一种转接板及其形成方法与流程

1.本发明实施例涉及芯片技术领域，具体涉及一种转接板及其形成方法。


背景技术：

2.随着半导体技术的发展，封装工艺在实现方式上出现了2.5d封装(cowos，rdl等)、3d封装(tsv)等多种封装技术，并且，为了实现电子元器件的多功能，需要将不同功能的芯片集成在一起，cow(chip_on_wafer，晶片上芯片)堆叠工艺被广泛应用。当进行器件封装时，由于转接板(interposer)具有较高的细间距布线能力，可以基于转接板实现芯片与晶圆的堆叠。
3.然而，现有的转接板的形成方法形成的转接板质量不高。


技术实现要素：

4.有鉴于此，本发明实施例提供一种转接板及其形成方法，提高了转接板的器件质量。
5.为解决上述问题，本发明实施例提供一种转接板的形成方法，包括：
6.提供基板；
7.在所述基板上形成图形中转层，所述图形中转层包括拼接的多个图形区，不同图形区对应不同的光刻模板，且至少2个图形区的拼接区域为重叠区；其中，任一光刻模板包括由用于暴露的暴露区和用于掩盖的掩盖区构成的图形；
8.预处理所述图形中转层，以使得所述图形中转层的多个图形区基于对应的光刻模板的图形，在对应的暴露区和掩盖区具有不同的刻蚀选择比；
9.刻蚀预处理后的所述图形中转层，在所述图形中转层上形成对应光刻模板的图形；
10.以所述图形中转层为掩膜，图形化所述基板。
11.可选的，所述图形中转层的预处理次数与所述图形中转层的图形区数量相
12.对应；
13.针对任一图形区，所述预处理所述图形中转层包括：
14.在所述图形中转层上形成图形化的光刻掩膜层，所述光刻掩膜层的图形对应该图形区对应的光刻模板的图形；
15.以所述光刻掩膜层为掩膜，对所述图形中转层执行一次预处理操作。
16.可选的，所述预处理操作，至少包括：采用离子注入工艺向所述图形中转层暴露的区域注入离子。
17.可选的，若所述图形中转层的厚度为30nm，所述离子的离子注入剂量为e14至e15。
18.可选的，所述图形中转层的材料为无定形硅；在所述基板上形成图形中转层，具体为，在所述基板上沉积无定形硅层，以所述无定形硅层作为图形中转层；
19.所述离子注入工艺具体为，对暴露的无定形硅层进行硼离子注入。
20.可选的，针对任一图形区，所述预处理所述图形中转层还包括：去除所述光刻掩膜层。
21.可选的，所述刻蚀预处理后的图形中转层，具体为，采用湿法刻蚀工艺，去除所述图形中转层对应于所述光刻模板的掩盖区对应的中转层材料。
22.可选的，所述湿法刻蚀工艺中对应的刻蚀液包括四甲基氢氧化铵溶液。
23.可选的，所述提供基板，包括：
24.提供衬底；
25.在所述衬底上形成硬掩膜材料层。
26.可选的，所述在所述基板上形成图形中转层，具体为，在所述硬掩膜材料层上形成图形中转层；
27.所述以所述图形中转层为掩膜，图形化所述基板，具体为，以所述图形中转层为掩膜，图形化所述硬掩膜材料层，形成硬掩膜层。
28.可选的，所述形成硬掩膜层之后，还包括：
29.在所述硬掩膜层上沉积导电材料，形成导电互连层；
30.平坦化所述导电互连层，形成导电互连结构。
31.本发明实施例还提供一种转接板，根据上述所述的转接板的形成方法制备得到，所述转接板包括：
32.基板；
33.位于基板上的导电互连结构，所述导电互连结构包括拼接的多个图形区，且至少2个图形区的拼接区域为重叠区。
34.可选的，所述导电互连结构的不同图形区所对应的导电互连结构图形，基于不同的光刻模板形成；其中，任一光刻模板包括由用于暴露的暴露区和用于掩盖的掩盖区构成的图形。
35.本发明实施例所提供的转接板的形成方法中，通过在基板上形成图形中转层，所述图形中转层包括拼接的多个图形区，不同图形区对应不同的光刻模板，且至少2个图形区的拼接区域为重叠区；其中，任一光刻模板包括由用于暴露的暴露区和用于掩盖的掩盖区构成的图形；进而，预处理所述图形中转层，以使得所述图形中转层的多个图形区基于对应的光刻模板的图形，在对应的暴露区和掩盖区具有不同的刻蚀选择比；刻蚀预处理后的所述图形中转层，在所述图形中转层上形成对应光刻模板的图形；以所述图形中转层为掩膜，图形化所述基板。
