经补偿的数模转换器（DAC）的制作方法

经补偿的数模转换器(dac)


背景技术：

1.数模转换器(dac)将数字信号转换为模拟信号。电流舵dac是一种类型的dac，其包括电流源和两个或更多个晶体管。晶体管的控制端子(例如，晶体管的栅极)由数字输入信号或数字输入信号的逻辑反相来控制。响应于dac的数字输入信号的一个状态，第一晶体管导通以使电流从电流源流到电流舵dac的一个输出端子。响应于数字输入信号的另一个状态，另一个晶体管导通以使电流从电流源流到电流舵dac的另一个输出端子。电流舵dac可以用于例如sigma delta调制器中，这些调制器用于例如模数转换器(adc)中。


技术实现要素：

2.在一个示例中，一种电路包括数模转换器(dac)和补偿电路。该dac具有第一端子和第二端子。该补偿电路具有第三端子和第四端子。该第三端子耦合到该第一端子，并且该第四端子耦合到该第二端子。该补偿电路被配置为响应于该第二端子上的电压增大而将电流拉出到该第一端子中，并且响应于该第二端子上的电压减小而从该第一端子灌入电流。
附图说明
3.图1示出了电流舵dac的示例实施方式。
4.图2示出了经补偿的电流舵dac的示例实施方式，该经补偿的电流舵dac包括p型金属氧化物半导体场效应晶体管。
5.图3示出了具有附加细节的图2的电流舵dac的示例实施方式。
6.图4示出了二阶delta sigma调制器的示例，该调制器包括多个如图2、图3和图5中所示的经补偿的电流舵dac。
7.图5示出了经补偿的电流舵dac的示例实施方式，该经补偿的电流舵dac包括n型金属氧化物半导体场效应晶体管。
具体实施方式
8.如上所述，电流舵dac的晶体管将电流“导引”到dac的一个输出端子或dac的另一个输出端子。晶体管之间的阈值电压失配以及来自其中可以使用电流舵dac的delta sigma调制器的反馈影响可能会不合期望地引入谐波和噪声。这种谐波和噪声可能会降低信噪比(snr)并使例如其中使用sigma delta调制器的sigma delta模数转换器(adc)的输出信号失真。图1用于描述谐波和噪声这一问题。
9.图1是电流舵dac 100的示例。在该示例中，电流舵dac 100包括晶体管mp0、mp1、pcas和pbias。晶体管pbias是p型金属氧化物半导体场效应晶体管(pmos晶体管)。偏置电压bias1被提供给pbias晶体管的栅极，从而使晶体管pbias产生固定的参考电流iref1。晶体管pbias作为电流源进行操作。晶体管pbias的漏极耦合到晶体管pcas的源极，后者作为共源共栅晶体管进行操作以增大电流源(晶体管pbias)的输出电阻。偏置电压bias2被提供给pcas晶体管的栅极。
10.在标记为va的端子处，晶体管pcas的漏极耦合到pmos晶体管mp0和mp1的源极。电流舵dac 100是单比特dac，其单比特数字输入是数字输入信号q以及数字输入信号q的逻辑反相qz。数字输入信号q耦合到mp0晶体管的栅极，并且qz耦合到晶体管mp1的栅极。端子vp和vm是电流舵dac的输出端子。晶体管mp0的漏极耦合到端子vp，并且晶体管mp1的漏极耦合到端子vm。iref1参考电流流过晶体管mp0到达端子vp或者流过晶体管mp1到达端子vm，这取决于数字输入信号的状态。如果信号q为低(并且因此qz为高)，则iref1参考电流流过晶体管mp0到达端子vp。相反，如果信号qz为低(并且因此q为高)，则iref1参考电流流过晶体管mp1到达端子vm。端子vp和vm耦合到其中可以使用电流舵dac 100的比如delta sigma调制器等系统中的其他部件。其中使用电流舵dac的delta sigma调制器的示例在图4中被提供，并且在下面进行了描述。
