一种车规抗硫化薄膜高精度电阻器的制造方法及电阻器与流程
未命名
10-09
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1.本发明涉及电阻器的制造,尤其是车规级抗硫化薄膜高精度电阻器的制造。
背景技术:
2.信息技术产业是关系国民紧急安全和发展的战略性、基础性、先导性产业,也是世界主要国家高度重视、全力布局的竞争高地。其中新能源汽车重点推动车规级传感器、电容器、电阻器等电子元器件应用。
3.现有电阻器无法同时具备耐高温高湿、高功率、抗硫化三相指标。而车规级电阻器工作环境恶劣,对性能要求尤为重要。为此亟待一种能够满足耐高温高湿、高功率、抗硫化的电阻器。
技术实现要素:
4.为了解决目前还没有一种同时具备耐高温高湿、高功率、抗硫化三相指标的电阻器。本发明提供一种车规级抗硫化薄膜高精度电阻器的制造方法及电阻器。
5.本发明采用的技术方案为:一种车规抗硫化薄膜高精度电阻器的制造方法,包括以下步骤:a、 采用al2o3陶瓷基板为载体,通过丝网印刷工艺印刷正面电极与背面电极并进行干燥与固化;b、 将玻璃粉浆料通过丝网印刷遮盖载体正面,露出电阻层区域;c、 通过磁控溅射工艺溅射电阻层;d、 固化电阻层;e、 去除玻璃粉浆料;f、 通过磁控溅射有300nm至500nm 厚度的al2o3保护层;g、 进行第一次镭射修正,切割线从贴近电阻层边缘进行起刀且起刀位置位于工序i的g2保护层范围内;切割线之间刀间距在30um至57um之间,根据间距由小至大,刀数在57至20刀之间;h、 进行第二次镭射修正,在第一次镭射修整基础上进行阻值精修;i、 清洁电阻层表面:真空等离子清洗,随后进行红外烘烤;随后立即进行下一工序,通过丝网印刷将树脂浆料印刷在电阻层上方形成g2保护层并经过干燥与固化;将字符标识印刷至g2保护层上并进行干燥与固化;j、 将电阻进行折条并进行端面磁控溅射金属导电层,使正面电极与背面电极导通。
6.k、 进行折粒。
7.作为一种车规抗硫化薄膜高精度电阻器制造方法的优选之一、g2保护层覆盖且包裹al2o3保护层。
8.作为一种车规抗硫化薄膜高精度电阻器制造方法的优选之一、正面电极上方且平
行于g2保护层,覆盖有第三保护层,第三保护层采用导电浆。
9.作为一种车规抗硫化薄膜高精度电阻器制造方法的优选之一、所述g2保护层采用覆盖有两层且第二层g2保护层覆盖第一层g2保护层一种车规抗硫化薄膜高精度电阻器,包括al2o3陶瓷基板的电阻载体,电阻载体两端正面电极上方设有第三保护层,电阻载体正面设有电阻层,电阻层切割有20至57刀的等距切割痕,切割痕包括由电阻一侧向另一侧延伸且保留部分电阻材料的第一方向切割痕,以及由电阻另一侧向一侧延伸且保留部分电阻材料的第二方向切割痕构成,第一方向切割痕与第二方向切割痕间隔设置,电阻层上设有g2保护层以及字符标记。切割痕起刀位位于基板内且靠近电阻侧面,g2保护层覆盖切割痕。g2保护层与电阻层之间设有al2o3保护层,al2o3保护层厚度在300-500nm之间。
10.本发明有益效果在于:突破了技术壁垒形成集合,符合双85——85℃/85%rh的高温高湿应用条件、高功率、抗硫化功能的电阻器。通过对切割线的均匀合理分布实现高功率特性;通过对电阻结构设计实现超强的耐硫化特征;通过切割线、保护层调整实现了高功率以及高稳定性。
附图说明
11.图1为本发明镭射切割示意图。
12.图2为本发明电阻器结构示意图。
13.图3为产品测试图表其中:1、电阻载体;2、电阻层;3、第一方向切割痕,4、第二方向切割痕;5、g2保护层;6、字符标记;7、起刀位;8、al2o3保护层;9、第三保护层;10、正面电极;11、背面电极;12、侧面电极;13镍层;14、锡层。测试图中编号为设计产品测试结果,其余为其他测试产品结果,ng表示不通过,ng1pcs表示1片不通过测试。
