用于半导体器件的测试装置的接触引脚和测试装置的制作方法

1.本发明涉及用于半导体器件的测试装置的接触引脚和测试装置。


背景技术：

2.作为半导体器件的制造工艺的一部分，需要使用测试装置来测试半导体器件，以评估其性能。在测试期间，半导体器件的器件引脚必须电连接到测试装置的接触引脚。
3.高功率的集成电路(ic)，如高功率mosfet、igbt、电源模块、soic、sic、sip、dip、tpak等等，一般在水平/休眠模式下，通过配置接触引脚上的引线并通过外力按压引线来进行测试。引脚力、引脚尖端轮廓、接触面积等在为此类测试建立良好的电连接中起着至关重要的作用。
4.目前在高电流/功率测试中存在以下挑战：
5.电流和功率处理：测试装置中包括悬臂式测试插座，该悬臂式测试插座通常设计用于低功率应用。高功率ic可产生大电流和功率水平，超过标准悬臂式测试插座的能力。在运行过程中还会产生热量，而有效的散热对于保持设备性能和防止热损坏至关重要。标准悬臂式测试插座的散热能力可能有限，因此难以管理高功率ic产生的热量增加。在这种情况下，标准悬臂式测试插座中的引脚会过早地经历接触尖端磨损、电弧、侵蚀、烧蚀。
6.机械应力：高功率ic通常具有更大的封装尺寸和更重的结构，这可以对悬臂式测试插座施加机械应力。设备的重量和尺寸增加可能会导致接触可靠性问题，例如接触力分布不良、接触磨损，甚至悬臂弹簧损坏。在这些情况下确保可靠和一致的电气接触是一项挑战。
7.接触电阻：高功率ic通常需要低电阻电连接，以将功率损耗降至最低，并保持精确的电压和电流测量。由于接触材料、镀层和表面条件，标准悬臂式测试插座可能会引入接触电阻。应仔细表征接触电阻并将其最小化，以确保精确的功率测量并防止热问题。
8.机械可靠性：在测试过程中，高功率ic可能经受显著的热循环和机械应力。典型的标准悬臂式测试插座在不降低接触性能或物理完整性的情况下无法承受这些条件。必须考虑特殊材料、适当的接触设计和引脚动力，以确保长期可靠性。
9.为了克服这些挑战，选择专为高功率应用而设计的悬臂式测试插座非常重要。


技术实现要素：

10.为解决现有技术中的上述问题，在第一方面，本发明提供一种用于半导体器件的测试装置的接触引脚，所述接触引脚包括：
11.接触端，所述接触端包括尖端部和具有第一形状的连接端；
12.颈部，所述颈部与所述接触端的连接端连接，在其与所述连接端的连接处具有第二形状；
13.其中，所述第一形状和所述第二形状互相匹配，以使所述接触端安装在所述颈部上；
14.其中，当利用所述测试装置测试所述半导体器件时，所述半导体器件的器件引脚与所述尖端部电接触。
15.较佳地，所述接触端可拆卸地安装在所述颈部上。
16.较佳地，所述接触端由可承受高电流的材料制成。
17.较佳地，所述第一形状是燕尾榫状，所述第二形状是卯眼状。
18.较佳地，所述第一形状是l字形，所述第二形状是l字形。
19.较佳地，所述第一形状是凸d字形，所述第二形状是凹d字形。
20.较佳地，所述第一形状是凹a字形，所述第二形状是凸a字形。
21.较佳地，所述第一形状是z字形，所述第二形状是z字形。
22.较佳地，所述连接部通过焊接工艺连接到所述颈部。
23.较佳地，所述可承受高电流的材料为钨、钨铜合金、钼、铍镍合金和镍银中的一种。
24.较佳地，所述接触端的材料具有以下一种或多种：导热性、高硬度、耐高温性、耐腐蚀性。
25.较佳地，所述颈部沿着纵向延伸，其中，所述接触引脚还包括与所述颈部连接并沿着与所述纵向垂直的横向延伸的第一悬臂部、与所述第一悬臂部连接的弯曲部、与所述弯曲部连接并沿着所述横向延伸的第二悬臂部，
26.其中，借助于所述第一悬臂部和弯曲部，所述接触引脚能够在所述纵向或所述横向上移动。
27.较佳地，所述弯曲部呈s形。
28.较佳地，当利用所述测试装置测试所述半导体器件时，水平放置在所述接触引脚上方的所述半导体器件被向下按压，使得所述器件引脚与所述尖端部充分接触。
