光器件、光调制器及光通信设备的制作方法

1.本文讨论的实施方式涉及光器件、光调制器及光通信设备。


背景技术：

2.图19是例示了传统使用的光调制器100的示例的示意性平面图。图19所示的光调制器100包括光波导101和含有信号电极和接地电极的具有共面结构(共面波导：cpw)的电极102。光波导101是由n掺杂硅105a(在下文中，简称为掺杂si)和p掺杂si 105b构成的pn结光波导。光波导101包括输入部分101a、分支部分101b、两个波导101c、复用部分101d和输出部分101e。输入部分101a是光调制器的向光调制器100输入光的输入部分。分支部分101b将从输入部分101a接收到的光进行光分支，并且将分支后的光输出到两个波导101c。两个波导101c中的每一个是光调制器的引导从分支部分101b接收到的光并且根据电极102之间的电场对传播光起作用的臂。复用部分101d对从两个波导101c接收到的光进行复用，并输出复用光。输出部分101e是光调制器100的输出从复用部分101d接收到的光的输出部分。
3.电极102是具有共面结构并且包括第一接地电极102a1、第一信号电极102b1、第二接地电极102a2、第二信号电极102b2和第三接地电极102a3的电极。
4.第一信号电极102b1在第一接地电极102a1和第二接地电极102a2之间以平行于这两个电极的状态设置。第二信号电极102b2在第二接地电极102a2和第三接地电极102a3之间以平行于这两个电极的状态设置。
5.在两个波导101c当中，第一波导101c1是设置在位于第一接地电极102a1和第一信号电极102b1之间的区域的下部处的光波导。在两个波导101c当中，第二波导101c2是设置于在第二信号电极102b2和第三接地电极102a3之间的区域的下部处的光波导。
6.在光调制器100执行高速调制的情况下，具有例如几十千兆赫兹(ghz)的频带的高频驱动电压因此被输入到分别沿着波导101c设置的第一信号电极102b1和第二信号电极102b2。
7.图20是沿图19所示的线m-m截取的示意性截面图。图20所示的沿线m-m截取的示意性截面区域包括硅基板131、由sio2制成并层压在硅基板131上的中间层132、以及形成在中间层132上的光波导101。此外，示意性截面区域包括由sio2制成并且层压在包括光波导101的中间层132上的缓冲层133、以及电极102。此外，电极102包括第一接地电极102a1、第一信号电极102b1和第二接地电极102a2。
8.缓冲层133具有其中在第一接地电极102a1和构成第一波导101c1的n掺杂si105a之间形成有通孔106的结构，并且包括借助于通孔106将位于第一接地电极102a1与构成第一波导101c1的n掺杂si 105a之间的部分接合的区域。缓冲层133具有其中在第一信号电极102b1和构成第一波导101c1的p掺杂si 105b之间形成有通孔106的结构，并且包括借助于通孔106将位于第一信号电极102b1和构成第一波导101c1的p掺杂si 105b之间的部分接合的区域。
9.此外，虽然未示出，但是缓冲层133包括形成在第三接地电极102a3和构成第二波
导101c2的n掺杂si 105a之间的通孔106。通孔106是将第三接地电极102a3和构成第二波导101c2的n掺杂si 105a之间的部分接合的区域。此外，缓冲层133包括形成在第二信号电极102b2和构成第二波导101c2的p掺杂si 105b之间的通孔106。通孔106是将第二信号电极102b2和构成第二波导101c2的p掺杂si 105b之间的部分接合的区域。
10.在光调制器100中，当高频驱动电压施加到第一信号电极102b1时，位于第一信号电极102b1和第一接地电极102a1之间的第一波导101c1的pn结的载流子密度被改变。在光调制器100中，由于第一波导101c1的折射率根据载流子密度的变化而变化，通过第一波导101c1传播的光的相位被改变。类似地，在光调制器100中，当高频驱动电压施加到第二信号电极102b2时，位于第二信号电极102b2和第三接地电极102a3之间的第二波导101c2的pn结的载流子密度被改变。在光调制器100中，由于第二波导101c2的折射率根据载流子密度的变化而变化，通过第二波导101c2传播的光的相位被改变。因此，通过使用复用部分101d将从第一波导101c1接收到的经过相位调制的光和从第二波导101c2接收到的经过相位调制的光进行复用，光调制器100能够执行变换，诸如根据光的相位差以多级改变光强度。
11.专利文献1：美国专利申请公开no.2014/0086523
12.专利文献2：日本特开no.2021-43263号公报
13.专利文献3：美国专利no.10962811
14.然而，传统光调制器100中所包括的光波导101是由硅pn结构成的，因此，光的折射率变化小，并且向第一信号电极102b1和第二信号电极102b2施加的驱动电压大，因此电力消耗增加。
15.因此，本发明的实施方式的一个方面的目的在于提供一种在抑制电力消耗的同时提高调制效率的光器件等。


技术实现要素：

16.根据实施方式的一个方面，一种光器件包括槽波导、电极、多个电光聚合物和桥接件。电极是包括平行于槽波导设置的信号电极和接地电极的具有共面结构的电极。多个电光聚合物中的每一个以分离状态插入槽波导中所提供的槽中。桥接件设置在位于分离的电光聚合物之间的边界区域中，并且电连接接地电极与另一接地电极。
附图说明
17.图1是例示了根据本实施方式的光通信设备的配置示例的框图；
18.图2是例示了根据第一实施方式的光调制器的配置示例的示意性平面图；
19.图3是沿图2所示的线a-a截取的示意性截面图；
20.图4是沿图2所示的线b-b截取的示意性截面图；
21.图5是例示了根据第二实施方式的光调制器的配置示例的示意性平面图；
22.图6是沿图5所示的线c-c截取的示意性截面图；
23.图7是沿图5所示的线d-d截取的示意性截面图；
24.图8是例示了根据第三实施方式的光调制器的配置示例的示意性平面图；
25.图9是沿图8所示的线e-e截取的示意性截面图；
26.图10是沿图8所示的线f-f截取的示意性截面图；
27.图11是例示了根据第四实施方式的光调制器的配置示例的示意性平面图；
28.图12是沿图11所示的线g-g截取的示意性截面图；
29.图13是沿图11所示的线h-h截取的示意性截面图；
30.图14是例示了根据第五实施方式的光调制器的配置示例的示意性平面图；
31.图15是沿图14所示的线j-j截取的示意性截面图；
32.图16是沿图14所示的线k-k截取的示意性截面图；
