一种永磁灭弧装置的制作方法

1.本技术涉及低压电气永磁灭弧技术领域，尤其涉及一种永磁灭弧装置。


背景技术：

2.随着新能源充电、储电、输电、用电的快速发展，大量使用了各类低压电气开关，如直流断路器、接触器和隔离开关等，来确保各种额定电流、电压和负载下的连接和断开的安全。断路器、接触器和隔离开关的触点在断开的瞬间，由于触头本身及触头周围的介质中含有大量可被游离的电子，当分断的触头间存在足够大的外施电压，而且电路电流也达到最小生弧电流时，就会强烈游离而形成电弧，使电路继续导通，存在重大的安全隐患。目前比较常见的灭弧方式是根据洛伦兹力定律，采用磁场引导电弧进入灭弧室，但由于磁场很分散，部分电弧未被引入灭弧室，导致灭弧效果不好。


技术实现要素：

3.为此，本技术提供一种永磁灭弧装置，有助于提高磁场强度，增大洛伦磁力，从而增强灭弧效果。
4.为实现以上目的，本技术采用如下技术方案：
5.第一方面，提供一种永磁灭弧装置，包括动触点、静触点、永磁体装置和灭弧室，其特征在于，永磁体装置包含第一永磁体单元和第二永磁体单元；
6.第一永磁体单元的内部磁感线与静触点指向动触点的方向垂直，且与第一永磁体单元指向灭弧室的方向垂直；
7.第二永磁体单元的内部磁感线与第一永磁体单元的内部磁感线的夹角大于0
°
且小于等于90
°
。
8.进一步地，第二永磁体单元包含第一永磁体和第二永磁体，分别设置于第一永磁体单元相对的两侧；
9.第一永磁体位于第一永磁体单元的一侧，第一永磁体单元的内部磁感线和第一永磁体的内部磁感线夹角大于0
°
且小于等于90
°
；
10.第二永磁体位于第一永磁体单元的另一侧，第一永磁体单元的内部磁感线和第二永磁体的内部磁感线夹角大于0
°
且小于等于90
°
。
11.进一步地，第二永磁体单元包括第一永磁体、第二永磁体、第三永磁体和第四永磁体；
12.第一永磁体、第四永磁体设置于第一永磁体单元的第一侧，第一永磁体单元的内部磁感线与第一永磁体的内部磁感线的夹角45
°
，与第四永磁体的内部磁感线的夹角为90
°
；
13.第二永磁体、第三永磁体设置于第一永磁体单元的第二侧，第一永磁体单元的内部磁感线与第二永磁体的内部磁感线的夹角45
°
，与第三永磁体的内部磁感线的夹角为90
°
；
14.第一侧与第二侧为第一永磁体单元相对的两侧。
15.进一步地，还包括支撑片；
16.第一永磁体单元和第二永磁体单元固定于支撑片上。
17.进一步地，第一永磁体单元与第二永磁体单元的体积之和不超过永磁体装置的体积。
18.进一步地，第一永磁体、第二永磁体、第三永磁体与第四永磁体的体积之和不超过永磁体装置的体积。
19.本技术提供的技术方案可以包括以下有益效果：
20.本技术包含动触点和静触点、永磁体装置和灭弧室，永磁体装置包含第一永磁体单元和第二永磁体单元，第一永磁体单元的内部磁感线与静触点指向动触点的方向垂直，且与第一永磁体指向灭弧室的方向垂直；第二永磁体单元的内部磁感线与第一永磁体单元的内部磁感线的夹角为0
°
到90
°
之间，且包含90
°
，第二永磁体单元的磁场增强了第一永磁体单元的磁场强度，进而使动触点和静触点所在的磁场强度增强，使动触点和静触点之间的电弧被更多的引入灭弧室，提高灭弧效果，增加了产品的使用寿命，解决了由于磁场很分散，部分电弧未被引入灭弧室，导致灭弧效果不好的问题。
21.应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本技术。
附图说明
22.此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本技术的实施例，并与说明书一起用于解释本技术的原理。
23.图1是根据一示例性实施例示出的一种永磁灭弧装置的原理图；
24.图2是根据一示例性实施例示出的永磁体装置的结构简图一；