29.较佳地，所述尖端部呈锥形、a字形、金字塔形、或钉子形。
30.较佳地，所述第二悬臂部的上方或下方设置有导向钩部，借助于所述导向钩部，将所述接触引脚连接到所述测试装置。
31.较佳地，所述测试装置包括负载板，所述第二悬臂部上设置有连接部，用于使所述接触引脚与所述负载板建立电连接。
32.第二方面，本发明还提供一种用于半导体器件的测试装置，所述测试装置包括：
33.一对根据第一方面所述的接触引脚，一对所述接触引脚连接到测试装置；
34.其中，当利用所述测试装置测试所述半导体器件时，水平放置在所述接触引脚上方的所述半导体器件被向下按压，使所述半导体器件的器件引脚同时电接触每个所述接触引脚上的尖端部。
35.较佳地，一对所述接触引脚分别上下布置，其中，在下方的所述接触引脚中，导向钩部设置在所述接触引脚第二悬臂部的下方，而在上方的所述接触引脚中，所述导向钩部设置在所述接触引脚第二悬臂部的上方。
36.较佳地，一对所述接触引脚中的一个接触引脚用作强制引脚，而另一个接触引脚用作感测引脚。
37.本发明中，接触引脚通过接触端与被测试的器件连接，如果接触端因使用而损坏，可以仅仅更换接触端，而无需更换整个接触引脚，从而能够大幅降低使用成本。
38.进一步来说，在测试期间，器件引脚同时与安装在一对接触引脚上的一对接触端
紧密接触(连接)，而接触端是由可承受高电流的材料制成，即使在高电流、高功率的测试过程中，也可以防止接触端的燃烧或熔化。因此，本发明允许高功率集成电路所需要的高电流、高功率测试，而没有任何电弧、烧蚀或引脚磨损。
39.更进一步，接触端的材料具有良好的导热性，因此，可以有效地从器件引脚散热，防止温度过高而对半导体器件或周围的其他部件造成潜在的损坏。
40.另外，接触端的材料可以具有高硬度，也就是具有耐摩性，因此，可以确保接触端能够承受重复的插入和拆卸，而不会出现过度磨损或变形，从而增加了接触引脚的使用寿命，减少了频繁更换的需要。所以，在大量的生产周期中，高硬度的接触端可以持续更长的时间。
41.进一步，接触端的材料具有耐高温性，由于高功率ic的测试场景通常涉及高温，因此，利用具有耐高温性的接触端，可以确保接触引脚在承受高温的同时不会退化。
42.进一步，接触端的材料具有耐腐蚀性，由于在测试过程中会暴露于化学品或湿气，因此利用具有耐腐蚀性的接触端，可以避免接触引脚受腐蚀，从而长期保持其电气性能。
43.进一步，接触端的尖端部具有设计的几何形状，因此，当器件引脚受到向下的压力时，尖端部与器件引脚的接触面是平坦的，从而确保良好的电连接。
44.进一步，合金制成的接触端可提供与ic焊盘的低电阻接触界面，从而使得接触电阻和电压降最小化。这对于高功率的应用尤其重要，因为它有助于保持精确的功率传输并降低错误测量或ic故障的风险。
45.从以下公开内容和所附权利要求中，其它目的和优点将更加完全地显而易见。
附图说明
46.图1示出了根据本发明实施例的测试装置和半导体器件的立体图。
47.图2示出了根据本发明实施例的测试装置中的一对接触引脚的横截面图。
48.图3示出了根据本发明实施例的一对接触引脚的示意图。
49.图4示出了根据本发明实施例的一对接触引脚的局部示意图。
50.图5示出了根据本发明实施例的一个接触引脚的示意图。
51.图6示出了根据本发明实施例的一个接触引脚的示意图。
52.图7示出了根据本发明实施例的一个接触引脚的示意图。
53.图8示出了根据本发明实施例的一个接触引脚的示意图。
54.图9示出了根据本发明实施例的在非测试状态下半导体器件放置在测试装置上的横截面图。
55.图10示出了根据本发明实施例的图9中的局部放大图。
56.图11示出了根据本发明实施例的在测试状态下半导体器件放置在测试装置上的横截面图。
57.图12示出了根据本发明实施例的图11中的局部放大图。
58.附图标记
59.测试装置100
60.半导体器件101
61.器件引脚102
62.第一接触引脚21
63.第二接触引脚22
64.第一接触端211