11.电容器cpar被示为耦合在端子va与接地端之间。电容器cpar表示电容器mp0、mp1和pcas的寄生电容，以及到往/来自端子va的布局布线电容。针对电容器mp0和mp1，电容器cpar表示mp1和mp0的栅源电容(cgs)、源体电容(csb)以及漏源电容(cds)。针对电容器pcas，电容器cpar表示栅漏电容(cgd)、漏体电容(cdb)以及cds。
12.在理想情况下(即，不存在寄生电容器cpar)，总iref1电流流过晶体管mp0或mp1到达相应的端子vp或vm。每当数字输入发生转换(例如，q从低变为高或从高变为低)时，端子va上的电压会增大或减小。在一些情况下，晶体管mp0和mp1在饱和区中操作。如果晶体管mp0的阈值电压等于晶体管mp1的阈值电压，则端子va上的电压保持在固定电压并且在信号q和qz状态的数字输入变化期间不改变。然而，由于制造容差，晶体管mp0与mp1的阈值电压之间可能存在差值。该阈值电压差会导致端子va的电压在数字输入变化期间改变。例如，端子va的电压会出现晶体管mp0与mp1之间的阈值电压差的量的增大或减小，这取决于哪个晶体管的阈值电压高于或低于另一晶体管的阈值电压。
13.在一些实施方式中，晶体管mp0和mp1在其线性区中操作。在这种实施方式中，在q和qz的数据转换期间(例如，q从“0”变为“1”并且qz从“1”变为“0”)，端子va上的电压增大到vp+vds，其中，vds是导通的晶体管mp0或mp1的漏源电压。在一些实施方式中，vds的幅值可以在2-3mv的数量级上。端子vp与vm之间的电压具有信号摆幅以及一定的偏移电压。在一些实施方式中，偏移电压可以约为10-20mv。
14.由于存在寄生电容器cpar，响应于端子va的电压突然增大，电容器cpar两端的电压增大并且因此电流从端子va流到电容器cpar，如箭头110所指示。相反，响应于端子va的电压减小，电容器cpar两端的电压减小并且因此电流从电容器cpar流到端子va，如箭头111所指示。在电容器cpar(由于端子va上的电压增大)被充电的场景下，iref1电流的一部分被提供给电容器cpar。因此，当电容器cpar接收到来自端子va的电流时，少于全部iref1的电流流经晶体管mp0或mp1中的任何导通的晶体管。在电容器cpar(由于端子va上的电压减小)被放电的场景下，由电容器cpar拉出的电流被提供给端子va并加入来自晶体管pbias的iref1电流。因此，当电容器cpar拉出电流到达端子va时，多于全部iref1的电流流经导通的晶体管mp0或mp1中的任何一个。无论哪种情况，在到往晶体管mp0和mp1的栅极的数字信号q和qz转换期间，(无论哪个晶体管导通)流过mp0或mp1的电流都会暂时偏离iref1的幅值。在寄生电容器cpar充满电或放完电时，到往(110)或来自(111)电容器cpar的电流下降至0a并且流过mp0或mp1的漏极电流返回到iref1。不幸的是，由于上述的数据转换引起的iref1的
向上或向下偏离会在来自电流舵dac的输出电流(流过晶体管mp0、mp1的电流)中导致谐波，并且会由于噪声折叠而增大本底噪声。
15.图2示出了经补偿的电流舵dac 200的示例，该经补偿的电流舵dac通过使用补偿电路210来减弱或消除上述的谐波和本底噪声问题。尽管会有额外的电流流到电容器cpar或从该电容器流出，补偿电路210仍确保流过mp0或mp1的电流近似等于iref1。补偿电路210包括晶体管m21、补偿电容器ccomp和偏置电流电路ibias(“ibias”指偏置电流电路及其产生的电流二者)。在该示例中，晶体管m21是n型金属氧化物半导体场效应晶体管(nmos晶体管)。晶体管m21的漏极耦合到供电电压端子，并且晶体管m21的源极在端子vc处耦合到补偿电容器ccomp和偏置电流源电路ibias。流过晶体管m21的漏极电流被指定为i_m21。流过补偿电容器ccomp的电流被指定为i_comp。流过寄生电容器cpar的电流被指定为i_cpar。电流i_cpar和i_comp在一个方向上被示为实线箭头而在相反方向上被示为虚线箭头。实线箭头表示电流i_cpar和i_comp响应于端子va上的电压增大(以及电容器cpar充电)而呈现的方向，而虚线箭头表示电流i_cpar和i_comp响应于端子va上的电压减小(以及电容器cpar放电)而呈现的方向。
