一种拓扑相变忆阻器及其制备方法和应用

1.本发明涉及半导体信息存储和人工突触器件技术领域，尤其涉及一种拓扑相变忆阻器及其制备方法和应用。


背景技术：

2.忆阻器(memristor)是一种高速的新型非易失性存储器，它不仅具备了动态随机存取存储器(dynamic random access memory, dram)较高的擦写速度，还兼具nand flash存储器的非易失性，有较好的应用前景。忆阻器材料一般以二元金属氧化物(hfo
x
、alo
x
等)为主，通过对器件施加偏压，在薄膜内部形成和断开氧空位导电通道使得器件在高阻态(high resistance state, hrs)和低阻态(low resistance state, lrs)之间可逆切换。
3.除了传统二元金属氧化物以外，部分有机材料、二维材料以及多元氧化物材料也可以作为忆阻器功能层材料。拓扑相变材料(srfeo
x
、srcoo
x
) 利用材料晶体结构在钙铁石(brownmillerite，bm)和钙钛矿(perovskite, pv)两相之间可逆切换来实现阻变切换，以srfeo
x
为例，srfeo3为钙钛矿（pv）结构，由feo6八面体堆叠而成，o的2p轨道转移一个电子到了fe的3d轨道，处于半满带，电荷转移能量为负，没有带隙，呈金属导电相。而srfeo
2.5
为钙铁石（bm）结构，由feo4四面体和feo6八面体交替堆叠而成，从氧的2p轨道到未占据的铁3d轨道的电荷转移量能量δeff为正，形成2 ev的带隙，呈绝缘相。
4.因此，拓扑相变忆阻器的阻变切换来源于拓扑相变材料获得与失去氧离子在pv相和bm相之间发生可逆相变，其中氧离子迁移效率极大影响了器件的阻变性能。当氧离子迁移方向与拓扑相变材料的类超晶格结构垂直时，氧离子需要“翻越”八面体层移动，迁移势垒高，难以产生拓扑相变；而当氧离子迁移方向与类超晶格结构平行时，氧离子可沿四面体通道自由迁移，迁移势垒低，容易进行拓扑相变。在拓扑相变材料忆阻器中，氧离子迁移方向通常与外加电场方向一致，而外加电场方向一般垂直于功能层表面，因此制备出垂直型类超晶格结构的拓扑相变材料，可以大幅度提高相应器件的氧离子迁移效率。然而由于晶格失配等因素的影响，常规手段难以制备出具有垂直型类超晶格结构的拓扑相变薄膜材料。以srfeo
x
为例，在bm-sfo（srfeo
2.5
）结构中，feo4四面体与feo6八面体交替形成具有类超晶格结构的条纹结构，其中feo4四面体两侧的sr原子间距约为4.4
ꢀå
，而feo6八面体两侧的sr原子间距约为3.6
ꢀå
，较大的晶格常数差异使得bm-sfo与衬底产生方向相反的晶格失配，因此通过传统工艺难以制备垂直型类超晶格结构的srfeo
x
忆阻器。


技术实现要素：

5.有鉴于此，本发明提出了一种拓扑相变忆阻器及其制备方法，以解决现有忆阻器件中的功能层超晶格结构与外加电场方向垂直，进而降低氧离子迁移效率的技术问题。
6.本发明的技术方案是这样实现的：本发明提供了一种拓扑相变忆阻器的制备方法，包括如下步骤：（1）采用脉冲激光沉积法在衬底层表面沉积底电极层；
（2）在氧气气氛中进行原位退火处理，促使氧离子富集于所述底电极层表面；（3）采用脉冲激光沉积法在所述底电极层表面沉积阻变层，使阻变层与底电极层之间自发扩散形成富氧缓冲层；（4）对所述阻变层进行光刻处理，并在光刻后的阻变层上制备顶电极层。
7.通过对底电极层在氧气气氛中进行原位退火预处理，可使底电极层表面富集储存氧离子，当开始沉积阻变层时，这些富集在表面的氧离子会向上迁移，快速氧化阻变层，促使阻变层和底电极层之间自发扩散形成富氧的pv相缓冲层，减缓其上生长的bm相功能层的晶格失配，促进垂直型类超晶格结构的形成。
