一种透明电极制备方法与流程

1.本发明涉及电极技术领域，具体为一种透明电极制备方法。


背景技术：

2.透明电极是发光二极管，太阳能电池等产品中不可缺少的一部分，随着薄膜型光电子器件的不断发展，对于在宽光谱范围内维持高透过率的透明电极的技术要求也越来越高，传统的透明电极制备方法，例如公开号为cn109402635b公开的透明导电电极的制备方法中记载：在基板上涂布银纳米线构成银纳米线导电膜；在银纳米线导电膜上涂布基质，所述基质覆盖或半覆盖所述银纳米线构成传导层；将具有通孔的掩膜板置于所述传导层上方，被所述掩膜板覆盖的传导层构成第一区域；采用预处理液对通过通孔向外暴露的传导层进行处理，增加所述银纳米线在所述基质表面的裸露量，同时将银纳米线的至少部分表面转换成难溶盐；采用蚀刻液对预处理剂处理后的传导层进行处理，构成第二区域；其具有环境要求高，工艺成本高的缺点，并且具有材料浪费和节点粗大的问题。


技术实现要素：

3.本发明的目的在于提供一种透明电极制备方法，以解决上述背景技术中提出的问题。
4.为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种透明电极制备方法，包括如下步骤：
5.a模板的制作：
6.tep1：在透明ito玻璃基板上旋涂光刻胶，旋涂速率500～1500rpm/min，时间60s～90s，厚度0.5～70um，100℃烘烤60s～120s，加固光刻胶与基板之间的附着力；
7.tep2：涂覆光刻胶的样品放置在三维运动控制平台上，对加工面进行水平调制，使加工面在同一水平面，在cad中导出图案，由计算机精确控制激光头的位移；
8.tep3：显影：0.5wt％的naoh中显影90～120s；未固化的光刻胶被去除，ito暴露在空气中；
9.tep4：去离子水清洗风干；
10.b精密线路的制备：
11.tep1：采用电沉积法：电流5ma，模板为工作电极(具体为暴露在空气中的ito)，金属棒为对电极，在电镀溶液中进行；
12.tep2:去离子水清洗风干；
13.c热转印成形：
14.在模板上平铺未固化物聚合物的混合溶液中，聚合物固化后，施加压力为18mpa，温度为聚合物承受范围内，保持时间为10min，冷却到室温后脱模，图案转移到固化后的聚合物表层。
15.所述cad中导出的图案为菱形、正方形、无规则、正六边形等，线宽3～15um。
16.所述激光头功率为1520mw，移动速率为50mm/s。
17.所述电镀溶液为电镀镍溶液或电镀铜溶液，通过控制时间来控制厚度。
18.与现有技术相比，本发明的有益效果是：
19.本发明透明电极制备方法，对制备环境要求低、工艺成本低，并且避免了湿法蚀刻导致的材料浪费、节点粗大的问题。
具体实施方式
20.下面对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
21.a模板的制作:
22.tep1：在透明ito玻璃基板上旋涂光刻胶：旋涂速率500～1500rpm/min，时间60s～90s，厚度0.5～70um。100℃烘烤60s～120s，加固光刻胶与基板之间的附着力。
23.tep2：涂覆光刻胶的样品放置在三维运动控制平台上，对加工面进行水平调制，使加工面在同一水平面，在cad中导出图案，由计算机精确控制激光头的位移。激光功率为1520mw，移动速率为50mm/s(具体根据光刻胶涂覆厚度而调)。图形为：菱形、正方形、无规则、正六边形等，线宽3～15um。
24.tep3：显影：0.5wt％的naoh中显影90～120s；未固化的光刻胶被去除，ito暴露在空气中。
25.tep4：去离子水清洗风干。
26.b精密线路的制备：
27.tep1：采用电沉积法：电流5ma，模板为工作电极(具体为暴露在空气中的ito)，金属棒为对电极，电镀溶液可为：电镀镍溶液、电镀铜溶液等，通过控制时间来控制厚度。
28.tep2:去离子水清洗风干。
29.c热转印成形：
30.在模板上平铺未固化物聚合物的混合溶液中，聚合物固化后，施加压力为18mpa，温度为聚合物承受范围内，保持时间为10min，冷却到室温后脱模，图案转移到固化后的聚合物表层。例如：双组分硅胶混合均匀后，真空除泡，在模板上自然流平，将平台加热至50～100℃，持续2～4h至固化完成。
31.尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。


技术特征：
1.一种透明电极制备方法，其特征在于，包括如下步骤：a模板的制作：tep1：在透明ito玻璃基板上旋涂光刻胶，旋涂速率500～1500rpm/min，时间60s～90s，厚度0.5～70um，100℃烘烤60s～120s，加固光刻胶与基板之间的附着力；tep2：涂覆光刻胶的样品放置在三维运动控制平台上，对加工面进行水平调制，使加工面在同一水平面，在cad中导出图案，由计算机精确控制激光头的位移；tep3：显影：0.5wt％的naoh中显影90～120s；未固化的光刻胶被去除，ito暴露在空气中；tep4：去离子水清洗风干；b精密线路的制备：tep1：采用电沉积法：电流5ma，模板为工作电极(具体为暴露在空气中的ito)，金属棒为对电极，在电镀溶液中进行；tep2:去离子水清洗风干；c热转印成形：在模板上平铺未固化物聚合物的混合溶液中，聚合物固化后，施加压力为18mpa，温度为聚合物承受范围内，保持时间为10min，冷却到室温后脱模，图案转移到固化后的聚合物表层。2.根据权利要求1所述的一种透明电极制备方法，其特征在于：所述cad中导出的图案为菱形、正方形、无规则、正六边形等，线宽3～15um。3.根据权利要求1所述的一种透明电极制备方法，其特征在于：所述激光头功率为1520mw，移动速率为50mm/s。4.根据权利要求1所述的一种透明电极制备方法，其特征在于：所述电镀溶液为电镀镍溶液或电镀铜溶液，通过控制时间来控制厚度。

技术总结
本发明涉及电极技术领域，具体为一种透明电极制备方法，包括如下步骤：a模板的制作：Tep1：在透明ITO玻璃基板上旋涂光刻胶，旋涂速率500～1500rpm/min，时间60s～90s，厚度0.5～70um，100℃烘烤60s～120s，加固光刻胶与基板之间的附着力；Tep2：涂覆光刻胶的样品放置在三维运动控制平台上，对加工面进行水平调制，使加工面在同一水平面，在CAD中导出图案，由计算机精确控制激光头的位移；Tep3：显影：0.5wt％的NaOH中显影90～120s；未固化的光刻胶被去除，ITO暴露在空气中；Tep4：去离子水清洗风干；本发明透明电极制备方法，对制备环境要求低、工艺成本低，并且避免了湿法蚀刻导致的材料浪费、节点粗大的问题。节点粗大的问题。


技术研发人员：苏伟 李慧
受保护的技术使用者：深圳市志凌伟业光电有限公司
技术研发日：2023.06.16
技术公布日：2023/10/7