16.晶体管m21的栅极提供了补偿电路210的第一端子211。补偿电容器ccomp提供了补偿电路210的第二端子212(该端子与耦合到晶体管m21的源极的电容器端子相反)。补偿电路端子211耦合到端子va。补偿电路的补偿电容器ccomp(以及因此端子212)耦合到晶体管pbias与pcas之间的连接点(图2中标记为vb的端子)。
17.如果端子va上的电压增大，则电流i_cpar从端子va流到寄生电容器cpar，从而为寄生电容器充电。i_cpar的流到寄生电容器cpar的电流流动方向表示为实线箭头。端子va上的电压增大还会使晶体管m21的栅源电压(vgs)增大。晶体管m21的vgs增大导致流过晶体管m1的漏极电流(i_m21)增大。随着电流i_m21增大，因为ibias是固定电流，所以i_m21超过ibias的那部分电流作为i_comp(实线箭头)流经补偿电容器ccomp并流入端子vb。因此，端子va上的电压增大使电流i_cpar从端子va流到寄生电容器cpar，并使近似等幅值的电流icomp从补偿电容器ccomp流入端子vb。电流i_cpar离开端子va以及近似等幅值的电流icomp进入端子vb的净效应是：即使在到往经补偿的电流舵dac 200的数字输入信号q和qz转换期间，流过晶体管mp0或mp1中的任何导通的晶体管的电流都近似等于iref1。
18.如果端子va上的电压减小，则电流i_cpar从寄生电容器cpar流到端子va(虚线箭头)，从而使寄生电容器放电。端子va上的电压减小还会使晶体管m21的vgs减小。晶体管m21的vgs减小导致流过晶体管的电流i_m21减小。随着电流i_m21减小到低于固定电流ibas的幅值，i_comp电流(虚线箭头)从端子vb流过电容器comp流到端子vc，使得i_m21与i_comp的总和近似等于ibias。因此，端子va上的电压减小使电流i_cpar从寄生电容器cpar流到端子va，并使近似等幅值的电流i_comp从端子vb流到补偿电容器ccomp。电流i_cpar流入端子va以及近似等幅值的电流icomp流出端子vb的净效应是：即使在到往经补偿的电流舵dac 200的数字输入信号q和qz转换期间，流过晶体管mp0或mp1中的任何导通的晶体管的电流都近似等于iref1。
19.补偿电路210具有公共漏极类型的配置。该配置的电压增益在理想情况下是1，但是在实际情况下可能略微小于1(例如，是小于1的量α)。通过将值α考虑在内来使电容器ccomp的电容等于电容器cpar的电容(即，α*ccomp＝cpar)，从而使电流i_comp近似等于电
流i_cpar。电流值ibias被选择为使得放大器具有足够的带宽。因此，端子vc的电压能够跟踪端子va的电压。
20.如上所述，补偿电路210通过向端子vb拉出电流或从端子vb灌入电流来响应端子va上的电压变化。补偿电路210所引起的到往或来自端子vb的电流是在幅值上近似等于寄生电容器cpar充电或放电的电流，从而使流过mp0(或mp1)的电流近似等于iref1。
21.图3示出了与经补偿的电流舵dac 200类似的经补偿的电流舵dac 300，不同的是后者具有附加细节。该附加细节是对使能开关(p_en)的包括以及偏置电流源电路ibias的实施方式。在该示例中，使能开关p_en是pmos晶体管并且耦合在vdd与pbias晶体管之间。到往使能开关p_en的栅极的信号是称为en的信号。en信号导通和关断p_en。在p_en处于关断状态的情况下，经补偿的电流舵dac 300被禁用，而在p_en处于导通状态的情况下，经补偿的电流舵dac 300被启用。
