半成品电池的漏电检测方法、装置、设备和电池制备方法与流程

1.本技术涉及太阳能电池制备技术领域，特别是涉及一种半成品电池的漏电检测方法、装置、设备和电池制备方法。


背景技术：

2.太阳能的应用是解决能源与环境问题的有效途径,而高转换效率低成本,易于产业化的高效电池技术是太阳电池发展的目标。晶硅太阳能电池技术在产业上发展迅速，想要满足市场对晶硅太阳能电池的大量需求，则需要产线有能力进行产品的快速迭代升级。
3.制备太阳能电池有多道工序，目前主要依靠各道工序制程参数管控电池片良率及效率，但仅仅依靠各制程参数管控往往难以快速、有效地确定各工序是否异常。尤其是针对一些生产工序较多的太阳能电池，存在成品太阳能电池出现异常，而各工序的制成参数完全正常的情况，这导致太阳能电池生产线难以控制，尤其是出现故障时，难以快速、有效地找出发生异常的工序。


技术实现要素：

4.基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种能够加快发现异常工序的半成品电池的漏电检测方法、装置、设备和电池制备方法。
5.第一方面，本技术提供一种半成品电池的漏电检测方法，所述漏电检测方法包括：
6.提供经目标制备工序中制备获得的半成品电池；
7.获取所述半成品电池的漏电信息；
8.根据所述漏电信息是否满足漏电条件判断所述半成品电池是否漏电。
9.在其中一个实施例中，所述漏电信息包括红外图像和漏电流值；所述获取所述半成品电池的漏电信息包括：
10.对所述半成品电池施加预设电压；
11.采集被施加预设电压之后的所述半成品电池的红外图像；
12.检测所述半成品电池的漏电流值。
13.在其中一个实施例中，所述漏电条件包括红外图像存在图像亮度值大于阈值的区域且所述漏电流值满足预设条件；根据所述漏电信息是否满足漏电条件判断所述半成品电池是否漏电包括：
14.获取所述红外图像中的图像亮度值；
15.当所述红外图像中存在所述图像亮度值大于阈值的区域，且所述漏电流值满足预设条件时，确定所述半成品电池漏电。
16.在其中一个实施例中，所述预设条件包括漏电流值小于或等于0.5a。
17.在其中一个实施例中，所述提供经目标制备工序中制备获得的半成品电池包括：
18.获取去除硅基底的表面及边缘绕镀的硼硅玻璃层之后形成的第一硅基底；
19.对所述第一硅基底进行丝网印刷以获得所述半成品电池。
20.在其中一个实施例中，所述提供经目标制备工序中制备获得的半成品电池包括：
21.获取去除硅基底的表面及边缘绕镀的磷硅玻璃层之后形成的第二硅基底；
22.对所述第二硅基底进行丝网印刷以获得所述半成品电池。
23.在其中一个实施例中，所述提供经目标制备工序中制备获得的半成品电池还包括：
24.获取去除硅基底的表面的有机物之后形成的第三硅基底；
25.对所述第三硅基底进行丝网印刷以获得半成品电池。
26.第二方面，本技术提供一种电池制备方法，包括：
27.通过上述的半成品电池漏电检测方法确定所述半成品电池不存在漏电后，继续执行所述目标制备工序中的后续工序，以获得所述太阳能电池。
28.第三方面，本技术还提供一种钝化接触太阳能电池，所述钝化接触太阳能电池由上述的电池制备方法制备获得。
29.第四方面，本技术提供一种半成品电池漏电检测装置，所述装置包括：
30.漏电信息获取模块，用于获取半成品电池的漏电信息；所述半成品电池经目标制备工序中制备获得；
31.判断模块，用于根据所述漏电信息是否满足漏电条件判断所述半成品电池是否漏电。
32.第五方面，本技术提供一种计算机设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现上述半成品电池的漏电检测的方法的步骤。
33.上述半成品电池的漏电检测方法、装置、设备和电池制备方法，提供经目标制备工序中制备获得的半成品电池，再获取半成品电池的漏电信息，根据该漏电信息是否满足漏电条件判断半成品电池是否漏电。由于检测的半成品电池是在目标制备工序过程中获取的，而无需经历全部电池制备工序获取成品电池之后再进行漏电检测，通过对半成品电池进行漏电检测及时对获取的半成品电池的前序制备工序进行异常排查，当某一制备工序异常时，能够节省电池制备时间。
