述实施方式只是用于举例和说明的目的，而非意在将本发明限制于所描述的实施方式范围内。本领域技术人员可以理解的是，根据本发明的教导还可以做出更多种的变型和修改，这些变型和修改均落在本发明所要求保护的范围以内。

技术特征：
1.一种有机电致发光器件，其特征在于，包括第一电极和第二电极以及在所述第一电极和所述第二电极之间依次层叠设置的空穴传输层、发光层、电子传输层，所述发光层包括层叠设置的至少两层发光子层，所述发光层包括主体材料和掺杂在所述主体材料中的客体材料，其中，沿所述空穴传输层至所述电子传输层方向上，所述至少两层发光子层中所述客体材料相对所述主体材料的掺杂比依次递增。2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，沿所述空穴传输层至所述电子传输层方向上，所述至少两层发光子层的厚度依次递增。3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，各所述发光子层中所述主体材料相同，和/或各所述发光子层中所述客体材料相同。4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述主体材料包括与所述空穴传输层材料相同的第一主体材料以及与所述电子传输层材料相同的第二主体材料，所述第一主体材料和所述第二主体材料按照一定比例混合。5.根据权利要求4所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述客体材料选自adn、dpvbi、dsa-ph、firpic、ir(ppy)3、ir(piq)3中的一种或多种；所述第一主体材料包括alq3、almq3、bebq2、balq、zn(btz2、pbd、oxd-7、taz、p-ettaz、bphen、bcp、bzos、ppy、pf-py、pf-bpy中的一种或多种；所述第二主体材料包括npb、tpd、tcta、tdata、mtdata、bspb、pczpca1、pczpca2、pczpcn1、cbp、tcpb、czpa中的一种或多种。6.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述至少两层发光子层中所述客体材料相对所述主体材料的掺杂比为0.5％～15％；相邻两层所述发光子层上所述客体材料相对所述主体材料的掺杂比的递增比例为1.2～2。7.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，还包括设置在所述第一电极和所述空穴传输层之间的空穴注入层、设置在所述空穴传输层和所述发光层之间的电子阻挡层、设置在所述发光层与所述电子传输层之间的空穴阻挡层、设置在所述电子传输层与所述第二电极之间的电子注入层。8.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，用于制备如权利要求1-7任一所述的有机电致发光器件，所述方法包括：依次形成第一电极、空穴传输层、发光层、电子传输层、第二电极，其中，所述发光层包括层叠设置的至少两层发光子层，所述发光层包括主体材料和掺杂在所述主体材料中的客体材料，在沿所述空穴传输层至所述电子传输层方向上，所述至少两层发光子层中所述客体材料相对所述主体材料的掺杂比依次递增。9.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1-7任一所述的有机电致发光器件。10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-7任一所述的有机电致发光器件。

技术总结
本申请公开了一种有机电致发光器件及其制备方法、显示面板、显示装置，包括第一电极和第二电极以及在所述第一电极和所述第二电极之间依次层叠设置的空穴传输层、发光层、电子传输层，所述发光层包括层叠设置的至少两层发光子层，所述发光层包括主体材料和掺杂在所述主体材料中的客体材料，其中，沿所述空穴传输层至所述电子传输层方向上，所述至少两层发光子层中所述客体材料相对所述主体材料的掺杂比依次递增。比依次递增。比依次递增。


技术研发人员：吴淞全 刘明丽 韩城 文官印 杜小波 李彦松
受保护的技术使用者：京东方科技集团股份有限公司
技术研发日：2023.06.20
技术公布日：2023/8/31