65.第一尖端部2111
66.第一连接端2112
67.第一颈部212
68.第一悬臂部213
69.弯曲部214
70.第二悬臂部215，225
71.第二尖端部2211
72.第二连接端2212
73.第一导向钩部216
74.第二导向钩部226
75.第一连接部217
76.第二连接部227
具体实施方式
77.以下结合附图对本发明的实施例进行说明。
78.这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本技术相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本技术的一些方面相一致的装置的例子。
79.在本技术中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本技术。在本技术和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。还应当理解，本文中使用的术语“和/或”是指并包含一个或多个相关联的列出项目的任何或所有可能组合。“包括”或者“包含”等类似词语意指出现在“包括”或者“包含”前面的元件或者物件涵盖出现在“包括”或者“包含”后面列举的元件或者物件及其等同，并不排除其他元件或者物件。
80.应注意，以下详细描述针对用于半导体器件的测试装置的接触引脚以及测试装置，且不限于任何特定尺寸或配置，实际上是在以下描述的一般范围内的多种尺寸和配置。
81.图1示出了根据本发明实施例的测试装置和半导体器件的立体图。如图1所示，半导体器件101可以放置在测试装置100上。半导体器件101例如是高功率集成电路芯片ic，并且包括多个器件引脚102。
82.图1中仅示出了测试装置中的悬臂式测试插座，因此也可以称为半导体器件101放置在悬臂式测试插座100上。
83.图2示出了测试装置的横截面图，图3示出了测试装置中的一对接触引脚的示意图。如图2、3所示，一对接触引脚包括第一接触引脚21和第二接触引脚22，第一接触引脚21和第二接触引脚22分别上下布置，并且例如，第一接触引脚21在下方，第二接触引脚22在上方。
84.可以理解的是，测试装置100可以包括上下布置的多对接触引脚，而不受限制。
85.下面以第一接触引脚21为例进行详细说明。
86.如图3所示，第一接触引脚21包括第一接触端211，第一接触端211可拆卸地或者固定地安装在第一颈部212上。
87.第一接触端211可以由能承受高电流的材料制成，具体地，能承受高电流的材料包括金属或者合金，例如钨、钨铜合金、钼、铍镍合金或镍银中的一种。
88.第一接触端211包括第一尖端部2111和具有第一形状的第一连接端2112。第一接触引脚21包括第一颈部212，第一颈部212沿着纵向y延伸，并且第一接触端211在纵向y上安装在第一颈部212上方。
89.图4示出了第一接触引脚21和第二接触引脚22的局部放大图。如图4所示，第一连接端2112具有第一形状，第一颈部212与第一连接端2112的连接处具有第二形状，即，第一颈部212的上方具有第二形状。第一形状和第二形状互相匹配，以使第一接触端211可拆卸地安装在第一接触引脚21的第一颈部212上。
90.如图4所示，第一形状是燕尾榫状，而第二形状是卯眼状，燕尾榫状和卯眼状互相匹配，以使第一接触端211安装在第一接触引脚21的第一颈部212上。
91.替代地，如图5所示，第一形状是l字形，第二形状是l字形，两者的l字形互相匹配，以使第一接触端211安装在第一接触引脚21的第一颈部212上。
92.替代地，如图6所示，第一形状是凸d字形，第二形状是凹d字形，凸d字形和凹d字形互相匹配，以使第一接触端211安装在第一接触引脚21的第一颈部212上。
93.替代地，如图7所示，第一形状是凹a字形，第二形状是凸a字形，凹a字形和凸a字形互相匹配，以使第一接触端211安装在第一接触引脚21的第一颈部212上。
