自适应电缆均衡器的制作方法

1.本发明涉及信号均衡，具体是用于电缆内信号均衡的方法和装置。


背景技术：

2.正如本领域技术人员所理解，信号均衡是抵消(counter)信号在通过信道时受到的影响的有效手段。在某些环境中，有必要连接相距不远的电子设备。电缆经常被用于连接并置的设备。然而，在许多情况下，信号即使通过很短的电缆也会导致不可接受的信号衰减级别。
3.为了解决信号衰减，可以由被集成在主机模块中的均衡器执行均衡。然而，这是一种复杂而昂贵的解决方案，而且随着电缆性质或长度的变化，或者主机可能在不使用电缆互连的情况下被连接，这种解决方案可能并不是最合适的。
4.另一种建议的解决方案是有源铜缆均衡，其被内置于电缆中以扩展电缆的覆盖范围，诸如twinax铜缆。附加的覆盖范围有利于节省数据中心互连的成本。均衡器可以被集成在电缆模块内的桨卡(paddle card)上。现有技术系统的缺点很多。现有技术中基于电缆的均衡器的一个缺点是缺乏线性。均衡器的非线性会消除被附加在主机发射极上的任何均衡(预加重和去加重)。此外，现有技术的均衡器会引入不可接受的噪声量，从而增加ber(误比特率)。


技术实现要素：

5.为了克服现有技术的缺点，公开了一种电缆均衡器。在一个实施例中，该电缆均衡器包括第一级、第二级以及第三级。第一级包括第一级偏置电流电路，其被配置为产生偏置电流；以及预加重模块，其被配置为将预加重引入接收信号以抵消信号放大的影响。第一级的另一部分是偏置电压电路，其被配置为向第一级提供偏置电压。第二级包括缓冲器，其被配置为与第一级阻抗匹配。第三级包括第三级偏置电流电路，其被配置为产生偏置电流。第三级的另一部分是均衡器电路，其被配置为对第二级信号执行频率特定均衡；以及放大器，其被配置为放大第二级信号。输出驱动器被配置为从第三级输出经放大的经均衡信号。为了克服现有技术的缺点，一些措施在设计中被采取以保持高线性和低噪声。在一个实施例中，电缆均衡器被配置为在奈奎斯特频率为26.5625ghz(100g/线)处提供6至15db的提升(boost)，并且具有高线性和低噪声。
6.在一个实施例中，电缆均衡器还包括偏置电压电路，其被配置为向第一级和第三级提供偏置电压。可以设想，预加重模块可以包括与一个或多个电阻串联的二极管连接式晶体管(diode connected transistor)。槽(tank)均衡器电路可以包括两个或多个电容，这些电容可以响应于控制信号被切换到槽均衡器电路中或被切换出槽均衡器电路。在一种配置中，放大器包括级联共发射极晶体管对和交叉耦合电容。还可以设想，第一级偏置电流电路和第三级偏置电流电路两者都基于控制偏置电流的控制信号产生电流。
7.本文还公开了一种执行电缆均衡的方法，包括接收通过电缆发射或将要通过电缆
发射的信号，并且对信号执行预加重处理以抵消放大的影响，从而产生经修改的信号。然后，用中间级缓冲经修改的信号以优化回波损耗，并且在缓冲后放大和均衡经修改的信号，以响应对从电缆中穿过的信号的影响。
8.在一个实施例中，预加重处理可以抵消放大的频率特定影响。该方法可以还包括产生一个或多个偏置电流，其被用于执行预加重和放大，并且还包括调整该一个或多个偏置电流以优化电缆均衡。此外，该方法可以还包括产生一个或多个均衡控制信号，其被用于调整均衡器的电容，以优化电缆均衡。定制均衡也可以存在于使用一个或多个高频控制信号以及一个或多个低频控制信号时。
9.在另一个实施例中，公开了一种电缆均衡器，其包括第一级，该第一级包括预加重模块，其被配置为将预加重引入接收信号以抵消信号放大的影响。提供第三级，其包括被配置为执行频率特定的均衡和放大的均衡器电路和放大器电路。缓冲器被置于第一级和第二级之间以最小化第一级与第二级之间的回波损耗。