附图说明
34.图1为一个实施例中半成品电池的漏电检测方法的流程图之一；
35.图2为一个实施例中获取半成品电池的漏电信息的流程图；
36.图3为一个实施例中判断半成品电池是否漏电的流程图；
37.图4为一个实施例中制备获取半成品电池的流程图之一；
38.图5为一个实施例中第一硅基底的结构示意图；
39.图6为一个实施例中制备获得半成品电池的流程图之二；
40.图7为一个实施例中第二硅基底的结构示意图；
41.图8为一个实施例中制备获得半成品电池的流程图之三；
42.图9为一个实施例中半成品电池的漏电检测方法的流程图之二；
43.图10为一个实施例中半成品电池的漏电检测装置结构示意框图；
44.图11为一个实施例中计算机设备的内部结构图。
具体实施方式
45.为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。
46.除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本技术的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本技术。
47.在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也可以包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应当理解的是，术语“包括/包含”或“具有”等指定所陈述的特征、整体、步骤、操作、组件、部分或它们的组合的存在，但是不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、组件、部分或它们的组合的可能性。同时，在本说明书中，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。
48.在一个实施例中，如图1所示的半成品电池的漏电检测方法的流程图之一，该半成品电池的漏电检测方法包括以下步骤102至步骤106：
49.步骤102，提供经目标制备工序中制备获得的半成品电池。
50.其中，上述的目标制备工序指的是太阳能电池的某些制备工序。太阳能电池之所以能够导电，是因为制备在太阳能电池中存在电子转移。进一步地，要提高太阳能电池的转换效率，就需要电子能够顺畅地进行转移，即，需要保证制备太阳能电池的材料的质量和太阳能电池制备工序的正常进行。通常太阳能电池的制备工序包括清洗制绒、正面硼扩散、刻蚀去硼硅玻璃层(bsg)和背结、氧化层钝化接触制备、退火、可是去磷硅玻璃层(psg)和有机物(rca)、原子层沉积(ald)、发射极钝化、背面钝化、丝网印刷、烧结和漏电测试等。在上述制备工序中，太阳能电池由于扩散制结过程中扩散薄层电阻不均匀、等离子刻蚀不均匀、酸洗过程中未清洗干净或者快速烧结中的涂浆材料存在杂质，又或者快速烧结时的温度过高等都可能导致太阳能电池漏电。因此及时检测制备过程中的半成品电池是否漏电能够及时对异常工序进行排查。
51.步骤104，获取半成品电池的漏电信息。
52.其中，于太阳能电池的半成品电池而言，漏电指的是半成品电池的阳极和阴极之间发生电流泄露。上述漏电信息可以是半成品电池的外观信息，例如，观察半成品电池表面是否存在裂痕，存在裂痕，则半成品存在漏电的可能性较大，此时可进一步获取半成品电池的电流信息或者电压信息。可以理解的是，此时的电流信息和电压信息也可以作为漏电信息。而又可以通过万用表获取半成品电池的电压信息。而无需精确获取半成品电池的漏电流的电流值时，可以通过触摸表面判断半成品电池表面是否存在电流，即此时的电流信息可以理解为半成品电池表面存在电流或者不存在电流。
53.步骤106，根据漏电信息是否满足漏电条件判断半成品电池是否漏电。
