模块的制作方法

1.本实用新型涉及在基板安装有电子部件的模块。


背景技术：

2.以往，作为这种模块，例如公知有专利文献1(美国专利第10217711号说明书)中记载的模块。在专利文献1中，公开了一种模块，在基板的一方主面安装有被将电磁波屏蔽的屏蔽膜覆盖的被屏蔽部件和其他部件，任一部件都被密封树脂密封。
3.专利文献1：美国专利第10217711号说明书
4.本实用新型的发明者们基于专利文献1的结构，为了抑制来自外部的电磁波对上述其他部件产生影响，进行具备覆盖上述密封树脂的追加屏蔽膜的模块的开发。在这样的模块中，在现有的屏蔽膜与追加的屏蔽膜之间接地点的电位不同的情况下，在两个屏蔽膜之间产生寄生电容。上述寄生电容可能会引起模块的动作不良。上述寄生电容可以通过扩大两个屏蔽膜之间的距离来降低，但妨碍模块的低矮化。从该观点出发，模块的结构尚有改善的余地。


技术实现要素：

5.因此，本实用新型的目的在于解决上述课题，提供一种降低在两个屏蔽膜之间产生的寄生电容而不妨碍模块的低矮化的模块。
6.为了实现上述目的，本实用新型的一个方式所涉及的模块构成为具备：基板；部件，安装于上述基板的一方主面亦即上表面；第一屏蔽膜，设置于上述部件的上表面；密封树脂，设置于上述基板的上表面，以便密封上述部件；第二屏蔽膜，设置于上述密封树脂的上表面或上方；以及低介电构件，配置在上述第一屏蔽膜与上述第二屏蔽膜之间，具有比上述密封树脂的介电常数低的介电常数。
7.另外，本实用新型的一个方式所涉及的模块的制造方法包括：准备在一方主面亦即上表面安装有具有第一屏蔽膜的部件的基板的步骤；在上述基板的上表面设置密封树脂，以便密封上述部件的步骤；从上述密封树脂的上表面朝向上述第一屏蔽膜除去上述密封树脂的一部分的步骤；在除去上述密封树脂的一部分而形成的空间中，设置具有比上述密封树脂所具有的介电常数低的介电常数的低介电构件的步骤；以及在上述密封树脂的其他部分及上述低介电构件的上表面或上方形成第二屏蔽膜的步骤。
8.根据本实用新型，能够降低在两个屏蔽膜之间产生的寄生电容，而不妨碍模块的低矮化。
附图说明
9.图1是示意性地表示本实用新型的实施方式所涉及的模块的俯视图。
10.图2是图1的模块的a1-a1线剖视图。
11.图3是放大了低介电构件与外部屏蔽膜的接触部分的示意图。
12.图4是表示氮官能团的构造的图。
13.图5是示意性地表示本实用新型的实施方式所涉及的模块的制造方法的一个例子的剖视图。
14.图6是表示接着图5的工序的剖视图。
15.图7是表示接着图6的工序的剖视图。
16.图8是表示接着图7的工序的剖视图。
17.图9是表示接着图8的工序的剖视图。
18.图10是示意性地表示本实用新型的实施方式所涉及的模块的制造方法的另一例的剖视图。
19.图11是表示接着图10的工序的剖视图。
20.图12是表示接着图11的工序的剖视图。
21.图13是示意性地表示本实用新型的实施方式所涉及的模块的制造方法的又一例的剖视图。
22.图14是表示接着图13的工序的剖视图。
23.图15是表示接着图14的工序的剖视图。
具体实施方式
24.根据本实用新型的第一方式，提供一种模块，具备：基板；部件，安装于上述基板的一方主面亦即上表面；第一屏蔽膜，设置于上述部件的上表面；密封树脂，设置于上述基板的上表面，以便密封上述部件；第二屏蔽膜，设置于上述密封树脂的上表面或上方；以及低介电构件，配置在上述第一屏蔽膜与上述第二屏蔽膜之间，具有比上述密封树脂的介电常数低的介电常数。