36.其中，通过对基板上的图形中转层进行预处理操作，使得所述图形中转层的多个图形区基于对应的光刻模板的图形，在对应的暴露区和掩盖区具有不同的刻蚀选择比，从而能够基于刻蚀工艺实现图形的中转，保证所述图形中转层上图形的稳定性，避免发生图形变形。同时，以所述图形中转层为掩膜，图形化所述基板，在所述基板上形成集成电路的图形，提高了集成电路图形的准确度，进而提高关键尺寸的准确度，提升转接板的器件质量。
附图说明
37.为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现
有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
38.图1是由两张光罩所组成的集成电路的图形；
39.图2是mask-1的图形示意图；
40.图3是mask-2的图形示意图；
41.图4至图6是一种转接板的形成方法中各步骤对应的结构示意图；
42.图7是连接孔图形在两次曝光后的状态变化俯视图；
43.图8至图26是本发明实施例提供的转接板的形成方法一实施例中各步骤对应的结构示意图。
具体实施方式
44.下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
45.由背景技术可知，现有转接板的形成方法形成的转接板质量不高。现结合转接板的形成方法分析造成转接板质量不高的原因。
46.需要说明的是，通过对光罩(mask)进行曝光等步骤，能够将设计的集成电路的图形(pattern)转化到转接板上，但是由于光罩的尺寸固定，例如为26mm*33mm，而用于集成不同功能的芯片的转接板面积较大，因此，需要利用多个光罩进行曝光拼接，以将集成电路的图形光刻到面积更大的转接板上，并且，为保证转接板上转化的集成电路的图形的准确性和完整性，转接板上对应多个光罩的图形的拼接区域可以是光罩的重叠区(stitching zone，st)。
47.其中，图1示例性的示出了由两张光罩所组成的集成电路的图形，两张光罩可以为mask-1和mask-2。参照图1所示，虚线圈出区域为两张光罩的重叠区。并且，为实现芯片的导电互连，需要设置不同器件结构的连接孔，在一个可选示例中，可以将器件结构的连接孔图形对应设置在不同光罩的重叠区，所述连接孔可以是在光罩曝光后由暴露的区域构成的图形，也可以是在光罩曝光后由掩盖的区域构成的图形，具体可以根据实际需求进行设置。例如图1中，重叠区的圆形图形对应为连接孔的图形，该圆形图形为光罩曝光的掩盖区域构成的图形。
48.对应图1，图2为一光罩mask-1的图形示意图，图3为另一光罩mask-2的图形示意图，其中，aa线为光罩的剖面切线。基于aa线的剖面，图4至图6示出了一种转接板的形成方法中各步骤对应的结构示意图。
49.对应图2，参考图4，在基板10上进行mask-1的曝光和显影，其中，虚线箭头表示光照方向。
50.所述基板10用于布置电子元器件及其它构成要素，在一个可选示例中所述基板10可以包括衬底11、位于所述衬底上的硬掩膜材料层12。光罩曝光前，需要在基板10上覆涂光刻胶，以光刻胶为光刻掩膜层13，将mask-1的图形转化到光刻掩膜层13上。光刻胶为一种感
光物质，曝光后会发生化学反应，导致其自身性质和结构的变化，例如：被曝光部分可以由可溶性物质变成非溶性物质，进而在刻蚀的步骤中，将未曝光的部分去掉，实现光罩图形的转移。
51.对应图3，参考图5，在基板10上进行mask-2的曝光和显影，将mask-2的图形转化到光刻掩膜层13上。其中，虚线箭头表示光照方向。
52.参考图6，以两次曝光和显影后的光刻掩膜层13为掩膜，图形化基板10。
53.在一个具体示例中，可以是通过刻蚀工艺，以所述光刻掩膜层13为掩膜，刻蚀去除所述光刻掩膜层所暴露的硬掩膜材料层，形成硬掩膜层12'，从而将mask-1和mask-2的图形转化至硬掩膜层12'上，进而，基于硬掩膜层进行后续制备，例如，金属沉积和平坦化工艺等，形成导电连接结构，完成转接板的制作。
