高侧有源箝位充电电路的制作方法
未命名
10-18
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1.本公开内容的各方面涉及电子部件,并且具体地涉及电压转换,并且进一步具体地涉及电压应力的减小。
背景技术:
2.电源(power supply)通常将传入电压转换为不同的输出电压。例如,直流(dc)输入电压可以被转换为不同的dc电压以供电子设备使用。基于正向转换器拓扑的电源提供在输入功率源(power source)和负载之间具有电流隔离的dc到dc转换。在一个实施例中,变压器可以被用来使输入功率源与负载隔离。在耦合到变压器的初级侧的一个或多个部件中经历的电压应力可能导致不期望的结果,诸如变压器饱和或部件故障。
技术实现要素:
3.根据一个方面,一种电源包括:电源电压输入;变压器,所述变压器具有耦合到所述电源电压输入的初级绕组;第一开关,所述第一开关耦合到所述初级绕组并且耦合到所述电源电压输入;有源箝位电路,所述有源箝位电路与所述初级绕组并联耦合并且具有第二开关;以及箝位开关控制件,所述箝位开关控制件耦合到所述第二开关并且具有电压输入。所述电源还包括自举(bootstrap)电路,所述自举电路耦合到所述箝位开关控制件并且具有耦合到所述箝位开关控制件的电压输入的自举电压存储装置。充电电路具有:第一电压输入,所述第一电压输入耦合到所述初级绕组;电压输出,所述电压输出耦合到所述自举电压存储装置;以及电阻器网络,所述电阻器网络被配置为:在所述第一开关的一个开关循环的第一部分期间,响应于通过所述初级绕组供应至所述第一电压输入的输入电压而生成充电电压。所述充电电路还具有充电电压存储装置,所述充电电压存储装置耦合到所述电阻器网络并且被配置为:在所述开关循环的所述第一部分期间,存储所述充电电压的至少一部分;以及在所述开关循环的第二部分期间,经由所述电压输出将所述充电电压的所述至少一部分供应至所述自举电压存储装置。
4.根据另一个方面,一种用于有源箝位正向转换器的充电电路包括所述有源箝位正向转换器,所述有源箝位正向转换器具有耦合到变压器的初级绕组的有源开关、耦合到所述变压器的次级绕组的滤波器电路、与所述初级绕组并联耦合的高侧有源箝位件、耦合到所述有源开关的第一开关控制件、耦合到所述高侧有源箝位件的第二开关控制件以及耦合到所述第二开关控制件的自举电路。所述充电电路具有:第一电压输入,所述第一电压输入耦合到所述初级绕组;电压输出,所述电压输出耦合到所述自举电路;以及电阻器网络,所述电阻器网络被配置为:在所述有源开关的一个开关循环的第一部分期间,响应于通过所述初级绕组供应至所述第一电压输入的输入电压而生成充电电压。所述充电电路还具有充电电压存储装置,所述充电电压存储装置耦合到所述电阻器网络并且被配置为:在所述开关循环的所述第一部分期间,存储所述充电电压的至少一部分;以及在所述开关循环的第二部分期间,经由所述电压输出将所述充电电压的所述至少一部分供应至所述自举电路。
5.根据另一个方面,一种有源箝位正向转换器具有:第一开关控制件,所述第一开关控制件耦合到第一有源开关;变压器,所述变压器具有耦合到所述第一有源开关的初级绕组;有源箝位件,所述有源箝位件与所述初级绕组并联耦合;第二开关控制件,所述第二开关控制件耦合到所述有源箝位件;以及自举电路,所述自举电路耦合到所述第二开关控制件。所述有源箝位正向转换器还具有充电电路,所述充电电路具有:第一电压输入,所述第一电压输入耦合到所述初级绕组;电压输出,所述电压输出耦合到所述自举电路;电阻器网络,所述电阻器网络被配置为:在所述第一有源开关的一个开关循环的第一部分期间,响应于通过所述初级绕组供应至所述第一电压输入的输入电压而生成充电电压;以及充电电压存储装置,所述充电电压存储装置耦合到所述电阻器网络。所述充电电压存储装置被配置为:在所述开关循环的所述第一部分期间,存储所述充电电压的至少一部分;以及在所述开关循环的第二部分期间,经由所述电压输出将所述充电电压的所述至少一部分供应至所述自举电路。
附图说明
6.参考以下附图可以更好地理解公开内容的许多方面。虽然结合这些附图描述了若干实施方式,但是本公开内容不限于本文所公开的实施方式。相反,目的是涵盖所有替代方案、改型和等同物。