8.进一步地，步骤（1）在沉积底电极层之前还包括对衬底层的预处理，所述预处理步骤为采用丙酮、乙醇和去离子水依次超声清洗衬底层，每次清洗时间均为10~20 min。对衬底层进行预处理可更好地清除衬底层表面的杂质，保证衬底层表面的平整，从而使底电极层可以均匀地沉积在衬底层表面。
9.在以上技术方案的基础上，优选的，所述原位退火处理的温度为650~700 ℃，退火时间为10 ~ 20 min，气压为15~20 pa，真空度为1
×
10-7
~ 9
×
10-6
pa。通过控制原位退火工艺的参数，可调控富氧缓冲层厚度，退火处理时氧气分压越大，则会导致形成的富氧缓冲层的厚度越大。具体而言，氧气分压增大，会促使底电极层表面存储更多的氧离子，进而待步骤（3）在底电极层表面沉积阻变层时，可促使更多的氧离子向上迁移，进而促进氧化阻变层形成富氧缓冲层。
10.在以上技术方案的基础上，优选的，步骤（1）和步骤（3）中的脉冲激光沉积法处理的温度为650~700 ℃，处理的气氛为氧气，激光能量为250~450 mj，激光频率为1~8 hz，真空度为1
×
10-7
~ 9
×
10-6
pa，待沉积表面与靶材的间距为40~60 mm。待沉积表面与靶材的间距控制在40~60 mm时可更好的使底电极层或阻变层沉积，脉冲激光沉积是烧蚀靶材表面形成羽化区域，当待沉积表面与靶材间距太大时，会导致羽化基团迁移过程中损失太大，导致其形成的薄膜厚度无法达到预期；当待沉积表面与靶材间距太小时，羽化基团迁移距离不够，容易形成杂相。
11.进一步地，在步骤（1）中所述脉冲激光沉积法的气压为15~20p a；在步骤（3）中所述脉冲激光沉积法的气压为1~3 pa。
12.在以上技术方案的基础上，优选的，所述顶电极层为pt电极，所述pt电极采用磁控溅射法沉积，沉积速度为0.3 ~ 0.6
ꢀå
/s，沉积时间为25~35 min。
13.在以上技术方案的基础上，优选的，所述顶电极层为au电极，所述au电极采用电子束蒸发法沉积，沉积速度为2 ~ 2.5 nm/min，沉积时间为35~45 min。
14.本发明提供了一种拓扑相变忆阻器，所述拓扑相变忆阻器采用上所述的制备方法制备得到，所述拓扑相变忆阻器包括由下至上依次设置的衬底层、底电极层、富氧缓冲层、阻变层和顶电极层，所述富氧缓冲层由所述底电极层表面的氧离子氧化所述阻变层朝向所述底电极层的表面得到，所述阻变层的类超晶格结构垂直于所述衬底层。
15.进一步地，所述底电极层全覆盖于所述衬底层表面，所述富氧缓冲层部分覆盖所述底电极层表面，以为底电极层接地提供区域；所述阻变层全覆盖于所述富氧缓冲层表面，所述顶电极层部分覆盖于所述阻变层表面，具体覆盖区域由光刻尺寸决定。
16.常规忆阻器结构中，氧离子迁移方向与拓扑相关材料的类超晶格结构相垂直，此
时氧离子在迁移时会受到类超晶格结构的阻力，从而降低迁移效率。而本发明拓扑相变忆阻器的器件结构中，阻变层的类超晶格结构垂直于所述衬底界面，氧离子迁移方向与器件功能层中feo4四面体堆叠方向平行，在施加垂直方向电场时，氧离子迁移势垒较低，从而极大提高了氧离子迁移效率，减小了相应器件的操作电压，提高了器件的可靠性。
17.在以上技术方案的基础上，优选的，所述富氧缓冲层为srfeo3或srcoo3，所述富氧缓冲层厚度为10~20 nm，优选为15nm。
18.阻变层的类超晶格结构形成过程中，较大的晶格常数差异会使阻变层与衬底产生方向相反的晶格失配，从而影响垂直型类超晶格结构的形成。而通过在阻变层和底电极层之间形成富氧缓冲层，可较好的缓解应力对于超晶格条纹生长带来的影响，同时也可以为器件操作过程中提供氧源，降低器件的电阻，甚至可以使器件不需要成型电压。而富氧缓冲层的厚度会影响垂直型类超晶格结构的形成效果，当富氧缓冲层厚度为10~20 nm时，可较好地实现上述技术效果，但若富氧缓冲层形成的厚度太小，则难以为垂直型超晶格结构的形成提供更好的缓冲应力，进而影响垂直型超晶格结构的形成效果；若富氧缓冲层形成的厚度太大，则会增加整体器件的厚度，且会导致器件低阻太低，器件set后难以reset。