33.图17是例示了根据比较例的光调制器的配置示例的示意性平面图；
34.图18是沿图17所示的线l-l截取的示意性截面图；
35.图19是例示了传统光调制器的配置示例的示意性平面图；以及
36.图20是沿图19所示的线m-m截取的示意性截面图。
具体实施方式
37.比较例
38.在光调制器中，可以设想使用提供有eo聚合物的光波导代替使用pn结的由硅制成的光波导，以抑制施加到第一信号电极和第二信号电极的驱动电压。图17是例示了根据比较例的光调制器50的配置示例的示意性平面图。
39.根据图17所示的比较例的光调制器50包括光波导51和包含信号电极和接地电极的具有共面结构的电极52。光波导51是由两片n掺杂si 55a构成的槽波导。光波导51包括输入部分51a、分支部分51b、两个波导51c、复用部分51d和输出部分51e。输入部分51a是光调制器50的向光调制器50输入光的输入部分。分支部分51b将从输入部分51a接收到的光进行光分支并且将分支后的光输出到两个波导51c。两个波导51c中的每一个是光调制器50的引导从分支部分51b接收到的光并且根据电极52之间的电场对传播光起作用的臂。复用部分51d对从两个波导51c接收到的分支光进行复用并输出复用光。输出部分51e是光调制器50的输出从复用部分51d接收到的光的输出部分。
40.电极52是包括第一接地电极52a1、第一信号电极52b1、第二接地电极52a2、第二信号电极52b2和第三接地电极52a3的具有共面结构的电极。第一信号电极52b1在第一接地电极52a1和第二接地电极52a2之间以平行于这些电极的状态设置。第二信号电极52b2在第二接地电极52a2和第三接地电极52a3之间以平行于这些电极的状态设置。
41.在两个波导51c当中，第一波导51c1是设置在位于第一接地电极52a1和第一信号电极52b1之间的区域的下部处的光波导。第一波导51c1是由两片n掺杂si 55a构成的设置有槽55b的槽波导。
42.在两个波导51c当中，第二波导51c2是设置在位于第二信号电极52b2和第三接地电极52a3之间的区域的下部处的光波导。第二波导51c2是由两片n掺杂si 55a构成的设置有槽55b的槽波导。
43.图18是沿图17所示的线l-l截取的示意性截面图。图18所示的沿线l-l截取的示意性截面区域包括硅基板31、由sio2制成的并且层压在硅基板31上的中间层32、形成在中间层32上的光波导51、由sio2制成并且层压在包括光波导51的中间层32上的缓冲层33、以及电极52。另外，电极52包括第一接地电极52a1、第一信号电极52b1和第二接地电极52a2。
44.缓冲层33包括形成在第一接地电极52a1和构成第一波导51c1的n掺杂si 55a之间
的通孔56。通孔56将位于第一接地电极52a1和构成第一波导51c1的n掺杂si 55a之间的部分接合。缓冲层33包括形成在第一信号电极52b1和构成第一波导51c1的n掺杂si 55a之间的通孔56。通孔56将位于第一信号电极52b1和构成第一波导51c1的n掺杂si 55a之间的部分接合。此外，缓冲层33包括形成在第一接地电极52a1和第一信号电极52b1之间的开口部分33a。电光(eo)聚合物53相应地设置于在第一波导51c1中所提供的n掺杂si 55a上，以便用设置在开口部分33a中的电光(eo)聚合物53的一部分填充位于第一波导51c1中所提供的n掺杂si 55a之间的槽55b。
45.缓冲层33包括形成在第三接地电极52a3和包括于第二波导51c2中的n掺杂si 55a之间的通孔56。通孔56将位于第三接地电极52a3和包括于第二波导51c2中的n掺杂si 55a之间的部分接合。缓冲层33包括形成在第二信号电极52b2和包括于第二波导51c2中的n掺杂si 55a之间的通孔56。通孔56将位于第二信号电极52b2和包括于第二波导51c2中的n掺杂si 55a之间的部分接合。此外，缓冲层33包括形成在第三接地电极52a3和第二信号电极52b2之间的开口部分33a。eo聚合物53相应地设置于第二波导51c2中所提供的n掺杂si 55a上，以便用设置在开口部分33a中的eo聚合物53的一部分填充位于第二波导51c2中所提供的两片n掺杂si 55a之间的槽55b。
46.关于光调制器50，eo聚合物53用于在光波导51中所提供的槽55b中，使得通过光波导51传播的光的折射率的变化增加。另外，在光调制器50中，当高频驱动电压施加到第一信号电极52b1时，由于位于第一信号电极52b1和第一接地电极52a1之间的第一波导51c1的折射率变化，通过第一波导51c1传播的光的相位被改变。类似地，在光调制器50中，当高频驱动电压施加到第二信号电极52b2时，由于位于第二信号电极52b2和第三接地电极52a3之间的第二波导51c2的折射率变化，通过第二波导51c2传播的光的相位被改变。因此，通过使用复用部分51d将从第一波导51c1接收到的经过相位调制的光和从第二波导51c2接收到的经过相位调制的光进行复用，光调制器50能够执行转换，诸如根据光的相位差以多级改变光强度。
47.在根据比较例的光调制器50中，eo聚合物53用于在光波导51中所提供的槽55b中，使得通过光波导51传播的光的折射率的变化增加。因此，可以降低施加到第一信号电极52b1和第二信号电极52b2的驱动电压，因此可以抑制电力消耗。
48.在根据比较例的光调制器50中，为了用eo聚合物53填充位于在光波导51中所提供的两片n掺杂si 55a之间的槽55b，需要在缓冲层33中蚀刻开口部分33a，并且将eo聚合物53注入开口部分33a中。另外，在比较例的光调制器50中，为了在位于第一接地电极52a1和第一信号电极52b1之间的缓冲层33中提供开口部分33a，第一接地电极52a1和第一信号电极52b1需要以一定间隔来放置。
49.然而，在根据比较例的光调制器50中，当第一接地电极52a1和第一信号电极52b1之间的间隔变长时，第一接地电极52a1和第一信号电极52b1之间的距离增加。因此，位于第一信号电极52b1两侧的第一接地电极52a1和第二接地电极52a2的电位在高频下变得不稳定。类似地，在根据比较例的光调制器50中，当第三接地电极52a3和第二信号电极52b2之间的间隔变长时，第三接地电极52a3和第二信号电极52b2之间的距离增加。因此，位于第二信号电极52b2两侧的第二接地电极52a2和第三接地电极52a3的电位在高频下变得不稳定。换言之，在根据比较例的光调制器50中，当接地电极和信号电极之间的间隔变长时，位于信号
电极两侧的接地电极之间的电位在高频下变得不稳定，从而导致高频带特性的劣化。
