一种电光调制器

1.本公开涉及通信技术领域，尤其涉及一种电光调制器。


背景技术：

2.随着“云计算”、“物联网”和“大数据”等信息技术的发展，需要高速率、低成本、低功耗的数据处理与传输技术，来解决增长的信息需求。与电互联技术相比，光互连技术在带宽、延迟和功耗等方面更具有优势。硅基光互连技术具有兼容传统cmos工艺、器件紧凑、功耗低、成本低等优势。硅基光互连系统由各种光波导器件组成，包括激光器、耦合器、滤波器、波分复用/解复用器、调制器、探测器等。
3.在实现本公开发明构思的过程中，发明人发现，相关技术中，存在调制器的调制带宽的范围较难满足需求的问题。


技术实现要素：

4.鉴于上述问题，本公开提供了一种电光调制器。
5.根据本公开的一个方面，提供了一种电光调制器，其特征在于，包括调制器主体和均衡电路；调制器主体包括电极，电极包括信号输入端和电极臂；均衡电路，设置在信号输入端和电极臂之间，用于基于接收到的第一控制电压和第二控制电压，对初始调制信号进行滤波处理，得到目标调制信号；均衡电路，包括：第一掺杂半导体，包括第一n型掺杂区和第一p型掺杂区，第一n型掺杂区连接第一电极和信号输入端，第一p型掺杂区连接第二电极和电极臂，第一电极和第二电极用于接收反向偏置的第一控制电压；以及第二掺杂半导体，包括第二n型掺杂区和第二p型掺杂区，第二n型掺杂区的第一端和第二p型掺杂区的第一端均连接信号输入端，第二n型掺杂区的第二端和p型掺杂区的第二端均连接电极臂，第二p型掺杂区的第一端还连接第三电极，第二n型掺杂区的第二端还连接第四电极，第三电极和第四电极用于接收第二控制电压。
6.根据本公开的实施例，调制器主体，还包括光输入波导、光分束器、多个调制臂、光合束器和光输出波导；其中，光输入波导，用于接收光信号；其中，光分束器，与光输入波导的输出端连接，光分束器用于对光信号进行分束，得到与多个调制臂各自对应的分束光信号；其中，多个调制臂与光分束器的多个输出端之间一一连接，多个调制臂中的每个调制臂，用于基于目标调制信号，对接收到的分束光信号进行调制，得到调制光信号；其中，光合束器的多个输入端与多个调制臂各自的输出端之间一一连接，光合束器，用于对与多个调制臂各自对应的调制光信号进行合束，得到目标光信号；其中，光输出波导，与光合束器的输出端连接，用于输出接收到的目标光信号。
7.根据本公开的实施例，调制臂的电学结构包括第三n型掺杂区、第四n型掺杂区、本征区、第四p型掺杂区、第三p型掺杂区；其中，n型第三掺杂区的掺杂浓度范围包括5
×
10
19
cm-3
～5
×
10
20
cm-3
；其中，n型第四掺杂区的掺杂浓度范围包括5
×
10
17
cm-3
～5
×
10
19
cm-3
；其中，p型第三掺杂区的掺杂浓度范围包括5
×
10
19
cm-3
～5
×
10
20
cm-3
；其中，p型第四掺杂
区的掺杂浓度范围包括5
×
10
17
cm-3
～5
×
10
19
cm-3
。
8.根据本公开的实施例，n型第一掺杂区和p型第一掺杂区均通过通孔与电极臂连接；用于填充通孔的材料包括金、铝或铜。
9.根据本公开的实施例，调制臂的光学结构为脊波导结构；调制臂长度包括200μm～500μm。
10.根据本公开的实施例，调制臂的厚度、第一掺杂半导体的厚度和第二掺杂半导体的厚度一致。
11.根据本公开的实施例，第一掺杂半导体和第二掺杂半导体之间设置有隔离层，隔离层的材料包括sio2。
12.根据本公开的实施例，第一掺杂半导体的长度包括40μm～100μm；第二掺杂半导体的长度包括40μm～100μm；第一掺杂半导体的宽度包括20μm～80μm；第二掺杂半导体的宽度包括20μm～80μm。