25.根据本实用新型的第二方式，提供第一方式所记载的模块，其特征在于，上述低介电构件形成为锥状，使得上述第二屏蔽膜侧的上表面的面积比上述第一屏蔽膜侧的下表面的面积大。
26.根据本实用新型的第三方式，提供第一方式或第二方式所记载的模块，其特征在于，上述第一屏蔽膜还设置于上述部件的侧面，设置于上述部件的上表面的上述第一屏蔽膜的表面粗糙度比设置于上述部件的侧面的上述第一屏蔽膜的表面粗糙度粗糙。
27.根据本实用新型的第四方式，提供第一方式～第三方式中的任一个所记载的模块，其特征在于，上述第一屏蔽膜及上述第二屏蔽膜中的至少一方与上述低介电构件接触。
28.根据本实用新型的第五方式，提供第四方式所记载的模块，其特征在于，与上述低介电构件接触的上述第二屏蔽膜由作为钝态金属且过渡金属的金属或者包含该金属的合金形成，与上述金属或者包含该金属的合金接触的上述低介电构件的表面具有氮官能团。
29.根据本实用新型的第六方式，提供一种模块的制造方法，包括：准备在一方主面亦即上表面安装有具有第一屏蔽膜的部件的基板的步骤；在上述基板的上表面设置密封树脂，以便密封上述部件的步骤；从上述密封树脂的上表面朝向设置于上述部件的上表面的上述第一屏蔽膜除去上述密封树脂的一部分的步骤；在除去上述密封树脂的一部分而形成的空间中，设置具有比上述密封树脂所具有的介电常数低的介电常数的低介电构件的步骤；以及在上述密封树脂的其他部分及上述低介电构件的上表面或上方形成第二屏蔽膜的
步骤。
30.根据本实用新型的第七方式，提供一种模块的制造方法，包括：准备在一方主面亦即上表面安装有具有第一屏蔽膜的部件的基板的步骤；在设置于上述部件的上表面的上述第一屏蔽膜的上表面设置介电构件的步骤；在上述基板的上表面设置密封树脂，以便密封上述部件和上述介电构件的步骤；以及在上述密封树脂的上表面及上述介电构件的上方形成第二屏蔽膜的步骤，上述介电构件是具有比上述密封树脂所具有的介电常数低的介电常数的低介电构件。
31.根据本实用新型的第八方式，提供第七方式所记载的模块的制造方法，其特征在于，在设置上述密封树脂的步骤之后，还包括除去上述密封树脂的一部分而使上述介电构件的上表面露出的步骤，形成上述第二屏蔽膜的步骤在上述露出的上述介电构件的上表面及上述密封树脂的其他部分的上表面形成上述第二屏蔽膜。
32.以下，参照附图对本实用新型的实施方式进行说明。此外，本实用新型不限定于以下的实施方式。另外，在附图中，对实质上相同的构件标注相同的附图标记，由此省略说明。
33.另外，以下，为了便于说明，使用“上表面”、“下表面”、“侧面”等表示方向的用语。然而，这些用语并不意味着限定本实用新型所涉及的模块的使用状态等。
34.《实施方式》
35.参照图1及图2，对本实用新型的实施方式所涉及的模块进行说明。图1是示意性地表示本实用新型的实施方式所涉及的模块的俯视图。图2是图1的模块的a1-a1线剖视图。
36.本实施方式所涉及的模块1具备基板2和安装于基板2的一方主面亦即上表面2a的部件31、32。在部件31的上表面31a设置有作为第一屏蔽膜的一个例子的内部屏蔽膜5。在本实施方式中，内部屏蔽膜5也设置于部件31的侧面31b。设置于部件31的上表面31a的内部屏蔽膜5的表面粗糙度比设置于部件31的侧面的内部屏蔽膜5的表面粗糙度粗糙。本实施方式中的表面粗糙度作为根据jis(日本工业标准)b0601(2013)(对应国际标准：iso 4287：1997)的算术平均粗糙度(ra)被测定。表面粗糙度的测定例如能够使用触针式表面粗糙度测定器或非接触式表面粗糙度测定器。触针式表面粗糙度测定器是使针碰触被测定物的表面并进行扫描，测定凹凸形状的装置。非接触式表面粗糙度测定器是对被测定物的表面照射激光或光并进行扫描，测定凹凸形状的装置。作为非接触式表面粗糙度测定器，例如能够使用keyence公司制的激光式的vk-120(型号)，或者keyence公司制的光学式的vr-3000(型号)。
