一种桥箔等离子体过程透视照相方法、系统、设备及介质与流程

1.本发明涉及桥箔等离子体成像领域，特别是涉及一种桥箔等离子体过程透视照相方法、系统、设备及介质。


背景技术：

2.电爆炸箔等起爆器是新型高安全性起爆类火工品，其利用电爆炸驱动小尺寸高速飞片起爆炸药，该设计隔离了电爆换能元与药柱，大幅提高本质安全性。在起爆器作用过程中，电爆炸形成等离子体是初始驱动源，其形态分布均匀性决定着飞片速度和姿态，进而对飞片撞击起爆产生重要影响。美国洛斯阿拉莫斯(lanl)实验室利用先进光源装置(aps)，建立了高分辨动态成像技术，获得桥箔等离子体成像结果，结果表明微缺陷影响等离子体分布，进而对飞片形态产生显著影响。
3.针对电爆炸形成瞬态等离子体过程驱动飞片过程，等离子体形态分布是起爆器有效性的关键状态参量，是当前亟需解决的关键问题，但缺乏有效的诊断手段。由于桥箔基底对x射线具有高吸收性，桥箔x射线吸收弱难以有效成像，致使拍摄等离子体形态分布姿态成为难点。目前国际上仅有美国lanl实验室利用同步辐射装置成功捕捉到等离子体形态分布的相关报道。中国国内目前主要利用可见光成像获取等离子体爆发瞬态的轮廓信息，但无法诊断内部结构信息。高时空分辨x射线成像方面的工作开展的比较少。


技术实现要素：

4.本发明的目的是提供一种桥箔等离子体过程透视照相方法、系统、设备及介质，以实现高时空分辨的桥箔等离子体过程动态透视照相。
5.为实现上述目的，本发明提供了如下方案：
6.一种桥箔等离子体过程透视照相方法，包括：
7.利用蒙特卡洛模拟方法，建立桥箔等离子体成像的仿真模型；
8.基于所述仿真模型，确定桥箔等离子体成像的实验参数；所述实验参数包括：x射线源类型、激光功率密度、x射线能点、桥箔厚度、基底材料、基底厚度和成像参数；
9.基于所述实验参数，建立桥箔等离子体成像的实验模型；所述实验模型包括：x射线源、桥箔、基底和探测器；所述x射线源用于产生x射线；所述桥箔位于所述基底上；所述桥箔用于电爆炸形成桥箔等离子体；所述探测器用于探测经过所述桥箔的x射线，以对所述桥箔等离子体进行成像；
10.利用所述实验模型，开展电爆装置驱动等离子过程的照相实验，得到桥箔等离子体的动态图像。
11.可选地，还包括：
12.获取电爆装置驱动等离子过程的电流曲线；
13.根据所述电流曲线，确定诊断等离子体过程的诊断时刻；
14.根据所述动态图像和所述诊断时刻，确定桥箔等离子体的演变过程。
15.可选地，所述实验模型还包括：强磁铁；所述强磁铁位于所述桥箔与所述探测器之间；所述强磁铁用于产生磁场，使所述桥箔与所述探测器之间的高能电子偏离x射线的成像方向。
16.可选地，所述实验模型还包括：屏蔽锥；所述屏蔽锥位于所述强磁铁与所述探测器之间，且所述屏蔽锥的锥形角度由所述探测器的成像接收立体角确定；所述屏蔽锥用于屏蔽所述强磁铁与所述探测器之间的杂散x射线和高能粒子。
17.可选地，所述x射线源包括：激光发生器、离轴抛物面镜和靶材喷嘴；所述激光发生器用于产生激光光束；所述离轴抛物面镜用于对所述激光光束进行聚焦，得到点光源；所述靶材喷嘴用于喷出靶材；所述点光源与所述靶材相互作用产生x射线。
18.可选地，所述x射线源类型为飞秒激光或皮秒激光驱动的betatron辐射源；所述x射线源的尺寸为微秒级；所述激光功率密度大于或等于10
18
w/cm2；所述x射线能点大于10kev。
19.可选地，所述基底材料为ch材料；所述基底厚度为0.5mm；所述桥箔厚度小于或等于8μm。
20.一种桥箔等离子体过程透视照相系统，包括：
21.仿真建模模块，用于利用蒙特卡洛模拟方法，建立桥箔等离子体成像的仿真模型；
22.参数确定模块，用于基于所述仿真模型，确定桥箔等离子体成像的实验参数；所述实验参数包括：x射线源类型、激光功率密度、x射线能点、桥箔厚度、基底材料、基底厚度和成像参数；