7.图1例示了正向转换器的示意块图。
8.图2例示了具有低侧有源箝位件的图1的正向转换器的示意块图。
9.图3例示了具有高侧有源箝位件的图1的正向转换器的示意块图。
10.图4例示了图3的正向转换器的示意图。
11.图5例示了具有高侧有源箝位件的图1的正向转换器的示例性示意块图。
12.图6例示了图5的正向转换器的示例性示意图。
13.虽然本公开内容易于做出各种改型和替代形式,但是其具体实施方案已经通过实施例的方式被示出在附图中,并且在本文中被详细描述。然而,应理解,本文对具体实施方案的描述并不意在将本公开内容限制于所公开的特定形式,而是相反,目的是涵盖落入本公开内容的精神和范围内的所有改型、等同物和替代方案。应注意,在附图的所有若干视图中,对应的参考数字指示对应的部分。
具体实施方式
14.现在将参考附图更充分地描述本公开内容的实施例。以下描述本质上仅是示例性的,并不意在限制本公开内容、应用或用途。
15.示例实施方案被提供使得本公开内容将是透彻的,并且将向本领域技术人员充分地传达范围。阐述了许多具体的细节,诸如具体的部件、装置和方法的实施例,以提供对本公开内容的实施方案的透彻理解。对于本领域技术人员而言将明显的是,不必采用具体的细节,示例实施方案可以许多不同的形式体现,并且两者都不应被解释为限制公开内容的范围。在一些示例实施方案中,未详细地描述众所周知的过程、众所周知的装置结构和众所周知的技术。
16.图1例示了正向转换器100的示意块图,该正向转换器可以被用于从未经调节的dc
电源102生成受控并且隔离的dc电压。控制器104耦合到开关控制件106并且操作开关控制件106以接通和关断耦合到变压器110的开关108。在变压器110的初级侧,变压器110的初级绕组112耦合在电源102和开关108之间。在变压器110的次级侧,变压器110的次级绕组114耦合到滤波器116以向负载118提供输出电压。
17.在一示例性实施方式中,电源102包括dc电压源,诸如一个或多个电池,并且开关108包括受控开关或有源开关,诸如晶体管。在一个实施方案中,晶体管是金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)。控制器104——诸如微控制器——被编程为操作开关控制件106——诸如运算放大器——来接通和关断开关,以控制从电源102流过变压器110的电流。次级绕组114以次级绕组114的匝数与初级绕组112的匝数之比从初级绕组112接收电压。次级绕组电压被供应至滤波器116,在一基本实施方式中,该滤波器包括一对二极管、电感器和电容器。
18.在由控制器104接通开关108导致的电流从电源102通过初级绕组112的正(positive)流动期间,正流动的电流从次级绕组114流过滤波器116,以将功率提供给输出并且将功率提供到负载118中。响应于控制器104关断开关108,通过初级绕组112的正向(forward)电流流动以及从次级绕组114到滤波器116的正向电流流动停止。在来自次级绕组114的电流流动期间存储在滤波器116的电感器中的能量在正向电流流动下降到阈值以下之后被释放,并且释放的能量导致附加的电流正向流动以将功率提供给输出并且将功率提供到负载118中。
19.在图1中所例示的电路设置中,在开关108处于导通状态时流过初级绕组112的电流具有要遵循的流动路径。例如,从电源102流动并且通过初级绕组112的电流通过开关108返回到电源102。然而,当开关108被控制进入其断开状态时,存储在初级绕组112中的残余能量可以使开关108经受高电压电平(例如,至少2v
in
),并且在下一个导通-断开循环开始之前缺少用于充分耗散的流动路径。因此,正向转换器100的重复的导通-断开循环可以导致变压器110饱和,并且可以导致开关108经受不期望的高电压应力。