10.在一个实施例中，预加重模块包括与一个或多个电阻串联的二极管连接式晶体管。均衡器电路包括两个或多个电容，这些电容可以响应于控制信号被切换到槽均衡器电路中或被切换出槽均衡器电路。放大器电路可以包括级联共发射极晶体管对和交叉耦合电容。电缆均衡器可以还包括第一级偏置电流电路和第三级偏置电流电路，这二者都基于控制偏置电流的控制信号产生电流。在一个实施例中，缓冲器包括发射极跟随器对。该缓冲器可以被配置为分流(shunt)高频信号分量。
11.对于本领域的技术人员来说，在阅读后续的附图和具体实施方式后，本发明的其他系统、方法、特征和优点将会变得显而易见。其意在将所有这些附加系统、方法、特征和优点都包括在此描述中，属于本发明的范围，并且受所附权利要求的保护。
附图说明
12.图中的部件不一定是按比例绘制，重点在于示出本发明的原理。在图中，相同参考数字表示不同视图中的相应部分。
13.图1示出了自适应电缆均衡器的框图和示例实施例。
14.图2示出了根据一个实施例的电缆均衡器的示例性电路图。
15.图3示出了在图2中所展示的二极管连接式晶体管的等效电路的电路图。
16.图4示出了用于两个电路组件的传递函数的示例性信号图。
17.图5示出了可以通过本创新技术实施的示例性槽均衡器。
18.图6示出了从均衡器输入到输出的示例性理想或理论传递函数，其中每个均衡器级被分别表示。
19.图7示出了各种均衡器控制输入的均衡器输出的示例性图。
具体实施方式
20.图1示出了自适应电缆均衡器的框图和示例实施例。在该示例实施例中，输入，诸如来自电缆，连接至均衡器102以向该均衡器提供信号。电缆可以包括一根或多根电缆，诸如铜导体，并且该信号可以包括穿过电缆的一个或多个信号。该输入信号被提供至第一级108，其在本实施例中被配置为对接收信号执行预加重以补偿后续级，并且与电缆进行阻抗
匹配。第一级108提供如下文所述的附加功能。
21.第二级112连接至第一级并且被配置为执行缓冲，以与第一级108和第三级116对接。第三级116被配置为具有放大和均衡以及其他功能。第三级的输出由输出120提供，该输出120可以被连接至电缆或连接器。均衡器可以位于电缆的一端或两端。
22.图2示出了根据一个实施例的电缆均衡器的示例性电路图。这只是一种可能的电路实施方式，并且可以设想，在不脱离后续权利要求的情况下其他电路布局是可能的。此外，许多电路元件组在虚线框内依照功能被分组，以帮助理解和概括布局的各个方面。如本文所述，该配置包括第一级208、第二级212和第三级216。
23.如所示，输入204被提供和被配置为接收来自电缆的信号。与每个输入路径串联的是电感206，其被配置为将电路与电缆解耦、改善输入回波损耗，以及使二极管连接式晶体管284和发射极跟随器级的输入电容产生谐振(resonate out)，并且也改善输入阻抗匹配。输入204连接至第一级208。在第一级208内有55欧姆的阻抗匹配电阻220，其被配置为当与预加重模块228中的电阻合并时，进行50欧姆的阻抗匹配。在其他实施例中，其他电阻值可以被使用。该电阻220也可以被称作终端电阻。
24.输入路径还连接至偏置电路224，该电路被配置为设置并且保持用于预加重模块228的经定义的偏置点(电压)。在本实施例中，偏置电路224包括双输入运算放大器。预加重模块228包括作为二极管连接的电阻和晶体管(如所示)，通过产生反向预失真以补偿后续级(如第三级216)的非线性。二极管连接式晶体管284在集成电路内部看来作为源阻抗和输入阻抗之间的分压器工作。二极管连接式晶体管284的基极和集电极短路，导致其他端(基极和发射极)被配置为二极管端。预加重模块228还连接至可变偏置电流晶体管232，其被配置为建立和提供用于第一级的偏置电流。偏置电流可以根据温度、工艺变化或任何其他因素进行调整。在本实施例中，第一级偏置电流源232具有四种不同的电流设置，对每一级的所有偏置电流源232、244、262可调整，但在其他实施例中，可以建立更多或更少数量的偏置电流级别。