23.实验构建模块，用于基于所述实验参数，建立桥箔等离子体成像的实验模型；所述实验模型包括：x射线源、桥箔、基底和探测器；所述x射线源用于产生x射线；所述桥箔位于所述基底上；所述桥箔用于电爆炸形成桥箔等离子体；所述探测器用于探测经过所述桥箔的x射线，以对所述桥箔等离子体进行成像；
24.动态照相模块，用于利用所述实验模型，开展电爆装置驱动等离子过程的照相实验，得到桥箔等离子体的动态图像。
25.一种电子设备，包括存储器及处理器，所述存储器用于存储计算机程序，所述处理器运行所述计算机程序以使所述电子设备执行上述的桥箔等离子体过程透视照相方法。
26.一种计算机可读存储介质，其存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述的桥箔等离子体过程透视照相方法。
27.根据本发明提供的具体实施例，本发明公开了以下技术效果：
28.本发明提供的桥箔等离子体过程透视照相方法，通过利用蒙特卡洛模拟方法，建立桥箔等离子体成像的仿真模型，并基于该仿真模型，确定桥箔等离子体成像的实验参数，能够有效解决桥箔正面照相的参数设计难题，通过基于该仿真模型确定的x射线源类型、激光功率密度、x射线能点、桥箔厚度、基底材料和基底厚度等实验参数建立桥箔等离子体成像的实验模型，并开展电爆装置驱动等离子过程的照相实验，能够得到桥箔等离子体的动态图像，实现高时空分辨的桥箔等离子体过程动态透视照相。此外，本发明利用激光驱动x射线成像技术对桥箔等离子体过程进行拍摄，相比于同类现有技术更加小型化和经济化。
附图说明
29.为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
30.图1为本发明提供的桥箔等离子体过程透视照相方法的流程图；
31.图2为本发明提供的不同厚度桥箔成丝过程的成像模拟优化示意图；
32.图3为本发明提供的桥箔等离子体过程透视照相的原理示意图；
33.图4为本发明提供的强磁铁和屏蔽锥的工作原理示意图。
34.符号说明：
35.激光光束-1，离轴抛物面镜-2，靶材喷嘴-3，桥箔-4，基底-5，探测器-6，x射线源-7，强磁铁-8，屏蔽锥-9。
具体实施方式
36.下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
37.本发明的目的是提供一种桥箔等离子体过程透视照相方法、系统、设备及介质，以实现高时空分辨的桥箔等离子体过程动态透视照相。
38.为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
39.实施例一
40.本发明实施例提供一种桥箔等离子体过程透视照相方法。如图1所示，所述桥箔等离子体过程透视照相方法包括：
41.步骤s1：利用蒙特卡洛模拟方法，建立桥箔等离子体成像的仿真模型。具体地，所述仿真模型为微焦点x射线源的点投影成像模型。
42.步骤s2：基于所述仿真模型，确定桥箔等离子体成像的实验参数。所述实验参数包括：x射线源类型、激光功率密度、x射线能点、桥箔厚度、基底材料、基底厚度和成像参数。所述成像参数包括：物距、像距、放大倍率、探测区域、探测区域像素点和成像诊断视场。
43.优选地，所述x射线源类型为飞秒激光或皮秒激光驱动的betatron辐射源；所述x射线源的尺寸为微秒级；所述激光功率密度大于或等于10
18
w/cm2；所述x射线能点大于10kev。
44.优选地，所述基底材料为ch材料；所述基底厚度为0.5mm；所述桥箔厚度小于或等于8μm。