50.例如，当具有几十千兆赫兹(ghz)频带的高频驱动电压施加到信号电极时，由于在波导51c的输入级所施加的电位的变化，相位被改变，因此，变化的程度根据电信号(电场)的传播距离而增加。在波导11c的输入级，即使位于两侧的接地电极之间的电位相同，也会根据电信号(电场)的传播距离而在电位之间出现差异。因此，当信号电极和接地电极之间的间隔增加时，位于信号电极两侧的接地电极的电位在高频下变得不稳定。当位于两侧的接地电极的电位在高频下变得不稳定时，信号电极和接地电极之间的电压降低，并且施加到波导11c的电压相应地降低。结果，高频下的调制效率降低，从而导致高频带特性的劣化。
51.因此，将描述光调制器的如下实施方式作为第一实施方式：即使使用eo聚合物，也能够通过在使位于信号电极两侧的接地电极之间的电位稳定的同时，防止高频下调制效率的降低，来抑制在高频带处的特性劣化。此外，本发明不限于该实施方式。
52.[a]第一实施方式
[0053]
图1是例示了根据本实施方式的光通信设备1的配置示例的框图。图1中所示的光通信设备1连接至设置在输出侧的光纤2a(2)和设置在输入侧的光纤2b(2)。光通信设备1包括数字信号处理器(dsp)3、光源4、光调制器5和光接收器6。dsp3是执行数字信号处理的电子组件。dsp 3执行例如对发送数据等进行编码的处理，生成包括发送数据的电信号，并且将所生成的电信号输出至光调制器5。此外，dsp 3从光接收器6获取包括接收数据的电信号，并且通过执行例如对所获取的电信号进行解码的处理来获得接收数据。
[0054]
光源4包括例如激光二极管等，产生具有预定波长的光，并且通过连接光纤4a向光调制器5和光接收器6提供所产生的光。光调制器5是通过使用从dsp 3输出的电信号来调制从光源4提供的光并向光纤2a输出所获得的光发送信号的光器件。光调制器5是包括例如光波导11和具有共面(共面波导：cpw)结构的电极12的、诸si光调制器之类的光器件。光波导11形成在si晶体基板上。光调制器5通过在从光源4提供的光穿过光波导11时利用输入到电极12中所包括的信号电极的电信号来调制该光，而生成光发送信号。
[0055]
光接收器6从光纤2b接收光信号，并通过使用从光源4提供的光来解调接收到的光信号。然后，光接收器6将接收到的解调光信号转换为电信号，并且将转换后的电信号输出到dsp 3。
[0056]
图2是例示了根据第一实施方式的光调制器5的配置示例的示意性平面图。图2所示的光调制器5包括：光波导11；具有共面结构、包括信号电极和接地电极并且平行于光波导11设置的电极12；以及以分离状态插入到光波导11中所提供的槽15b中的多个eo聚合物13。此外，光调制器5设置在位于分离的eo聚合物之间的第一边界区域21a中，并且包括将接地电极与另一接地电极电连接的桥接件14。
[0057]
光波导11是由两片n掺杂si 15a构成的槽波导。光波导11包括输入部分11a、分支部分11b、两个波导11c、复用部分11d和输出部分11e。输入部分11a是光调制器5的输入从光源4接收到的光的输入部分。分支部分11b对从输入部分11a接收到的光进行光分支，并且将分支后的光输出至两个波导11c。两个波导11c中的每一个是光调制器5的传播从分支部分11b接收到的光并且根据电极12之间的电场对传播光起作用的臂。复用部分11d将从两个波导11c接收到的分支光进行复用，并输出复用光。输出部分11e是光调制器5的输出从复用部分11d接收到的光的输出部分。
[0058]
通过使用由例如铝、金、银、铜等制成的材料来构成电极12。电极12是包括第一接地电极12a1、第一信号电极12b1、第二接地电极12a2、第二信号电极12b2和第三接地电极12a3的、具有共面结构的电极。第一信号电极12b1在第一接地电极12a1和第二接地电极12a2之间以平行于这些电极的状态设置。第二信号电极12b2在第二接地电极12a2和第三接地电极12a3之间以平行于这些电极的状态设置。
[0059]
在两个波导11c当中，第一波导11c1是设置在位于第一接地电极12a1和第一信号电极12b1之间的区域的下部处的光波导。第一波导11c1是由两片n掺杂si 15a构成的、提供有槽15b的槽波导。
[0060]
在两个波导11c当中，第二波导11c2是设置在位于第二信号电极12b2和第三接地电极12a3之间的区域的下部处的光波导。第二波导11c2是由两片n掺杂si 15a构成的提供有槽15b的槽波导。
[0061]
光调制器5包括位于光穿过光波导11的行进方向上的第一区域20a、位于光穿过光波导11的行进方向上的第二区域20b、以及位于光穿过光波导11的行进方向上的第三区域20c。光调制器5包括作为边界区域并且位于第一区域20a和第二区域20b之间的第一边界区域21a、以及作为边界区域并且位于第二区域20b和第三区域20c之间的第二边界区域21b。
[0062]
在光调制器5中，根据光穿过光波导11的行进方向，光从第一区域20a依次朝向第一边界区域21a、第二区域20b、第二边界区域21b和第三区域20c而穿过波导11c。
[0063]
图3是沿图2的线a-a截取的示意性截面图。图3所示的沿线a-a截取的示意性截面区域是位于例如第一波导11c1侧上的第一区域20a。第一区域20a包括硅基板31、由sio2制成并层压在硅基板31上的中间层32、形成在中间层32上的光波导11、由sio2制成并且层压在包括光波导11的中间层32上的缓冲层33、以及电极12。另外，电极12包括第一接地电极12a1、第一信号电极12b1和第二接地电极12a2。
[0064]
电极12包括第一层m1和设置在第一层m1的下部处的第二层m2。第一接地电极12a1包括位于第一层m1中的区域12a11和位于第二层m2中的区域12a12。第二接地电极12a2包括位于第一层m1中的区域12a21和位于第二层m2中的区域12a22。第一信号电极12b1包括位于第一层m1中的区域12b11和位于第二层m2中的区域12b12。
[0065]
第一接地电极12a1中所包括的位于第一层m1中的区域12a11和第一接地电极12a1中所包括的位于第二层m2中的区域12a12之间的部分通过通孔16接合，并且第一接地电极12a1中所包括的位于第二层m2中的区域12a12和n掺杂si 15a之间的部分通过通孔16接合。第一信号电极12b1中所包括的位于第一层m1中的区域12b11与第一信号电极12b1中所包括的位于第二层m2中的区域12b12通过通孔16接合，并且第一信号电极12b1中所包括的位于第二层m2中的区域12b12与n掺杂si 15a之间的部分通过通孔16接合。第二接地电极12a2中所包括的位于第一层m1中的区域12a21和第二接地电极12a2中所包括的位于第二层m2中的区域12a22之间的部分通过通孔16接合。