37.另外，模块1具备密封树脂4，该密封树脂4设置于基板2的上表面2a，以便密封部件31、32。在密封树脂4的上表面4a设置有作为第二屏蔽膜的一个例子的外部屏蔽膜7。在内部屏蔽膜5与外部屏蔽膜7之间设置有具有比密封树脂4的介电常数低的介电常数的低介电构件6。以下，本实施方式中的介电常数作为根据jis(日本工业标准)c2138(2007)(对应国际标准：iec 60250：1969)的相对介电常数(εr)被测定。低介电构件6的上表面6a与外部屏蔽膜7相互对置。低介电构件6的下表面6c与内部屏蔽膜5相互对置。低介电构件6的侧面6b被密封树脂4覆盖。
38.如图2所示，基板2具有一方主面亦即上表面2a、另一方主面亦即下表面2c、以及连接上表面2a及下表面2c的外周部的侧面2b。基板2可以是单层基板或多层基板中的任一种。基板2例如由玻璃环氧树脂、低温共烧陶瓷或高温共烧陶瓷构成。
39.在基板2的上表面2a设置有安装电极(未图示)。部件31、32经由焊料凸块21安装于安装电极。部件31、32例如是电阻器、电容器、电感器、滤波器，或者集成电路或功率放大器等半导体元件。滤波器是表面声波滤波器、体声波滤波器、陶瓷lc滤波器等。在本实施方式中，设置有多个种类的部件32。
40.安装电极例如由铜(cu)、银(ag)、铝(al)，或者这些金属的化合物的导电材料构成。也可以在安装电极施加镍(ni)/金(au)镀层。
41.部件31的上表面31a及侧面31b被内部屏蔽膜5覆盖。内部屏蔽膜5由作为钝态金属且过渡金属的金属或者包含该金属的合金形成，屏蔽电磁波。
42.内部屏蔽膜5例如通过溅射法或蒸镀法形成。内部屏蔽膜5的膜厚例如为2μm以上且小于5μm。
43.内部屏蔽膜5屏蔽从外部或者从部件32辐射的电磁波。因此，部件31不易受到从外部或者从部件32辐射的电磁波的影响。因此，能够抑制部件31的动作不良。另外，内部屏蔽膜5也屏蔽部件31辐射的电磁波。因此，部件32不易受到部件31辐射的电磁波的影响。因此，也能够抑制部件32的动作不良。
44.部件31、32被设置于基板2的上表面2a的密封树脂4密封。密封树脂4具有与基板2的上表面2a抵接的抵接面4c、与抵接面4c对置的上表面4a、以及连接上表面4a及上述抵接面的外周部的侧面4b。
45.密封树脂4例如由环氧树脂构成。另外，密封树脂4例如也可以含有二氧化硅填料或氧化铝的填料。密封树脂4所具有的介电常数的值为3.5以上且4.0以下。
46.低介电构件6例如由聚四氟乙烯(ptfe)、热固化性低介电树脂或液晶聚合物(lcp)构成。低介电构件6具有比密封树脂4的介电常数低的介电常数。例如，ptfe的介电常数为2.1。作为热固化性低介电树脂的一个例子的信越化学工业公司制“slk系列”的介电常数为2.3。lcp的介电常数为3.0。此外，低介电构件6为了确保构件本身的强度，也可以含有二氧化硅填料或氧化铝等的填料。为了获得低介电常数，填料的含量优选比密封树脂4少。
47.外部屏蔽膜7例如通过溅射法或蒸镀法形成。外部屏蔽膜7的膜厚例如可以为2μm以上且小于5μm。