45.具体地，利用蒙特卡洛模拟方法，建立微焦点x射线源的点投影成像模型，包含有x射线源、桥箔、探测器等要素。在此基础上，优化成像的x射线能谱、桥箔及基底、探测器等条件，为后续开展动态实验提供输入条件。在优化过程中，通过每次调节x射线能谱、桥箔及基底的材料、厚度、探测器的类型、分辨、响应效率、像素等参数，获得一张x射线成像图像，并
分析图像的好坏，从而将图像质量满足设定条件时的上述参数作为最优参数，以实现对上述成像条件的优化。在本实施例中，x射线源采用fs激光驱动的betatron辐射源，尺寸微米级。基底材料为ch材料(即低z材料，其包括聚酯、pmma等材料)，针对不同的基底材料如聚酯、pmma等，优化x射线能点在10kev以上，降低了基底与桥箔的吸收度差异。进一步优化设计基底厚度在0.5mm左右，以降低x射线穿透距离，有效降低x射线能量需求，保证x射线穿透性，并保证对桥箔的有效支撑。同时，利用桥箔厚度对x射线波段的高吸收敏感性，计算了不同厚度桥箔在微焦点x射线源照射后的吸收度，获得其在像平面的x射线光强分布，如图2所示，其中，数字0、2、4、6、8分别表示不同的桥箔厚度，单位为μm。图2表明x射线能有效穿透桥箔和基底，并对丝状的桥箔有效成像，可用于分析桥箔等离子体过程成像的主要影响因素。
46.步骤s3：基于所述实验参数，建立桥箔等离子体成像的实验模型。如图3及图4所示，所述实验模型包括：x射线源7、桥箔4、基底5和探测器6；所述x射线源7用于产生x射线；所述桥箔4位于所述基底5上；所述桥箔4用于电爆炸形成桥箔等离子体；所述探测器6用于探测经过所述桥箔4的x射线，以对所述桥箔等离子体进行成像。
47.其中，所述x射线源7包括：激光发生器、离轴抛物面镜2和靶材喷嘴3；所述激光发生器用于产生激光光束1；所述离轴抛物面镜2用于对所述激光光束1进行聚焦，得到点光源；所述靶材喷嘴3用于喷出靶材；所述点光源与所述靶材相互作用产生x射线。在具体实施过程中，所述激光光束1为飞秒激光或皮秒激光，所述靶材为气体靶或微丝靶。利用超短脉冲(ps/fs)激光驱动生成x射线的过程具体如下：
48.fs(即当该超短脉冲为飞秒激光时)：利用重频大能量fs激光与气体靶(由靶材喷嘴喷出)相互作用产生x射线。在本实施例中，所用大能量fs激光能量≥1j，具体在数焦耳到数十焦耳之间，激光脉宽≤100fs，具体为数十飞秒；采用f数(f表示光束焦距/光束口径)约为20的离轴抛物面镜聚焦，激光聚焦后的功率密度在10
18
w/cm2及以上；通过聚焦后的激光与气体靶相互作用，电离产生等离子体，激光在等离子体中产生尾场并加速电子(电子是激光电离气体产生的，与尾场同时产生)，电子在尾场中振荡产生betatron x射线。该方法所产生的x射线具有焦斑≤5μm，能量为数kev到数十kev，脉宽fs级，发散角在数十mrad，产额≥107/发的特点。
49.在此基础上，耦合基于点投影原理的成像仿真，探测器的成像参数设计为：物距≥200mm，像距≥1000mm，放大倍率≥5倍；探测区域≥20mm
×
20mm，探测区域像素点≤25μm，成像诊断视场≥4mm
×
4mm。由此，建立能点≥10kev、空间分辨≤5μm、时间分辨≤100fs的动态照相技术。
50.ps(即当该超短脉冲为皮秒激光时)：利用大能量ps激光与微丝靶作用，产生微焦点、高亮度x射线源。其中，源尺寸≤10μm，脉宽≤100ps，能段10～100kev。在本实施例中，所用大能量ps激光能量≥100j，脉冲宽度≥1ps，聚焦焦斑在50μm左右，功率密度≥1
×
10
18
w/cm2；微丝靶为金属微丝，微丝直径≤10μm，材料是mo、au、cu等。通过与气体靶相互作用，电离产生等离子体，激光在等离子体中产生尾场并加速电子，电子在尾场中振荡产生betatronx射线。
51.在此基础上，耦合基于点投影原理的成像仿真，探测器的成像参数设计为：物距≥30mm，像距≥450mm，放大倍率15倍；探测区域≥90mm