54.其中，由于mask-1和mask-2存在重叠区，因此，在基板10上进行mask-1和mask-2的曝光时，重叠区会经历两次曝光。对应图1中光罩重叠区的粗线圈出区域的连接孔图形，图7示例性的示出了连接孔图形在两次曝光后的状态变化俯视图。如图7所示，未曝光时，光刻掩膜层13未发生任何变化；第一次光罩(mask-1)曝光后，连接孔图形(如图中虚线所示)能够准确呈现；第二次光罩(mask-2)曝光后，连接孔图形发生明显变化，相对于第一次曝光后的图形，连接孔图形被拉伸(如图中箭头所示方向)。从而，在后续形成导电互连结构的步骤中，基于变形的连接孔图形，会导致连接孔的关键尺寸失真，降低转接板器件质量，从而影响器件性能。
55.发明人分析后认为，上述流程中转接板器件质量降低的原因在于：光刻掩膜层13的材料为光刻胶，而光刻胶的质地柔软，曝光后会发生化学反应，在多次曝光后，会导致光刻胶收缩严重，从而造成第一次曝光的图形发生变形，例如图7中连接孔图形尺寸基于光刻胶的收缩变大。并且，由于光刻胶的收缩是基于曝光时自身的变化，因此收缩情况是不可控的，这也使得连接孔图形的变化不可控，例如：多次曝光后，连接孔图形由圆形变形为方形，在后续制备过程中，导致关键尺寸严重失真，从而降低转接板器件质量，影响器件性能。
56.并且，发明人还发现：光刻胶经过多次曝光后，会焦化变硬，也使得光刻胶不容易去除而发生残留，进而导致产品良率降低。
57.因此，提供一种转接板的形成方法，以在多次光罩时，避免发生图形变形，提高集成电路图形的准确度，进而提高关键尺寸的准确度，提升转接板的器件质量，显得尤为必要。
58.本发明实施例提供了改进的转接板的形成方案，通过对基板上的图形中转层进行预处理操作，使得所述图形中转层的多个图形区基于对应的光刻模板的图形，在对应的暴露区和掩盖区具有不同的刻蚀选择比，从而能够基于刻蚀工艺实现图形的中转，保证所述图形中转层上图形的稳定性，避免发生图形变形。同时，以所述图形中转层为掩膜，图形化所述基板，在所述基板上形成集成电路的图形，提高了集成电路图形的准确度，进而提高关键尺寸的准确度，提升转接板的器件质量。
59.为使本发明实施例的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。
60.图8至图26是本发明实施例转接板的形成方法中各步骤对应的结构示意图。
61.参考图8，提供基板100；
62.所述基板100用于布置电子元器件及其它构成要素。在一个可选示例中，基板可以包括衬底和位于所述衬底上的硬掩膜材料层。具体的，提供基板100的步骤可以包括：
63.参照图9，提供衬底110；
64.其中，所述衬底110用于为形成器件层结构提供工艺基础，所述衬底110的材料可以为硅。在其他实施例中，所述衬底110的材料例如可以为硅、锗、碳化硅、砷化镓或镓化铟中的一种或多种，或者，所述衬底还可以为绝缘体上的硅衬底或者绝缘体上的锗衬底。所述衬底110内还可以形成有半导体器件，例如，pmos晶体管、cmos晶体管、nmos晶体管、电阻器、电容器或电感器等中的一种或多种。
65.参照图10，在所述衬底110上形成硬掩膜材料层120。
66.所述硬掩膜材料层120用于隔离保护所述衬底110的表面，所述硬掩膜材料层的材料例如可以为氮化硅、氧化硅、或氮氧化硅中的一种或多种。其中，在具体的实施例中，所述硬掩膜材料层为多种时，所述硬掩膜材料层可以为多种材料的叠层，例如，氮化硅层和氧化硅层的叠层，则在所述衬底上形成硬掩膜材料层的流程可以包括先在所述衬底上形成第一硬掩膜材料层，进而在所述第一硬掩膜材料层上形成第二硬掩膜材料层，在一个具体示例中，所述第一硬掩膜层的材料可以为氮化硅，所述第二硬掩膜层的材料可以为氧化硅。
67.需要说明的是，上述示例仅是一种可选示例，也可以根据实际需求对应设置基板的层结构，本发明实施例对此并不设限。