25.可变偏置电流晶体管232是可变偏置电流镜组236的一部分，该镜组为所有三个级208、212、216提供尾偏置电流。偏置组控制信号产生器238为可变偏置电流组236提供控制信号。偏置组控制信号产生器238包括两个dac(数模转换器)，其被配置为将来自带隙基准产生器238的数字ptat(与绝对温度成比例)电流以及数字校准电流转换为模拟信号，该模拟信号被用来调节和控制被配置为电流镜的晶体管232、244、262，并且控制可变偏置电流组236中晶体管的电流输出。dacs的输入可以来自存储器，也可以在芯片上存储或产生。可变偏置电流组236包括通过如所示的可编程晶体管232、244、262为每一级208、212、216提供偏置电流的器件。通过控制可变晶体管232、244、262输入的开关，两种电流类型可以被混合以实现不同的温度系数，该温度系数最终可以被管理以减小增益提升的温度变化。
26.预加重模块228被配置为在第三级216放大之前将预加重引入信号，以抵消放大的频率相关影响。当从输入204到输出240看时，均衡器内预加重的使用增加并且保持均衡器(位于第三级216中)的线性。
27.现在转向第二级212，信号路径馈入缓冲器242，在本实施例中，该缓冲器242包括多个晶体管、电容、电感和增益为1的晶体管对246。缓冲器246晶体管被配置为发射极跟随器246，其有助于保持输入回波损耗。该发射极跟随器对246被配置在第一级208和第三级
216之间作为缓冲器工作，以优化输入回波损耗，如果输入级绑定(tie)输出级，这是不可能的。发射极跟随器对246提供了高线性、低噪声和低功耗的优点。在此示例性配置中，由于感兴趣的信号的频率低于26ghz，在此频率以上的信号分量为噪声或包括噪声，因此是不需要或不想要的，可以被阻挡。因此，在26ghz以下进行放大，然后进行信号衰减以阻挡噪声。缓冲器242(如，电阻、电感和电容)被配置使得在高频时，电容成为短路，其避免将高频信号分量分流到下一级，从而保持低噪声级别。
28.第二级偏置电流源244为该缓冲器提供偏置电流。如第一级208的配置，偏置组控制信号产生器238产生控制信号，该控制信号被提供给第二级偏置电流源244。第二级偏置电流源244具有与之相关联的开关，以控制两个或多个控制信号中的哪一个将被连接至晶体管224的基极。在本实施例中，一个控制信号基于或响应于温度，另一个控制信号基于或响应于校准期间进行的测试和测量。
29.在第二级212的上部是电压产生器248，其被配置为向第一级偏置电压源224提供电压。电压产生器248包括可编程或可变电阻，其允许输出电压根据制造变量和工艺变化而调整。一旦该输出电压被设置为所需级别，其通常在运行期间保持固定。电压产生器248中有一个电流源252和一个可变电阻250，其可以被用来将电压调整到所需级别。
30.现在转向第三级216，信号路径连接至放大器254，在本实施例中，该放大器254的增益大于1。该放大器由与可切换的退变槽耦合的交叉耦合电容256和级联共发射极晶体管对252组成。该术语“退变”是指该槽电容使全部或部分信号衰减。第三级216的增益可以直接表示为：
[0031][0032]
其中，y
tank
为槽的导纳。
[0033]
