一种半导体Grid部件化学清洗溢流模具的制作方法

一种半导体grid部件化学清洗溢流模具
技术领域
1.本实用新型涉及清洗模具的技术领域，具体而言，涉及一种半导体grid部件化学清洗溢流模具。


背景技术：

2.化学品清洗冲刷的方法常被用于半导体设备的清洗，在清洗的过程中存在一些不足之处仍需要进行改进，氢氟酸和过氧化氢混合物，来进行清洗。然而，这种方法会导致毒性和腐蚀性很强的介质使用。而化学清洗液的反应恶化会产生气泡，在气泡产生后，很难控制它们的运动方向，并且气泡带来的刺激力还会对grid表面造成损伤。
3.grid作为半导体蚀刻工艺的设备零部件，由于其表面结构比较特殊，呈多孔状，普通的冲刷方式无法提供足够强度的水压，孔洞内仍存在污染物残留，从而容易造成孔洞腐蚀，降低产品使用寿命，因此我们对此做出改进，提出一种半导体grid部件化学清洗溢流模具。


技术实现要素：

4.本实用新型的目的在于：针对目前存在的背景技术提出的问题，为了实现上述实用新型目的，本实用新型提供了以下技术方案：一种半导体grid部件化学清洗溢流模具，包括上盖板、冲洗分布板及底座，其特征在于：所述底座的顶部利用螺栓安装有冲洗分布板；所述冲洗分布板的底部通过螺栓安装有o型圈槽；所述o型圈槽的上端通过螺栓安装有上盖板，上盖板的中间位置通过气管快速接头设置连接pfa泵。
5.作为本技术优选的技术方案，所述上盖板两侧安装有提拉把手。
6.作为本技术优选的技术方案，所述上盖板、所述冲洗分布板和所述底座均为pfa材质。
7.作为本技术优选的技术方案，所述o型圈槽的上端通过螺栓安装有上盖板，所述o型圈槽上设置有密封圈，所述密封圈采用橡胶材质。
8.作为本技术优选的技术方案，所述pfa泵中设置有10～30％hno3溶液，所述pfa泵为隔膜泵，所述pfa泵的流量为每分钟20-30升。
9.作为本技术优选的技术方案，所述底座下方安装有水槽，所述水槽内设置有输水管道。
10.作为本技术优选的技术方案，所述气管快速接头的与清洗溢流内管道连接，所述o型圈槽的下方设置有圈槽内槽。
11.作为本技术优选的技术方案，所述圈槽内槽与所述底座之间设置有内板。
12.与现有技术相比，本实用新型的有益效果：
13.在本技术的方案中：
14.1.通过将待冲洗的grid产品规范放入含有o型圈槽的底座中，通过螺栓将上盖板和底座紧密连接起来，o型圈槽可使模具达到更好的密封效果，通过模具实现高压冲洗产
品，洗净孔洞污染物的溢流效果，待产品清洗完成后，松开螺栓取下产品即可。
15.2.通过上盖板的中间位置通过气管快速接头设置连接pfa泵，两侧安装有提拉把手，便于放置或提取上盖板；其中，pfa泵中含有10～30％hno3溶液，进入到冲洗分布板中，并反复抽吸，可均匀地冲洗产品孔洞；其中，底座下方安装有水槽，用来承接孔洞冲洗后流下的化学品，经过清洗完成后，可有效将孔洞内存在污染物残留进行清理干净，防止造成孔洞腐蚀，提高产品使用寿命。
附图说明：
16.图1为本技术提供的结构示意图。
17.图2为本技术提供的主视结构示意图。
18.图3为本技术提供的俯视结构示意图。
19.图4为本技术提供的剖视结构示意图。
20.图中标示：1-上盖板；2-冲洗分布板；3-提拉把手；4-气管快速接头；5-底座；6-o型圈槽；7-清洗溢流内管道；8-圈槽内槽；9-内板。
具体实施方式
21.为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述。显然，所描述的实施例是本实用新型的一种具体实施方式，不限于全部的实施例。
22.因此，以下对本实用新型的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本实用新型的范围，而是仅仅表示本实用新型的部分实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
23.需要说明的是，在不冲突的情况下，本实用新型中的实施例及实施例中的特征和技术方案可以相互组合，应注意到，相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
24.实施例1：请参阅图1-4，一种半导体grid部件化学清洗溢流模具，包括上盖板1、冲洗分布板2及底座5，其特征在于：底座5的顶部利用螺栓安装有冲洗分布板2；冲洗分布板2的底部通过螺栓安装有o型圈槽6；o型圈槽6的上端通过螺栓安装有上盖板1，上盖板1的中间位置通过气管快速接头4设置连接pfa泵。
25.上盖板1的中间位置有气管快速接头4，用于连接pfa泵，两侧安装有提拉把手3。冲洗分布板2的底部通过螺栓安装有o型圈槽6。上盖板1、冲洗分布板2和底座5均为pfa材质。底座5的顶部利用螺栓安装有冲洗分布板2。o型圈槽6的上端通过螺栓安装有上盖板1，o型圈槽6上设置有密封圈，密封圈采用橡胶材质。pfa泵中设置有10～30％hno3溶液，pfa泵为隔膜泵，pfa泵的流量为每分钟20-30升。
26.底座5下方安装有水槽，水槽内设置有输水管道。气管快速接头4的与清洗溢流内管道7管道连接，o型圈槽6的下方设置有圈槽内槽8。圈槽内槽8与底座5之间设置有内板9。
27.实施例2：本技术提出一种由pfa制成的半导体grid部件化学清洗溢流模具，pfa制件耐高低温-200～260℃，耐腐蚀；模具包括上盖板1、冲洗分布板2和底座5；底座5的顶部利
用螺栓安装有冲洗分布板2；冲洗分布板2的底部通过螺栓安装有o型圈槽6；o型圈槽6的上端通过螺栓安装有上盖板1。