54.具体地，当漏电信息为半成品电池的电流信息时，可以通过电流检测器检测电池正负极之间生的电流大小和方向，如果半成品电池存在漏电，则电流检测器会检测出电流值。可以理解的是，当电流值为正数时，电流方向为从半成品电池的正极流向半成品电池的负极；当电流值为负数时，电流方向为从半成品电池的负极流向半成品电池的正极。进一步地，为了更准确地判断半成品电池是否漏电，也可以通过红外检测仪器进行检测，此时的漏
电信息可以是红外图像和漏电流值，两者结合，漏电条件可以是红外图像存在明显色差，漏电流值不为0时，则说明此时的半成品电池存在漏电。
55.上述半成品电池的漏电检测方法中，提供经目标制备工序中制备获得的半成品电池，再获取半成品电池的漏电信息，基于该漏电信息判断半成品电池是否漏电。由于检测的半成品电池是在目标制备工序过程中获取的，而无需经历全部电池制备工序获取成品电池之后再进行漏电检测，因此通过对半成品电池进行漏电检测及时对获取的半成品电池的前序制备工序进行异常排查当某一制备工序异常时，能够缩减对成品电池制备产线出现异常的反应时间，进而节省电池制备时间，有效提高成品电池制备产线的良率和效率。
56.在一个实施例中，漏电信息包括红外图像和漏电流值；如图2所示的获取半成品电池的漏电信息的流程图，获取半成品电池的漏电信息包括以下步骤202至步骤206：
57.步骤202，对半成品电池施加预设电压。
58.具体地，控制对待检测的半成品电池施加电压的电压值，例如，采集p型基底的半成品电池时，控制施加高电压至待检测的半成品电池；采集n型基底的半成品电池时，控制施加低电压至待检测的半成品电池。
59.步骤204，采集被施加预设电压之后的半成品电池的红外图像。
60.具体地，通过红外检测仪器采集被施加预设电压值的待检测的半成品电池的红外图像。由于当待检测的半成品电池存在漏电时，漏电区域会发热，采集到的红外图像会出现色差，因此可以基于该红外图像初步判断待检测的半成品电池是否存在漏电。
61.步骤206，检测半成品电池的漏电流值。
62.其中，漏电流值为半成品电池在施加电压时，在漏电区域形成的电流值。具体地，由于对半成品电池施加电压后，半成品电池的正面和背面的导电层形成了回路，当半导体电池存在漏电区域时，在反向电压的作用下会产生较大的电流，该电流即为漏电流。
63.本实施例中，当半成品电池存在漏电时，由于正反面被施加预设电压，漏电区域由于产生大电流而发热，通过采集红外图像能够初步判断出现漏电的区域，为进一步提高检测精度，检测半成品电池的漏电流值能够更加准确地判断半成品电池的是否存在漏电以及漏电程度。
64.在一个实施例中，如图3所示的判断半成品电池是否漏电的流程图；漏电条件包括红外图像存在图像亮度值大于阈值的区域且漏电流值满足预设条件；根据所述漏电信息是否满足漏电条件判断半成品电池是否漏电包括：
65.步骤302，获取红外图像中的图像亮度值。
66.其中，该红外图像是基于红外检测设备获取的，当半成品电池出现漏电时，获取到的红外图像则会由于半成品电池漏电造成的温度不均导致亮度差，因此，获取红外图像中的图像亮度值可以判断红外图像是否出现亮度差，从而有助于判断半成品电池是否漏电。
67.步骤304，当红外图像中存在图像亮度值大于阈值的区域，且漏电流值满足预设条件时，确定半成品电池漏电。
68.具体地，由于红外图像是基于红外检测设备获取的，红外检测的实质是利用物体辐射红外线的特点进行非接触的红外温度记录法，因此当红外图像中存在图像亮度值不一的区域时，极大可能是由于半成品电池存在漏电区域导致的。因此，当检测到红外图像中存在图像亮度值大于阈值的区域时，则能够初步判断半成品电池存在漏电。上述阈值由红外
图像采集设备的检测性能决定，本实施例不对该阈值进行具体的限定。上述预设条件可根据半成品电池的制备材料决定。示例性地，当该阈值为3cd/m2时，当获取的红外图像中存在亮度值为5cd/m2的区域时，则可以初步判断半成品电池存在漏电，为进一步准确获取判断结果，还需结合检测的漏电流值进行具体判断。如，当检测到半成品电池的漏电流值为0.1a，则可以确定该半成品电池漏电。