48.外部屏蔽膜7屏蔽从外部辐射的电磁波。因此，部件31、32不易受到从外部辐射的电磁波的影响。因此，能够抑制部件31、32的动作不良。另外，外部屏蔽膜7也屏蔽部件31、32辐射的电磁波。因此，部件31、32不易对外部产生电磁波的影响。因此，例如在模块1搭载于母基板时，也能够抑制搭载于母基板的其他电子部件的动作不良。
49.内部屏蔽膜5及外部屏蔽膜7也可以具有多层构造。例如，外部屏蔽膜7具有层叠于低介电构件6的密接膜、层叠于密接膜的导电膜、以及层叠于导电膜的保护膜。密接膜是为了提高低介电构件6与导电膜的密接性而设置的，例如由不锈钢(sus)构成。导电膜具有屏蔽电磁波的功能，例如由铜(cu)、银(ag)或铝(al)构成。保护膜是为了保护导电膜不被腐蚀或损伤等而设置的，例如由不锈钢(sus)构成。内部屏蔽膜5也可以是同样的结构。
50.另外，在本实施方式中，外部屏蔽膜7由作为钝态金属且过渡金属的金属或者包含该金属的合金形成。这里所说的“钝态金属”是指容易形成钝态的金属。即，密接层的材料与氧结合而被氧化，形成钝态。作为是钝态金属且过渡金属的金属，例如具有钛(ti)、铬(cr)、镍(ni)或钼(mo)。另外，作为包含该金属的合金，例如具有不锈钢(sus)。
51.如图3所示，例如，与外部屏蔽膜7接触的低介电构件6的表面能够包含氮官能团。氮官能团如图4所示。在图3中，外部屏蔽膜7具有密接膜70a、导电膜70b以及保护膜70c。密接膜70a与低介电构件6接触。在密接膜70a与低介电构件6的边界面附近形成有氮官能团。图中的“x”是指作为钝态金属且过渡金属的金属的原子。图中的“o”是指氧原子。此外，与“x”结合的“o”存在于低介电构件6所含有的填料中。
52.在本实施方式中，密接层由作为钝态金属且过渡金属的金属或者包含该金属的合金形成。通过在形成密接层之前在低介电构件6的表面形成氮官能团，密接层的过渡金属能够通过配位结合与氮官能团密接。作为在低介电构件6的表面形成氮官能团的方法，例如具有照射氮离子的方法。通过照射氮离子，低介电构件6的表面变质而生成氮官能团。由于钝态金属的性质，密接层也与低介电构件6所含有的填料密接。通过照射氮离子，低介电构件6的表面被蚀刻。其结果，低介电构件6所含有的填料在氮离子的照射后的低介电构件6的表面露出。由于填料中存在容易与密接层的钝态金属结合的氧，因此密接层的钝态金属与露出的填料的氧结合，密接层也与填料密接。优选在照射氮离子时，例如增加氮导入量，降低离子加速电压，使氮官能团生成率比蚀刻率高。
53.在与基板2的上表面2a正交的方向上，内部屏蔽膜5与外部屏蔽膜7例如以100μm的接近的间隔配置。在这两个屏蔽膜之间产生寄生电容。
54.若将设置在两个屏蔽膜之间的构件的介电常数设为ε，将两个屏蔽膜之间的距离设为d，将内部屏蔽膜5的上表面的面积设为s，则寄生电容的值c能够用c＝εs/d[f]表示。即，通过使设置在两个屏蔽膜之间的构件的介电常数的值减小，或者扩大两个屏蔽膜之间的距离等，能够降低在两个屏蔽膜之间产生的寄生电容。
[0055]
(实施例1)
[0056]
接下来，对本实用新型的实施方式所涉及的模块的制造方法进行说明。图5～图9是示意性地表示作为本实用新型的实施方式所涉及的模块的制造方法的一个例子的实施例1中的各工序的剖视图。
[0057]
首先，如图5所示，准备在上表面2a安装有具有内部屏蔽膜5的部件31的基板2。在部件31的上表面31a设置有内部屏蔽膜5。另外，在部件31的侧面31b也设置有内部屏蔽膜5。在基板2的上表面2a还安装有部件32。部件31、32经由焊料凸块21安装于设置在基板2的上表面2a的安装电极。