68.参考图11，在所述基板100上形成图形中转层130；
69.所述图形中转层130可以用于作为在基板形成完整的集成电路图形的过渡层，也可以称为是过渡中介层。所述图形中转层的材料可以是选用基于化学操作或物理操作能够改变其对应的刻蚀选择比的材料，在一个具体示例中，所述图形中转层的材料可以为无定形硅。
70.由于转接板在形成过程中需要进行多次光罩，因此，所述图形中转层可以包括拼接的多个图形区，不同图形区对应不同的光刻模板，且至少2个图形区的拼接区域为重叠区。
71.所述光刻模板可以理解为是光罩mask，所述光刻模板上可以对应有图形，不同光刻模板可以组合为集成电路的图形。其中，在基于所述光刻模板形成光刻图形时，任一光刻模板可以包括由用于暴露的暴露区和用于掩盖的掩盖区构成的图形。在一个具体示例中，光刻模板用于暴露的暴露区的图形可以是对应形成导电连接结构的导电连接线，如金属线；光刻模板用于掩盖的掩盖区的图形可以是对应形成导电连接结构的导电连接孔，如通孔(via)。
72.作为一种可选实现，在保留所述衬底110和所述硬掩膜材料层120的示例中，在所述基板100上形成图形中转层130的步骤，可以具体为：在所述硬掩膜材料层120上形成图形中转层130。
73.参考图12，预处理所述图形中转层130；
74.基于所述图形中转层130的图形过渡作用，通过预处理所述图形中转层130，可以使得所述图形中转层的多个图形区基于对应的光刻模板的图形，在对应的暴露区和掩盖区具有不同的刻蚀选择比。例如图12所示，对所述图形中转层130预处理，暴露区对应于所述图形中转层130的深色区域，其中，暴露区的刻蚀选择比大于掩盖区的刻蚀选择比。
75.需要说明的是，光刻模板的图形可以是基于光刻和刻蚀工艺转移至所述图形中转层。具体的，可以首先在所述图形中转层上形成图形化的光刻掩膜层，该光刻掩膜层的图形对应一图形区所对应的光刻模板的图形，则光刻模板的暴露区的图形可以暴露所述图形中转层的材料，光刻模板的掩盖区的图形可以掩盖所述图形中转层的材料，之后，以所述光刻掩膜层为掩膜，对所述图形中转层执行预处理操作，再之后，刻蚀预处理后的所述图形中转层，在所述图形中转层上形成对应光刻模板的图形。其中，由于所述图形中转层的多个图形区基于对应的光刻模板的图形，在对应的暴露区和掩盖区具有不同的刻蚀选择比，则利用刻蚀工艺在对应的暴露区和掩盖区的刻蚀速率不同，进而基于不同的刻蚀速率，能够保证所述图形中转层上形成的对应光刻模板的图形的稳定性，避免图形发生变形。
76.在一个可选示例中，由于所述图形中转层包括拼接的多个图形区，不同图形区对应不同的光刻模板，则所述图形中转层130的预处理次数可以是与所述图形中转层的图形区数量相对应，从而将不同光刻模板的图形转化到所述图形中转层130，形成对应集成电路图案的完整图形。在一个具体示例中，针对任一图形区，所述预处理所述图形中转层的步骤可以包括：
77.参照图13，在所述图形中转层130上形成图形化的光刻掩膜层140，所述光刻掩膜层140的图形对应该图形区对应的光刻模板的图形；
78.具体的，在所述图形中转层130上形成图形化的光刻掩膜层140可以是基于曝光和显影工艺形成。以mask-1为例，基于aa线的剖面，参照图14和图15，所述光刻掩膜层140的形成流程可以包括：
79.在所述图形中转层130上形成光刻掩膜材料层140'，所述光刻掩膜材料层140'可以是光刻胶层；对mask-1进行曝光显影，去除暴露区的光刻掩膜材料层140'，在所述图形中转层130上形成图形化的光刻掩膜层140；对应光刻模板的图形，该光刻掩膜层140可以暴露部分所述图形中转层130，以及掩盖部分所述图形中转层130。
80.接着，参照图16，以所述光刻掩膜层140为掩膜，对所述图形中转层130执行一次预处理操作。
81.在一个可选示例中，所述预处理操作可以至少包括采用离子注入工艺向所述图形中转层130暴露的区域注入离子。基于向所述图形中转层130暴露的区域注入离子，从而能够使所述图形中转层130暴露的区域和掩盖的区域具有不同的刻蚀选择比。