69.在本实施例中，通过获取红外图像中的图像亮度值，当检测到红外图像中存在图像亮度值大于阈值的区域，则能够初步判断半成品电池存在漏电，进一步地，当漏电流值满足预设条件时，确定半成品电池漏电。通过上述方法，能够提高对半成品电池进行漏电检测的准确性。
70.在一个实施例中，预设条件包括漏电流值小于或等于0.5a。
71.在本实施例中，将半成品电池的漏电流值限定在小于或等于0.5a的范围内，能够对半成品电池是否漏电进行精确地判断。
72.在一个实施例中，如图4所示的制备获取半成品电池的流程图之一；提供经目标制备工序中制备获得的半成品电池包括以下步骤402至步骤404：
73.步骤402，获取去除硅基底的表面及边缘绕镀的硼硅玻璃层之后形成的第一硅基底。
74.其中，上述表面可以是硅基底的正面，即，接受光照的一面。
75.如图5所示的第一硅基底的结构示意图，第一硅基底包括硅基底510表面及边缘绕镀的硼硅玻璃层520。
76.具体地，在制作成品电池的过程中，利用硅的各向异性，在对硅基底的表面进行腐蚀，从而在每平方厘米硅表面形成几百万个四面方锥体，从而完成对硅基底表面的进行制绒的制备工序。在完成对硅基底表面的制绒之后，一般需要对硅基底表面进行化学清洗，以防腐蚀物对硅基底表面造成污染，在清洗后应立即在硅基底表面进行硼扩，以制备pn结，pn结是太阳能电池实现光能到电能的转换的关键结构，通常采用三氯氧磷液态源作为扩散源，但是在硼扩制备pn结的过程中，通常还会产生影响光电转换效率的硼硅玻璃层，因此还需要去除硅基底表面及边缘绕镀的硼硅玻璃层，该过程具体为：通过化学腐蚀法也即把硅片放在氢氟酸溶液中浸泡，使其产生化学反应生成可溶性的络和物六氟硅酸，氢氟酸能够溶解二氧化硅是因为氢氟酸与二氧化硅反应生成易挥发的四氟化硅气体。若氢氟酸过量，反应生成的四氟化硅会进一步与氢氟酸反应生成可溶性的络和物六氟硅酸。当未去除干净上述的硼硅玻璃层时，硼硅玻璃会造成电池漏电。也即，该硼硅玻璃是造成制备的成品电池存在漏电的原因之一。
77.步骤404，对第一硅基底进行丝网印刷以获得半成品电池。
78.其中，丝网印刷指的是在第一硅基底的表面制作正、负两个电极。由于在经过上述的硼扩工序之后，第一硅基底已经形成pn结，因此，通过对第一硅基底进行丝网印刷，可以使得制得的半成品电池中的pn结能够在光照下发生电子转移，从而产生电流，通过丝网印刷制作的正、负极能够将上述电流导出。
79.在本实施例中，通过获取去除硅基底的表面及边缘绕镀的硼硅玻璃层之后形成的第一硅基底，并对第一硅基底进行丝网印刷以获得半成品电池。使得在对该半成品电池的正负极施加电压后，能够对由第一硅基底形成的半成品电池进行漏电检测，由于该第一硅
基底是在去除硅基底表面及边缘绕镀的硼硅玻璃层的工艺之后获取的，此时的漏电检测结果能够反映在制备成品电池的去除硼硅玻璃层的制备工艺是否出现异常。进一步地，由于第一硅基底表面绕镀的硼硅玻璃层是导致成品电池漏电的主要原因之一，通过快速测试该制备工艺是否正常，能够优先排除目标制备工艺的该工艺异常的风险，进一步提高制备良率较高的成品电池的制备速度。
80.在一个实施例中，如图6所示的制备获得半成品电池的流程图之二；提供经目标制备工序中制备获得的半成品电池包括以下步骤602至步骤604：
81.步骤602，获取去除硅基底的表面及边缘绕镀的磷硅玻璃层之后形成的第二硅基底。
82.其中，上述表面可以是正面，也可以是背面。正面指的是接受光照的一面，背面指的是与接受光照的一面相对的面。
83.第二硅基底可以参考如图7所示的第二硅基底的结构示意图。第二硅基底包括隧穿氧化层710和硅基底720表面及边缘绕镀的磷硅玻璃层730。