[0066]
在第一波导11c1侧的第一区域20a包括形成在位于第一接地电极12a1和第一信号电极12b1之间的缓冲层33中的开口部分33a1、以及插入开口部分33a1中的第一eo聚合物13a。第一波导11c1处于第一eo聚合物13a的一部分插入槽15b中的状态。另外，通过使用例如分配器，将eo聚合物相应地插入到开口部分33a1中。
[0067]
在第二波导11c2侧的第一区域20a包括第二接地电极12a2、第二信号电极12b2和
第三接地电极12a3。在第二波导11c2侧的第一区域20a包括形成在位于第三接地电极12a3和第二信号电极12b2之间的缓冲层33中的开口部分33a1、以及插入开口部分33a1中的第一eo聚合物13a。第二波导11c2处于第一eo聚合物13a的一部分插入槽15b中的状态。
[0068]
在第一波导11c1侧的第二区域20b包括第一接地电极12a1、第一信号电极12b1和第二接地电极12a2。在第一波导11c1侧的第二区域20b包括形成在位于第一接地电极12a1和第一信号电极12b1之间的缓冲层33中的开口部分33a1、以及插入开口部分33a1中的第二eo聚合物13b。第一波导11c1处于第二eo聚合物13b的一部分插入槽15b中的状态。
[0069]
在第二波导11c2侧的第二区域20b包括第二接地电极12a2、第二信号电极12b2和第三接地电极12a3。在第二波导11c2侧的第二区域20b包括形成在位于第三接地电极12a3和第二信号电极12b2之间的缓冲层33中的开口部分33a1、以及插入开口部分33a1中的第二eo聚合物13b。第二波导11c2处于第二eo聚合物13b的一部分插入槽15b中的状态。
[0070]
在第一波导11c1侧的第三区域20c包括第一接地电极12a1、第一信号电极12b1和第二接地电极12a2。在第一波导11c1侧的第三区域20c包括形成在位于第一接地电极12a1和第一信号电极12b1之间的缓冲层33中的开口部分33a1、以及插入开口部分33a1中的第三eo聚合物13c。第一波导11c1处于第三eo聚合物13c的一部分插入槽15b中的状态。
[0071]
在第二波导11c2侧的第三区域20c包括第二接地电极12a2、第二信号电极12b2和第三接地电极12a3。在第二波导11c2侧的第三区域20c包括形成在位于第三接地电极12a3和第二信号电极12b2之间的缓冲层33中的开口部分33a1、以及插入开口部分33a1中的第三eo聚合物13c。第二波导11c2处于第三eo聚合物13c的一部分插入槽15b中的状态。
[0072]
图4是沿图2的线b-b截取的示意性截面图。图4所示的沿线b-b截取的示意性截面图是位于例如第一波导11c1侧的第一边界区域21a。第一边界区域21a对应于位于第一区域20a和第二区域20b之间的边界区域，即，将第一eo聚合物13a和第二eo聚合物13b之间的部分分离的区域。第一边界区域21a包括将位于第一区域20a中的第一波导11c1和位于第二区域20b中的第一波导11c1之间的部分接合的第一波导11c1。
[0073]
在第一波导11c1侧的第一边界区域21a包括第一接地电极12a1、第一信号电极12b1和第二接地电极12a2。在第一波导11c1侧的第一边界区域21a包括将第一接地电极12a1和第二接地电极12a2之间的部分电连接的第一桥接件14a(14)。在第一波导11c1侧的第一边界区域21a中所包括的第一波导11c1由两片n掺杂si15a构成，但是处于在槽15b中不存在eo聚合物的状态。在第一波导11c1侧的第一边界区域21a所包括的第一桥接件14a电连接第一接地电极12a1中所包括的位于第一层m1中的区域12a11和第二接地电极12a2中所包括的位于第一层m1中的区域12a21。在第一波导11c1侧的第一边界区域21a中所包括的第一信号电极12b1仅包括位于第二层m2中的区域12b12，并且处于位于第一信号电极12b1中的第一层m1中的区域不存在的状态。
[0074]
在第二波导11c2侧的第一边界区域21a包括第二接地电极12a2、第二信号电极12b2和第三接地电极12a3。在第二波导11c2侧的第一边界区域21a包括将第二接地电极12a2和第三接地电极12a3之间的部分电连接的第一桥接件14a(14)。在第二波导11c2侧的第一边界区域21a中所包括的第二波导11c2由两片n掺杂si15a构成，但处于槽15b中不存在eo聚合物的状态。在第二波导11c2侧的第一边界区域21a所包括的第一桥接件14a电连接第二接地电极12a2中所包括的位于第一层m1的区域12a21和第三接地电极12a3所包括的位于
第一层m1中的区域12a31。在第二波导11c2侧的第一边界区域21a所包括的第二信号电极12b2仅包括位于第二层m2中的区域12b22，并且处于位于第二信号电极12b2中的第一层m1中的区域不存在的状态。
[0075]
第二边界区域21b对应于位于第二区域20b和第三区域20c之间的边界区域，即，将第二eo聚合物13b和第三eo聚合物13c之间的部分分离的区域。第二边界区域21b包括将位于第二区域20b中的第一波导11c1和位于第三区域20c中的第一波导11c1之间的部分接合的第一波导11c1。此外，第二边界区域21b包括将位于第二区域20b中的第二波导11c2和位于第三区域20c中的第二波导11c2之间的部分接合的第二波导11c2。
[0076]
在第一波导11c1侧的第二边界区域21b包括第一接地电极12a1、第一信号电极12b1和第二接地电极12a2。在第一波导11c1侧的第二边界区域21b包括将第一接地电极12a1和第二接地电极12a2之间的部分电连接的第一桥接件14a(14)。在第一波导11c1侧的第二边界区域21b中所包括的第一波导11c1由两片n掺杂si 15a构成，但是处于槽15b中不存在eo聚合物的状态。在第一波导11c1侧的第二边界区域21b所包括的第一桥接件14a电连接第一接地电极12a1所包括的位于第一层m1中的区域12a11和第二接地电极12a2所包括的位于第一层m1中的区域12a21。此外，在第一波导11c1侧的第二边界区域21b中所包括的第一信号电极12b1仅包括位于第二层m2中的区域12b12。区域12b12和第一波导11c1中所提供的n掺杂si 15a之间的部分通过通孔16连接。在第一波导11c1侧的第二边界区域21b中所包括的第一信号电极12b1仅包括位于第二层m2中的区域12b12，并且处于位于第一信号电极12b1中的第一层m1中的区域不存在的状态。
[0077]