19.在以上技术方案的基础上，优选的，所述阻变层为纯相srfeo
2.5
薄膜或srcoo
2.5
薄膜，其厚度为30~60 nm。
20.在以上技术方案的基础上，优选的，所述底电极层为纯相srruo3，所述底电极层厚度为50~100 nm。
21.在以上技术方案的基础上，优选的，所述顶电极层为纯相pt或au，所述顶电极层的厚度为80~100 nm，所述顶电极层的尺寸为 60
×
60 ~100
×
100 μm2。
22.一种用于实现与或功能的逻辑单元，包括如上所述的一种拓扑相变忆阻器。
23.本发明的一种拓扑相变忆阻器相对于现有技术具有以下有益效果：（1）通过对底电极层进行氧气预处理，促使在底电极层和阻变层之间形成富氧缓冲层，减缓了晶格失配效应，促使制备出具有垂直型类超晶格的拓扑相变忆阻器，其中类超晶格结构与施加电场方向保持一致，极大提高了氧离子迁移效率，减小了相应器件的操作电压，提高了器件的可靠性；（2）通过控制富氧缓冲层厚度10~20 nm，可缓解应力对阻变层超晶格条纹生长的不利影响，同时为器件操作过程中提供氧源，降低器件的电阻，甚至可使器件不需要成型电压。
附图说明
24.为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
25.图1为本发明的拓扑相变忆阻器的器件结构示意图；图2为本发明的拓扑相变忆阻器的单元结构剖面图；图3为实施例1所得的拓扑相变忆阻器的截面tem图像；图4为实施例1所得的拓扑相变忆阻器功能层的xrd图谱；
图5为实施例1所得的拓扑相变忆阻器的阻变特性曲线图；图6为实施例1所得的拓扑相变忆阻器的高阻态的保持特性数据；图7为实施例1所得的拓扑相变忆阻器的积累曲线图；图8为实施例2所得的拓扑相变忆阻器的高阻态的保持特性数据；图9为实施例3所得的拓扑相变忆阻器的低阻态的保持特性数据；图10为实施例4所得的拓扑相变忆阻器的低阻态的保持特性数据；图11为实施例5所得的拓扑相变忆阻器的低阻态的保持特性数据；图12为实施例7所得的拓扑相变忆阻器功能层的xrd图谱；图13为实施例8所得的拓扑相变忆阻器功能层的fft图像；图14为对比例1所得的拓扑相变忆阻器的截面tem图像；图15为对比例1所得的拓扑相变忆阻器的xrd图谱；图16为对比例1所得的拓扑相变忆阻器的阻变特性曲线图。
26.1、衬底层；2、底电极层；3、富氧缓冲层；4、阻变层；5、顶电极层。
具体实施方式
27.下面将结合本发明实施方式，对本发明实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施方式仅仅是本发明一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本发明中的实施方式，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本发明保护的范围。
28.实施例1本实施例提供了一种拓扑相变忆阻器及其制备方法，包括：特征结构层
①
为衬底层，成分为纯相srtio3，其晶向为《100》方向；特征结构层
②
为底电极层，成分为纯相srruo3，其厚度为80 nm；特征结构层
③
为富氧缓冲层，成分为纯相pv-sfo（srfeo3），其厚度为15 nm；特征结构层
④
为阻变层，成分为纯相bm-sfo（srfeo
2.5
），其厚度为45 nm，其类超晶格结构为垂直方向；特征结构层
⑤