84.特别地，当成品电池为topcon(隧穿氧化层钝化接触，tunnel oxide passivated contact)太阳能电池时，topcon是一种基于选择性载流子原理的隧穿氧化层钝化接触，其电池结构为n型硅基底电池，核心是在硅基底的背面钝化接触，在完成上述去除硼硅玻璃层工艺，还需对硅基底背面进行背抛光，以进一步地在硅基底的背面制作隧穿氧化层和poly(高掺杂的多晶硅薄)层。隧穿氧化层和poly层形成钝化接触结构，该结构为硅基底的背面提供了良好的表面钝化，隧穿氧化层可以使多子电子隧穿进入poly层，同时阻挡少子空穴复合，进而使得电子在poly层横向传输被金属收集，从而极大地降低了金属接触复合电流，提升了topcon电池的开路电压和短路电流。由于由隧穿氧化层和poly层形成钝化接触结构的钝化性能需要在进行退火处理后才能够被激活，因此还需要在制备完隧穿氧化层和poly层之后对硅基底进行退火处理。由于通常poly层掺杂的是磷，在制备poly层时还会在硅基底的背面和边缘形成磷硅玻璃层，磷硅玻璃层不利于钝化结构的钝化性能和导致成品电池漏电，因此需要通过化学腐蚀法也即把硅片放在氢氟酸溶液中浸泡，使其产生化学反应生成可溶性的络和物六氟硅酸，以去除上述磷硅玻璃层。也即，该磷硅玻璃层是造成制备的成品电池存在漏电的原因之一。
85.需注意的是，在制备一些其他类型的成品电池时，该磷硅玻璃层可能位于硅基底的正面，即光照的一面。此时，本实施例中的所述第二硅基底也可以是通过去除硅基底表面及边缘绕镀的磷硅玻璃层之后形成的。
86.步骤604，对第二硅基底进行丝网印刷以获得半成品电池。
87.在本实施例中，通过获取去除硅基底的背面及边缘绕镀的磷硅玻璃层之后形成的第二硅基底，并对第二硅基底进行丝网印刷以获得半成品电池。使得在对该半成品电池的正负极施加电压后，能够对由第二硅基底形成的半成品电池进行漏电检测，由于该第二硅基底是在去除硅基底背面及边缘绕镀的磷硅玻璃层的工艺之后获取的，此时的漏电检测结果能够反映在制备成品电池的去除磷硅玻璃层的制备工艺是否出现异常。进一步地，由于第二硅基底背面绕镀的磷硅玻璃层是导致成品电池或半成品电池漏电的主要原因之一，通过快速测试该制备工艺是否正常，能够优先排除目标制备工艺的该工艺异常的风险，进一步提高制备良率较高的成品电池的制备速度。
88.在一个实施例中，如图8所示的制备获得半成品电池的流程图之三。提供经目标制备工序中制备获得的半成品电池还包括以下步骤802至步骤804：
89.步骤802，获取去除硅基底的表面的有机物之后形成的第三硅基底。
90.其中，上述表面可以是正面，也可以是背面。正面指的是接受光照的一面，背面指的是与接受光照的一面相对的面。
91.具体地，由于在制备成品电池的工艺过程中，通常会采用有机化学试剂对一些不必要的磷硅玻璃层或者硼硅玻璃层进行彻底清洗，但是实际上，上述有机化学试剂在成品电池的后续高温烧结过程中，也会进入到pn结以使成品电池漏电。即，有机物也是造成制备的成品电池存在漏电的原因之一。
92.步骤804，对第三硅基底进行丝网印刷以获得半成品电池。
93.在本实施例中，通过获取去除硅基底的背面的有机物之后形成的第三硅基底，并对第三硅基底进行丝网印刷以获得半成品电池。使得在对该半成品电池的正负极施加电压后，能够对由第三硅基底形成的半成品电池进行漏电检测，由于该第三硅基底是在去除硅基底表面的有机物的制备工艺之后获取的，此时的漏电检测结果能够反映在制备成品电池的去除有机物的制备工艺是否出现异常。进一步地，由于第使能硅基底表面的有机物是导致成品电池漏电的主要原因之一，通过快速测试该制备工艺是否正常，能够优先排除目标制备工艺的该工艺异常的风险，进一步提高制备良率较高的成品电池的制备速度。
94.在一个实施例中，如图9所示的半成品电池的漏电检测方法的流程图之二；半成品电池的漏电检测方法包括以下步骤902至步骤910：
95.步骤902，获取去除硅基底的表面及边缘绕镀的硼硅玻璃层或磷硅玻璃或去除硅基底表面的有机物之后形成的目标硅基底。
96.步骤904，对硅基底进行丝网印刷以获得半成品电池。
97.步骤906，对半成品电池施加预设电压值的电压，并采集被施加预设电压之后的半成品电池的红外图像。
98.步骤908，获取红外图像中的图像亮度值和获取半成品电池的电流值。
99.步骤910，当红外图像中存在图像亮度值大于阈值的区域，且漏电流值小于或等于0.5a时，确定半成品电池漏电。