在第二波导11c2侧的第二边界区域21b包括第二接地电极12a2、第二信号电极12b2和第三接地电极12a3。在第二波导11c2侧的第二边界区域21b包括将第二接地电极12a2和第三接地电极12a3之间的部分电连接的第一桥接件14a(14)。在第二波导11c2侧的第二边界区域21b中所包括的第二波导11c2由两片n掺杂si 15a构成，但是处于槽15b中不存在eo聚合物的状态。在第二波导11c2侧的第二边界区域21b中所包括的第一桥接件14a电连接第二接地电极12a2所包括的位于第一层m1中的区域12a21和第三接地电极12a3所包括的位于第一层m1中的区域12a31。此外，在第二波导11c2侧的第二边界区域21b中所包括的第二信号电极12b2仅包括位于第二层m2中的区域12b22。区域12b22和第二波导11c2中所包括的n掺杂si 15a之间的部分通过通孔16连接。在第二波导11c2侧的第二边界区域21b中所包括的第二信号电极12b2仅包括位于第二层m2中的区域12b22，并且处于位于第二信号电极12b2中的第一层m1的区域不存在的状态。
[0078]
光调制器5中所包括的第一波导11c1由于折射率根据施加到第一区域20a、第二区域20b和第三区域20c中所包括的第一信号电极12b1的高频信号的驱动电压而变化，改变传播光的相位。此外，第一波导11c1通过使用第一桥接件14a电连接第一边界区域21a中所包括的第一接地电极12a1和第二接地电极12a2之间的部分以及第二边界区域21b中所包括的第一接地电极12a1和第二接地电极12a2之间的部分。通过作为电流在第一接地电极12a1和第二接地电极12a2之间流动的结果而使电位相等，来使第一接地电极12a1和第二接地电极12a2之间的电稳定位。因此，第一接地电极12a1和第二接地电极12a2之间的电位稳定，并且由此可以抑制第一信号电极12b1和第一接地电极12a1之间高频驱动电压的降低。结果，可以在不降低高频下的调制效率的情况下增加高频带。
[0079]
光调制器5中所包括的第二波导11c2由于折射率根据施加到第一区域20a、第二区域20b和第三区域20c中所包括的第二信号电极12b2的高频信号的驱动电压而变化，改变了传播光的相位。此外，第二波导11c2通过使用第一桥接件14a将第一边界区域21a中所包括的第三接地电极12a3和第二接地电极12a2之间的部分电连接以及将第二边界区域21b中所包括的第三接地电极12a3和第二接地电极12a2之间的部分电连接。通过作为电流在第二接地电极12a2和第三接地电极12a3之间流动的结果而使电位相等，来使第二接地电极12a2和第三接地电极12a3之间的电位稳定。因此，第三接地电极12a3与第二接地电极12a2之间的电位稳定，并且由此可以抑制第二信号电极12b2与第三接地电极12a3之间高频驱动电压的降低。结果，可以在不降低高频下的调制效率的情况下增加高频带。
[0080]
在根据第一实施方式的光调制器5中，通过使用第一桥接件14a电连接在信号电极和接地电极当中的以一定距离(例如，以数百μm至数mm的间隔)位于两侧的接地电极是有效的。也就是说，通过在电信号已经传播一定距离的位置处使用第一桥接件14a电连接位于两侧的接地电极之间的部分并且允许电流在接地电极之间流动，来使电位相等。当位于信号电极两侧的接地电极之间的电位变得稳定时，抑制了在高频下信号电极和接地电极之间电压的降低。结果，可以在不降低高频下的调制效率的情况下增加高频带。
[0081]
此外，作为示例，已经描述了以下情况：在根据第一实施方式的光调制器5中，通过经由使用分配器将eo聚合物插入到第一区域20a、第二区域20b和第三区域20c中的每个开口部分33a1中来设置eo聚合物13。然而，通过使用分配器将eo聚合物插入到分离的开口部分33a1中的每个中的操作变得复杂。因此，当通过使用分配器将eo聚合物插入到第一区域20a、第一边界区域21a、第二区域20b、第二边界区域21b和第三区域20c时，即使开口部分33a1处于分离状态，其操作也是容易的。因此，将描述通过使用该制造方法制造的光调制器5的实施方式作为第二实施方式。
[0082]
[b]第二实施方式
[0083]
图5是例示了根据第二实施方式的光调制器5a的配置示例的示意性平面图。另外，通过向与根据第一实施方式的光调制器5中的组件具有相同配置的组件指配相同的附图标记，将省略其配置和操作的重复描述。图5所示的光调制器5a与图2所示的光调制器5的不同之处在于：eo聚合物13e设置在第一边界区域21a和第二边界区域21b中所包括的缓冲层33的表面上。此外，图5所示的光调制器5a与图2所示的光调制器5的不同之处在于：第一边界区域21a和第二边界区域21b中的每一个中所包括的桥接件14形成在第二层m2中而不是第一层m1中。
[0084]
图6是沿图5所示的线c-c截取的示意性截面图，并且图7是沿图5所示的线d-d截取的示意性截面图。图6中所示的位于第一区域20a中所包括的缓冲层33的表面上的eo聚合物13d被构造为与图7所示的位于第一边界区域21a中所包括的缓冲层33的表面上的eo聚合物13e齐平。另外，第二区域20b和第三区域20c具有与第一区域20a的配置相同的配置，并且第二边界区域21b具有与第一边界区域21a的配置相同的配置。
[0085]
也就是说，位于第一区域20a、第二区域20b和第三区域20c中所包括的缓冲层33的表面上的eo聚合物13d被构造为与位于第一边界区域21a和第二边界区域21b中所包括的缓冲层33的表面上的eo聚合物13e齐平。
[0086]
图7中所示的在第一波导11c1侧的第一边界区域21a包括电连接第一接地电极
12a1中所包括的位于第二层m2中的区域12a12和第二接地电极12a2中所包括的位于第二层m2中的区域12a22的第二桥接件14b。在第一波导11c1侧的第一边界区域21a中所包括的第一信号电极12b1仅包括位于第一层m1中的区域12b11，并且处于位于第一信号电极12b1中的第二层m2中的区域不存在的状态。
[0087]
在第二波导11c2侧的第一边界区域21a包括电连接第三接地电极12a3中所包括的位于第二层m2中的区域12a32和第二接地电极12a2中所包括的位于第二层m2中的区域12a22的第二桥接件14b。在第二波导11c2侧的第一边界区域21a中所包括的第二信号电极12b2仅包括位于第一层m1中的区域12b21，并且处于第二信号电极12b2中所包括的第二层m2中的区域12b21不存在的状态。
[0088]
在第一波导11c1侧的第二边界区域21b包括电连接第一接地电极12a1中所包括的位于第二层m2中的区域12a12和第二接地电极12a2中所包括的位于第二层m2中的区域12a22的第二桥接件14b。在第一波导11c1侧的第二边界区域21b中所包括的第一信号电极12b1仅包括位于第一层m1中的区域12b11，并且处于第一信号电极12b1中所包括的第二层m2中的区域不存在的状态。