[0058]
接着，如图6所示，在基板2的上表面2a设置密封树脂4，以便密封部件31、32。此时，密封树脂4密封部件31、32和内部屏蔽膜5。
[0059]
接着，如图7所示，将密封树脂4的一部分除去而形成空间。具体而言，将密封内部屏蔽膜5的上方的密封树脂4的一部分除去。密封树脂4的一部分例如通过激光以从密封内部屏蔽膜5的上方的密封树脂4的一部分的上表面4a朝向设置于部件31的上表面31a的内部屏蔽膜5的上表面挖入的方式被除去。
[0060]
在利用激光除去密封内部屏蔽膜5的上方的密封树脂4时，形成内部屏蔽膜5的材料不易供激光透过。即，即使对内部屏蔽膜5照射激光，部件31也不易损伤，因此能够可靠地除去内部屏蔽膜5的上方的密封树脂4。
[0061]
当利用激光除去密封内部屏蔽膜5的上方的密封树脂4的一部分时，如图7所示，形成由密封树脂4和内部屏蔽膜5构成的空间即凹部4d。所形成的凹部4d呈锥状扩展，使得凹
部4d的开口部的面积比内部屏蔽膜5的上表面5a的面积大。此时，在内部屏蔽膜5的上表面5a的外侧，密封树脂4被除去得比上表面5a深，因此内部屏蔽膜5的侧面5b的一部分也可以从密封树脂4露出。
[0062]
接着，如图8所示，在凹部4d形成低介电构件6。换言之，在除去密封树脂4的一部分而形成的空间中形成低介电构件6。即，低介电构件6形成为锥状，使得外部屏蔽膜7侧的上表面6a的面积比内部屏蔽膜5侧的下表面6c的面积大。
[0063]
接着，如图9所示，在密封树脂4的其他部分的上表面4a及低介电构件6的上表面6a形成外部屏蔽膜7。另外，外部屏蔽膜7形成于密封树脂4的侧面4b和基板2的侧面2b。此时，在与基板2的上表面2a正交的方向上，低介电构件6配置在内部屏蔽膜5与外部屏蔽膜7之间。由此，能够获得图9所示的模块1。
[0064]
此外，为了提高内部屏蔽膜5与低介电构件6接触时的密接性，也可以对内部屏蔽膜5的表面或者低介电构件6的表面进行表面处理。
[0065]
例如，也可以通过一边使氩气流过内部屏蔽膜5一边使等离子体与该内部屏蔽膜5碰触，来除去密封树脂4的残渣，并且使内部屏蔽膜5的上表面5a粗糙。通过一边使氩气流过内部屏蔽膜5一边使等离子体与该内部屏蔽膜5碰触，能够使内部屏蔽膜5的上表面5a比侧面5b粗糙，能够提高内部屏蔽膜5的上表面5a与低介电构件6的密接性。
[0066]
(实施例2)
[0067]
接下来，对本实用新型所涉及的模块的制造方法的另一例进行说明。图5及图10～图12是示意性地表示作为本实用新型的实施方式所涉及的模块的制造方法的一个例子的实施例2中的各工序的剖视图。
[0068]
首先，准备在上表面2a安装有具有内部屏蔽膜5的部件31的基板2的工序如图5所示与实施例1相同，因此省略详细的说明。接着，如图10所示，在内部屏蔽膜5的上表面5a设置低介电构件6。低介电构件6经由粘接剂固定于内部屏蔽膜5的上表面5a。
[0069]
接着，如图11所示，在基板2的上表面2a设置密封树脂4，以便密封部件31、32和低介电构件6。密封树脂4也密封内部屏蔽膜5。此时，低介电构件6通过粘接剂固定于内部屏蔽膜5的上表面5a，因此能够抑制在设置密封树脂4时偏移。
[0070]
接着，如图12所示，在密封树脂4的上表面4a及低介电构件6的上方形成外部屏蔽膜7。另外，外部屏蔽膜7形成于基板2的侧面2b和密封树脂4的侧面4b。此时，在与基板2的上表面2a正交的方向上，低介电构件6配置在内部屏蔽膜5与外部屏蔽膜7之间。由此，能够获得图12所示的模块1。