100.在本实施例中，以制备topcon电池为例说明，通常制备topcon电池的工艺包括清洗制绒、正面硼扩散、刻蚀去硼硅玻璃层(bsg)和背结、氧化层钝化接触制备、退火、可是去磷硅玻璃层(psg)和有机物(rca)、原子层沉积(ald)、发射极钝化、背面钝化、丝网印刷、烧结和漏电测试。通常从清洗制绒到最后漏电检测需要花费大量的时间。当前序工艺没有将硼硅玻璃层、磷硅玻璃层或有机物清洗干净时，将导致产线产生大量边缘漏电的不良topcon电池，影响产品的整体良率和效率，造成不必要的损失。本技术通过上述半成品电池的漏电检测方法，能够在去除硅基底表面及边缘绕镀的硼硅玻璃层之后对获得的半成品电池进行漏电检测，若此时检测表面半成品电池存在漏电，则可以判断是去除硅基底表面及边缘绕镀的硼硅玻璃层的制备工艺异常，与传统的在最后进行漏电检测相较，可以节省8-10小时时间。在去除硅基底表面及边缘绕镀的磷硅玻璃层之后对获得的半成品电池进行漏电检测，若此时检测表面半成品电池存在漏电，则可以判断是去除硅基底表面及边缘绕镀的磷硅玻璃层的制备工艺异常，与传统的在最后进行漏电检测相较，可以节省4-5小时时
间。通过本技术的上述方法，能够缩减对成品电池制备产线出现异常的反应时间，有效提高成品电池制备产线的良率和效率。
101.应该理解的是，虽然如上所述的各实施例所涉及的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，这些步骤可以以其它的顺序执行。而且，如上所述的各实施例所涉及的流程图中的至少一部分步骤可以包括多个步骤或者多个阶段，这些步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，这些步骤或者阶段的执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其它步骤或者其它步骤中的步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。
102.在一个实施例中，本技术还提供一种电池制备方法，包括通过上述任一实施例中的半成品电池漏电检测方法确定半成品电池不存在漏电后，继续执行目标制备工序中的后续工序，以获得太阳能电池。
103.在一个实施例中，本技术还提供一种钝化接触太阳能电池，钝化接触太阳能电池由上述实施例中的电池制备方法制备获得。在一个实施例中，本技术还提供一种光伏组件，包括电池串，该电池串为如上述实施例中所述的电池制备方法制备获得的成品电池连接而成。
104.基于同样的发明构思，本技术实施例还提供了一种用于实现上述所涉及的半成品电池的漏电检测方法的半成品电池的漏电检测装置。该装置所提供的解决问题的实现方案与上述方法中所记载的实现方案相似，故下面所提供的一个或多个半成品电池的漏电检测装置实施例中的具体限定可以参见上文中对于半成品电池的漏电检测方法的限定，在此不再赘述。
105.在一个实施例中，如图10所示的半成品电池的漏电检测装置结构示意框图，提供了一种半成品电池的漏电检测装置，漏电检测装置10包括漏电信息获取模块11和判断模块12，其中：
106.漏电信息获取模块11，用于获取半成品电池的漏电信息；所述半成品电池经目标制备工序中制备获得。
107.判断模块12，用于根据漏电信息是否满足漏电条件判断所述半成品电池是否漏电。
108.在一个实施例中，漏电信息包括红外图像和漏电流值；漏电信息获取模块还用于采集所述半成品电池的红外图像；检测所述半成品电池的漏电流值。
109.在一个实施例中，判断模块还用于对半成品电池施加预设电压值的电压；获取被施加预设电压之后的红外图像中的图像亮度值；当红外图像中存在图像亮度值大于阈值的区域，且漏电流值满足预设条件时，确定半成品电池漏电。
110.在一个实施例中，判断模块还用于获取红外图像中的图像亮度值；当红外图像中存在图像亮度值大于阈值的区域，且漏电流值小于或等于0.5a时，确定半成品电池漏电。