具体实施方式
14.下面结合具体附图对本发明做进一步说明。需要说明的是以下实施例仅用以说明本公开的技术方案,而非对其限制;参照实施例对本公开技术进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对上述实施例所记载的技术方案进行修改,尤其是针对工艺步骤次序进行修改,或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本公开实施例技术方案的范围。
15.一种车规抗硫化薄膜高精度电阻器的制造方法,包括以下步骤:采用al2o3陶瓷基板为载体,通过丝网印刷工艺印刷正面电极与背面电极并进行干燥与固化;将玻璃粉浆料通过丝网印刷遮盖载体正面,露出电阻层区域;通过磁控溅射工艺溅射电阻层;在电阻层固化后去除玻璃粉浆料;通过磁控溅射形成300nm至500nm 厚度的al2o3保护层;进行第一次镭射修正,切割线从贴近电阻层边缘进行起刀且起刀位置位于g2保护层范围内;切割线之间刀间距在30um至57um之间,根据间距由小至大,刀数在57至20刀之间;随后进行第二次镭射修正,在第一次镭射修整基础上进行阻值精修。随后将电阻层表面清洁,包括真空等离子清洗清洗完后进行红外烘烤确保表面干燥避免影响下一印刷工序;在清洁后立即进行氧化铝保护层的印刷随后在电阻层上方印刷氧化铝保护层,烘干后再将树脂浆料印刷在上方形成
g2保护层并干燥与固化;最后将字符标识印刷至g2保护层上并进行干燥与固化。
16.后续进行折条、折粒、端电极设置,将电阻进行折条并进行端面磁控溅射金属导电层,使正面电极与背面电极导通;随后进行折粒、电镀,最后筛选封装即可。正面电极上方且平行于g2保护层,覆盖有第三保护层,第三保护层部分覆盖g2保护层且第三保护层采用导电浆制成。
17.一种车规抗硫化薄膜高精度电阻器,包括al2o3陶瓷基板的电阻载体1,电阻载体1两侧上端设有正面电极10,背面设有背面电极11,电阻载体1两端正面电极10上方设有第三保护层9,第三保护层9部分覆盖g2保护层5且与平行于g2保护层5设置;电阻载体1正面设有电阻层2,电阻层2切割有20至57刀的等距切割痕,切割痕包括由电阻一侧向另一侧延伸且保留部分电阻材料的第一方向切割痕,以及由电阻另一侧向一侧延伸且保留部分电阻材料的第二方向切割痕构成,第一方向切割痕与第二方向切割痕间隔设置,电阻层2上设有g2保护层5以及字符标记6。切割痕起刀位7位于基板内且靠近电阻侧面,g2保护层5覆盖切割痕。g2保护层5与电阻层之间设有al2o3保护层8,al2o3保护层8厚度在300-500nm之间。最后进行金属溅射侧面电极12,电镀镍层13、电镀锡层14。
18.经过50颗电阻的热冲击100cycles测试阻值上限最高变化为0.07%阻值最低下限变化为-0.03%。
19.硫化测试-100h中测试阻值上限最高变化为0.02%,阻值最低下限变化为-0.04%。
20.硫化测试-200h中测试阻值上限最高变化为0.01%,阻值最低下限变化为-0.04%。
21.硫化测试-300h中测试阻值上限最高变化为0.04%,阻值最低下限变化为-0.04%。
22.硫化测试-400h中测试阻值上限最高变化为0.06%,阻值最低下限变化为-0.03%。
23.热冲击、硫化测试-100h、-200h、-300h测试结果结果均符合标准,阻值变动均低于1%。
24.以上实施例中为方便表述将技术特征一并在同一实施例进行说明,本领域普通技术人员依照本说明进行常规演变应理解为在本发明保护范围之内。