82.其中，所述离子的离子注入剂量可以是与所述图形中转层130的厚度相对应的，以使得所述离子能够击穿所述图形中转层130，保持所述图形中转层130的材料稳定性。在一个具体示例中，若所述图形中转层的厚度为30nm，所述离子的离子注入剂量为e14至e15，其中，e表示离子能量，单位为kev；“e14”表示离子的注入剂量为10的14次方/平方厘米；“e15”表示离子的注入剂量为10的15次方/平方厘米。
83.需要说明的是，上述示例仅是一种可选实现，本发明实施例中的图形中转层也可以是其他厚度，相应的，对应图形中转层的厚度，离子的注入剂量也会发生变化，本发明实施例的离子注入剂量对应所述图形中转层的厚度，以实现穿透所述图形中转层，其中，图形中转层的厚度以及对应的离子注入剂量可以根据实际需求对应设置，基于本发明的发明构思出发的实施方式，均属于本发明实施例的保护范围。
84.进一步的在一个可选示例中，所述图形中转层的材料可以为无定形硅，则在所述
基板上形成图形中转层的步骤，可以具体为，在所述基板上沉积无定形硅层，以所述无定形硅层作为图形中转层；基于无定形硅的材料性质，所述离子注入工艺可以具体为，对暴露的无定形硅层进行硼离子注入，以改变所述无定形硅层的刻蚀选择比。
85.需要说明的是，上述示例仅是一种可选实现，本发明实施例中的图形中转层也可以是其他材料，并且，使所述图形中转层产生刻蚀选择性变化的方式，可以是离子注入工艺、化学作用或物理作用等，本发明实施例对此并不进行限制，可以根据实际需求对应设置，基于本发明的转接板的形成方法的发明构思出发的实施方式，均属于本发明实施例的保护范围。
86.作为一种可选实现，参照图17，在保留所述光刻掩膜层140的示例中，针对任一图形区，所述预处理所述图形中转层还可以包括，去除所述光刻掩膜层140。
87.需要说明的是，本发明中图形中转层的预处理次数与图形中转层的图形区数量相对应的，针对上一图形区，在去除光刻掩膜层140后，在对下一图形区执行操作时，需要重新在所述图形中转层130上形成光刻掩膜材料层。对应图14至17，参照图18至图21，以mask-2为例，基于aa线的剖面，在所述图形中转层130上形成光刻掩膜材料层150'，所述光刻掩膜材料层可以是光刻胶层，对mask-2进行曝光显影，去除暴露区的光刻掩膜材料层，形成图形化的光刻掩膜层150；进而，以所述光刻掩膜层150为掩膜，对所述图形中转层130执行一次预处理操作，即采用离子注入工艺向所述图形中转层130暴露的区域注入离子，使所述图形中转层130暴露的区域和掩盖的区域具有不同的刻蚀选择比，去除所述光刻掩膜层150。
88.可以理解的是，本发明实施例中针对任一图形区，对图形中转层的预处理包括去除光刻掩膜层，从而，光刻掩膜层能够接受的曝光次数仅为一次，因此，不会存在如现有技术中多次曝光光刻胶导致光刻胶难以去除而发生残留的问题，从而进一步提高产品良率。
89.参考图22，刻蚀预处理后的所述图形中转层130，在所述图形中转层上130形成对应光刻模板的图形。
90.在一个可选示例中，所述刻蚀预处理后的图形中转层130可以具体为，采用湿法刻蚀工艺，去除所述图形中转层130对应于所述光刻模板的掩盖区对应的中转层材料。可选的，在所述图形中转层的材料为无定形硅，离子注入工艺为对暴露的无定形硅层进行硼离子注入时，所述湿法刻蚀工艺中对应的刻蚀液可以包括四甲基氢氧化铵溶液，以去除无定形硅层上没有硼离子注入的部分，保留有硼离子注入的区域，从而在无定形硅层上形成准确和完整的集成电路图形。
91.需要说明的是，上述示例仅是一种可选实现，本发明实施例中的刻蚀工艺可以为湿法刻蚀工艺、干法刻蚀工艺或湿法刻蚀与干法刻蚀相结合的工艺，湿法刻蚀工艺中的刻蚀液也可以根据图形中转层的预处理操作，对应选择其他溶液，本发明实施例对此并不进行限制，具体可以根据实际需求对应设置。
92.参考图23，以所述图形中转层130为掩膜，图形化所述基板100。