20.处理变压器残余能量以减少饱和的一个实施例被例示在图2中,图2示出了包括图1的正向转换器100的部件以及有源箝位件202的正向转换器200的示意块图。有源箝位件202包括受控开关,诸如晶体管(例如,mosfet),并且包括电容器。箝位开关控制件204耦合到有源箝位件202并且耦合到控制器104,并且在一个实施例中包括耦合到有源箝位件202的晶体管的运算放大器。如在图2中所例示的,有源箝位件202是与开关108并联耦合的低侧有源箝位件。在低侧有源箝位配置中,有源箝位件202中的晶体管可以是p沟道晶体管。在开关108的断开状态期间控制有源箝位件202进入导通状态将初级绕组112中的磁化电流重置到基本上等于在开关周期开始时的磁化电流的电平的电平。
21.在处理图1的正向转换器100的变压器残余能量以降低饱和的另一个实施例中,图3例示了处于高侧有源箝位配置中的正向转换器300,在该配置中有源箝位件202与变压器110的初级绕组112并联耦合。在此配置中,有源箝位件202中的晶体管可以是n沟道晶体管。此外,至少vin(电源102的电压)+vth(n沟道晶体管的阈值电压)的用于晶体管的栅极电压被用来控制晶体管进入其导通状态。因此,图3例示了被配置为提供递升的(stepped-up)电压的自举电路302。
22.图4例示了图3的正向转换器300的正向转换器电路400的示例性示意图。现在将讨
论根据一实施例的正向转换器电路400的操作。在正向转换器电路400的一个开关循环的第一部分中,控制器104命令开关控制件106向mosfet 108的栅极供应栅极导通电压,从而将其切换到导通状态。此外,控制器104命令箝位开关控制件204向有源箝位件202的mosfet q4的栅极供应栅极断开电压,从而将其切换到断开状态。在此模式下,mosfet 108上的电压(v
ds
)被拉到地电位(ground,接地)(或由于mosfet 108的非理想性而基本上被拉到地电位),并且低侧节点402因此变为零伏(即,地电位)。因此,变压器110的初级绕组112两端的电压v
p1
被形成,因为来自连接到电压输入404的电源102的第一正向电流流过初级绕组112。作为响应,在变压器110的次级绕组114中感应第二正向电流,该第二正向电流流过二极管d3并且进入由电感器l2和电容器c3形成的lc电路,以向负载118提供功率。第二正向电流使二极管d4反向偏置,这防止第二正向电流旁路lc电路。在低侧节点402在地电位处的情况下,来自自举电路302的内部电源406的电压通过二极管d5将自举电压存储装置408(例如,电容器c5)充电至升压电压值v
boot
。为了避免由于超过有源箝位件202的mosfet q4的v
gs
额定值而损害mosfet q4,内部电源406的电压低于电源102的电压vin。
23.在正向转换器电路400的一个开关循环的第二部分中,控制器104命令开关控制件106向mosfet 108的栅极供应栅极断开电压,从而将其切换到断开状态。因此,低侧节点402达到或接近等于电源102的电压v
in
的电压电平。因此,停止对自举电压存储装置408的进一步充电。然而,当控制器104命令箝位开关控制件204接通mosfet q4时,存储在自举电压存储装置408中的能量被供应至箝位开关控制件204的电压输入410以驱动mosfet q4的栅极。接通mosfet q4允许存储在初级绕组112中的残余能量耗散到有源箝位件202的电容器c4中。
24.虽然将自举电路302包含到高侧有源箝位配置中允许有源箝位件202和箝位开关控制件204的操作以在理想状态中降低晶体管饱和,但是正向转换器电路400的部件的非理想方面仍然可能导致变压器饱和以及其他不期望的结果。例如,在mosfet 108的占空比以逐步的方式从零增加到期望的操作值的一个操作场景下,对自举电压存储装置408的充电也以逐步的方式被充电。在最初几个循环期间,电容器电压值v
boot
可以小于箝位开关控制件204(例如,运算放大器x2)的操作阈值电压。当v
boot
小于操作阈值电压时,mosfet q4不能够被切换到其导通状态,从而导致正向转换器电路400在第一象限中操作(类似于图1的正向转换器100)。这样,初级mosfet q3(例如,开关108)上的较高电压应力以及变压器110上的高通量密度可以产生。
