一种降低硅基OLED显示屏串扰的驱动电路及显示屏的制作方法

未命名 09-06 阅读:292 评论:0

一种降低硅基oled显示屏串扰的驱动电路及显示屏
技术领域
1.本实用新型涉及新一代显示技术领域,特别涉及一种降低硅基oled显示屏串扰的驱动电路及显示屏。


背景技术:

2.organic light emitting diode on silicon,简称oledos,即硅基有机发光二极体。它具有自发光的特性,采用有机材料涂层和硅基基板,当有电流通过时,这些有机材料就会发光,相比于lcd显示器,具有视角广、色彩饱和度高、对比度高等特性,加上反应快、重量轻、厚度薄、构造简单、功耗低、成本低等特点,被视为最有前途的产品之一。
3.要让发光二极管oled发光,则需要设计对应的驱动电路,驱动电路要实现对于发光二极管的驱动通电,从而实现发光控制,但是一般会考虑采用mos管或tft来实现oled的驱动。但是现有技术的驱动电路往往没有考虑到串扰的影响,在某些特殊画面如crosstalk pattern中因寄生电容等影响导致画面显示异常,oled显示屏crosstalk产生因素一般认为是die内寄生电容导致用于驱动oled导通与否控制的driver tft栅极电压变化,产生亮度差异,在一些特定画面形成如图1的亮度不均,即ab区域存在亮度差异。这种亮度差异影响了显示效果,导致画面显示不良。如图2为图1中显示画面对应的的data变化,由于data信号跳变造成的串扰引起了图1所示的显示质量的问题。现有技术的oled驱动电路仅仅从驱动的稳定性上考虑,未考虑串扰带来的显示质量的影响,虽然可以进行显示,但是显示质量会大打折扣。如专利申请号201521122845.4的一种oled驱动电路及其oled屏体电路就无法解决这一问题。


技术实现要素:

4.本实用新型的目的在于克服现有技术的不足,提供一种降低硅基oled显示屏串扰的驱动电路及显示屏,用于驱动oled发光的同时可以避免串扰的发生。
5.为了实现上述目的,本实用新型采用的技术方案为:一种降低硅基oled显示屏串扰的驱动电路,包括开关管t2、t3、t4以及晶体管driver tft;高电平信号elvdd与t3的漏极连接,t3的源极连接至晶体管driver tft的漏极,晶体管driver tft的源极连接至t4的漏极,t4的源极连接至oled的阳极,oled的阴极连接至低电平信号elvss;t2的漏极连接输入数据信号data,t2的源极连接至t3的源极;t2的栅极输入扫描信号scan;t3、t4的栅极输入发光信号em;晶体管driver tft的栅极连接至低压驱动模块;晶体管driver tft的栅极经电容cst连接至高电平信号elvdd。
6.所述电容cst为多个。
7.所述电容cst为相互并联的两个电容器。
8.所述低压驱动模块包括开关管t1,开关管t1一端连接至晶体管driver tft的栅极,另一端连接至低压电平。
9.所述开关管的控制端连接至显示控制芯片。
10.一种显示屏,所述显示屏采用所述的降低硅基oled显示屏串扰的驱动电路来驱动显示屏中的oled。
11.本实用新型的优点在于:电路结构简单可靠,可以实现oled的发光驱动的同时减少或降低串扰crosstalk,提高了oled的显示效果。
附图说明
12.下面对本发明说明书各幅附图表达的内容及图中的标记作简要说明:
13.图1为data变化引起的crosstalk引起的显示画面;
14.图2为data信号变化示意图;
15.图3为本实用新型驱动电路的电路图;
16.图4为本实用新型驱动电路中scan和em信号时序图;
17.图5为本实用新型驱动电路中两个cst电容示意图。
具体实施方式
18.下面对照附图,通过对最优实施例的描述,对本发明的具体实施方式作进一步详细的说明。
19.如图1所示,由于data变化造成的亮度差异,在一些特定画面形成如图1的亮度不均,即ab区域存在亮度差异。如图2为图1的data变化,即为data变化造成的画面的亮度不均。这是由于串扰crosstalk造成的,为了解决这一问题,本技术设计一种新的驱动电路,如图3、5所示,其电路结构具体包括:
20.一种降低硅基oled显示屏串扰的驱动电路,包括开关管t2、t3、t4以及晶体管driver tft;高电平信号elvdd与t3的漏极连接,t3的源极连接至晶体管driver tft的漏极,晶体管driver tft的源极连接至t4的漏极,t4的源极连接至oled的阳极,oled的阴极连接至低电平信号elvss;t2的漏极连接输入数据信号data,t2的源极连接至t3的源极;t2的栅极输入扫描信号scan;t3、t4的栅极输入发光信号em;晶体管driver tft的栅极连接至低压驱动模块;晶体管driver tft的栅极经电容cst连接至高电平信号elvdd。
21.在图3、图5中,分别提供了一个和两个cst电容的电路实例,电容cst的具体个数可以根据实际需求来设置和调整,当为多个时,电容cst为相互并联的多个电容。cst电容可以来稳定drivertft的栅极电压的稳定,避免其波动产生的串扰。如图3所示,以drivertft的栅极电压为q点电压进行说明,如果没有cst1则data跳变时,q点电压不稳定;q点与正极电源elvdd间连有电容cst1,增加cst1有利于降低data跳变对q点电位的影响,使q点电位更稳定。
22.如图4所示,为scan和em的时序图,结合时序图对电路的原理进行说明,在写入阶段p2,em为无效电平状态,scan为有效电平状态。进而控制第二开关管t2导通,第三开关管t3断开,第四开关管t4断开。data电压写入,cst1开始充电,q点电压vq=vcst1=velvdd-(vdata-vth),充电需要的时间t=rcst1。在发光阶段p3,scan为无效电平状态,em变化为有效电平状态。进而控制第三开关管t3和第四开关管t4导通,第二开关管t2断开。vgs-vth转化为电流。进而使oled器件发光。
23.vdata变化时,因电容两端的电压不能突变,充电需要的时间跟电容相关,在线路
电阻r不变的情况下,电容变大,充电过程用时越长。所以增加cst1有利于降低data跳变对q点电位的影响,使q点电位更稳定。
24.在本技术中q点的电压是可以驱动drivertft栅极的,因此本技术通过低压驱动模块来驱动孔子,低压驱动模块包括开关管t1,开关管t1一端连接至晶体管driver tft的栅极,另一端连接至低压电平。开关管的控制端连接至显示控制芯片。显示控制芯片或显示屏中的控制芯片来控制开关管t1的导通与否来实现对于drivertft栅极电压的控制,从而实现在发光时的控制。
25.本技术还提供一种显示屏,该显示屏采用本技术的降低硅基oled显示屏串扰的驱动电路来驱动显示屏中的oled。
26.显然本发明具体实现并不受上述方式的限制,只要采用了本发明的方法构思和技术方案进行的各种非实质性的改进,均在本发明的保护范围之内。