93.基于所述图形中转层的多个图形区，在所述图形中转层上形成对应不同光刻模板的图形，从而所述图形中转层上能够形成对应集成电路的准确图形，进而以所述图形中转层为掩膜，图形化所述基板，能够将准确的图形转移至所述图形中转层对应于基板的下一层结构上，制备与设计的集成电路对应的导电连接结构，得到转接板。
94.本发明实施例中，通过对基板上的图形中转层进行预处理操作，使得所述图形中
转层的多个图形区基于对应的光刻模板的图形，在对应的暴露区和掩盖区具有不同的刻蚀选择比，从而能够基于刻蚀工艺实现图形的中转，保证所述图形中转层上图形的稳定性，避免发生图形变形。同时，以所述图形中转层为掩膜，图形化所述基板，在所述基板上形成集成电路的图形，提高了集成电路图形的准确度，进而提高关键尺寸的准确度，提升转接板的器件质量。
95.在一些实施例中，在保留所述硬掩膜材料层120的示例中，所述以所述图形中转层为掩膜，图形化所述基板的步骤可以具体为，以所述图形中转层130为掩膜，图形化所述硬掩膜材料层120，形成硬掩膜层120'。
96.在一个可选的示例中，在形成硬掩膜层120'之后，参照图24，还可以进一步去除所述图形中转层130；
97.参照图25，在所述硬掩膜层120'上沉积导电材料，形成导电互连层160；
98.参照图26，平坦化所述导电互连层160，形成导电互连结构170。
99.其中，所述导电互连层的平坦化工艺可以例如化学机械研磨工艺，通过对所述导电互连层的平坦化，能够使所述导电互连层的表面平整，从而保证膜层厚度的均一性，改善后续形成的导电互连结构的均一性。在保留所述硬掩膜层120'的示例中，可以是以所述硬掩膜层120'为停止层，实现对所述导电互连层160的平坦化。
100.由于在基板上形成的图形的准确性得到了提高，使得在基板上能够形成完整图形，进而形成导电互连层，得到导电互连结构，避免制备的导电互连结构发生特征尺寸的失真，提高器件质量。
101.可以看出，本发明实施例通过对基板上的图形中转层进行预处理操作，使得所述图形中转层的多个图形区基于对应的光刻模板的图形，在对应的暴露区和掩盖区具有不同的刻蚀选择比，从而能够基于刻蚀工艺实现图形的中转，保证所述图形中转层上图形的稳定性，避免发生图形变形。同时，以所述图形中转层为掩膜，图形化所述基板，在所述基板上形成集成电路的图形，提高了集成电路图形的准确度，进而提高关键尺寸的准确度，提升转接板的器件质量。
102.本发明实施例还提供一种转接板，所述转接板可以是基于上述方法形成，参考图26所示，所述转接板可以包括：
103.基板100；
104.位于基板100上的导电互连结构170，所述导电互连结构170包括拼接的多个图形区，且至少2个图形区的拼接区域为重叠区。
105.其中，所述导电互连结构170可以是基于设计的集成电路图形形成的用于与芯片和/或晶圆进行电连接的结构。
106.本发明实施例中的转接板，基于导电互连结构对应的集成电路的图形的准确度得到提高，进而提高了关键尺寸的准确度，提升了器件质量。
107.在一些实施例中，转接板上的集成电路图形可以是基于光罩、曝光等步骤形成，因此，在导电互连结构包括拼接的多个图形区情况下，所述导电互连结构170的不同图形区所对应的导电互连结构图形可以是基于不同的光刻模板形成，并且，任一光刻模板可以包括由用于暴露的暴露区和用于掩盖的掩盖区构成的图形。其中，所述光刻模板可以理解为是光罩(mask)，不同光刻模板可以组合为集成电路图形。
108.上文描述了本发明实施例提供的多个实施例方案，各实施例方案介绍的各可选方式可在不冲突的情况下相互结合、交叉引用，从而延伸出多种可能的实施例方案，这些均可认为是本发明实施例披露、公开的实施例方案。
109.虽然本发明实施例披露如上，但本技术并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本技术的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本技术的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