22.偏置电流源电路ibias包括电流源306，该电流源耦合到由nmos晶体管m2和m3形成的电流镜。电流源306产生流经晶体管m2的电流ibias。在一个示例中，电流镜的电流比率是1:1，并且因此流过晶体管m3的电流也近似为ibias，如图3所示。
23.本文描述的经补偿的电流舵dac可以用作独立的dac或用作比如adc等更大的系统一部分。可以使用所描述的经补偿的电流舵dac的adc的示例包括sigma delta adc、逐次逼近寄存器(sar)adc、和流水线adc。本文描述的电流舵dac还可以用作充电泵的一部分。
24.图4示出了基于二阶(尽管adc可以是任何阶)sigma delta调制器的adc 400的示例实施方式。在图4的示例中，基于sigma delta调制器的adc包括积分器415和419、比较器420、以及经补偿的电流舵dac 402和412。在一个示例中，经补偿的电流舵dac 402和412中的每一个均如图2和图3的经补偿的电流舵dac 200或300所示的那样实施。经补偿的电流舵dac 412包括pbias1和pcas1晶体管，这些晶体管代表上述晶体管pbias和pcas。还示出了来自图2的晶体管mp0和mp1。电流舵dac 412内的补偿电路410如上所述地连接至端子va和vb。在一个示例中，补偿电路410如图2或图3中的补偿电路210所示的那样实施。类似地，经补偿的电流舵dac 402包括晶体管pbias2和pcas2(在端子vb1处连接在一起)，这些晶体管代表上述晶体管pbias和pcas。图2和图3的晶体管mp0和mp1被分别示为dac 402的晶体管mp2和mp3，并且其源极在端子va1处连接在一起。电流舵dac 402内的补偿电路411如上所述地连接至端子va1和vb1。在示例中，补偿电路411如图2或图3中的补偿电路210所示的那样实施。
25.到往基于sigma delta调制器的adc 400的模拟输入信号被编码为输入电压vinp和vinm之间的电压差。积分器415包括两个电阻器-电容器对r41/c41和r42/c42。电压vinp被提供给其相应的电阻器r41，而电压vinm被提供给其电阻器r42。电阻器r41在端子216处连接至相应的电容器c41(如所示出的)，而电阻器r42在端子417处连接至相应的电容器c42。端子416上的电压被指定为vap(并且端子416还被称作vap端子416)，而端子417上的电压被指定为vam(并且端子417还被称作vam端子417)。经补偿的电流舵dac 402的晶体管mp2的漏极耦合到端子vap，而经补偿的电流舵dac 402的晶体管mp3的漏极耦合到端子vam。对于经补偿的电流舵dac 402，vap端子416和vam端子417分别是图2的vp端子和vm端子。
26.积分器419包括跨导放大器(gm)418以及电容器c43和c44。gm 418的正输入端在vap端子416处耦合到电阻器r41和电容器c41。gm 418的负输入端在vam端子417处耦合到电阻器r42和电容器c42。在该示例中，电阻器r41和r42具有相同的电阻并且电容器c41和c42
具有相同的电容。因此，vap端子416上的电压被提供给gm 418的正输入端，而vam端子417上的电压被提供给gm 418的负输入端。gm 418的正输出端在端子421处耦合到比较器420的正输入端，而gm418的负输出端在端子422处耦合到比较器420的负输入端。