111.上述半成品电池的漏电检测装置中的各个模块可全部或部分通过软件、硬件及其组合来实现。上述各模块可以硬件形式内嵌于或独立于计算机设备中的处理器中，也可以以软件形式存储于计算机设备中的存储器中，以便于处理器调用执行以上各个模块对应的操作。
112.在一个实施例中，提供了一种计算机设备，该计算机设备可以是终端，其内部结构图可以如图11所示。该计算机设备包括通过系统总线连接的处理器、存储器、通信接口、显示屏和输入装置。其中，该计算机设备的处理器用于提供计算和控制能力。该计算机设备的存储器包括非易失性存储介质、内存储器。该非易失性存储介质存储有操作系统和计算机程序。该内存储器为非易失性存储介质中的操作系统和计算机程序的运行提供环境。该计算机设备的通信接口用于与外部的终端进行有线或无线方式的通信，无线方式可通过wifi、移动蜂窝网络、nfc(近场通信)或其他技术实现。该计算机程序被处理器执行时以实现一种半成品电池的漏电检测装置方法。该计算机设备的显示屏可以是液晶显示屏或者电子墨水显示屏，该计算机设备的输入装置可以是显示屏上覆盖的触摸层，也可以是计算机设备外壳上设置的按键、轨迹球或触控板，还可以是外接的键盘、触控板或鼠标等。
113.本领域技术人员可以理解，图11中示出的结构，仅仅是与本技术方案相关的部分结构的框图，并不构成对本技术方案所应用于其上的计算机设备的限定，具体的计算机设备可以包括比图中所示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者具有不同的部件布置。
114.在一个实施例中，提供了一种计算机设备，包括存储器和处理器，存储器中存储有计算机程序，该处理器执行计算机程序时实现上述各方法实施例中的步骤。在一个实施例中，提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现上述各半成品电池的漏电检测方法实施例中的步骤。
115.在一个实施例中，提供了一种计算机程序产品，包括计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现上述的各半成品电池的漏电检测方法实施例中的步骤。
116.本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程，是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，所述的计算机程序可存储于一非易失性计算机可读取存储介质中，该计算机程序在执行时，可包括如上述各方法的实施例的流程。其中，本技术所提供的各实施例中所使用的对存储器、数据库或其它介质的任何引用，均可包括非易失性和易失性存储器中的至少一种。非易失性存储器可包括只读存储器(read-only memory，rom)、磁带、软盘、闪存、光存储器、高密度嵌入式非易失性存储器、阻变存储器(reram)、磁变存储器(magnetoresistive random access memory，mram)、铁电存储器(ferroelectric random access memory，fram)、相变存储器(phase change memory，pcm)、石墨烯存储器等。易失性存储器可包括随机存取存储器(random access memory，ram)或外部高速缓冲存储器等。作为说明而非局限，ram可以是多种形式，比如静态随机存取存储器(static random access memory，sram)或动态随机存取存储器(dynamic random access memory，dram)等。本技术所提供的各实施例中所涉及的数据库可包括关系型数据库和非关系型数据库中至少一种。非关系型数据库可包括基于区块链的分布式数据库等，不限于此。本技术所提供的各实施例中所涉及的处理器可为通用处理器、中央处理器、图形处理器、数字信号处理器、可编程逻辑器、基于量子计算的数据处理逻辑器等，不限于此。
117.以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