25.在另一个实施例中,在用于轻负载的突发模式或脉冲跳跃模式下正向转换器电路400的操作减小初级mosfet q3的占空比。如在前一实施例中,mosfet q3上的短占空比导致用于对自举电压存储装置408充电的时间较少。因此,当mosfet q3被激活进入其导通状态时,通过箝位开关控制件204和mosfet q4的自举电压存储装置408的能量放电未被补充。因此,将经历类似于前一实施例的不期望的结果。
26.在又一个实施例中,在负载从轻负载改变为重负载的负载瞬变状况下,输出电压倾向于非常快速地下降,而mosfet q3的占空比被迅速地增加,以试图维持输出功率的稳定性。快速占空比增加导致存储在泄漏电感中的更高的能量。该能量导致初级mosfet q3和次级mosfet q4两者上的较高电压应力。此外,例如,由于高电容值,自举电压存储装置电压可能不能够在快速占空比期间被迅速地充电。因此,类似于其他实施例,正向转换器电路400
在第一象限处操作。
27.图5例示了正向转换器500的示例性示意块图,该正向转换器被配置为改善自举电压存储装置充电以减少在前述实施例中概述的效应。正向转换器500包括与正向转换器电路400的部件类似的部件,并且还包括自举充电电路502,该自举充电电路被设计为缩短自举电路302中的电压存储装置的充电时间,以减少开关108所经历的高电压应力。
28.图6例示了图5的正向转换器500的正向转换器电路600的示例性示意图。如所示出的,自举充电电路502包括跨变压器110的初级绕组112的抽头606和低侧节点402并联耦合的电压输入602、604。在一个实施方案中,抽头606被定位成使得跨自举充电电路502的电压输入602、604生成的电压低于电源102的电压v
in
,但是为高于内部电源406的电压v
v3
的电压。在一个开关循环的第一部分期间,当mosfet q3是导通的并且来自电源102的正向电流流动正在流过初级绕组112时,抽头606向电压输入602和电阻器网络608提供电压v
p
,该电阻器网络包括耦合到电压参考装置610——诸如齐纳二极管d8——的电阻器r1和r2。充电电压存储装置612(例如,充电电容器c6)并联耦合在电阻器r2和齐纳二极管d8两端。充电电容器c6和齐纳二极管d8两者都具有耦合到电压输入604的一个节点,该节点在mosfet q3是导通的时连接到地电位。这样,提供给电阻器网络608和电压参考装置610的电压在电阻器r1和r2之间生成存储在充电电容器c6中的充电电压v
charge
。
29.如上文所描述的,当mosfet q3是导通的时低侧节点402到地电位的耦合允许内部电源406通过二极管d5对自举电压存储装置408充电。对自举电压存储装置408的附加充电可以在mosfet q3导通时间期间经由受控开关614——诸如双极结型晶体管(bjt)q5——由自举充电电路502提供。自举充电电路502的电压输出616耦合到自举电容器408。当bjt q5由于由电压参考装置610提供的参考电压而饱和时,如果在电阻器r2和齐纳二极管d8两端生成的电压高于耦合到自举电压存储装置408的二极管d7两端的电压降,则可以经由电压输出616提供在电阻器r2和齐纳二极管d8两端生成的电压以对自举电压存储装置408充电。在mosfet q3的导通状态期间,通过内部电源406和自举充电电路502两者对自举电压存储装置408充电允许比单独通过内部电源406更迅速地对自举电压存储装置408充电。
30.在该开关循环的第二部分中,当mosfet q3是断开的时,低侧节点402与地电位断开连接,并且如上文所描述的,自举电容器408通过箝位开关控制件204被放电。此外,自举电容器408还经由受控开关614和二极管d7由充电电压存储装置612充电。在一个实施方案中,充电电压存储装置612的电容器c6的电容大于或高于自举电容器408的电容器c5的电容。因此,可以扩展供应至箝位开关控制件204的电压。
31.如本文所描述的,将自举充电电路502添加到正向转换器电路600中缩短了电容器c5保持在箝位开关控制件204的电压阈值v
th
以下的时间。这样,开关108可以经受高电压应力的时间的量减少。因此,开关108上的电压应力变得更低,这可以导致部件的延长的寿命。