27.如所示的，电容器c43耦合在端子422与接地端之间。类似地，电容器c44耦合在端子421与接地端之间。在该示例中，电容器c43和c44具有相同的电容。来自gm 418的电流以及来自经补偿的电流舵dac 402的电流为电容器c44和c43充电，从而跨vp端子421和vm端子422形成差分电压。如上所述，比较器420输出数字信号q及其逻辑反相qz。比较器420响应于vp端子421上的电压高于vm端子422上的电压而使q有效为高(并使qz有效为低)。比较器420响应于vp端子421上的电压低于vm端子422上的电压而强制q为高(并强制qz为高)。q信号连接至晶体管mp0和mp2的栅极，而qz信号连接至晶体管mp1和mp3的栅极。时钟信号(clk)用于使比较器420对vp端子421和vm端子422上的输入进行采样。经补偿的电流舵dac 412的晶体管mp0的漏极连接至vp端子421，而晶体管mp1的漏极连接至vm端子422。对于经补偿的电流舵dac 412，vp端子421和vm端子422分别是图2的vp端子和vm端子。
28.响应于q信号为低，晶体管mp2和mp0导通，经补偿的电流舵dac 402和412分别将电流注入vap端子416和vp端子421。响应于qz信号为低，晶体管mp3和mp1导通，经补偿的电流舵dac 402和412分别将电流注入vam端子417和vm端子422。如上所述，响应于端子va1上的电压变化，补偿电路411将电流拉出到端子vb1中或从端子vb1灌入电流。类似地，响应于端子va上的电压变化，补偿电路410将电流拉出到端子vb中或从端子vb灌入电流。
29.可以通过包括补偿电路(例如，补偿电路210)来提高电流舵dac的信噪比(snr)。下面的表i图示了两种sigma-delta adc的snr：一种具有不包括所描述的补偿电路的电流舵dac(例如，图1的电流舵dac 100)；另一种具有包括所描述的补偿电路的电流舵dac(例如，经补偿的电流舵dac 200(图2))。针对各种不同的偏移电压提供了snr值。偏移电压表示在数据转换期间va端子上的电压变化。在0mv的偏移下，这两种类型的电流舵dac之间几乎不存在snr上的差异。然而，对于20mv、40mv和60mv的偏移电压，具有经补偿的电流舵dac的sigma-delta adc的snr高于具有无补偿的电流舵dac的sigma-delta adc的snr。例如，在不存在偏移电压时无补偿的电流舵dac的snr是58db，而在存在40mv的偏移时会降到43.2db，但是通过使用比如本文所描述的补偿电路，snr在40mv的偏移下是55.5db。表i.偏移无补偿时的snr有补偿时的snr 0mv58db57.7db20mv47.7db56.1db40mv43.2db55.5db60mv40.1db51.5db
30.尽管图2和图3的经补偿的电流舵dac包括pmos晶体管，但本文所描述的补偿电路可以与基于nmos晶体管的电流舵dac一起使用。图5示出了包括nmos晶体管的经补偿的电流舵dac 500的示例。经补偿的电流舵dac 500包括nmos晶体管mn0、mn1、ncas和nbias以及补偿电路510。补偿电路510包括晶体管m51、补偿电容器ccomp51和偏置电流电路ibias51(“ibias51”是指偏置电流电路及其产生的电流两者)。在该示例中，晶体管m51是pmos晶体管。晶体管m51的漏极耦合到接地端，并且晶体管m51的源极在端子vc51处耦合到补偿电容
器ccomp51以及偏置电流源电路ibias51。流过晶体管m51的漏极电流被指定为i_m51。流过补偿电容器ccomp的电流被指定为i_comp51。流过寄生电容器cpar的电流被指定为i_cpar51。
31.晶体管m51的栅极提供了补偿电路510的第一端子511。补偿电容器ccomp51提供了补偿电路210的第二端子512(该端子与耦合到晶体管m51的源极的电容器端子相反)。补偿电路端子511耦合到端子va51。补偿电路的补偿电容器ccomp51(以及因此端子512)耦合到晶体管nbias与ncas之间的连接点(图5中标记为vb51的端子)。