第三级216作为集成电路的主要可编程均衡器和最终驱动器工作。虽然没有展示，但可能需要片外ac(交流)耦合电容以阻挡来自主机发射极和接收极的dc(直流)偏压。放大器254被配置有大于1的增益，但需要抑制共模增益以避免差分失衡和不必要的谐振。为了降低共模增益，退变电阻和电感分别用于发射极跟随器级(第二级212)和共发射极级(第三级216)。为了进一步地降低共发射极(第三级)的共模增益，可以将槽均衡器260置于p型阱内，并通过大阻抗连接至全局gnd。
[0034]
交叉耦合电容256的栅极到集电极连接至主差分对，抵消了第三级晶体管252基极上不想要的电容，从而增加了第三级216的带宽。
[0035]
放大器254下方是被配置为槽均衡器电路的槽均衡器260。下文将结合图5更详细地描述槽均衡器260。
[0036]
槽均衡器260对信号执行均衡并且作为低通滤波器工作，在相关感兴趣的信号频率(在本实施例中为26ghz)上的频率处截止通带。与槽均衡器260连接的是电感和第三级偏置电流源晶体管262，后者是偏置电流源组236的一部分。第三级偏置电流源晶体管262是可变的，其允许在所示的两个输入之间切换，该两个输入来自偏置组控制信号产生器238。
[0037]
槽均衡器260接收来自电压源264的输入，该电压源为槽均衡器260提供所需的电压，在本实施例中，电压为1.8伏，由电阻网络从3.3伏电源产生。在本实施例中，槽晶体管利用1.8伏电源。然而，在其他实施例中，槽均衡器260可以使用不同的电压。
[0038]
向槽均衡器260提供输入的还有均衡控制信号源268。均衡控制信号源268提供两个控制信号，其在本实施例中是低频比特控制信号和高频比特控制信号。高频比特来自查找表(lut)270。查找表操作被用来校正部件与部件之间的变化和不同的电缆长度。此外，不同的查找表可以被存储在存储器中以适应更大范围的环境和电缆长度/类型。以下将结合图5更详细讨论低频比特控制信号和高频比特控制信号的使用。
[0039]
放大器254的上方是输出驱动器(或输出级)272，其包括均衡器输出240。输出驱动器272接收来自放大器254的均衡放大信号。输出驱动器272包括晶体管274，其基极端与第二级212中的偏置电压源248相连。将输出驱动器272连接至放大器254的是电感276，其作用是阻挡输出240中不想要的高频信号分量和噪声。输出驱动器272包括通过输出阻抗匹配电阻280连接的电源电压。
[0040]
图3示出了图2中所示的预加重模块228的等效电路的电路图。图3中的输入终端二极管对228可以被表示为一电路，其输入304连接至两个并联的电阻308、312，并联的电阻的一个支路具有二极管316。图中还展示了输出vo 320。二极管316表示图2中所示的二极管连接式晶体管。等效电阻308、312设置输入阻抗以匹配传输线输入阻抗，其被表示为50欧姆电阻324。
[0041]
图4示出了用于两个电路组件的传递函数的示例性信号图。纵轴404表示跨导(gm)，横轴408表示vd，其为图2中二极管连接式晶体管284上的电压。二极管连接式晶体管的传递函数图412展示，在高频vd电压下，预加重模块228(图2)允许信号通过，而在低频vd电压下，预加重模块会使信号衰减。
[0042]
与之相反地，第三级传递函数图416为，在高频vd电压下，第三级216(图2)使信号衰减，而在低频vd电压下，第三级不使信号衰减。rd图412表示二极管连接式晶体管284所产生的第一级208电阻的传递函数。gm图416表示第三级的传递函数。通过将这两个电路的传递函数相乘或合并，可以得到更线性的从输入到输出的传递函数。以这种方式，经合并的传递函数可能与图420相似，使得第一级208提供预加重以补偿第三级216，从而保持均衡器从输入到输出的线性。
[0043]