[0089]
在第二波导11c2侧的第二边界区域21b包括电连接第三接地电极12a3中所包括的位于第二层m2中的区域12a32和第二接地电极12a2中所包括的位于第二层m2中的区域12a22的第二桥接件14b。在第二波导11c2侧的第二边界区域21b中所包括的第二信号电极12b2仅包括位于第一层m1中的区域12b21，并且处于第二信号电极12b2中所包括的第二层m2中的区域不存在的状态。
[0090]
在根据第二实施方式的光调制器5a中，在允许eo聚合物施加在第一边界区域21a和第二边界区域21b的表面上的同时，eo聚合物13插入到第一区域20a、第二区域20b和第三区域20c中所包括的每个开口部分33a1中。因此，通过使用分配器执行的用于插入eo聚合物的操作过程变得容易。
[0091]
第一波导11c1通过使用第二桥接件14b电连接第一边界区域21a中所包括的第一接地电极12a1和第二接地电极12a2之间的第二层m2以及电连接第二边界区域21b中所包括的第一接地电极12a1和第二接地电极12a2之间的第二层m2。因此，第一接地电极12a1和第二接地电极12a2之间的电位变得稳定，从而可以使第一信号电极12b1和第一接地电极12a1之间的高频驱动电压稳定。此外，第二层m2比第一层m1更靠近第一波导11c1，并且电流在第一波导11c1附近流动，使得在第二桥接件14b中，电场作用于第一波导11c1的效率增加。
[0092]
第二波导11c2通过使用第二桥接件14b电连接第一边界区域21a中所包括的第三接地电极12a3和第二接地电极12a2之间的第二层m2以及电连接第二边界区域21b中所包括的第三接地电极12a3和第二接地电极12a2之间的第二层m2。结果，第三接地电极12a3和第二接地电极12a2之间的电位变得稳定，从而可以使第二信号电极12b2与第三接地电极12a3之间的高频驱动电压稳定。此外，第二层m2比第一层m1更靠近第二波导11c2，并且电流在第二波导11c2附近流动，使得在第二桥接件14b中，电场作用于第二波导11c2的效率增加。
[0093]
[c]第三实施方式
[0094]
图8是例示了根据第三实施方式的光调制器5b的配置示例的示意性平面图。图9是沿图8中所示的线e-e截取的示意性截面图，而图10是沿图8中所示的线f-f截取的示意性截面图。另外，通过向与根据第二实施方式的光调制器5a的组件具有相同配置的组件指配相
同的附图标记，将省略其配置和操作的重复描述。
[0095]
根据第三实施方式的光调制器5b与根据第二实施方式的光调制器5a的不同之处在于：第一边界区域21a和第二边界区域21b中的每一个中所包括的波导11c由未掺杂si 15a1构成。
[0096]
第一边界区域21a和第二边界区域21b处于没有eo聚合物的状态。第一边界区域21a中所包括的第一波导11c1是即使施加电场也对调制没有贡献的部分，因此第一波导11c1被构造为包括两片未掺杂si 15a1之间的槽15b1的波导。第一边界区域21a中所包括的第二波导11c2也是即使施加电场也对调制没有贡献的部分，因此第二波导11c2被构造为包括两片未掺杂si 15a1之间的槽15b1的波导。
[0097]
第二边界区域21b中所包括的第一波导11c1也是即使施加电场也对调制没有贡献的部分，因此第一波导11c1被构造为包括两片未掺杂si 15a1之间的槽15b1的波导。第二边界区域21b中所包括的第二波导11c2也是即使施加电场也对调制没有贡献的部分，因此第二波导11c2被构造为包括两片未掺杂si 15a1之间的槽15b1的波导。
[0098]
在根据第三实施方式的光调制器5b中，第一边界区域21a和第二边界区域21b中所包括的第一波导11c1和第二波导11c2由未掺杂si构成。因此，在第一边界区域21a和第二边界区域21b中，可以减少由掺杂剂引起的光的吸收，因此可以减少光损失。
[0099]
[d]第四实施方式
[0100]
图11是例示了根据第四实施方式的光调制器5c的配置示例的示意性平面图。图12是沿图11中所示的线g-g截取的示意性截面图，而图13是沿图11中所示的线h-h截取的示意性截面图。另外，通过向与根据第三实施方式的光调制器5b的组件具有相同配置的组件指配相同的附图标记，将省略其配置和操作的重复描述。
[0101]
根据第四实施方式的光调制器5c与根据第三实施方式的光调制器5b的不同之处在于：第一边界区域21a和第二边界区域21b中的每一个中所包括的波导11c由肋波导15d而不是槽波导构成。
[0102]
第一边界区域21a中所包括的第一波导11c1是不包括槽并且由未掺杂si 15a1构成的肋波导15d。第一边界区域21a中所包括的第二波导11c2是不包括槽并且由未掺杂si 15a1构成的肋波导15d。
[0103]
第二边界区域21b中所包括的第一波导11c1是不包括槽并且由未掺杂si 15a1构成的肋波导15d。第二边界区域21b中所包括的第二波导11c2是不包括槽并且由未掺杂si 15a1构成的肋波导15d。
[0104]
在根据第四实施方式的光调制器5c中，第一边界区域21a和第二边界区域21b中所包括的第一波导11c1和第二波导11c2由肋波导15d构成，肋波导15d由未掺杂si构成。因此，可以减少由于在光波导的中心存在槽而造成的光损失。
[0105]
另外，在根据上述第一实施方式至第四实施方式的光调制器5中，已经描述了以下情况作为光调制器的示例：其具有gsg结构并且包括第一接地电极12a1、第一信号电极12b1、第二接地电极12a2、第二信号电极12b2和第三接地电极12a3。然而，示例不限于该结构，并且可以适当地修改。因此，将描述其实施方式作为第五实施方式。另外，通过向与根据第二实施方式的光调制器5a中的组件具有相同配置的组件指配相同的附图标记，将省略其配置和操作的重复描述。
[0106]
[e]第五实施方式
[0107]
图14是例示了根据第五实施方式的光调制器5d的配置示例的示意性平面图。图14所示的光调制器5d中包括的电极12具有gssg结构，其包含第一接地电极12a1、第一信号电极12b1、第二信号电极12b2和第二接地电极12a2。
[0108]
电极12是包括第一接地电极12a1、第一信号电极12b1、第二接地电极12a2和第二信号电极12b2的具有共面结构的电极。第一信号电极12b1被设置为与第一接地电极12a1平行。第二信号电极12b2被设置为与第二接地电极12a2平行。
[0109]