[0071]
(实施例3)
[0072]
接下来，对本实用新型所涉及的模块的制造方法的又一例进行说明。图5～图6及图13～图15是示意性地表示作为本实用新型的实施方式所涉及的模块的制造方法的一个例子的实施例3中的各工序的剖视图。
[0073]
首先，准备在一方主面亦即上表面2a安装有具有内部屏蔽膜5的部件31的基板2的工序如图5所示与实施例1及实施例2相同。接着，在基板2的上表面2a设置密封树脂4以便密封部件31、32的工序如图6所示与实施例1相同。因此，省略它们的详细说明。接着，如图13所示，从密封树脂4的上表面4a朝向内部屏蔽膜5除去密封树脂4的一部分，以使部件31、32不露出。即，在内部屏蔽膜5的上表面，密封树脂4未被除去而残留。作为一个例子，通过研磨密
封树脂4的整个上表面4a而除去密封树脂4的一部分，直到从图6所示的状态成为图13所示的状态。
[0074]
接着，如图14所示，在除去密封树脂4的一部分而形成的空间中，设置具有比密封树脂4所具有的介电常数低的介电常数的低介电构件6。即，如图14所示，低介电构件6遍及密封树脂4的整个上表面4a地设置。为了提高低介电构件6与密封树脂4的密接性，例如能够对低介电构件6进行冲压，以便消除由空气产生的低介电构件6与密封树脂4的上表面4a之间的间隙。
[0075]
接着，如图15所示，在密封树脂4的其他部分的上方及低介电构件6的上表面6a形成外部屏蔽膜7。另外，外部屏蔽膜7形成于密封树脂4的侧面4b和基板2的侧面2b。即，在与基板2的上表面2a正交的方向上，低介电构件6配置在内部屏蔽膜5与外部屏蔽膜7之间。由此，能够获得图15所示的模块1。根据这样的方法，在未被内部屏蔽膜5覆盖的部件32的上方也设置有低介电构件6，因此能够降低模块1整体的寄生电容。
[0076]
根据本实施方式所涉及的模块，具备：基板2；部件31、32，安装于基板2的一方主面亦即上表面2a；内部屏蔽膜5，设置于部件31的上表面；以及密封树脂4，设置于基板2的上表面2a，以便密封部件31。另外，具备：外部屏蔽膜7，设置于密封树脂4的上表面4a或上方；和低介电构件6，配置在内部屏蔽膜5与外部屏蔽膜7之间，具有比密封树脂4的介电常数低的介电常数。
[0077]
根据这样的结构，在内部屏蔽膜5与外部屏蔽膜7之间设置有具有比密封树脂4的介电常数低的介电常数的低介电构件6。其结果，能够降低在内部屏蔽膜5与外部屏蔽膜7之间产生的寄生电容，而不妨碍模块1的低矮化。
[0078]
另外，根据本实施方式所涉及的模块，低介电构件6形成为锥状，使得外部屏蔽膜7侧的上表面的面积比内部屏蔽膜5侧的下表面的面积大。根据这样的结构，外部屏蔽膜7与低介电构件6的接触面的面积进一步扩大。其结果，能够使外部屏蔽膜7与低介电构件6不易相互剥离。
[0079]
另外，根据本实施方式所涉及的模块，内部屏蔽膜5还设置于部件31的侧面，设置于部件31的上表面31a的内部屏蔽膜5的表面粗糙度比设置于部件31的侧面的内部屏蔽膜5的表面粗糙度粗糙。根据这样的结构，低介电构件6与设置于部件31的上表面31a的内部屏蔽膜5进一步密接。其结果，能够更可靠地降低在内部屏蔽膜5与外部屏蔽膜7之间产生的寄生电容，而不妨碍模块1的低矮化。
[0080]
另外，根据本实施方式所涉及的模块，内部屏蔽膜5及外部屏蔽膜7中的至少一方与低介电构件6接触。根据这样的结构，低介电构件6与内部屏蔽膜5及外部屏蔽膜7中的至少一方接触，而不隔着密封树脂4。其结果，能够更可靠地降低在内部屏蔽膜5与外部屏蔽膜7之间产生的寄生电容，而不妨碍模块1的低矮化。