为顶电极层，成分为纯相pt，其厚度为90 nm，尺寸为80
×
80 μm2。
29.制备方法包括如下步骤：(1)分别依次在丙酮、乙醇和去离子水中超声清洗srtio3衬底各15 min；(2)使用脉冲激光沉积设备在步骤(1)所述的衬底上制备srruo3下电极，形成底电极层，工艺条件：温度为680 ℃，气氛为氧气，激光能量为250 mj，激光频率为4 hz，真空度为1
×
10-7
~ 9
×
10-6 pa，衬底与靶材间距为55 mm；(3)在步骤(2)完成后在氧气气氛中进行原位退火处理，其工艺条件为：温度为680 ℃，气氛为氧气，退火时间15 min，气压为17 pa，真空度为1
×
10-7
~ 9
×
10-6
pa；(4)在步骤(3)完成后在开始沉积bm-sfo薄膜以形成bm-sfo阻变层，沉积方法为脉冲激光沉积法，其工艺条件为温度650℃，气氛为氧气，气压为1 pa，激光能量为250 mj，激光频率为4 hz，真空度为1
×
10-7
~ 9
×
10-6 pa，衬底与靶材间距为55 mm；(5)对步骤(4)完成后的薄膜进行光刻处理, 光刻尺寸为 80
ꢀ×ꢀ
80 μm2；(6)使用磁控溅射在步骤(5)制备的光刻后的bm-sfo薄膜上制备pt上电极，以形成
顶电极层，其工艺条件：沉积速度为0.5
ꢀå
/s，沉积时间为35 min。
30.图1和图2分别示出了本发明制备得到的拓扑相变忆阻器的器件结构示意图和单元结构剖面图。图3示出了本实施例制备得到的拓扑相变忆阻器的截面tem图像，由图可知，所制备的sfo薄膜为bm-sfo和pv-sfo的异质薄膜，pv-sfo作为缓冲层，缓解了sro与bm-sfo的晶格失配，促进了具有纵向类超晶格结构的bm-sfo的产生。图4示出了本实施例制备得到的拓扑相变忆阻器的功能层的xrd图谱，由图可知，xrd图谱中未检测到bm-sfo的（020）和（060）晶面，说明了所制备的sfo薄膜不是单晶bm-sfo。
31.图5示出了本实施例制备得到的拓扑相变忆阻器的阻变特性曲线图，由图可知，该器件的操作电压低至0.6v，小的操作电压有利于器件的功耗以及循环稳定性。图6示出了本实施例制备得到的拓扑相变忆阻器的高阻态的保持特性数据，由图可知，在1000s后器件的电阻状态依然稳定，说明该器件具有较好的数据保持力。图7示出了本实施例制备得到的拓扑相变忆阻器的积累曲线图，由图可知，在100次循环iv曲线中，在指定电压位置提取的电阻值，可以看出在两个偏压方向的高低阻分布均较为收敛，不同偏压方向的高低阻重合度较高，说明了器件良好的非易失性。
32.实施例2本实施例提供了一种拓扑相变忆阻器及其制备方法。
33.本实施例的拓扑相变忆阻器的制备方法与实施例1相同，区别点在于步骤（2）中原位退火处理的气压为15 pa。制备得到的拓扑相变忆阻器器件结构与实施例1相同，区别在于形成的富氧缓冲层厚度为10 nm。
34.图8示出了本实施例制备得到的拓扑相变忆阻器的高阻态的保持特性数据，由图可知，在1000s后器件的电阻状态依然稳定，说明该器件具有较好的数据保持力。
35.实施例3本实施例提供了一种拓扑相变忆阻器及其制备方法。
36.本实施例的拓扑相变忆阻器的制备方法与实施例1相同，区别点在于步骤（2）中原位退火处理的气压为20 pa。制备得到的拓扑相变忆阻器器件结构与实施例1相同，区别在于形成的富氧缓冲层厚度为20 nm。
37.图9示出了本实施例所得的拓扑相变忆阻器的低阻态的保持特性数据，由图可知，在1000s后器件的电阻状态依然稳定，说明该器件具有较好的数据保持力。
38.实施例4本实施例提供了一种拓扑相变忆阻器及其制备方法。
39.本实施例的拓扑相变忆阻器的制备方法与实施例1相同，区别点在于步骤（2）中原位退火处理的温度为650 ℃。制备得到的拓扑相变忆阻器器件结构与实施例1相同，区别在于形成的富氧缓冲层厚度为10 nm。