118.以上所述实施例仅表达了本技术的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本技术专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员
来说，在不脱离本技术构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本技术的保护范围。因此，本技术的保护范围应以所附权利要求为准。

技术特征：
1.一种半成品电池的漏电检测方法，其特征在于，所述漏电检测方法包括：提供经目标制备工序中制备获得的半成品电池；获取所述半成品电池的漏电信息；根据所述漏电信息是否满足漏电条件判断所述半成品电池是否漏电。2.根据权利要求1所述的半成品电池的漏电检测方法，其特征在于，所述漏电信息包括红外图像和漏电流值；所述获取所述半成品电池的漏电信息包括：对所述半成品电池施加预设电压值的电压；采集被施加预设电压之后的所述半成品电池的红外图像；检测所述半成品电池的漏电流值。3.根据权利要求2所述的半成品电池的漏电检测方法，其特征在于，所述漏电条件包括所述红外图像存在图像亮度值大于阈值的区域且所述漏电流值满足预设条件；根据所述漏电信息是否满足漏电条件判断所述半成品电池是否漏电包括：获取所述红外图像中的图像亮度值；当所述红外图像中存在所述图像亮度值大于阈值的区域，且所述漏电流值满足预设条件时，确定所述半成品电池漏电。4.根据权利要求3所述的半成品电池的漏电检测方法，其特征在于，所述预设条件包括漏电流值小于或等于0.5a。5.根据权利要求1所述的半成品电池的漏电检测方法，其特征在于，所述提供经目标制备工序中制备获得的半成品电池包括：获取去除硅基底的表面及边缘绕镀的硼硅玻璃层之后形成的第一硅基底；对所述第一硅基底进行丝网印刷以获得所述半成品电池。6.根据权利要求1所述的半成品电池的漏电检测方法，其特征在于，所述提供经目标制备工序中制备获得的半成品电池包括：获取去除硅基底的表面及边缘绕镀的磷硅玻璃层之后形成的第二硅基底；对所述第二硅基底进行丝网印刷以获得所述半成品电池。7.根据权利要求1所述的半成品电池的漏电检测方法，其特征在于，所述提供经目标制备工序中制备获得的半成品电池还包括：获取去除硅基底的表面的有机物之后形成的第三硅基底；对所述第三硅基底进行丝网印刷以获得所述半成品电池。8.一种电池制备方法，其特征在于，包括：通过权利要求1至7任一项所述的半成品电池漏电检测方法确定所述半成品电池不存在漏电后，继续执行所述目标制备工序中的后续工序，以获得太阳能电池。9.一种钝化接触太阳能电池，其特征在于，所述钝化接触太阳能电池由权利要求8所述的电池制备方法制备获得。10.一种半成品电池漏电检测装置，其特征在于，所述装置包括：漏电信息获取模块，用于获取半成品电池的漏电信息；所述半成品电池经目标制备工序中制备获得；判断模块，用于根据所述漏电信息是否满足漏电条件判断所述半成品电池是否漏电。11.一种计算机设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，其特征在
于，所述处理器执行所述计算机程序时实现权利要求1至7中任一项所述的半成品电池的漏电检测方法的步骤。

技术总结
本申请涉及一种半成品电池的漏电检测方法、装置、设备和电池制备方法，半成品电池的漏电检测方法包括提供经目标制备工序中制备获得的半成品电池，再获取半成品电池的漏电信息，根据该漏电信息是否满足漏电条件判断半成品电池是否漏电。由于检测的半成品电池是在目标制备工序过程中获取的，而无需经历全部电池制备工序获取成品电池之后再进行漏电检测，通过对半成品电池进行漏电检测及时对获取的半成品电池的前序制备工序进行异常排查，当某一制备工序异常时，能够节省电池制备时间。能够节省电池制备时间。能够节省电池制备时间。


技术研发人员：左景武 陈红 左晓昆 夏雪松
受保护的技术使用者：天合光能股份有限公司
技术研发日：2023.06.25
技术公布日：2023/9/19