技术特征:
1.一种车规抗硫化薄膜高精度电阻器的制造方法,其特征在于包括以下步骤:a、 采用al2o3陶瓷基板为载体,通过丝网印刷工艺印刷正面电极与背面电极并进行干燥与固化;b、将玻璃粉浆料通过丝网印刷遮盖载体正面,露出电阻层区域;c、 通过磁控溅射工艺溅射电阻层;d、通过磁控溅射al2o3保护层;e、 去除玻璃粉浆料;f、固化电阻层;g、进行第一次镭射修正,切割线从贴近电阻层边缘进行起刀;切割线之间刀间距在30um至57um之间,根据间距由小至大,刀数在57至20刀之间;h、 进行第二次镭射修正,在第一次镭射修整基础上进行阻值精修;i、 清洁电阻层表面;j、 通过丝网印刷将树脂浆料印刷在电阻层上方形成g2保护层,且g2保护层包裹起刀位;并经过干燥与固化;k、将字符标识印刷至g2保护层上并进行干燥与固化;l、 将电阻进行折条并进行端面磁控溅射金属导电层,使正面电极与背面电极导通;m、进行折粒、电镀、筛选、封装。2.根据权利要求1所述的车规抗硫化高精度电阻器的制造方法,其特征在于:步骤d中溅射有300nm至500nm 厚度的al2o3防水保护层。3.根据权利要求1所述的车规抗硫化高精度电阻器的制造方法,其特征在于:步骤i中清洁电阻层表面:包括真空等离子清洗,随后进行红外烘烤。4.根据权利要求3所述的车规抗硫化高精度电阻器的制造方法,其特征在于:步骤i结束后立刻进行步骤j的g2保护层印刷。5.根据权利要求1所述的车规抗硫化高精度电阻器的制造方法,其特征在于:所述g2保护层采用覆盖有两层且第二层g2保护层覆盖第一层g2保护层。6.根据权利要求1所述的车规抗硫化高精度电阻器的制造方法,其特征在于:所述g2保护层覆盖且包裹al2o3保护层。7.一种采用权利要求1至6所述的车规抗硫化高精度电阻器所生产的车规抗硫化薄膜高精度电阻器,其特征在于:包括al2o3陶瓷基板的电阻载体,电阻载体两端正面电极上方设有第三保护层,电阻载体正面设有电阻层,所述电阻层切割有20至57刀的等距切割痕,所述切割痕包括由电阻一侧向另一侧延伸且保留部分电阻材料的第一方向切割痕,以及由电阻另一侧向一侧延伸且保留部分电阻材料的第二方向切割痕构成,所述第一方向切割痕与第二方向切割痕间隔设置,所述电阻层上设有g2保护层以及字符标记。8.根据权利要求7所述的车规抗硫化高精度电阻器,其特征在于:所述切割痕起刀位位于基板内且靠近电阻侧面,所述g2保护层覆盖切割痕。9.根据权利要求7所述的车规抗硫化高精度电阻器,其特征在于所述g2保护层与电阻层之间设有al2o3保护层,al2o3保护层厚度在300-500nm之间。
技术总结
本发明涉及车规抗硫化薄膜高精度电阻器的制造方法以及电阻采用AL2O3陶瓷基板为载体,印刷正面电极与背面电极;通过磁控溅射工艺溅射电阻层、AL2O3保护层;进行镭射修正,切割线从贴近电阻层边缘进行起刀且起刀位置位于G2保护层范围内;将电阻层表面清洁,上方形成G2保护层并干燥与固化;印刷至G2保护层上并进行干燥与固化。本发明突破了技术壁垒形成集合,符合85℃/85%RH的高温高湿应用条件、高功率、抗硫化功能的电阻器。通过对切割线的均匀合理分布实现高功率特性;通过对电阻结构设计实现超强的耐硫化特征;通过切割线、保护层调整实现了高功率以及高稳定性。整实现了高功率以及高稳定性。整实现了高功率以及高稳定性。
技术研发人员:徐刚君 冯会军 韩胜友 袁其平 张峰 杜勇
受保护的技术使用者:宁波鼎声微电子科技有限公司
技术研发日:2023.06.29
技术公布日:2023/10/7
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