25.图3是根据一示例性实施例示出的永磁体装置的结构简图二；
26.图4是根据一示例性实施例示出的永磁体装置的结构简图三；
27.图5是根据一示例性实施例示出的永磁体装置的结构简图四；
28.图6是根据一示例性实施例示出的永磁体装置的结构简图五；
29.图7是根据一示例性实施例示出的永磁体装置的结构简图六；
30.图8是根据一示例性实施例示出的永磁体装置外部磁场强度增强的效果图一；
31.图9是根据一示例性实施例示出的永磁体装置外部磁场强度增强的效果图二；
32.图10是根据一示例性实施例示出的永磁体装置的磁体结构图一；
33.图11是根据一示例性实施例示出的永磁体装置的磁体结构图二；
34.图12是根据一示例性实施例示出的永磁体装置的磁体结构图三；
35.图13是根据一示例性实施例示出的永磁体装置的磁体结构图四；
36.图14是根据一示例性实施例示出的永磁体装置的磁体结构图五；
37.图15是根据一示例性实施例示出的永磁体装置的磁体结构图六；
38.图16是根据一示例性实施例示出的永磁体装置的磁体结构图七；
39.图17是根据一示例性实施例示出的永磁体装置的磁体结构图八；
40.图18是根据一示例性实施例示出的永磁体装置的磁体结构图九；
41.图19是根据一示例性实施例示出的永磁体装置的磁体结构图十。
具体实施方式
42.这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本技术相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本技术的一些方面相一致的装置和方法的例子。
43.请参见图1，图1是根据一示例性实施例示出的一种永磁灭弧装置的原理图，该开关装置包括动触点1、静触点2、永磁体装置3和灭弧室4，永磁体装置3包含第一永磁体单元31和第二永磁体单元32，第一永磁体单元31的内部磁感线与静触点2指向动触点1的方向垂直，即与电流i方向垂直，且与第一永磁体单元31指向灭弧室4的方向垂直，根据左手定则可以确定第一永磁体单元31与第二永磁体单元32的洛伦磁力方向一致，该洛伦磁力的方向为第一永磁体单元31指向灭弧室4。第二永磁体单元32的内部磁感线与第一永磁体单元31的内部磁感线的夹角为大于0
°
且小于等于90
°
，第二永磁体单元32可以增强第一永磁体单元的磁场强度，从而使动触点1和静触点2断开瞬间产生电流i，在洛伦兹力f的作用下，使动触点1和静触点2之间的电弧更多的被引入灭弧室，提高灭弧效果。
44.在一个具体实施例中，永磁体装置3中的第二永磁体单元32包含第一永磁体321和第二永磁体322，分别设置于第一永磁体单元31相对的两侧；第一永磁体321位于第一永磁体单元322的一侧，第一永磁体单元31的内部磁感线和第一永磁体321的内部磁感线夹角为大于0
°
且小于等于90
°
；第二永磁体322位于第二永磁体单元32的另一侧，第一永磁体单元31的内部磁感线和第二永磁体322的内部磁感线夹角大于0
°
且小于等于90
°
。第一永磁体321的外部磁场方向和第二永磁体322的外部磁场方向均与第一永磁体单元31的外部磁场方向一致，可以增强第一永磁体单元31的外部磁场强度，使得第一永磁体单元31的外部磁感线更加密集，进而增强磁场的洛伦磁力，使动触点1和静触点2之间的电弧更多的被引入灭弧室，提高灭弧效果。
45.具体的，请参见图2，图2是根据一示例性实施例示出的永磁体装置的结构简图一，图2所示，永磁体装置3中的第二永磁体单元32包含第一永磁321体和第二永磁体322，分别设置于第一永磁体单元31相对的两侧，第一永磁体321位于第一永磁体单元31的一侧，第一永磁体单元的内部磁感线和第一永磁体的内部磁感线夹角为正，第一永磁体单元31的内部磁感线与第一永磁体321的内部磁感线的夹角为+90