32.包括的描述和附图描绘了具体实施方案以教导本领域技术人员如何制作和使用最佳模式。出于教导发明原理的目的,一些常规方面已经被简化或省略。本领域技术人员将理解落入本发明的范围内的来自这些实施方案的变化。本领域技术人员还将理解,可以各种方式组合上文所描述的特征以形成多个实施方案。因此,本发明不限于上文所描述的具体实施方案,而仅由权利要求以及其等同物限制。
技术特征:
1.一种电源,包括:电源电压输入;变压器,所述变压器包括耦合到所述电源电压输入的初级绕组;第一开关,所述第一开关耦合到所述初级绕组并且耦合到所述电源电压输入;有源箝位电路,所述有源箝位电路与所述初级绕组并联耦合并且包括第二开关;箝位开关控制件,所述箝位开关控制件耦合到所述第二开关并且包括电压输入;自举电路,所述自举电路耦合到所述箝位开关控制件并且包括耦合到所述箝位开关控制件的电压输入的自举电压存储装置;充电电路,所述充电电路包括:第一电压输入,所述第一电压输入耦合到所述初级绕组;电压输出,所述电压输出耦合到所述自举电压存储装置;电阻器网络,所述电阻器网络被配置为:在所述第一开关的一个开关循环的第一部分期间,响应于通过所述初级绕组供应至所述第一电压输入的输入电压而生成充电电压;以及充电电压存储装置,所述充电电压存储装置耦合到所述电阻器网络并且被配置为:在所述开关循环的所述第一部分期间,存储所述充电电压的至少一部分;以及在所述开关循环的第二部分期间,经由所述电压输出将所述充电电压的所述至少一部分供应至所述自举电压存储装置。2.根据权利要求1所述的电源,其中所述充电电路被配置为:在所述开关循环的所述第一部分期间,将所述充电电压供应至所述自举电压存储装置。3.根据权利要求2所述的电源,其中所述自举电路还包括内部电源,所述内部电源耦合到所述充电电压存储装置并且被配置为在所述开关循环的所述第一部分期间提供电源电压以对所述自举电压存储装置充电。4.根据权利要求3所述的电源,其中所述电源电压小于所述输入电压。5.根据权利要求1所述的电源,其中所述充电电路还包括:第二电压输入,所述第二电压输入耦合到耦合在所述初级绕组和所述第一开关之间的低侧节点;以及电压参考装置,所述电压参考装置耦合在所述电阻器网络和所述第二电压输入之间。6.根据权利要求5所述的电源,其中所述电压参考装置包括齐纳二极管。7.根据权利要求1所述的电源,还包括:第一开关控制件,所述第一开关控制件耦合到所述第一开关;第二开关控制件,所述第二开关控制件耦合到所述第二开关;以及控制器,所述控制器耦合到所述第一开关控制件和所述第二开关控制件并且被配置为:在所述开关循环的所述第一部分期间,导致所述第一开关控制件控制所述第一开关进入导通状态;在所述开关循环的所述第一部分期间,导致所述第二开关控制件控制所述第二开关进入断开状态;在所述开关循环的所述第二部分期间,导致所述第一开关控制件控制所述第一开关进
入断开状态;以及在所述开关循环的所述第二部分期间,导致所述第二开关控制件控制所述第二开关进入导通状态。8.根据权利要求1所述的电源,其中所述变压器还包括次级绕组;并且其中所述电源还包括滤波器,所述滤波器耦合到所述次级绕组并且被配置为向负载提供输出电压,所述输出电压与提供给所述电源电压输入的输入电源电压成比例。9.根据权利要求8所述的电源,其中所述滤波器包括:一对二极管;电感器;以及电容器。10.根据权利要求1所述的电源,其中所述自举电压存储装置包括电容器;并且其中所述充电电压存储装置包括电容器。11.根据权利要求10所述的电源,其中所述自举电压存储装置具有比所述充电电压存储装置大的电容。12.一种用于有源箝位正向转换器的充电电路,所述有源箝位正向转换器包括耦合到变压器的初级绕组的有源开关、耦合到所述变压器的次级绕组的滤波器电路、与所述初级绕组并联耦合的高侧有源箝位件、耦合到所述有源开关的第一开关控制件、耦合到所述高侧有源箝位件的第二开关控制件以及耦合到所述第二开关控制件的自举电路,所述充电电路包括:第一电压输入,所述第一电压输入耦合到所述初级绕组;电压输出,所述电压输出耦合到所述自举电路;电阻器网络,所述电阻器网络被配置为:在所述有源开关的一个开关循环的第一部分期间,响应于通过所述初级绕组供应至所述第一电压输入的输入电压而生成充电电压;以及充电电压存储装置,所述充电电压存储装置耦合到所述电阻器网络并且被配置为:在所述开关循环的所述第一部分期间,存储所述充电电压的至少一部分;以及在所述开关循环的第二部分期间,经由所述电压输出将所述充电电压的所述至少一部分供应至所述自举电路。