[0081]
另外，根据本实施方式所涉及的模块，与低介电构件6接触的外部屏蔽膜7由作为钝态金属且过渡金属的金属或者包含该金属的合金形成。另外，与上述金属或者包含该金属的合金接触的低介电构件6的表面具有氮官能团。根据这样的结构，通过利用外部屏蔽膜7的密接层所具有的作为钝态金属的性质，密接层的材料与氧结合而被氧化，形成钝态。另外，通过利用外部屏蔽膜7的密接层所具有的作为过渡金属的性质，密接层的材料与形成于低介电构件6的表面的氮官能团配位结合。因此，使低介电构件6与外部屏蔽膜7进一步密
接。其结果，能够降低在内部屏蔽膜5与外部屏蔽膜7之间产生的寄生电容，而不妨碍模块1的低矮化。
[0082]
根据本实施例所涉及的模块的制造方法，包括：准备在一方主面亦即上表面2a安装有具有内部屏蔽膜5的部件31的基板2的步骤；和在基板2的上表面2a设置密封树脂4，以便密封部件31的步骤。另外，包括从密封树脂4的上表面4a朝向设置于部件31的上表面31a的内部屏蔽膜5除去密封树脂4的一部分的步骤。另外，包括在除去密封树脂4的一部分而形成的空间中设置具有比密封树脂4所具有的介电常数低的介电常数的低介电构件6的步骤。还包括在密封树脂4的其他部分及低介电构件6的上表面6a或上方形成外部屏蔽膜7的步骤。根据这样的方法，在内部屏蔽膜5与外部屏蔽膜7之间设置有具有比密封树脂4的介电常数低的介电常数的低介电构件6。其结果，能够降低在内部屏蔽膜5与外部屏蔽膜7之间产生的寄生电容，而不妨碍模块1的低矮化。
[0083]
另外，根据本实施例所涉及的模块的制造方法，包括准备在一方主面亦即上表面2a安装有具有内部屏蔽膜5的部件31的基板2的步骤。另外，包括在设置于部件31的上表面31a的内部屏蔽膜5的上表面5a设置介电构件的步骤。另外，包括：在基板2的上表面2a设置密封树脂4，以便密封部件31和上述介电构件的步骤；和在密封树脂4的上表面4a及上述介电构件的上方形成第二屏蔽膜的步骤。另外，上述介电构件是具有比密封树脂4所具有的介电常数低的介电常数的低介电构件6。根据这样的方法，在内部屏蔽膜5与外部屏蔽膜7之间设置有具有比密封树脂4的介电常数低的介电常数的低介电构件6。其结果，能够降低在两个屏蔽膜之间产生的寄生电容，而不妨碍模块的低矮化。
[0084]
此外，本实用新型不限定于上述实施方式及实施例，能够以其他各种方式实施。例如，在上述，部件31是电阻器、电容器、电感器、滤波器，或者集成电路或功率放大器等半导体元件，但本实用新型不限定于此。部件31也可以是由基板、部件、密封树脂以及屏蔽膜构成，并安装于基板2的上表面2a的子模块。
[0085]
另外，在上述，为了设置用于呈锥状形成低介电构件6的凹部，利用激光除去密封树脂4的一部分，但本实用新型不限定于此。例如，在密封树脂4由感光性的树脂构成时，也可以通过利用湿式蚀刻除去密封树脂4的一部分而设置用于呈锥状形成低介电构件6的凹部。
[0086]
另外，在上述，部件31、32经由焊料凸块21安装于安装电极，但本实用新型不限定于此。例如，部件31、32也可以经由导电性粘接剂或导电膏安装于安装电极。
[0087]
另外，在上述，外部屏蔽膜7和低介电构件6能够通过设置于低介电构件6的表面的氮官能团密接，但本实用新型不限定于此。例如，密封树脂4和低介电构件6也可以通过设置于低介电构件6的表面的氮官能团密接。
[0088]