×
120mm，探测区域像素点≤25μm，成像诊断视场≥6mm
×
8mm。建立能点≥10kev、空间分辨≤10μm、时间分辨≤100ps的动态照相技
术。
52.其中，动态照相技术的空间分辨是通过探测区域像素点与放大倍率的匹配实现的，动态照相技术的时间分辨是由激光脉宽决定的。
53.如图4所示，所述实验模型还包括：强磁铁8；所述强磁铁8位于所述桥箔(图4中未画出)与所述探测器6之间；所述强磁铁8用于在成像路径上产生磁场，使所述桥箔与所述探测器6之间的高能电子偏离x射线的成像方向。所述实验模型进一步还包括：屏蔽锥9；所述屏蔽锥9位于所述强磁铁8与所述探测器6之间，且所述屏蔽锥9的锥形角度由所述探测器6的成像接收立体角确定，二者近似相等；所述屏蔽锥9用于屏蔽所述强磁铁8与所述探测器6之间的杂散x射线和高能粒子。
54.实验中通过调控靶的成分、激光功率密度、激光与靶作用方式等，以提高x射线转换效率，增强x射线源的亮度；利用高能电子在磁场中偏转的特性，通过强磁铁偏转高能电子以避开成像方向，解决高能电子对成像的干扰；进一步采用屏蔽锥的方式，锥形角度与成像接收立体角相近，避免杂散x射线、高能粒子等对成像的干扰。通过上述多种手段，降低成像的干扰，以此提高成像信噪比。
55.步骤s4：利用所述实验模型，开展电爆装置驱动等离子过程的照相实验，得到桥箔等离子体的动态图像。具体成像过程如下：
56.1、离轴抛物面镜对激光光束进行聚焦。
57.2、聚焦后的激光(即点光源)与气体靶(由喷嘴喷出)相互作用产生优化的x射线(betatronx射线)。具体地，基于超短超强激光装置，利用大能量ps激光与微丝靶作用、或者是大能量fs激光与气体靶作用，产生微焦点、高亮度的x射线。
58.在该过程中，可通过设置气体密度监控器监控气体靶密度，设置电子能谱监控器监控betatronx射线的能谱。
59.3、betatronx射线经过窗口进入大气环境。
60.4、探测器探测经过桥箔的betatronx射线并进行成像。
61.进一步地，所述桥箔等离子体过程透视照相方法还包括：获取电爆装置驱动等离子过程的电流曲线；根据所述电流曲线，确定诊断等离子体过程的诊断时刻；根据所述动态图像和所述诊断时刻，确定桥箔等离子体的演变过程。其中，电流曲线中的爆发点为电流峰值，根据该电流峰值可以确定诊断时刻。
62.作为一种具体的实施方式，开展电爆装置驱动桥箔等离子体过程的照相实验，利用超短脉冲激光输出提前的电信号，以外触发的方式触发电爆炸箔(包括桥箔、基底等)，使得激光器脉冲与电爆炸箔启动时刻进行精确的时间同步。由外触发的ttl信号对电爆装置进行触发，在数百ns后，电爆炸形成桥箔等离子体，爆发点作为飞片起始运动的零点。通过电流曲线，分析桥箔爆发状态及位置，并确定诊断时刻。通过调整动态时刻，开展桥箔等离子体过程照相，可以得到等离子体动态图像，分析其演变过程，以及确定x射线成像检测能力及密度范围。
63.综上所述，本发明提出利用超短脉冲(ps/fs)激光驱动x射线成像技术对等离子体形态进行正面拍摄的解决方案。针对桥箔厚度非常薄且成丝过程厚度变化小、基底厚影响x射线观测等难点，开展了基底材料和厚度的优化设计，通过激光x射线静态测试、蒙特卡罗模拟，验证了桥箔动态测试的可行性。利用高功率短脉冲激光驱动产生x射线，其具有高能
点、μm级焦斑、ps-fs级脉宽，通过点投影成像设计，实现等离子体形态的高清透视照相。研究工作认识了微尺度缺陷发展演化过程，为桥箔物理设计及工艺优化提供重要的依据。该方案具有高时空分辨、动态透视照相的能力，相比于美国aps装置同类技术更加小型化和经济化。
64.实施例二
65.为了执行上述实施例一对应的方法，以实现相应的功能和技术效果，下面提供一种桥箔等离子体过程透视照相系统。所述桥箔等离子体过程透视照相系统包括：