技术特征：
1.一种转接板的形成方法，其特征在于，包括：提供基板；在所述基板上形成图形中转层，所述图形中转层包括拼接的多个图形区，不同图形区对应不同的光刻模板，且至少2个图形区的拼接区域为重叠区；其中，任一光刻模板包括由用于暴露的暴露区和用于掩盖的掩盖区构成的图形；预处理所述图形中转层，以使得所述图形中转层的多个图形区基于对应的光刻模板的图形，在对应的暴露区和掩盖区具有不同的刻蚀选择比；刻蚀预处理后的所述图形中转层，在所述图形中转层上形成对应光刻模板的图形；以所述图形中转层为掩膜，图形化所述基板。2.根据权利要求1所述的转接板的形成方法，其特征在于，所述图形中转层的预处理次数与所述图形中转层的图形区数量相对应；针对任一图形区，所述预处理所述图形中转层包括：在所述图形中转层上形成图形化的光刻掩膜层，所述光刻掩膜层的图形对应该图形区对应的光刻模板的图形；以所述光刻掩膜层为掩膜，对所述图形中转层执行一次预处理操作。3.根据权利要求2所述的转接板的形成方法，其特征在于，所述预处理操作，至少包括：采用离子注入工艺向所述图形中转层暴露的区域注入离子。4.根据权利要求3所述的转接板的形成方法，其特征在于，若所述图形中转层的厚度为30nm，所述离子的离子注入剂量为e14至e15。5.根据权利要求4所述的转接板的形成方法，其特征在于，所述图形中转层的材料为无定形硅；在所述基板上形成图形中转层，具体为，在所述基板上沉积无定形硅层，以所述无定形硅层作为图形中转层；所述离子注入工艺具体为，对暴露的无定形硅层进行硼离子注入。6.根据权利要求2所述的转接板的形成方法，其特征在于，针对任一图形区，所述预处理所述图形中转层还包括：去除所述光刻掩膜层。7.根据权利要求1述的转接板的形成方法，其特征在于，所述刻蚀预处理后的图形中转层，具体为，采用湿法刻蚀工艺，去除所述图形中转层对应于所述光刻模板的掩盖区对应的中转层材料。8.根据权利要求7所述的转接板的形成方法，其特征在于，所述湿法刻蚀工艺中对应的刻蚀液包括四甲基氢氧化铵溶液。9.根据权利要求1所述的转接板的形成方法，其特征在于，所述提供基板，包括：提供衬底；在所述衬底上形成硬掩膜材料层。10.根据权利要求9所述的转接板的形成方法，其特征在于，所述在所述基板上形成图形中转层，具体为，在所述硬掩膜材料层上形成图形中转层；所述以所述图形中转层为掩膜，图形化所述基板，具体为，以所述图形中转层为掩膜，图形化所述硬掩膜材料层，形成硬掩膜层。11.根据权利要求10所述的转接板的形成方法，其特征在于，所述形成硬掩膜层之后，还包括：
在所述硬掩膜层上沉积导电材料，形成导电互连层；平坦化所述导电互连层，形成导电互连结构。12.一种转接板，其特征在于，根据权利要求1至11任一项所述的转接板的形成方法制备得到，所述转接板包括：基板；位于所述基板上的导电互连结构，所述导电互连结构包括拼接的多个图形区，且至少2个图形区的拼接区域为重叠区。13.根据权利要求12所述的转接板，其特征在于，所述导电互连结构的不同图形区所对应的导电互连结构图形，基于不同的光刻模板形成；其中，任一光刻模板包括由用于暴露的暴露区和用于掩盖的掩盖区构成的图形。

技术总结
本发明实施例提供一种转接板及其形成方法，所述方法包括：提供基板；在所述基板上形成包括拼接的多个图形区的图形中转层，不同图形区对应不同的光刻模板，且至少2个图形区的拼接区域为重叠区；其中，任一光刻模板包括由用于暴露的暴露区和用于掩盖的掩盖区构成的图形；预处理所述图形中转层，以使得所述图形中转层的多个图形区基于对应的光刻模板的图形，在对应的暴露区和掩盖区具有不同的刻蚀选择比；刻蚀预处理后的所述图形中转层，在所述图形中转层上形成对应光刻模板的图形；以所述图形中转层为掩膜，图形化所述基板。本发明实施例提高了转接板的器件质量。例提高了转接板的器件质量。例提高了转接板的器件质量。


技术研发人员：盛伟
受保护的技术使用者：海光信息技术股份有限公司
技术研发日：2023.06.15
技术公布日：2023/9/6