图5示出了可以由本创新技术实施的槽均衡器260。图5中的电路是图2中槽均衡器260的示例表示。然而，可以设想使用其他均衡器电路，其不脱离后续权利要求。在本实施例中，槽均衡器260包括连接至偏置电流源的下端504和连接至图2所示的放大器254的上端508。与下方端504串联的是电感550，其在高频使得rl支路中的电阻显得不重要或如同不在电路中，由于电感对于极高频显示为开路。因此，电感550可以为高频保持槽均衡器260的输入阻抗。
[0044]
在槽均衡器260内部有三个均衡支路520、524、528，其可以包括一个或多个子支路。一个支路包括如所示的配置有电阻的rl支路520。rl支路520包括电阻和电感，如所示。rl支路520被配置为使频率超出感兴趣频率范围的信号衰减。在本实施例中，三个均衡支路520、524、528全部并联。
[0045]
第二均衡支路在本文中被称为高频均衡支路524，其被配置为均衡信号的高频分量。高频均衡支路524接收高频控制信号路径530上的控制信号。控制信号被提供给电阻544，其连接至包括电容536的分离支路。电容536之间是开关晶体管540，其被配置为响应于控制信号，以启用或禁用一个或多个高频均衡支路524中的支路。因此，该支路将成为电路
的一部分或被排除在电路之外(开启或关闭)，以此调整槽均衡器260的电容。在本实施例中，控制信号路径530上有八个高频控制信号，并且高频均衡支路524中有八个子支路。在其他实施例中，更多或更少的子支路可以被配置。在操作中，高频均衡支路524被控制为选择性地滤波信号的高频分量。
[0046]
均衡器的另一部分是低频均衡支路528，其接收低频控制信号路径534上的低频控制信号。低频均衡支路528被配置为与高频均衡支路524类似，但其还包括与其电容串联的电阻。对于dc或低频信号内容，电容显示为开路，然而在高频下，电容显示为短路，使电阻成为低频均衡支路中的主要元件。低频控制信号在低频控制信号路径534上被提供，在本实施例中，其包括三个控制信号，每个控制信号被提供给低频均衡支路528的三个子支路中的一个。低频均衡支路528的操作类似于高频均衡支路524的操作。
[0047]
槽均衡器260由rl支路与由开关控制的多个rc支路和c支路并联实现，该开关可以是nmos器件。rl支路520通过提供低频发射极退变以设置dc增益。八个rc支路528控制低频范围(上限为10ghz)的增益，而三个c支路524用于高频范围，其上限为26.5ghz处的奈奎斯特频率。在rc和c支路523、528的实际实施方式中存在的寄生元件导致导纳在较高频范围内急剧减小。因此，在高频下，槽均衡器260的导纳由rl支路520决定，使得电感550有助于减小该支路的导纳。槽均衡器260的较低的总导纳会带来较高的退变和较小的增益提升。超过奈奎斯特频率的陡峭滚降有利于减小均衡器的集成噪声(integrated noise)。本文使用的术语“集成噪声”被定义为与电路中每个元件相关联并且由电路中每个元件引入的噪声，其随频率被集成或累积。这种噪声的改善是在不消耗额外功率(其通常被用于减小噪声)的情况下达成的。
[0048]
开关尺寸(晶体管540、558)与每个支路524、528的电容636、560的尺寸成比例。此外，为了减小体二极管的电容，控制信号被连接至开关(晶体管)540、558的漏极和源极，而栅极被绑定至1.8伏电源上。槽均衡器260的频率响应对于均衡器的性能非常重要，由此，所有路由寄生都被最小化并且准确建模。此外，mim(金属、绝缘体)电容被分解成片状和瓦状以建立最短的路由。
[0049]
使用三个支路以及动态可控的控制信号，槽均衡器260可以被调频以选择性地通过以及阻挡某些频率，从而调整频率响应以抵消信道的影响。还可以进行均衡器调频以优化第一级预加重作用的操作，以在感兴趣频段内保持所需的线性传递函数。