另外，在上述实施例2中，在基板2的上表面2a设置密封树脂4以便密封部件31、32和低介电构件6之后，在密封树脂4的上表面4a及低介电构件6的上方形成外部屏蔽膜7，但本实用新型不限定于此。例如，也可以在设置密封树脂4的步骤之后还包括除去密封树脂4的一部分而使低介电构件6的上表面6a露出的步骤。另外，接着使低介电构件6的上表面6a露出的步骤，形成外部屏蔽膜7的步骤也可以在上述露出的低介电构件6的上表面6a及密封树脂4的其他部分的上表面4a形成外部屏蔽膜7。根据这样的方法，进入内部屏蔽膜5与外部屏蔽膜7之间的密封树脂4被除去。另外，在除去密封树脂4时，低介电构件6的一部分也被除
去，低介电构件6的表面变粗糙，使低介电构件6与外部屏蔽膜7的密接性提高。其结果，能够更可靠地降低在两个屏蔽膜之间产生的寄生电容，而不妨碍模块的低矮化。
[0089]
产业上的可利用性
[0090]
根据本实用新型所涉及的模块，能够降低在两个屏蔽膜之间产生的寄生电容而不妨碍模块的低矮化，因此例如对具备在基板的厚度方向上重叠的两个以上的屏蔽膜的模块是有用的。
[0091]
附图标记说明
[0092]
1...模块；2...基板；2a...上表面；2b...侧面；2c...下表面；21...焊料凸块；31、32
…
部件；31a...上表面；31b...侧面；4...密封树脂；4a...上表面；4b...侧面；4c...抵接面；4d...凹部；5...内部屏蔽膜；5a...上表面；5b...侧面；6...低介电构件；6a...上表面；6b...侧面；6c...下表面；7...外部屏蔽膜；70a...密接膜；70b...导电膜；70c...保护膜。

技术特征：
1.一种模块，其特征在于，具备：基板；部件，安装于所述基板的一方主面亦即上表面；第一屏蔽膜，设置于所述部件的上表面；密封树脂，以密封所述部件的方式设置于所述基板的上表面；第二屏蔽膜，设置于所述密封树脂的上表面或上方；以及低介电构件，配置在所述第一屏蔽膜与所述第二屏蔽膜之间，具有比所述密封树脂的介电常数低的介电常数。2.根据权利要求1所述的模块，其特征在于，所述低介电构件以所述第二屏蔽膜侧的上表面的面积比所述第一屏蔽膜侧的下表面的面积大的方式形成为锥状。3.根据权利要求1或2所述的模块，其特征在于，所述第一屏蔽膜还设置于所述部件的侧面，设置于所述部件的上表面的所述第一屏蔽膜的表面粗糙度比设置于所述部件的侧面的所述第一屏蔽膜的表面粗糙度粗糙。4.根据权利要求1或2所述的模块，其特征在于，所述第一屏蔽膜及所述第二屏蔽膜中的至少一方与所述低介电构件接触。5.根据权利要求4所述的模块，其特征在于，与所述低介电构件接触的所述第二屏蔽膜由作为钝态金属且作为过渡金属的金属或者包含该金属的合金形成，与所述金属或者包含该金属的合金接触的所述低介电构件的表面具有氮官能团。

技术总结
本实用新型涉及模块。本实用新型提供一种能够降低在两个屏蔽膜之间产生的寄生电容，而不妨碍模块的低矮化的模块及其制造方法。本实用新型所涉及的模块具备：基板；部件，安装于基板的一方主面亦即上表面；第一屏蔽膜，设置于部件的上表面；密封树脂，设置于上述基板的上表面，以便密封上述部件；第二屏蔽膜，设置于上述密封树脂的上表面或上方；以及低介电构件，配置在上述第一屏蔽膜与上述第二屏蔽膜之间，具有比上述密封树脂的介电常数低的介电常数。具有比上述密封树脂的介电常数低的介电常数。具有比上述密封树脂的介电常数低的介电常数。


技术研发人员：冈部凉平 野村忠志
受保护的技术使用者：株式会社村田制作所
技术研发日：2021.08.17
技术公布日：2023/9/3