66.仿真建模模块，用于利用蒙特卡洛模拟方法，建立桥箔等离子体成像的仿真模型。
67.参数确定模块，用于基于所述仿真模型，确定桥箔等离子体成像的实验参数；所述实验参数包括：x射线源类型、激光功率密度、x射线能点、桥箔厚度、基底材料、基底厚度和成像参数。
68.实验构建模块，用于基于所述实验参数，建立桥箔等离子体成像的实验模型；所述实验模型包括：x射线源、桥箔、基底和探测器；所述x射线源用于产生x射线；所述桥箔位于所述基底上；所述桥箔用于电爆炸形成桥箔等离子体；所述探测器用于探测经过所述桥箔的x射线，以对所述桥箔等离子体进行成像。
69.动态照相模块，用于利用所述实验模型，开展电爆装置驱动等离子过程的照相实验，得到桥箔等离子体的动态图像。
70.实施例三
71.本发明实施例还提供一种电子设备，包括存储器和处理器，该存储器用于存储计算机程序，该处理器用于运行计算机程序以使电子设备执行实施例一中的桥箔等离子体过程透视照相方法。所述电子设备可以是服务器。
72.另外，本发明还提供一种计算机可读存储介质，其存储有计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现实施例一中的桥箔等离子体过程透视照相方法。
73.本发明利用超短脉冲(ps/fs)激光驱动高时空分辨x射线成像技术对桥箔等离子体过程进行拍摄的解决方案。利用蒙特卡洛模拟方法，建立基于点投影成像的桥箔等离子体仿真模型，模拟与优化x射线源、桥箔等离子体、探测器等成像要素，有效降低桥箔基底对吸收的影响，增强桥箔区成像的清晰度。基于超短脉冲(ps/fs)激光装置实验平台，利用大能量超短脉冲激光作用产生微焦点、高亮度x射线源，耦合桥箔成像仿真的优化设计，建立了等效能点≥10kev、高时空分辨的动态照相技术。通过调控激光功率密度，提高了x射线转换效率及源亮度，进一步利用多种屏蔽手段解决了高能电子、质子对成像干扰的问题。开展动态实验，获得了桥箔等离子体动态演变图像，等离子体过程清晰、图像空间分辨率较高。
74.与现有技术相比，本发明具有以下优势：
75.1、针对桥箔等离子体过程瞬态测试，提出利用超短脉冲(ps/fs)激光驱动高时空分辨x射线成像技术对桥箔等离子体过程进行拍摄的解决方案，相比于美国aps装置等同类技术更加小型化和经济化。
76.2、利用蒙特卡洛模拟方法，建立了桥箔等离子体成像的仿真模型，有效解决了桥箔正面照相的参数设计难题。
77.本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对于实施例公开的系统
而言，由于其与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。
78.本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处。综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

技术特征：
1.一种桥箔等离子体过程透视照相方法，其特征在于，包括：利用蒙特卡洛模拟方法，建立桥箔等离子体成像的仿真模型；基于所述仿真模型，确定桥箔等离子体成像的实验参数；所述实验参数包括：x射线源类型、激光功率密度、x射线能点、桥箔厚度、基底材料、基底厚度和成像参数；基于所述实验参数，建立桥箔等离子体成像的实验模型；所述实验模型包括：x射线源、桥箔、基底和探测器；所述x射线源用于产生x射线；所述桥箔位于所述基底上；所述桥箔用于电爆炸形成桥箔等离子体；所述探测器用于探测经过所述桥箔的x射线，以对所述桥箔等离子体进行成像；利用所述实验模型，开展电爆装置驱动等离子过程的照相实验，得到桥箔等离子体的动态图像。2.