94.替代地，如图8所示，第一形状是z字形，第二形状是z字形，两者的z字形互相匹配，以使第一接触端211安装在第一接触引脚21的第一颈部212上。
95.可以理解的是，图5-8中所示的第一连接部2112可以通过焊接工艺或者其他合适的方式连接到第一颈部212的上端，从而将第一接触端211固定或者可拆卸地安装在第一颈部212上。
96.可以理解的是，第一形状和第二形状互相匹配，可以方便地将接触端安装在颈部或从颈部拆卸下来。
97.第一接触端211的材料具有以下一种或多种：导热性、高硬度、耐高温性、耐腐蚀性。
98.本实施例中，例如，第一接触端211的材料具有导热性、高硬度、耐高温性、以及耐腐蚀性。
99.返回参考图3，第一接触引脚21包括与第一颈部212连接并沿着与纵向y垂直的横向x延伸的第一悬臂部213、与第一悬臂部213连接的弯曲部214、与弯曲部214连接并沿着横向x延伸的第二悬臂部215。
100.如图3所示，弯曲部214沿着纵向y延伸，并且呈s形。借助于第一悬臂部213和弯曲部214，第一接触引脚21具有柔性，从而能够在纵向y和/或横向x上移动。
101.第一尖端部2111被设计成具有不同的几何形状。如图4和图8所示，第一尖端部2111呈锥形。替代地，如图5所示，第一尖端部2111呈a字形。替代地，如图6所示，第一尖端部
2111呈金字塔形。替代地，如图7所示，第一尖端部2111呈钉子形。
102.可以理解的是，图4-图8中的第一尖端部2111的形状仅仅用于示例，并且每个图中的第一尖端部2111的形状可以不同。例如，图4中的第一尖端部2111可以呈a字形、金字塔形、钉子形中的任一个。
103.第二接触引脚22与第一接触引脚21基本相同，可以采用同样的材料制成。如图4所示，第二接触引脚22包括第二接触端221。第二接触端221可由能承受高电流的材料制成，具体地，能承受高电流的材料包括金属或者合金，例如钨、钨铜合金、钼、铍镍合金或镍银中的一种。第二接触端221包括第二尖端部2211和第二连接端2212。
104.如图3、4所示，第一接触引脚21在下方，第二接触引脚22在上方，并且第一尖端部2111和第二尖端部2211在纵向y上齐平，从而可以同时接触器件引脚102(下面将详细描述)。
105.图9示出了半导体器件放置在测试装置上且处于非测试状态的截面图。如图9所示，半导体器件101水平放置在测试装置100上，使得半导体器件101上的器件引脚102水平放置在第一接触引脚21和第二接触引脚22上方。
106.图10示出了图9中的局部放大图，如图10所示，在非测试状态下，只有第一尖端部2111的一部分与器件引脚102接触，并且只有第二尖端部2211的一部分与器件引脚102接触。
107.参见图11，当在测试状态时，对半导体器件101施加向下的压力f，使得器件引脚102向下，从而对第一接触引脚21和第二接触引脚22也施加了向下的压力。如上所述，由于第一接触引脚21的弯曲部214和第一悬臂部213，使得第一接触引脚21具有柔性，因此在受到向下的压力时，能够在纵向y和横向x上移动。同样，第二接触引脚22在受到向下的压力时，也能够在纵向y和横向x上移动。
108.图12是图11中的局部放大图。如图12所示，第一接触引脚21和第二接触引脚22受到向下的压力而在纵向y和横向x上移动，从而使得第一尖端部2111和第二尖端部2211在纵向y和横向x上移动。由于第一尖端部2111和第二尖端部2211的几何形状，第一尖端部2111和第二尖端部2211在纵向y和横向x上移动之后，第一尖端部2111与器件引脚102的接触面变得平坦，第二尖端部2211与器件引脚102的接触面也变得平坦。也就是说，第一尖端部2111与器件引脚102充分接触，并且第二尖端部2211也与器件引脚102充分接触。因此，在测试状态下，可以确保第一接触引脚21和第二接触引脚22各自与器件引脚102之间更大的接触面积，从而确保良好的电连接。