在两个波导11c当中，第一波导11c1是设置在第一接地电极12a1和第一信号电极12b1之间的光波导。第一波导11c1是包括由两片n掺杂si 15a构成的槽15b的槽波导。
[0110]
在两个波导11c当中，第二波导11c2是设置在第二信号电极12b2和第二接地电极12a2之间的光波导。第二波导11c2是包括由两片n掺杂si 15a构成的槽15b的槽波导。
[0111]
光调制器5d包括位于光穿过光波导11的行进方向上的第一区域20a、位于光穿过光波导11的行进方向上的第二区域20b、以及位于光穿过光波导11的行进方向上的第三区域20c。光调制器5d包括位于第一区域20a和第二区域20b之间的第一边界区域21a、以及位于第二区域20b和第三区域20c之间的第二边界区域21b。
[0112]
在光调制器5d中，根据光穿过光波导11的行进方向，光从第一区域20a依次朝向第一边界区域21a、第二区域20b、第二边界区域21b和第三区域20c而穿过波导11c。
[0113]
图15是沿图14所示的线j-j截取的示意性截面图。图15中所示的沿线j-j截取的示意性截面区域例如是第一区域20a。第一区域20a包括硅基板31、由sio2制成并层压在硅基板31上的中间层32、形成在中间层32上的光波导11、由sio2制成并且层压在包括光波导11的中间层32上的缓冲层33、以及电极12。另外，电极12包括第一接地电极12a1、第一信号电极12b1、第二信号电极12b2和第二接地电极12a2。
[0114]
第一接地电极12a1包括位于第一层m1中的区域12a11和位于第二层m2中的区域12a12。第一信号电极12b1包括位于第一层m1中的区域12b11和位于第二层m2中的区域12b12。
[0115]
第一接地电极12a1中所包括的位于第一层m1中的区域12a11和第一接地电极12a1中所包括的位于第二层m2中的区域12a12之间的部分通过通孔16接合，并且第一接地电极12a1中所包括的位于第二层m2中的区域12a12与n掺杂si 15a之间的部分通过通孔16接合。第一信号电极12b1中所包括的位于第一层m1中的区域12b11与第一信号电极12b1中所包括的位于第二层m2中的区域12b12通过通孔16接合，并且第一信号电极12b1中所包括的位于第二层m2中的区域12b12与n掺杂si 15a之间的部分通过通孔16接合。第二接地电极12a2中所包括的位于第一层m1中的区域12a21与第二接地电极12a2中所包括的位于第二层m中的区域12a22之间的部分通过通孔16接合。
[0116]
第一区域20a包括插入缓冲层33中所包括的开口部分33a1中的第一eo聚合物13a、以及被配置成使得第一eo聚合物13a的一部分插入槽15b中的第一波导11c1。
[0117]
在第一波导11c1侧的第一区域20a包括第一接地电极12a1和第一信号电极12b1，并且处于第一eo聚合物13a设置在形成于缓冲层33中并且位于第一接地电极12a1和第一信号电极12b1之间的开口部分33a1中的状态。第一eo聚合物13a的一部分插入第一波导11c1中所提供的槽15b中。
[0118]
在第二波导11c2侧的第一区域20a包括第二信号电极12b2和第二接地电极12a2，并且处于第一eo聚合物13a设置在形成于缓冲层33中并且位于第二接地电极12a2和第二信号电极12b2之间的开口部分33a1中的状态。第一eo聚合物13a的一部分插入第二波导11c2所包括的槽15b中。
[0119]
第二区域20b和第三区域20c中的每一个的配置也与第一区域20a的配置基本相同；因此，通过向与第一区域20a中的组件具有相同配置的组件指配相同的附图标记，将省略其配置和操作的重复描述。第二区域20b包括插入到位于缓冲层33中的开口部分33a1中的第二eo聚合物13b、以及各自被配置为使得第二eo聚合物13b的一部分插入槽15b中的第一波导11c1和第二波导11c2。
[0120]
第三区域20c也包括插入位于缓冲层33中的开口部分33a1中的第三eo聚合物13c、以及各自被配置为使得第三eo聚合物13c的一部分插入槽15b中的第一波导11c1和第二波导11c2。
[0121]
图16是沿图14中所示的线k-k截取的示意性截面图。图16中所示的沿线k-k截取的示意性截面区域例如是第一边界区域21a。第一边界区域21a对应于位于第一区域20a和第二区域20b之间的边界区域，即，分离第一eo聚合物13a和第二eo聚合物13b之间的部分的区域。第一边界区域21a包括将位于第一区域20a中的第一波导11c1和位于第二区域20b中的第一波导11c1之间的部分接合的第一波导11c1。第一边界区域21a包括将第一接地电极12a1和第二接地电极12a2之间的部分电连接的第三桥接件14c(14)。
[0122]
在第一波导11c1侧的第一边界区域21a包括第一接地电极12a1和第一信号电极12b1。第一波导11c1由两片n未掺杂si 15a1构成，并且处于槽15b1中不存在eo聚合物的状态。在第二波导11c2侧的第一边界区域21a包括第二信号电极12b2和第二接地电极12a2。第二波导11c2也由两片n未掺杂si 15a1构成，并且处于槽15b1中不存在eo聚合物的状态。
[0123]
第三桥接件14c电连接位于第一接地电极12a1中所包括的第二层m2中的区域12a12和位于第二接地电极12a2中所包括的第二层m2中的区域12a22。
[0124]
以上，已经描述了第一边界区域21a的配置。第二边界区域21b的配置与第一边界区域21a的配置基本相同；因此，通过向与第一边界区域21a中的组件具有相同配置的组件指配相同的附图标记，将省略其配置和操作的重复描述。第二边界区域21b对应于位于第二区域20b和第三区域20c之间的边界区域，即，分离第二eo聚合物13b和第三eo聚合物13c之间的部分的区域。第二边界区域21b包括将位于第二区域20b中的第一波导11c1和位于第三区域20c中的第一波导11c1之间的部分接合的第一波导11c1。第二边界区域21b包括将位于第二区域20b中的第二波导11c2和位于第三区域20c中的第二波导11c2之间的部分接合的第二波导11c2。第二边界区域21b包括电连接位于第一接地电极12a1和第二接地电极12a2之间的第二层m2的第三桥接件14c(14)。第三桥接件14c电连接位于第一接地电极12a1中所包括的第二层m2中的区域12a12和位于第二接地电极12a2中所包括的第二层m2中的区域12a22。
[0125]