[0050]
为了随工艺变化校准槽均衡器260的频率响应，每个集成电路的rc时间常数在制造时的自动测试中被测量。该测量基于测试压控振荡器的频率，将复制的槽rc作为延迟级。校准后，槽选择控制信号(比特)被调整，以获得与工艺角(process corner)无关的恒定频率响应。另外，发射极跟随器(第二级212)和均衡器偏置电流通过复制偏置电路进行校准，以确保工艺角上的一致增益。
[0051]
图6示出了从均衡器输入到输出的示例性理想或理论传递函数，其中每个均衡器级都单独表示。这只是一种可能的均衡器传递函数图，并且建立不同的均衡器传递函数都在创新范围内。纵轴604表示20log(|y|)，其可以被视为信号幅度或衰减级别。横轴608表示对数频率，其单位为log(f)。
[0052]
rl传递函数图620表示槽均衡器260的rl支路520(图5)的传递函数。如在rl传递函数图620中所示，rl支路520的传递函数是平坦的，如，在低频时不衰减，但在超出感兴趣的
信号的频率范围，其在一个实施例中可以是25.6ghz时，会使信号急剧衰减。这样防止了高频信号噪声对信号产生不想要的影响。
[0053]
高频支路传递函数图624表示槽均衡器260的高频支路524(图5)的传递函数。如高频支路传递函数图624所示，槽均衡器260的高频支路的传递函数在较高频下的衰减小于在较低频下的衰减。对于低频，由于电容的作用，槽均衡器260的高频支路可能显示为开路，而在高频，电容536(图5)将显示为短路。
[0054]
低频支路传递函数图628表示槽均衡器260的低频支路528(图5)的传递函数。如低频支路传递函数图628所示，槽均衡器260低频支路的传递函数在较高频下的衰减小于在较低频下的衰减。对于低频，由于电容的作用，可能会显示为开路。然而对于中频，低频支路528内的电阻会使传递函数过渡到大致平坦，而在高频，低频支路528中的电容(图5)将会显示为短路，从而减少高频下的衰减。
[0055]
整体传递函数图632展示了三个图的经合并的传递函数，其为槽均衡器260的整体传递函数。可以看出，它通常是一个高通滤波器，在中频具有平坦的频率响应。
[0056]
图7示出了各种均衡器控制输入的均衡器输出示例性图。这些只是展示各种均衡器性能结果的可能的传递函数图中的一组。如所示，纵轴704表示输出信号功率与如横轴708中所示的频率的关系。各种图712被绘制于使用该技术实施的设计的测试期间，并且展示了均衡器的各种频率作用，其是均衡器不同子支路的切换所导致的不同槽均衡器260设置的结果。如上所述，高频支路524(图5)的八个开关被打开和关闭，以扫频增益提升(如图5所示)从而产生这些图。显而易见的是，这些开关(晶体管)操作主要影响高频段提升，将26ghz处的增益从6.1db变为16db，其中步长小于0.2db。在其他实施例中，还可以建立其他频率和增益级别。
[0057]
由本文所述的创新实现了诸多益处。其中一项改善是通过在第一级使用预加重以抵消第三级中的放大器的非线性，从而实现线性的增加。虽然第三级放大器已经被尽可能地设计为线性，但所有放大器天然地具有一定的非线性，尤其是当放大器输入信号变大时，因此，第一级可以抵消这一缺点并且改善从电缆输入到电缆输出的整体线性。保持电缆的线性对于整个系统环境操作非常重要。
[0058]
虽然本发明的各种实施例已经被描述，但对于本领域的普通技术人员而言，显而易见的是，在本发明的范围内还可以有更多的实施例和实施方式。此外，本文所描述的各种特征、要素和实施例可以通过任何组合或排列提出权利要求或执行组合。

技术特征：