°
；第二永磁体322位于第一永磁体单元31的一侧，第一永磁体单元的内部磁感线和第二永磁体的内部磁感线夹角为负，第一永磁体单元的内部磁感线与第二永磁体322的内部磁感线的夹角为-90
°
。
46.请参见图3，图3是根据一示例性实施例示出的永磁体装置的结构简图二，图3所示，永磁体装置3中的第二永磁体单元32包含第一永磁321体和第二永磁体322，分别设置于第一永磁体单元31相对的两侧，第一永磁体321位于第一永磁体单元31的一侧，第一永磁体单元31的内部磁感线和第一永磁体的内部磁感线夹角为正，第一永磁体单元31的内部磁感线与第一永磁体321的内部磁感线的夹角为+45
°
，第二永磁体322位于第一永磁体单元31的一侧，第一永磁体单元31的内部磁感线和第二永磁体321的内部磁感线夹角为负，第一永磁体单元31的内部磁感线与第二永磁体322的内部磁感线的夹角为-45
°
。
47.可以理解的，第一永磁体321与第一永磁体单元31的内部磁感线的夹角还可以为其他角度，例如30
°
、45
°
和90
°
等等，永磁体装置3的外部磁场强度随夹角的增大而增强，夹角越大，永磁体装置3的外部磁场强度增强效果明显，夹角在30
°
以上的情况下，永磁体装置3的外部磁场强度效果比较明显。同理的，第二永磁体322的内部磁感线与第一永磁体单元31的内部磁感线的角度也可以为其他角度。
48.在一个具体实施例中，请参见图4，图4是根据一示例性实施例示出的永磁体装置的结构简图三，如图4所示，
49.永磁体装置3中的第二永磁体单元32包括第一永磁体321、第二永磁体322、第三永磁体323和第四永磁体324。
50.具体的，第一永磁体321、第四永磁体324设置于第一永磁体单元31的第一侧，第二永磁体322、第三永磁体323设置于第一永磁体单元32的第二侧，第一侧与第二侧为第一永磁体单元31相对的两侧；第一永磁体321、第四永磁体324设置于第一永磁体单元31的第一侧，第一永磁体单元31的内部磁感线与第一永磁体321的内部磁感线的夹角为正，角度为45
°
，与第四永磁体324的内部磁感线的夹角为90
°
；
51.第二永磁体321、第三永磁体322设置于第一永磁体单元31的第二侧，第一永磁体单元31的内部磁感线与第二永磁体322的内部磁感线的夹角为负，夹角为-45
°
，与第三永磁体323的内部磁感线的夹角为-90
°
；第一永磁体321、第二永磁体322、第三永磁体323和第四永磁体324可以增强第一永磁体单元31的外部磁场强度使第一永磁体单元31的外部磁场增强，进而使更多的电弧被引入灭弧室4，提高灭弧效果。
52.在一个具体实施例中，永磁体装置3还包括支撑片33，第一永磁体单元31和第二永磁体单元32固定于支撑片33上，支撑片33不导磁，可增强第一永磁体单元31和第二永磁体单元32磁体结构的强度。
53.具体的，请参见图5，图5是根据一示例性实施例示出的永磁体装置的结构简图四，永磁体装置3中的第二永磁体单元32包含第一永磁321体和第二永磁体322，分别设置于第一永磁体单元31相对的两侧，第一永磁体单元31的内部磁感线与第一永磁体321的内部磁感线的夹角为+90
°
，与第二永磁体322的内部磁感线的夹角为-90
°
，第一永磁体单元31和第二永磁体单元32固定于支撑片33上。
54.具体的，请参见图6，图6是根据一示例性实施例示出的永磁体装置的结构简图五，永磁体装置3中的第二永磁体单元32包含第一永磁321体和第二永磁体322，分别设置于第一永磁体单元31相对的两侧，第一永磁体单元31的内部磁感线与第一永磁体321的内部磁感线的夹角为+45
°
，与第二永磁体322的内部磁感线的夹角为-45
°
，第一永磁体单元31和第二永磁体单元32固定于支撑片33上。