40.图10示出了本实施例所得的拓扑相变忆阻器的低阻态的保持特性数据，由图可知，在1000s后器件的电阻状态依然稳定，说明该器件具有较好的数据保持力。
41.实施例5本实施例的拓扑相变忆阻器的制备方法与实施例1相同，区别点在于步骤（2）中原位退火处理的温度为700 ℃。制备得到的拓扑相变忆阻器器件结构与实施例1相同，区别在于形成的富氧缓冲层厚度为20 nm。
42.图11示出了本实施例所得的拓扑相变忆阻器的低阻态的保持特性数据，由图可知，在1000s后器件的电阻状态依然稳定，说明该器件具有较好的数据保持力。
43.实施例6本实施例的拓扑相变忆阻器的制备方法与实施例1相同，区别点在于步骤（2）中原位退火在氮气气氛下进行。制备得到的拓扑相变忆阻器器件结构与实施例1相同，区别在于本实施例中未形成缓冲层结构。
44.实施例7本实施例的拓扑相变忆阻器的制备方法与实施例1相同，区别点在于步骤（1）和（3）中待沉积表面与靶材的间距为40 mm。制备得到的拓扑相变忆阻器器件结构与实施例1相同。图12示出了本实施例所得的拓扑相变忆阻器功能层的xrd图谱，由图可知，本实施例制备得到的拓扑相变忆阻器器件的xrd图谱显示出现了sfo杂相。
45.实施例8本实施例的拓扑相变忆阻器的制备方法与实施例1相同，区别点在于步骤（1）和（3）中待沉积表面与靶材的间距为60 mm。制备得到的拓扑相变忆阻器器件结构与实施例1相同。图13示出了本实施例制备得到的拓扑相变忆阻器功能层的fft图像，由图可知，本实施例制备得到的拓扑相变忆阻器器件的sfo功能层的厚度较薄，且结晶性较差。
46.对比例1本实施例提供了一种拓扑相变忆阻器，包括特征结构层
①
为衬底层，成分为纯相srtio3，其晶向为《100》方向；特征结构层
②
为底电极层，成分为纯相srruo3，其厚度为80 nm；特征结构层
③
为阻变层，成分为纯相bm-sfo（srfeo
2.5
），其厚度为45 nm；特征结构层
④
为顶电极层，成分为纯相pt，其厚度为90 nm，尺寸为80
×
80 μm2。
47.制备方法包括如下步骤：(1)分别依次在丙酮、乙醇和去离子水中超声清洗srtio3衬底各15 min；(2)使用脉冲激光沉积设备在步骤(1)所述的衬底上制备srruo3下电极，工艺条件：温度为650 ℃，气氛为氧气，气压为15 pa，激光能量为250 mj，激光频率为4hz，真空度为1
×
10-7
~ 9
×
10-6 pa，衬底与靶材间距为55 mm；(3)在步骤(2)完成后在开始沉积bm-sfo薄膜，温度为650 ℃，气氛为氧气，气压为1 pa，激光能量为250 mj，激光频率为4 hz，真空度为1
×
10-7 ~ 9
×
10-6 pa，衬底与靶材间距为55 mm；(4)对步骤(3)完成后的薄膜进行光刻处理, 光刻尺寸为80
×
80 μm2；(5)使用磁控溅射在步骤(5)制备的光刻后的bm-sfo薄膜上制备pt上电极，工艺条件：沉积速度为0.5
ꢀå
/s，沉积时间为35 min。
48.图14~15分别示出了本对比例制备得到的拓扑相变忆阻器的截面tem图像和xrd图谱，其中，tem图像可以看出sro与bm-sfo之间没有pv-sfo缓冲层，因此所制备的bm-sfo为横向类超晶格结构；xrd图谱检测到了bm-sfo的（020）和（060）晶面，说明了bm-sfo的单晶物相结构。图16示出了本对比例制备得到的拓扑相变忆阻器的阻变特性曲线图，由图可知，单晶具有横向类超晶格结构的bm-sfo忆阻器的操作电压为2.5v左右，较垂直型类超晶格结构的sfo薄膜增大约2v，不利于操作功耗，且两个偏压方向不对称说明了器件的非易失性不佳。