109.返回参考图3，第一接触引脚21的第二悬臂部215的下方设置有第一导向钩部216，而第二接触引脚22的第二悬臂部225的上方设置有第二导向钩部226。借助于第一导向钩部216，可以将第一接触引脚21连接到测试装置100，并且借助于第二导向钩部226，可以将第二接触引脚22连接到测试装置100，如图2所示。
110.可以理解的是，如图2所示，测试装置100上设置有分别与第一导向钩部216、第二导向钩部226匹配的凹槽，用于接收第一导向钩部216、第二导向钩部226，从而将第一接触引脚21、第二接触引脚22连接到测试装置100。
111.返回参考图3，第一接触引脚21的第二悬臂部215还包括第一连接部217，用于与测试装置100上的负载板(图未示)建立电连接，从而进行测试。第一连接部217在纵向y上延
伸，以便与下方的负载板电连接。
112.类似的，第二接触引脚22的第二悬臂部225还包括第二连接部227，用于与测试装置100上的负载板(图未示)建立电连接，从而进行测试。第二连接部227在纵向y上延伸，以便与下方的负载板电连接。
113.可以理解的是，在测试装置100的一些配置中，需要在测试装置100和被测试的半导体器件101的器件引脚102之间建立两个单独的电连接，也称为开尔文(kelvin)连接。开尔文连接中包括强制(force)引脚和感测(sense)引脚。强制引脚用于将高电流(或电压)传送到器件引脚102，然后感测引脚测量来自半导体器件101的反馈电流(或电压)。可以理解的是，强制引脚和感测引脚可以由本发明中的接触引脚实现。例如，强制引脚由第一接触引脚21实现，感测引脚由第二接触引脚22实现。
114.本发明中，接触引脚通过接触端与被测试的器件连接，如果接触端因使用而损坏，可以仅仅更换接触端，而无需更换整个接触引脚，从而能够大幅降低使用成本。
115.进一步，在测试期间，器件引脚同时与安装在一对接触引脚上的一对接触端紧密接触(连接)，而接触端是由可承受高电流的材料制成，即使在高电流、高功率的测试过程中，也可以防止接触端的燃烧或熔化。因此，本发明允许高电流、高功率测试，而没有任何电弧、烧蚀或引脚磨损。进一步，接触端的材料具有良好的导热性，因此，可以有效地从器件引脚散热，防止温度过高而对半导体器件或周围的其他部件造成潜在的损坏。
116.进一步，接触端的材料具有高硬度，也就是具有耐摩性，因此，可以确保接触端能够承受重复的插入和拆卸，而不会出现过度磨损或变形，从而增加了接触引脚的使用寿命，减少了频繁更换的需要。所以，在持续的生产周期中，高硬度的接触端可以使用更长的时间。
117.进一步，接触端的材料具有耐高温性，由于高功率ic的测试场景通常涉及高温，因此，利用具有耐高温性的接触端，可以确保接触引脚在承受高温的同时不会退化。
118.进一步，接触端的材料具有耐腐蚀性，由于在测试过程中会暴露于化学品或湿气，因此利用具有耐腐蚀性的接触端，可以避免接触引脚受腐蚀，从而长期保持其电气性能。
119.进一步，接触端的尖端部具有设计的几何形状，因此，当器件引脚受到向下的压力时，尖端部与器件引脚的接触面是平坦的，从而确保良好的电连接。
120.进一步，合金制成的接触端可提供与ic焊盘的低电阻接触界面，从而使接触电阻和电压降最小化。这对于高功率的应用尤其重要，因为它有助于保持精确的功率传输并降低错误测量或ic故障的风险。
121.虽然已经描述和说明了本发明的几个特别优选的实施例，但是对于本领域的技术人员来说，在不脱离本发明的范围的情况下可以进行各种改变和变形是显而易见的。因此，以下权利要求旨在包括在本发明范围内的这种改变、变形和应用领域。

技术特征：