13.根据权利要求12所述的充电电路,其中所述充电电路被配置为:在所述开关循环的所述第一部分期间,将所述充电电压供应至所述自举电路。14.根据权利要求12所述的充电电路,其中所述充电电路还包括:第二电压输入,所述第二电压输入耦合到所述初级绕组和所述有源开关;以及电压参考装置,所述电压参考装置耦合在所述电阻器网络和所述第二电压输入之间。15.根据权利要求14所述的充电电路,其中所述电压参考装置包括齐纳二极管。16.一种有源箝位正向转换器,包括:第一开关控制件,所述第一开关控制件耦合到第一有源开关;变压器,所述变压器包括耦合到所述第一有源开关的初级绕组;有源箝位件,所述有源箝位件与所述初级绕组并联耦合;第二开关控制件,所述第二开关控制件耦合到所述有源箝位件;
自举电路,所述自举电路耦合到所述第二开关控制件;以及充电电路,所述充电电路包括:第一电压输入,所述第一电压输入耦合到所述初级绕组;电压输出,所述电压输出耦合到所述自举电路;电阻器网络,所述电阻器网络被配置为:在所述第一有源开关的一个开关循环的第一部分期间,响应于通过所述初级绕组供应至所述第一电压输入的输入电压而生成充电电压;以及充电电压存储装置,所述充电电压存储装置耦合到所述电阻器网络并且被配置为:在所述开关循环的所述第一部分期间,存储所述充电电压的至少一部分;以及在所述开关循环的第二部分期间,经由所述电压输出将所述充电电压的所述至少一部分供应至所述自举电路。17.根据权利要求16所述的有源箝位正向转换器,其中所述充电电路被配置为:在所述开关循环的所述第一部分期间,将所述充电电压供应至所述自举电路。18.根据权利要求16所述的有源箝位正向转换器,其中所述自举电路包括电容器,所述电容器被配置为向所述第二开关控制件提供供应电压;并且其中所述充电电压存储装置,在被配置为供应所述充电电压的所述至少一部分时,被配置为向所述电容器供应所述充电电压的所述至少一部分。19.根据权利要求16所述的有源箝位正向转换器,其中所述充电电路还包括:第二电压输入,所述第二电压输入耦合到所述初级绕组和所述第一有源开关;以及电压参考装置,所述电压参考装置耦合在所述电阻器网络和所述第二电压输入之间。20.根据权利要求16所述的有源箝位正向转换器,其中所述自举电路包括第二有源开关;并且还包括控制器,所述控制器耦合到所述第一开关控制件和所述第二开关控制件并且被配置为:在所述开关循环的所述第一部分期间,导致所述第一开关控制件控制所述第一有源开关进入导通状态;在所述开关循环的所述第一部分期间,导致所述第二开关控制件控制所述第二有源开关进入断开状态;在所述开关循环的所述第二部分期间,导致所述第一开关控制件控制所述第一有源开关进入断开状态;以及在所述开关循环的所述第二部分期间,导致所述第二开关控制件控制所述第二有源开关进入导通状态。
技术总结
一种电源,包括:具有初级绕组的变压器、耦合到所述初级绕组并且耦合到电压输入的第一开关、与所述初级绕组并联耦合的有源箝位电路以及耦合到所述有源箝位电路的箝位开关控制件。所述电源还包括自举电路,所述自举电路耦合到所述箝位开关控制件,并且具有耦合到所述箝位开关控制件的自举电压存储装置。充电电路具有电阻器网络,所述电阻器网络被配置为响应于通过所述初级绕组供应的输入电压而生成充电电压。充电电压存储装置被配置为:在开关循环的第一部分期间,存储所述充电电压的至少一部分;以及在所述开关循环的第二部分期间,将所述充电电压的所述至少一部分供应至所述自举电压存储装置。举电压存储装置。举电压存储装置。
技术研发人员:向茂溪 袁林军 黄沛 林尤日 张新
受保护的技术使用者:雅达电子国际有限公司
技术研发日:2021.01.06
技术公布日:2023/10/11
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