55.在一个具体实施例中，第一永磁体单元31与第二永磁体单元32的体积之和不超过永磁体装置3的体积。具体的，在第一永磁体单元31与第二永磁体单元32的体积之和不超过永磁体装置3的体积的情况下，永磁体装置3中第一永磁体单元31与第二永磁体单元32内部磁感线的夹角如图2和图3所示。将第一永磁体单元31与第二永磁体单元32固定在支撑片33上，第一永磁体单元31与第二永磁体单元32内部磁感线的夹角如图5和图6所示。
56.在永磁体装置体积相同的情况下，永磁体装置3中的第二永磁体单元32包含第一永磁体321和第二永磁体322，分别设置于第一永磁体单元31相对的两侧，第一永磁体单元
31的内部磁感线与第一永磁体321的内部磁感线的夹角为+90
°
或+45
°
，与第二永磁体322的内部磁感线的夹角为-90
°
或+45
°
，分别如图2和图3所示，第一永磁体321和第二永磁体322增强了测试点的磁场强度。
57.如图8所示，图8是根据一示例性实施例示出的永磁体装置外部磁场强度增强的效果图一。磁力线在永磁体装置3右侧n极(磁体北极)，即靠近动触点和静触点一侧，更加聚集，根据安培环路定律和磁动势守恒定律，可得外部的磁场做功与磁体内部的磁能数值上是相等的，右侧n极的磁场做功除了来源于第一永磁体单元31本身的磁能，还有来自第二永磁体单元32的磁能，第一永磁体321和第二永磁体322的n极几乎没有漏磁，形成的磁回路也从第一永磁体单元31的右侧n极发出，这样可增强永磁体装置3右侧中心位置的磁场强度，而且垂直于静触点2指向动触点1的方向，即电流的方向，磁力线更多，参考洛伦兹力公式，洛伦兹力增大，增强引弧效果。
58.进一步，根据磁动势守恒定律和磁路路径优先选择磁阻最小的原则，可以得出，永磁体装置3左侧的漏磁结果会减小，进而减小漏磁对产品的损害，增加产品的使用寿命。
59.如图9所示，图9是根据一示例性实施例示出的永磁体装置外部磁场强度增强的效果图二，永磁体装置3的内部磁场结构如图5所示，将第一永磁体单元31和第二永磁体单元32固定在支撑片33上，支撑片33不导磁，磁场效果增强和图8的磁场效果增强类似。
60.永磁体装置3整体的磁场强度增强，也增强了单个永磁体的磁导系数，按照永磁体耐温的属性，同等性能磁导系数越大的永磁体，其耐温性也越好，因此，采用本技术的永磁体装置还可以提高永磁体的耐温性能，提升永磁体的抗退磁性，避免永磁体出现退磁，进而提高产品的使用寿命。
61.如图10所示，永磁体装置3可以为单个永磁体，即为永磁体
①
。便于表述，将该单个永磁体
①
的永磁体装置称为结构1。
62.在本技术的一种实施方式中，永磁体装置3可以如图11所示，永磁体装置3包括第一永磁体单元31和第二永磁体单元32，该结构称为结构2。其中，第一永磁体单元31可以为单个永磁体，即为永磁体
③
，第二永磁体单元32中的第一永磁体321和第二永磁体322可以均为单个永磁体，即为永磁体
②
和永磁体
④
，其中，永磁体
①
、永磁体
②
、永磁体
③
和永磁体
④
的宽度均相同；永磁体
①
的长度，与，永磁体
②
、永磁体
③
和永磁体
④
长度之和相同，均为n，且永磁体
②
和永磁体
④
的长度相同但是且小于永磁体
③
的长度；且永磁体
①
的体积，与，永磁体
②
、永磁体
③
和永磁体
④
体积之和相同。则结构1和结构2中永磁体
①
、永磁体
②
、永磁体
③
和永磁体
④
的磁导系数大小如表1所示(附图10、附图11中数字的单位毫米)：
63.表1
[0064][0065]
采用性能等级相同的磁体，型号相同表明磁体性能等级相同，本发明采用n35sh磁体，也可采用其他型号，测试指定位置的表磁磁场强度和提升幅度，即测量点表磁。
[0066]
一种实施方式中，如图12所示，永磁体装置3可以为单个永磁体，永磁体的长度为