32.如果端子va51上的电压增大，则电流i_cpar51(实线箭头)从端子va51流到寄生电容器cpar，从而为寄生电容器cpar充电。端子va51上的电压增大还会使晶体管m51的vgs减小。晶体管m51的vgs减小导致流过晶体管m51的漏极电流(i_m51)减小。随着电流i_m51减小，因为ibias51是固定电流，所以ibias51超过i_m51的那部分电流作为电流i_comp51(实线箭头)流过补偿电容器ccomp流入端子vb51。因此，端子va51上的电压增大使电流i_cpar51从端子va51流到寄生电容器cpar，并使近似等幅值的电流icomp51从补偿电容器ccomp流入端子vb51。
33.如果端子va51上的电压减小，则电流i_cpar从寄生电容器cpar流到端子va(虚线箭头)，从而使寄生电容器cpar放电。端子va51上的电压减小还会使晶体管m51的vgs增大。晶体管m51的vgs增大导致流过晶体管m51的电流i_m51增大。随着电流i_m51增大到高于固定电流ibias51的幅值，i_comp51电流(虚线箭头)从端子vb51流过电容器ccomp51流到端子vc51，使得i_m51与i_comp51的总和近似等于ibias51。因此，端子va51上的电压减小使电流i_cpar51从寄生电容器cpar流到端子va51，并使近似等幅值的电流i_comp51从端子vb51流到补偿电容器ccomp51。
34.在本文中，术语“耦合”可以涵盖能够实现与本文一致的功能关系的连接、通信或信号路径。例如，如果设备a生成信号来控制设备b执行动作，则：(a)在第一示例中，设备a通过直接连接耦合到设备b；或者(b)在第二示例中，设备a通过中间部件c耦合到设备b，条件是中间部件c没有改变设备a与设备b之间的功能关系，因此设备b由设备a经由设备a生成的控制信号来控制。
35.在权利要求的范围内，对所描述的实施例进行修改是可能的，并且其他实施例也是可能的。

技术特征：
1.一种电路，包括：数模转换器(dac)，所述dac具有第一端子和第二端子；以及补偿电路，所述补偿电路具有第三端子和第四端子，所述第三端子耦合到所述第一端子，并且所述第四端子耦合到所述第二端子，所述补偿电路被配置为响应于所述第二端子上的电压增大而将电流拉出到所述第一端子中，并且响应于所述第二端子上的电压减小而从所述第一端子灌入电流。2.如权利要求1所述的电路，其中，所述补偿电路包括：晶体管，所述晶体管具有栅极、漏极和源极，所述栅极是所述第四端子；以及电容器，所述电容器具有耦合到所述源极的端子，所述电容器的另一个端子是所述第三端子。3.如权利要求2所述的电路，其中，所述补偿电路进一步包括耦合到所述源极的电流源电路。4.如权利要求3所述的电路，其中，所述电流源电路耦合在所述源极与接地端或供电电压端子之一之间。5.如权利要求1所述的电路，其中，所述dac是电流舵dac。6.如权利要求1所述的电路，其中，所述dac是单比特电流舵dac。7.如权利要求6所述的电路，其中，所述dac包括：第一晶体管，所述第一晶体管在所述第二端子处耦合到第二晶体管；以及第三晶体管，所述第三晶体管被配置为提供偏置电流；以及第四晶体管，所述第四晶体管在所述第一端子处耦合到所述第三晶体管，并且所述第四晶体管在所述第二端子处耦合到所述第一晶体管和所述第二晶体管。8.一种电流舵数模转换器(dac)，包括：第一晶体管；第二晶体管；偏置电流晶体管，所述偏置电流晶体管具有第一端子；第三晶体管，所述第三晶体管耦合到所述第一端子，所述第三晶体管的第二端子耦合到所述第一晶体管和所述第二晶体管；以及补偿电路，所述补偿电路具有第三端子和第四端子，所述第三端子耦合到所述第一端子，并且所述第四端子耦合到所述第二端子，所述补偿电路被配置为响应于所述第二端子上的电压增大而将电流拉出到所述第一端子中，并且响应于所述第二端子上的电压减小而从所述第一端子灌入电流。