1.一种用于半导体器件的测试装置的接触引脚，其特征在于，所述接触引脚包括：接触端，所述接触端包括尖端部和具有第一形状的连接端；颈部，所述颈部与所述接触端的连接端连接，在其与所述连接端的连接处具有第二形状；其中，所述第一形状和所述第二形状互相匹配，以使所述接触端安装在所述颈部上；其中，当利用所述测试装置测试所述半导体器件时，所述半导体器件的器件引脚与所述尖端部电接触。2.根据权利要求1所述的接触引脚，其特征在于，所述接触端可拆卸地安装在所述颈部上。3.根据权利要求1所述的接触引脚，其特征在于，所述接触端由可承受高电流的材料制成。4.根据权利要求1所述的接触引脚，其特征在于，所述第一形状是燕尾榫状，所述第二形状是卯眼状。5.根据权利要求1所述的接触引脚，其特征在于，所述第一形状是l字形，所述第二形状是l字形。6.根据权利要求1所述的接触引脚，其特征在于，所述第一形状是凸d字形，所述第二形状是凹d字形。7.根据权利要求1所述的接触引脚，其特征在于，所述第一形状是凹a字形，所述第二形状是凸a字形。8.根据权利要求1所述的接触引脚，其特征在于，所述第一形状是z字形，所述第二形状是z字形。9.根据权利要求5-8中任一项所述的接触引脚，其特征在于，所述连接端通过焊接工艺连接到所述颈部。10.根据权利要求3所述的接触引脚，其特征在于，所述可承受高电流的材料为钨、钨铜合金、钼、铍镍合金和镍银中的一种。11.根据权利要求3所述的接触引脚，其特征在于，所述接触端的材料具有以下一种或多种：导热性、高硬度、耐高温性、耐腐蚀性。12.根据权利要求1所述的接触引脚，其特征在于，所述颈部沿着纵向延伸，其中，所述接触引脚还包括与所述颈部连接并沿着与所述纵向垂直的横向延伸的第一悬臂部、与所述第一悬臂部连接的弯曲部、与所述弯曲部连接并沿着所述横向延伸的第二悬臂部，其中，借助于所述第一悬臂部和弯曲部，所述接触引脚能够在所述纵向或所述横向上移动。13.根据权利要求12所述的接触引脚，其特征在于，所述弯曲部呈s形。14.根据权利要求12或13所述的接触引脚，其特征在于，当利用所述测试装置测试所述半导体器件时，水平放置在所述接触引脚上方的所述半导体器件被向下按压，使得所述器件引脚与所述尖端部充分接触。15.根据权利要求14所述的接触引脚，其特征在于，所述尖端部呈锥形、a字形、金字塔形、或钉子形。16.根据权利要求12所述的接触引脚，其特征在于，所述第二悬臂部的上方或下方设置
有导向钩部，借助于所述导向钩部，将所述接触引脚连接到所述测试装置。17.根据权利要求12所述的接触引脚，其特征在于，所述测试装置包括负载板，所述第二悬臂部上设置有连接部，用于使所述接触引脚与所述负载板建立电连接。18.一种用于半导体器件的测试装置，其特征在于，所述测试装置包括：一对根据权利要求1-17中任一项所述的接触引脚，一对所述接触引脚连接到所述测试装置；其中，当利用所述测试装置测试所述半导体器件时，水平放置在所述接触引脚上方的所述半导体器件被向下按压，使所述半导体器件的器件引脚同时电接触每个所述接触引脚上的尖端部。19.根据权利要求18所述的测试装置，其特征在于，一对所述接触引脚分别上下布置，其中，在下方的所述接触引脚中，导向钩部设置在所述接触引脚第二悬臂部的下方，而在上方的所述接触引脚中，所述导向钩部设置在所述接触引脚第二悬臂部的上方。20.根据权利要求18或19所述的测试装置，其特征在于，一对所述接触引脚中的一个接触引脚用作强制引脚，而另一个接触引脚用作感测引脚。

技术总结
本发明提供一种用于半导体器件的测试装置的接触引脚以及测试装置。接触引脚包括：接触端，所述接触端包括尖端部和具有第一形状的连接端；颈部，所述颈部与所述接触端的连接端连接，在其与所述连接端的连接处具有第二形状；其中，所述第一形状和所述第二形状互相匹配，以使所述接触端安装在所述颈部上；其中，当利用所述测试装置测试所述半导体器件时，所述半导体器件的器件引脚与所述尖端部电接触。本发明允许高电流、高功率测试，而没有任何电弧、烧蚀或引脚磨损，并且确保测试期间良好的电连接。接。接。


技术研发人员：冯伟强 吴国星 夏摩孟迪亚 李永杰
受保护的技术使用者：杰冯微电子科技有限公司
技术研发日：2023.08.11
技术公布日：2023/10/11