n,该永磁体装置3称为结构3。在距离永磁体指定位置处测量永磁体装置3的表磁磁场强度，本发明指定位置为在永磁体装置3一侧的中心位置，且距离永磁体装置3同侧的5毫米处的位置。
[0067]
结构4如图13所示，永磁体装置3的第一永磁体单元31可以为单个永磁体，第二永磁体单元32的第一永磁体321和第二永磁体322均为单个永磁体，第一永磁体单元31和第二永磁体单元32中的全部永磁体的总长度为n，每个单个永磁体的宽度均相同，第一永磁体单元31的内部磁感线和第二永磁体单元32的内部磁感线夹角为90
°
，测量指定位置处永磁体装置3的表磁磁场强度。
[0068]
结构5如图14所示，永磁体装置3的第一永磁体单元31可以为单个永磁体，第二永磁体单元32的第一永磁体321和第二永磁体322均为单个永磁体，第一永磁体单元31和第二永磁体单元32中的全部永磁体的总长度为n，每个单个永磁体的宽度均相同，第一永磁体单元31的内部磁感线和第二永磁体单元32的内部磁感线夹角为45
°
，测量指定位置处的永磁体装置3的表磁磁场强度。
[0069]
对比指定位置的表磁磁场强度和提升幅度，如下表2(附图12、附图13和附图14中数字的单位毫米)。
[0070]
表2
[0071][0072]
结构6如图15所示，永磁体装置3的第一永磁体单元31为单个永磁体，第一永磁体单元31的第一永磁体321和第二永磁体322均为单个永磁体，第一永磁体单元31和第二永磁体单元32中的全部永磁体的总长度为n；第一永磁体单元31和第二永磁体单元32中的各个永磁体的宽度与结构4比较，均减小相同的宽度，测量指定位置处永磁体装置3的表磁磁场强度。
[0073]
对比指定位置的表磁磁场强度和提升幅度表3所示(附图12、附图13和附图15中数字的单位为毫米)
[0074]
表3
[0075]
[0076][0077]
在永磁体装置体积相同的情况下，永磁体装置3的第二永磁体单元32包含第一永磁体321和第二永磁体322，并将第二永磁体单元32包含第一永磁体321和第二永磁体322固定在支撑片33上，分别设置于第一永磁体单元31相对的两侧，第一永磁体单元31的内部磁感线与第一永磁体321的内部磁感线的夹角为+90
°
或+45
°
，与第二永磁体322的内部磁感线的夹角为-90
°
或-45
°
，分别如图5和图6所示，采用性能等级相同的磁体，型号相同表明磁体性能等级相同，本发明采用n35sh磁体，也可采用其他型号，测试指定位置的表磁磁场强度和提升幅度。
[0078]
结构7如图16所示，永磁体装置3的第一永磁体单元31为单个永磁体，第二永磁体单元32的第一永磁体321和第二永磁体322均为单个永磁体，第一永磁体单元31的内部磁感线和第二永磁体单元32的内部磁感线夹角为90
°
，第一永磁体单元31和第二永磁体单元32中的全部永磁体的总长度为n；第一永磁体单元31和第二永磁体单元32中的每个永磁体均减小相同的宽度m，增加宽度m和长度n的支撑片。增加支撑片之后的永磁体装置3的体积和结构4的永磁体装置3的体积相同，测量指定位置处永磁体装置3的表磁磁场强度。
[0079]
结构8如图17所示，永磁体装置3的第二永磁体单元32中的第一永磁体321和第二永磁体322均为单个永磁体，第一永磁体单元31的内部磁感线和第二永磁体单元32的内部磁感线夹角为45
°
第一永磁体单元31和第二永磁体单元32中的每个永磁体均减小相同的宽度m，增加宽度m和长度n的支撑片。增加支撑片之后的永磁体装置3的体积和结构4的永磁体装置3的体积相同，测量指定位置处永磁体装置3的表磁磁场强度。
[0080]
对比指定位置的表磁磁场强度和提升幅度，表4所示(附图12、附图16和附图17中数字的单位为毫米)。
[0081]
表4
[0082][0083]