28.上盖板1的中间位置通过气管快速接头4设置连接pfa泵，两侧安装有提拉把手3，便于放置或提取上盖板1；其中，pfa泵中含有10～30％hno3溶液，进入到冲洗分布板2中，并反复抽吸，可均匀地冲洗产品孔洞；其中，底座5下方安装有水槽，用来承接孔洞冲洗后流下的化学品。
29.工作原理：本实用新型在使用的过程中，具体的步骤为，准备所需要的材料和器具，包括玻璃机床、机械手、工具。根据设计图样，先制造出底座5部分，并将冲洗分布板2安装在底部上。将o型圈槽6与冲洗分布板2通过螺栓连接起来。将上盖板1通过螺栓与o型圈槽6相连。在上盖板1的中央位置加装气管快速接头4，并连通pfa泵。在上盖板1两侧分别安装提拉把手3。经过以上步骤，与本实用新型要求一致的半导体grid部件化学清洗溢流模具已经制造完成。
30.具体的，将待冲洗的grid部件规范放入含有o型圈槽6的底座5中，通过螺栓将上盖板1和底座5紧密连接起来，o型圈槽6可使模具达到更好的密封效果。通过pfa泵反复抽吸hno3溶液，grid部件的每个孔洞可被均匀冲洗，通过模具可实现高压冲洗产品，洗净孔洞污染物的溢流效果。待产品清洗完成后，松开螺栓取下grid部件即可，优化方案：根据实际使用情况，可以在底座5底部安置吸水度较高的聚酯泡沫防止溢流。在制造时，还可根据具体情况对本发明的半导体grid部件化学清洗溢流模具进行调整。
31.具体的，半导体grid部件化学清洗具体原理是利用化学反应的原理进行清洗。在溢流模具中加入化学清洗液，在一定条件下，溢流模具内部的沉积物和污垢会与清洗液发生化学反应，使其溶解或者分解，从而达到清洗的目的。
32.化学清洗液有氢氧化钠、氢氧化钾、盐酸、硝酸。这些清洗液具有不同的化学性质和反应特性，可以根据清洗对象和清洗要求来选择。
33.在操作时，需要控制清洗液的浓度、温度、浸泡时间因素，以适应不同的清洗需求。此外，还需要注意清洗液的残留和排放问题，避免对环境造成污染。
34.具体的，半导体grid部件化学清洗的化学反应原理是：清洗液中的化学物质与沉积物或者污垢之间发生化学反应，导致沉积物或者污垢溶解或者分解。氧化剂可以参与氧化反应，将沉积于grid部件表面的有机物氧化为co2和h2o；还原剂可以参与还原反应，将金属离子还原为金属元素，清除金属表面的氧化物。在清洗液的作用下，部分化学键的断裂和化学键的形成也可以发生。例如，配合剂可以参与形成络合物，从而使金属离子变得更容易溶解。
35.具体的，半导体grid部件化学清洗溶解和分解污垢的原理是清洗液中的化学物质与污垢之间发生化学反应，导致污垢的溶解或者分解。这些化学反应会使污垢中的化学键发生断裂或者形成新的化学键，最终将污垢转化为无害或难以附着的物质。氧化剂可以与污垢中的有机物发生化学反应，将其氧化为二氧化碳和水；酸性清洗液可以与金属表面的氧化物发生化学反应，使其溶解掉，分解污垢还需要控制清洗条件，包括温度、浓度、时间，以合适的条件促使化学反应发生。此外，为了防止清洗液带来的污染和对环境造成影响，需要对清洗液的选择和排放进行严格控制。
36.具体的，半导体grid部件化学清洗溢流模具对残留进行排放的原理：半导体grid
部件化学清洗中，对于清洗后可能残留的清洗液或者污垢，将残留的清洗液或者污垢排放至污水处理系统进行处理，利用内回收和再生技术将浴液中含有的溶解废物与有价值成分分离出来，从而实现浴液的再生利用。将污垢进行固化、热处理物化方法进行处理，从而使其变为无害物质。在清洗工艺中采用环保型的工艺和清洗剂，尽可能减少排放并降低对环境的影响。
37.具体的，将残留的清洗液或者污垢排放至污水处理系统对污水进行处理的主要原理步骤如下：
38.首先对原水处理，通过筛网先将粗大的杂质过滤掉，再通过化学药品和混合反应池进行混合反应，使污水中的有机物、无机物有效成分被氧化分解，然后通过中水池进行中间处理，最终通过沉淀池，达到去除水中悬浮物、悬浮颗粒杂质的目的。
39.再通过活性污泥处理，原水经过上述处理之后，进入活性污泥池，进行好氧生物处理。在好氧条件下，利用微生物的作用将污水中的有机物分解降解掉，最终生成二氧化碳和水无害物质。同时，将分解出的污泥与原水进行接触，可有效的去除污水中的有机物。深度处理，将活性污泥法处理后的水进行调整，去除其中残留的微生物、营养盐和杂质，可采用沉淀池、压干池、膜分离技术来进行深度处理。消毒处理，采用紫外线消毒、臭氧消毒及氯消毒方法将经过处理的水进行消毒处理，达到环保要求后方可排放。
40.需要注意的是，在处理污水时需要遵循相关的环保法规和标准，严格控制其排放指标，保证处理水质符合排放标准，对于残留的清洗液或者污垢，不能直接排放到自然环境中或者公共设施中。
41.本发明的半导体grid部件化学清洗溢流模具可以解决半导体设备清洗过程中半导体grid清洗的问题，清洗液在grid的孔洞内可以充分流动，清洗效果好。本发明也可以实现自动清洗，提高了清洗效率和清洗质量，其毒性和腐蚀性很低，不会对设备造成损伤，带有极高的实用性和研究价值。因此，本发明的半导体grid部件化学清洗溢流模具具有广泛应用前景。
42.以上实施例仅用以说明本实用新型而并非限制本实用新型所描述的技术方案，尽管本说明书参照上述的各个实施例对本实用新型已进行了详细的说明，但本实用新型不局限于上述具体实施方式，因此任何对本实用新型进行修改或同替换；而一切不脱离实用新型的精神和范围的技术方案及其改进，其均涵盖在本实用新型的权利要求范围当中。