根据权利要求1所述的桥箔等离子体过程透视照相方法，其特征在于，还包括：获取电爆装置驱动等离子过程的电流曲线；根据所述电流曲线，确定诊断等离子体过程的诊断时刻；根据所述动态图像和所述诊断时刻，确定桥箔等离子体的演变过程。3.根据权利要求1所述的桥箔等离子体过程透视照相方法，其特征在于，所述实验模型还包括：强磁铁；所述强磁铁位于所述桥箔与所述探测器之间；所述强磁铁用于产生磁场，使所述桥箔与所述探测器之间的高能电子偏离x射线的成像方向。4.根据权利要求3所述的桥箔等离子体过程透视照相方法，其特征在于，所述实验模型还包括：屏蔽锥；所述屏蔽锥位于所述强磁铁与所述探测器之间，且所述屏蔽锥的锥形角度由所述探测器的成像接收立体角确定；所述屏蔽锥用于屏蔽所述强磁铁与所述探测器之间的杂散x射线和高能粒子。5.根据权利要求1所述的桥箔等离子体过程透视照相方法，其特征在于，所述x射线源包括：激光发生器、离轴抛物面镜和靶材喷嘴；所述激光发生器用于产生激光光束；所述离轴抛物面镜用于对所述激光光束进行聚焦，得到点光源；所述靶材喷嘴用于喷出靶材；所述点光源与所述靶材相互作用产生x射线。6.根据权利要求1所述的桥箔等离子体过程透视照相方法，其特征在于，所述x射线源类型为飞秒激光或皮秒激光驱动的betatron辐射源；所述x射线源的尺寸为微秒级；所述激光功率密度大于或等于10
18
w/cm2；所述x射线能点大于10kev。7.根据权利要求1所述的桥箔等离子体过程透视照相方法，其特征在于，所述基底材料为ch材料；所述基底厚度为0.5mm；所述桥箔厚度小于或等于8μm。8.一种桥箔等离子体过程透视照相系统，其特征在于，包括：仿真建模模块，用于利用蒙特卡洛模拟方法，建立桥箔等离子体成像的仿真模型；参数确定模块，用于基于所述仿真模型，确定桥箔等离子体成像的实验参数；所述实验参数包括：x射线源类型、激光功率密度、x射线能点、桥箔厚度、基底材料、基底厚度和成像参数；实验构建模块，用于基于所述实验参数，建立桥箔等离子体成像的实验模型；所述实验模型包括：x射线源、桥箔、基底和探测器；所述x射线源用于产生x射线；所述桥箔位于所述基底上；所述桥箔用于电爆炸形成桥箔等离子体；所述探测器用于探测经过所述桥箔的x射线，以对所述桥箔等离子体进行成像；
动态照相模块，用于利用所述实验模型，开展电爆装置驱动等离子过程的照相实验，得到桥箔等离子体的动态图像。9.一种电子设备，其特征在于，包括存储器及处理器，所述存储器用于存储计算机程序，所述处理器运行所述计算机程序以使所述电子设备执行如权利要求1至7中任意一项所述的桥箔等离子体过程透视照相方法。10.一种计算机可读存储介质，其特征在于，其存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1至7中任意一项所述的桥箔等离子体过程透视照相方法。

技术总结
本发明公开一种桥箔等离子体过程透视照相方法、系统、设备及介质，涉及桥箔等离子体成像领域。该方法包括：利用蒙特卡洛模拟方法建立桥箔等离子体成像的仿真模型；基于仿真模型确定桥箔等离子体成像的实验参数，包括：X射线源类型、激光功率密度、X射线能点、桥箔厚度、基底材料和基底厚度；基于实验参数建立桥箔等离子体成像的实验模型，包括：X射线源、桥箔、基底和探测器；X射线源用于产生X射线；桥箔用于电爆炸形成桥箔等离子体；探测器用于探测经过桥箔的X射线，以对桥箔等离子体进行成像；利用实验模型开展电爆装置驱动等离子过程的照相实验，得到桥箔等离子体的动态图像。本发明能够实现高时空分辨的桥箔等离子体过程动态透视照相。照相。照相。


技术研发人员：储根柏 王窈 谭放 王亮 唐舵 周维民 税敏 于明海
受保护的技术使用者：中国工程物理研究院激光聚变研究中心
技术研发日：2023.06.26
技术公布日：2023/10/11