在一个具体实施例中，第一永磁体321、第二永磁体322、第三永磁体323与第四永磁体324的体积之和不超过永磁体装置3的体积。具体的，永磁体装置3中的第二永磁体单元
32包括第一永磁体321、第二永磁体322、第三永磁体323和第四永磁体324。第一永磁体单元31和第二永磁体单元32的位置关系如图4所示，同时将第一永磁体单元31和第二永磁体单元32固定在支撑片上，如图7所示。采用性能等级相同的磁体，型号相同表明磁体性能等级相同，本发明采用n35sh磁体，也可采用其他型号，测试指定位置的表磁磁场强度和提升幅度。
[0084]
具体的，结构9如图18，永磁装置3的第一永磁体单元31和第二永磁体单元32的第一永磁体321、第二永磁体322、第三永磁体323和第四永磁体324均采用单个永磁体，单个永磁体的宽度与支撑片33的宽度之和，与，结构1中的单个永磁体的宽度相同；第一永磁体321、第二永磁体322、第三永磁体323和第四永磁体324的全部单个永磁体的长度之和，与，结构1中的单个永磁体的长度相同，总长度为n，且，结构9和结构1中的永磁体装置3的总体积相同，测量指定位置处永磁体装置3的表磁磁场强度。
[0085]
具体的，结构10如图19所示，永磁装置3的第一永磁体单元31和第二永磁体单元32的第一永磁体321、第二永磁体322、第三永磁体323和第四永磁体324均采用单个永磁体，第一永磁体321、第二永磁体322、第三永磁体323和第四永磁体324的全部单个永磁体的长度之和，与，结构1中的单个永磁体的长度相同，总长度为；改变第一永磁体单元31和第二永磁体单元32每个永磁体的宽度，宽度小于结构9中单个永磁体的宽度，测量指定位置处永磁体装置3的表磁磁场强度。
[0086]
对比指定位置的表磁磁场强度和提升幅度，表5所示(附图12、附图18和附图19中数字的单位为毫米)。
[0087]
表5
[0088][0089]
可以理解的是，上述各实施例中相同或相似部分可以相互参考，在一些实施例中未详细说明的内容可以参见其他实施例中相同或相似的内容。
[0090]
需要说明的是，在本技术的描述中，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。此外，在本技术的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是指至少两个。
[0091]
流程图中或在此以其他方式描述的任何过程或方法描述可以被理解为，表示包括一个或更多个用于实现特定逻辑功能或过程的步骤的可执行指令的代码的模块、片段或部分，并且本技术的优选实施方式的范围包括另外的实现，其中可以不按所示出或讨论的顺序，包括根据所涉及的功能按基本同时的方式或按相反的顺序，来执行功能，这应被本技术的实施例所属技术领域的技术人员所理解。
[0092]
应当理解，本技术的各部分可以用硬件、软件、固件或它们的组合来实现。在上述实施方式中，多个步骤或方法可以用存储在存储器中且由合适的指令执行系统执行的软件或固件来实现。例如，如果用硬件来实现，和在另一实施方式中一样，可用本领域公知的下列技术中的任一项或他们的组合来实现：具有用于对数据信号实现逻辑功能的逻辑门电路的离散逻辑电路，具有合适的组合逻辑门电路的专用集成电路，可编程门阵列(pga)，现场可编程门阵列(fpga)等。
[0093]
本技术领域的普通技术人员可以理解实现上述实施例方法携带的全部或部分步骤是可以通过程序来指令相关的硬件完成，所述的程序可以存储于一种计算机可读存储介质中，该程序在执行时，包括方法实施例的步骤之一或其组合。
[0094]