1.一种电缆均衡器，被配置为电缆的一部分，包括：失真级，其包括：预失真模块，被配置为将预失真引入接收信号，以抵消后续处理的影响；输出级，包括：均衡器电路，被配置为对输出级信号执行频率特定放大；输出驱动器，被配置为对电缆执行阻抗匹配并且将经均衡的信号从输出级输出到电缆；以及缓冲器，被配置为对预失真级和输出级进行阻抗匹配。2.根据权利要求1所述的电缆均衡器，还包括偏置电压电路，其被配置为向所述预失真级和所述输出级提供偏置电压。3.根据权利要求1所述的电缆均衡器，其中所述预失真模块包括与一个或多个电阻串联的二极管连接式晶体管。4.根据权利要求1所述的电缆均衡器，其中所述均衡器电路包括两个或多个电容，其可以响应于控制信号被切换到槽均衡器电路中或被切换出槽均衡器电路。5.根据权利要求1所述的电缆均衡器，其中所述均衡器电路包括级联共发射极晶体管对和交叉耦合电容。6.根据权利要求1所述的电缆均衡器，还包括预失真级偏置电流电路和输出级偏置电流电路，并且两者均基于控制偏置电流的控制信号产生偏置电流。7.一种执行电缆均衡的方法，包括：接收通过电缆传输或将被通过电缆传输的信号；对所述信号执行预失真处理，以抵消放大的影响，从而产生经修改的信号；用中间级缓冲所述经修改的信号，以优化回波损耗；以及在缓冲后对所述经修改的信号进行均衡，以抵消通过所述电缆对所述信号的影响。8.根据权利要求7所述的方法，其中所述预失真处理可以抵消放大的频率特定影响。9.根据权利要求7所述的方法，还包括产生一个或多个偏置电流，偏置电路提供偏置电流以执行预失真和放大，并且还包括调整所述一个或多个偏置电流中的至少一个以优化电缆均衡。10.根据权利要求7所述的方法，还包括产生一个或多个放大控制信号，其被用于调整电容以优化电缆均衡。11.根据权利要求7所述的方法，还包括基于一个或多个高频控制信号以及一个或多个低频控制信号定制放大。12.一种电缆均衡器，包括：预失真级，包括预失真模块，其被配置为将预失真引入接收信号以抵消输出级的影响；所述输出级包括均衡器电路，其被配置为执行频率特定放大；以及所述预失真级和所述输出级之间的缓冲器，以最小化所述预失真级和所述输出级之间的回波损耗。13.根据权利要求12所述的电缆均衡器，其中所述预失真模块包括与一个或多个晶体管串联的二极管连接式晶体管。14.根据权利要求12所述的电缆均衡器，其中所述均衡器电路包括两个或多个电容，其
可以响应于控制信号被切换到槽均衡器电路中或被切换出槽均衡器电路。15.根据权利要求12所述的电缆均衡器，其中所述均衡器电路包括级联共发射极晶体管对和交叉耦合电容。16.根据权利要求12所述的电缆均衡器，还包括一个或多个偏置电流电路，其被配置为基于控制偏置电流的控制信号产生偏置电流。17.根据权利要求12所述的电缆均衡器，其中所述缓冲器包括发射极跟随器对。18.根据权利要求12所述的电缆均衡器，其中所述缓冲器被配置为分流高频信号分量。19.根据权利要求12所述的电缆均衡器，其中所述输出级还被配置为执行输出阻抗匹配。

技术总结
一种电缆均衡器，被配置为电缆的一部分，包括第一级、第二级和第三级。第一级包括第一级偏置电流电路，其被配置为产生偏置电流，以及预加重模块，其被配置为将预加重引入接收信号，以抵消信号放大的影响。第一级的另一部分是偏置电压电路，其被配置为向第一级提供偏置电压。第二级包括缓冲器，其被配置为与第一级阻抗匹配。第三级包括第三级偏置电流电路，其被配置为产生偏置电流；以及槽均衡器电路，其被配置为对第二级信号执行频率特定均衡。放大器被配置为放大第二级信号以产生放大信号，该信号由输出驱动器从电缆均衡器输出。信号由输出驱动器从电缆均衡器输出。信号由输出驱动器从电缆均衡器输出。


技术研发人员：Q
受保护的技术使用者：MACOM技术解决方案控股公司
技术研发日：2022.02.04
技术公布日：2023/10/6