49.以上所述仅为本发明的较佳实施方式而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

技术特征：
1.一种拓扑相变忆阻器的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：采用脉冲激光沉积法在衬底层表面沉积底电极层；在氧气气氛中进行原位退火处理，促使氧离子富集于所述底电极层表面；采用脉冲激光沉积法在所述底电极层表面沉积阻变层，使阻变层与底电极层之间自发扩散形成富氧缓冲层；对所述阻变层进行光刻处理，并在光刻后的阻变层上制备顶电极层。2.如权利要求1所述的一种拓扑相变忆阻器的制备方法，其特征在于：所述原位退火处理的温度为650~700 ℃，退火时间为10 ~ 20 min，气压为15~20 pa，真空度为1
×
10-7 ~ 9
×
10-6 pa。3.如权利要求1所述的一种拓扑相变忆阻器的制备方法，其特征在于：步骤（1）和步骤（3）中的脉冲激光沉积法处理的温度为650~700℃，处理的气氛为氧气，激光能量为250~450 mj，激光频率为1~8 hz，真空度为1
×
10-7 ~ 9
×
10-6 pa，待沉积表面与靶材的间距为40~60 mm。4.如权利要求1所述的一种拓扑相变忆阻器的制备方法，其特征在于：所述顶电极层为pt电极，所述pt电极采用磁控溅射法沉积，沉积速度为0.3 ~ 0.6
ꢀå
/s，沉积时间为25~35 min；或，所述顶电极层为au电极，所述au电极采用电子束蒸发法沉积，沉积速度为2 ~ 2.5 nm / min，沉积时间为35~45 min。5.一种拓扑相变忆阻器，其特征在于：所述拓扑相变忆阻器采用如权利要求1-4任一项所述的制备方法制备得到，所述拓扑相变忆阻器包括由下至上依次设置的衬底层、底电极层、富氧缓冲层、阻变层和顶电极层，所述富氧缓冲层由所述底电极层表面的氧离子氧化所述阻变层朝向所述底电极层的表面得到，所述阻变层的类超晶格结构垂直于所述衬底层。6.如权利要求5所述的一种拓扑相变忆阻器，其特征在于：所述富氧缓冲层为srfeo3或srcoo3，所述富氧缓冲层厚度为10~20 nm。7.如权利要求5所述的一种拓扑相变忆阻器，其特征在于：所述阻变层为纯相srfeo
2.5
薄膜或srcoo
2.5
薄膜，其厚度为30~60 nm。8.如权利要求5所述的一种拓扑相变忆阻器，其特征在于：所述底电极层为纯相srruo3，所述底电极层厚度为50~100 nm。9.如权利要求5所述的一种拓扑相变忆阻器，其特征在于：所述顶电极层为纯相pt或au，所述顶电极层的厚度为80~100 nm，所述顶电极层的尺寸为 60
×
60 ~100
×
100 μm2。10.一种用于实现与或功能的逻辑单元，其特征在于，包括如权利要求5~9任一项所述的一种拓扑相变忆阻器。

技术总结
本发明提出了一种拓扑相变忆阻器及其制备方法和应用，其制备步骤为：采用脉冲激光沉积法在衬底层表面沉积底电极层；在氧气气氛中进行原位退火处理，促使氧离子富集于所述底电极层表面；采用脉冲激光沉积法在所述底电极层表面沉积阻变层，使阻变层与底电极层之间自发扩散形成富氧缓冲层；进行光刻处理，并在光刻后的阻变层上制备顶电极层。通过对底电极层进行氧气预处理，促使在底电极层和阻变层之间形成富氧缓冲层，减缓了晶格失配效应，促使制备出具有垂直型类超晶格的拓扑相变忆阻器，其中类超晶格结构与施加电场方向保持一致，极大提高了氧离子迁移效率，减小了相应器件的操作电压，提高了器件的可靠性。提高了器件的可靠性。提高了器件的可靠性。


技术研发人员：程伟明 苏睿 张润青 肖睿子 缪向水
受保护的技术使用者：华中科技大学
技术研发日：2023.09.04
技术公布日：2023/10/11