此外，在本技术各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理模块中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个模块中。上述集成的模块既可以采用硬件的形式实现，也可以采用软件功能模块的形式实现。所述集成的模块如果以软件功能模块的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，也可以存储在一个计算机可读取存储介质中。
[0095]
上述提到的存储介质可以是只读存储器，磁盘或光盘等。
[0096]
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本技术的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
[0097]
尽管上面已经示出和描述了本技术的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本技术的限制，本领域的普通技术人员在本技术的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。

技术特征：
1.一种永磁灭弧装置装置，包括动触点、静触点、永磁体装置和灭弧室，其特征在于，所述永磁体装置包含第一永磁体单元和第二永磁体单元；所述第一永磁体单元的内部磁感线与所述静触点指向动触点的方向垂直，且与所述第一永磁体单元指向所述灭弧室的方向垂直；所述第二永磁体单元的内部磁感线与所述第一永磁体单元的内部磁感线的夹角大于0
°
且小于等于90
°
。2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第二永磁体单元包含第一永磁体和第二永磁体，分别设置于所述第一永磁体单元相对的两侧；所述第一永磁体位于所述第一永磁体单元的一侧，所述第一永磁体单元的内部磁感线和所述第一永磁体的内部磁感线夹角大于0
°
且小于等于90
°
；所述第二永磁体位于所述第一永磁体单元的另一侧，所述第一永磁体单元的内部磁感线和所述第二永磁体的内部磁感线夹角大于0
°
且小于等于90
°
。3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第二永磁体单元包括第一永磁体、第二永磁体、第三永磁体和第四永磁体；所述第一永磁体、所述第四永磁体设置于所述第一永磁体单元的第一侧，所述第一永磁体单元的内部磁感线与所述第一永磁体的内部磁感线的夹角为45
°
，与所述第四永磁体的内部磁感线的夹角为90
°
；所述第二永磁体、所述第三永磁体设置于所述第一永磁体单元的第二侧，所述第一永磁体单元的内部磁感线与所述第二永磁体的内部磁感线的夹角为45
°
，与所述第三永磁体的内部磁感线的夹角为90
°
；所述第一侧与所述第二侧为所述第一永磁体单元相对的两侧。4.根据权利要求1-3任一项所述的装置，其特征在于，还包括支撑片；所述第一永磁体单元和第二永磁体单元固定于所述支撑片上。5.根据权利要求4任一项所述的装置，其特征在于，所述第一永磁体单元与所述第二永磁体单元的体积之和不超过所述永磁体装置的体积。6.根据权利要求3任一项所述的装置，其特征在于，所述第一永磁体、所述第二永磁体、所述第三永磁体与所述第四永磁体的体积之和不超过所述永磁体装置的体积。

技术总结
本申请涉及一种永磁灭弧装置，涉及低压电气永磁灭弧技术领域，该永磁灭弧装置包括动触点、静触点、永磁体装置和灭弧室，其特征在于，永磁体装置包含第一永磁体单元和第二永磁体单元；第一永磁体单元的内部磁感线与静触点指向动触点的方向垂直，且与第一永磁体单元指向灭弧室的方向垂直；第二永磁体单元的内部磁感线与所述第一永磁体单元的内部磁感线的夹角大于0


技术研发人员：李泽江 周保平 马春茹
受保护的技术使用者：包头市英思特稀磁新材料股份有限公司
技术研发日：2023.07.05
技术公布日：2023/9/19