技术特征:
1.一种降低硅基oled显示屏串扰的驱动电路,其特征在于:包括开关管t2、t3、t4以及晶体管driver tft;高电平信号elvdd与t3的漏极连接,t3的源极连接至晶体管driver tft的漏极,晶体管driver tft的源极连接至t4的漏极,t4的源极连接至oled的阳极,oled的阴极连接至低电平信号elvss;t2的漏极连接输入数据信号data,t2的源极连接至t3的源极;t2的栅极输入扫描信号scan;t3、t4的栅极输入发光信号em;晶体管driver tft的栅极连接至低压驱动模块;晶体管driver tft的栅极经电容cst连接至高电平信号elvdd。2.如权利要求1所述的一种降低硅基oled显示屏串扰的驱动电路,其特征在于:所述电容cst为多个。3.如权利要求1所述的一种降低硅基oled显示屏串扰的驱动电路,其特征在于:所述电容cst为相互并联的两个电容器。4.如权利要求1所述的一种降低硅基oled显示屏串扰的驱动电路,其特征在于:所述低压驱动模块包括开关管t1,开关管t1一端连接至晶体管driver tft的栅极,另一端连接至低压电平。5.如权利要求4所述的一种降低硅基oled显示屏串扰的驱动电路,其特征在于:所述开关管的控制端连接至显示控制芯片。6.一种显示屏,其特征在于:所述显示屏采用如权利要求1-5任一所述的降低硅基oled显示屏串扰的驱动电路来驱动显示屏中的oled。

技术总结
本实用新型公开了一种降低硅基OLED显示屏串扰的驱动电路,包括开关管T2、T3、T4以及晶体管Driver TFT;高电平信号ELVDD与T3的漏极连接,T3的源极连接至晶体管Driver TFT的漏极,晶体管Driver TFT的源极连接至T4的漏极,T4的源极连接至OLED的阳极,OLED的阴极连接至低电平信号ELVSS;T2的漏极连接输入数据信号Data,T2的源极连接至T3的源极;T2的栅极输入扫描信号scan;T3、T4的栅极输入发光信号em;晶体管Driver TFT的栅极连接至低压驱动模块;晶体管Driver TFT的栅极经电容Cst连接至高电平信号ELVDD。本实用新型的优点在于:电路结构简单可靠,可以实现OLED的发光驱动的同时减少或降低串扰crosstalk,提高了OLED的显示效果。提高了OLED的显示效果。提高了OLED的显示效果。


技术研发人员:沈利军 曹绪文 晋芳铭
受保护的技术使用者:安徽芯视佳半导体显示科技有限公司
技术研发日:2023.02.14
技术公布日:2023/9/3
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