技术特征：
1.一种半导体grid部件化学清洗溢流模具，其特征在于，包括上盖板(1)、冲洗分布板(2)及底座(5)，其特征在于：所述底座(5)的顶部利用螺栓安装有冲洗分布板(2)；所述冲洗分布板(2)的底部通过螺栓安装有o型圈槽(6)；所述o型圈槽(6)的上端通过螺栓安装有上盖板(1)，上盖板(1)的中间位置通过气管快速接头(4)设置连接pfa泵。2.根据权利要求1所述的一种半导体grid部件化学清洗溢流模具，其特征在于，所述上盖板(1)两侧安装有提拉把手(3)。3.根据权利要求2所述的一种半导体grid部件化学清洗溢流模具，其特征在于，所述上盖板(1)、所述冲洗分布板(2)和所述底座(5)均为pfa材质。4.根据权利要求3所述的一种半导体grid部件化学清洗溢流模具，其特征在于，所述o型圈槽(6)上设置有密封圈，所述密封圈采用橡胶材质。5.根据权利要求4所述的一种半导体grid部件化学清洗溢流模具，其特征在于，所述pfa泵中设置有10～30％hno3溶液，所述pfa泵为隔膜泵，所述pfa泵的流量为每分钟20-30升。6.根据权利要求5所述的一种半导体grid部件化学清洗溢流模具，其特征在于，所述底座(5)下方安装有水槽，所述水槽内设置有输水管道。7.根据权利要求6所述的一种半导体grid部件化学清洗溢流模具，其特征在于，所述气管快速接头(4)的与清洗溢流内管道(7)管道连接，所述o型圈槽(6)的下方设置有圈槽内槽(8)。8.根据权利要求7所述的一种半导体grid部件化学清洗溢流模具，其特征在于，所述圈槽内槽(8)与所述底座(5)之间设置有内板(9)。

技术总结
本实用新型提供了一种半导体Grid部件化学清洗溢流模具，包括上盖板、冲洗分布板和底座，所述底座的顶部利用螺栓安装有冲洗分布板；所述冲洗分布板的底部通过螺栓安装有O型圈槽；所述O型圈槽的上端通过螺栓安装有上盖板，上盖板的中间位置通过气管快速接头设置连接PFA泵，上盖板的中间位置有气管快速接头，用于连接PFA泵，两侧安装有提拉把手，所述冲洗分布板的底部通过螺栓安装有O型圈槽，通过装有HNO3溶液的PFA泵反复抽吸的方式，有效去除Grid部件表面及孔洞内的污染物。该模具易于生产且操作简单，使用后能大幅降低了Grid部件清洗的难度，可最大程度去除部件表面及孔洞内污染物，满足生产需求，适合推广使用。适合推广使用。适合推广使用。


技术研发人员：薛弘宇 徐钰虹 顾仁宝 徐国俊 张牧 杨国江 李伟东 朱文健 白晓天
受保护的技术使用者：江苏凯威特斯半导体科技有限公司
技术研发日：2023.04.11
技术公布日：2023/9/3