光调制器5d中所包括的第一波导11c1由于折射率根据施加到第一区域20a、第二区域20b和第三区域20c中所包括的第一信号电极12b1的高频信号的驱动电压的变化而改变传播光的相位。光调制器5d中所包括的第二波导11c2由于折射率根据施加到第一区域20a、第二区域20b和第三区域20c中所包括的第二信号电极12b2的高频信号的驱动电压的
变化而改变传播光的相位。此外，第一波导11c1和第二波导11c2通过使用第三桥接件14c电连接第一边界区域21a中所包括的第一接地电极12a1和第二接地电极12a2之间的部分以及电连接第二边界区域21b中所包括的第一接地电极12a1和第二接地电极12a2之间的部分。因此，即使光调制器5d具有gssg结构，第一接地电极12a1和第二接地电极12a2之间的电位也稳定，从而可以使第一信号电极12b1和第一接地电极12a1之间的高频驱动电压稳定。
[0126]
另外，作为示例已经描述了这样的情况：根据上述第一实施方式的光调制器5包括三个接地电极和两个信号电极且具有gsg结构；但是，接地电极和信号电极的数量不限于此，可以适当地修改。
[0127]
作为示例已经描述了这样的情况：在光调制器5中，第一区域20a、第一边界区域21a、第二区域20b、第二边界区域21b和第三区域20c在光穿过光波导11的行进方向上按照该顺序依次设置，并且设置有两个边界区域21a和21b。然而，边界区域的数量不限于两个，只要使用一个或更多个边界区域，并且可以适当地修改。
[0128]
另外，作为示例已经描述了这样的情况：光调制器5中所包括的电极12由两层(即，第一层m1和第二层m2)构成；然而，可以使用三层。在三层的情况下，可以通过使用至少一层或更多层来设置电连接接地电极的桥接件14，并且可以适当地修改。
[0129]
根据本技术所公开的光器件等的实施方式的一个方面，在抑制电力消耗的同时，提高了调制效率。

技术特征：
1.一种光器件，该光器件包括：槽波导；包括平行于所述槽波导设置的信号电极和接地电极的具有共面结构的电极；多个电光聚合物，每个电光聚合物以分离状态插入到所述槽波导中所提供的槽中；以及桥接件，该桥接件设置在位于分离的电光聚合物之间的边界区域中，并且电连接所述接地电极和另一接地电极。2.根据权利要求1所述的光器件，其中，施加至所述信号电极的驱动电压是高频信号。3.根据权利要求2所述的光器件，其中，所述电极包括：第一层；以及第二层，该第二层设置在所述第一层的下部处，并且所述桥接件电连接所述接地电极中所包括的第一层和所述另一接地电极中所包括的第一层。4.根据权利要求2所述的光器件，其中，所述电极包括：第一层；以及第二层，该第二层设置在所述第一层的下部处，并且所述桥接件电连接所述接地电极中所包括的第二层和所述另一接地电极中的第二层。5.根据权利要求1或2所述的光器件，其中，所述光器件包括：第一区域，该第一区域位于光穿过所述槽波导的行进方向上；第二区域，该第二区域位于光穿过槽光波导的行进方向上；以及边界区域，该边界区域位于所述第一区域和所述第二区域之间，并且所述边界区域是将第一电光聚合物和第二电光聚合物之间的部分分离的区域，所述第一电光聚合物设置在所述第一区域中所包括的开口部分处并且插入到所述槽波导中所提供的所述槽中，所述第二电光聚合物设置在所述第二区域中所包括的开口部分处并且插入到所述槽波导中所提供的所述槽中。6.根据权利要求5所述的光器件，其中，所述电极包括：第一层；以及第二层，该第二层设置在所述第一层的下部处，并且通过：将所述电光聚合物插入到覆盖位于所述第一区域中的所述第一层的缓冲层中所包括的开口部分中，以及将所述电光聚合物插入到覆盖位于所述第二区域中的所述第一层的缓冲层中所包括的开口部分中，并且通过将所述电光聚合物插入在覆盖位于所述边界区域中的所述第一层的缓冲层的顶表面上，来将所述电光聚合物设置在所述第一区域、所述第二区域和所述边界区域中的每一个
的表面上。7.根据权利要求6所述的光器件，其中，所述第一区域和所述第二区域中的每一个中所包括的所述槽波导由掺杂硅构成，并且所述边界区域中所包括的所述槽波导由未掺杂硅构成。8.根据权利要求7所述的光器件，其中，位于所述边界区域中的所述槽波导由肋波导构成，而不是由所述槽波导构成。9.根据权利要求5所述的光器件，其中，所述电极包括：第一接地电极；第一信号电极，该第一信号电极以平行于所述第一接地电极的状态设置；以及第二接地电极，该第二接地电极以平行于所述第一信号电极的状态设置，并且在所述第一区域和所述第二区域中，所述槽波导设置在所述第一接地电极和所述第一信号电极之间，并且设置在所述边界区域中的所述桥接件包括电连接所述第一接地电极和所述第二接地电极之间的部分的桥接件。10.根据权利要求5所述的光器件，其中，所述电极包括：第一接地电极；第一信号电极，该第一信号电极以平行于所述第一接地电极的状态设置；第二信号电极，该第二信号电极以平行于所述第一信号电极的状态设置；以及第二接地电极，该第二接地电极以平行于所述第二信号电极的状态设置，并且在所述第一区域和所述第二区域中，所述槽波导设置于所述第一接地电极和所述第一信号电极之间，并且所述槽波导设置于所述第二信号电极和所述第二接地电极之间，并且设置在所述边界区域中的所述桥接件包括电连接所述第一接地电极和所述第二接地电极之间的部分的桥接件。11.一种光调制器，该光调制器包括：槽波导，以及包括平行于所述槽波导设置的信号电极和接地电极的具有共面结构的电极，该电极根据施加到所述信号电极的驱动电压而改变所述槽波导中的折射率，所述光调制器包括：多个电光聚合物，每个电光聚合物以分离状态插入到所述槽波导中所提供的槽中；以及桥接件，该桥接件设置在位于分离的电光聚合物之间的边界区域中，并且电连接所述接地电极和另一接地电极。12.一种光通信设备，该光通信设备包括：处理器，该处理器对电信号执行信号处理；光源，该光源发射光；以及光调制器，该光调制器通过使用从所述处理器输出的电信号来调制从所述光源发射的光，其中，
所述光调制器包括：槽波导，以及包括平行于所述槽波导设置的信号电极和接地电极的具有共面结构的电极，该电极根据施加到所述信号电极的驱动电压而改变所述槽波导中的折射率，其中，所述光调制器包括：多个电光聚合物，每个电光聚合物以分离状态插入到所述槽波导中所提供的槽中；以及桥接件，该桥接件设置在位于分离的电光聚合物之间的边界区域中，并且电连接所述接地电极和另一接地电极。

技术总结
本申请涉及光器件、光调制器及光通信设备。一种光器件包括槽波导和含有平行于槽波导设置的信号电极和接地电极的具有共面结构的电极。此外，光器件包括各自以分离状态插入到槽波导中所提供的槽中的多个电光聚合物、以及设置在位于分离的电光聚合物之间的边界区域中并且电连接接地电极与另一接地电极的桥接件。件。件。


技术研发人员：杉山昌树
受保护的技术使用者：富士通光器件株式会社
技术研发日：2023.02.15
技术公布日：2023/9/25