9.如权利要求8所述的电路，其中，所述补偿电路包括：金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)，所述mosfet具有栅极、漏极和源极，所述栅极是所述第四端子；以及电容器，所述电容器具有耦合到所述源极的端子，所述电容器的另一个端子是所述第三端子。10.如权利要求9所述的电路，其中，所述补偿电路进一步包括耦合到所述源极的电流电路。11.如权利要求10所述的电路，其中，所述电流源电路耦合在所述源极与接地端或供电
电压端子之一之间。12.如权利要求8所述的电路，其中，所述补偿电路包括：电流源电路；以及电容器，所述电容器具有耦合到所述电流源电路的端子，所述电容器的另一个端子是所述第三端子。13.如权利要求8所述的电路，其中，所述第三晶体管是共源共栅晶体管。14.一种电路，包括：基于sigma delta调制器的模数转换器(adc)，所述adc具有第一adc端子和第二adc端子；数模转换器(dac)，所述dac具有第一dac端子、第二dac端子、第三dac端子和第四dac端子，所述第一dac端子耦合到所述第一adc端子，并且所述第二dac端子耦合到所述第二adc端子；以及补偿电路，所述补偿电路具有第一补偿电路端子和第二补偿电路端子，所述第一补偿电路端子耦合到所述第三dac端子，并且所述第二补偿电路端子耦合到所述第四dac端子，所述补偿电路被配置为响应于所述第四dac端子上的电压增大而将电流拉出到所述第三dac端子中，并且响应于所述第四dac端子上的电压减小而从所述第三dac端子灌入电流。15.如权利要求14所述的电路，其中，所述补偿电路包括：晶体管，所述晶体管具有栅极、漏极和源极，所述栅极是所述第二补偿电路端子；以及电容器，所述电容器具有耦合到所述源极的端子，所述电容器的另一个端子是所述第一补偿电路端子。16.如权利要求14所述的电路，其中，所述补偿电路进一步包括耦合到所述源极的电流电路。17.如权利要求14所述的电路，其中，所述dac是电流舵dac。18.如权利要求14所述的电路，其中，所述dac是单比特电流舵dac。19.如权利要求14所述的电路，其中，所述dac是第一dac并且所述补偿电路是第一补偿电路，并且所述电路进一步包括：第二dac，所述第二dac具有第五dac端子、第六dac端子、第七dac端子和第八dac端子，所述第五dac端子耦合到第三adc端子，并且所述第六dac端子耦合到第四adc端子；以及第二补偿电路，所述第二补偿电路具有第三补偿电路端子和第四补偿电路端子，所述第三补偿电路端子耦合到所述第七dac端子，并且所述第四补偿电路端子耦合到所述第八dac端子。20.如权利要求19所述的电路，其中，所述第二补偿电路被配置为响应于所述第八dac端子上的电压增大而将电流拉出到所述第七dac端子中，并且响应于所述第八dac端子上的电压减小而从所述第七dac端子灌入电流。

技术总结
一种电路包括数模转换器(DAC)(200)和补偿电路(210)。DAC(200)具有第一端子(VA)和第二端子(VB)。补偿电路(210)具有第三端子(211)和第四端子(212)。第三端子(211)耦合到第一端子(VA)，并且第四端子(212)耦合到第二端子(VB)。补偿电路(210)被配置为响应于第二端子(VB)上的电压增大而将电流拉出到第一端子(VA)中，并且响应于第二端子(VB)上的电压减小而从第一端子(VA)灌入电流。而从第一端子(VA)灌入电流。而从第一端子(VA)灌入电流。


技术研发人员：M
受保护的技术使用者：德州仪器公司
技术研发日：2022.03.17
技术公布日：2023/10/7