13.根据本公开的实施例，电极的材料包括金、铝或铜。
14.根据本公开的实施例，电光调制器的衬底的材料包括硅。
15.根据本公开提供的电光调制器，在对电光调制器施加初始调制信号的基础上，通过改变第一掺杂半导体的第一控制电压，可以改变pn结结电容和扩散电容，并且，通过改变第二掺杂半导体的第二控制电压，可以改变载流子的分布，进而改变第二掺杂半导体的电阻，基于此，通过改变第一控制电压的大小和第二控制电压的大小，可以改变均衡电路的均衡效应，对初始调制信号进行不同程度的滤波，由此，可以扩大电光调制器的调制带宽的范围。
附图说明
16.通过以下参照附图对本公开实施例的描述，本公开的上述内容以及其他目的、特征和优点将更为清楚，在附图中：
17.图1示意性示出了根据本公开实施例的电光调制器的示意图；
18.图2示意性示出了根据本公开实施例的电光调制器的示意图；
19.图3示意性示出了根据本公开实施例的均衡电路的示意图；
20.图4示意性示出了根据本公开实施例的电光调制器的调制臂的截面示意图。
具体实施方式
21.以下，将参照附图来描述本公开的实施例。但是应该理解，这些描述只是示例性的，而并非要限制本公开的范围。在下面的详细描述中，为便于解释，阐述了许多具体的细节以提供对本公开实施例的全面理解。然而，明显地，一个或多个实施例在没有这些具体细节的情况下也可以被实施。此外，在以下说明中，省略了对公知结构和技术的描述，以避免不必要地混淆本公开的概念。
22.在此使用的术语仅仅是为了描述具体实施例，而并非意在限制本公开。在此使用的术语“包括”、“包含”等表明了所述特征、步骤、操作和/或部件的存在，但是并不排除存在或添加一个或多个其他特征、步骤、操作或部件。
23.在此使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有本领域技术人员通常所理解的
含义，除非另外定义。应注意，这里使用的术语应解释为具有与本说明书的上下文相一致的含义，而不应以理想化或过于刻板的方式来解释。
24.在使用类似于“a、b和c等中至少一个”这样的表述的情况下，一般来说应该按照本领域技术人员通常理解该表述的含义来予以解释(例如，“具有a、b和c中至少一个的系统”应包括但不限于单独具有a、单独具有b、单独具有c、具有a和b、具有a和c、具有b和c、和/或具有a、b、c的系统等)。
25.根据本公开的实施例，硅基电光调制器承担着将电信号加载到光信号的职能，基于此，电光调制器的调制性能影响着整个光传输系统的信息处理能力。在一些实施例中，硅基电光调制器方案常采用反向偏置pn结电学结构，其优势在于通过折射率匹配以及阻抗匹配来实现高速率调制，其中，pn结可以是由n型掺杂半导体和p型掺杂半导体构成的结构。但是，反向偏置pn结的结构具有调制速率有限，器件的尺寸难以缩小到1mm以下等劣势。
26.在实现本公开发明构思的过程中，发明人发现，在相关技术中，正向注入的pin调制器具有高调制效率、损耗低、尺寸小等优势，并且通过加载预加重信号和级联均衡电路等方式可以大幅度的提高调制速率，有望应用于高速率数据传输、光开关以及光计算等领域，其中，pin调制器的波导可以是在n型掺杂半导体和p型掺杂半导体之间设置本征半导体而得到的。
27.图1示意性示出了根据本公开实施例的电光调制器的示意图。
28.如图1所示，本公开的电光调制器，包括调制器主体110和均衡电路。调制器主体110包括电极，电极包括信号输入端111和电极臂112。均衡电路，设置在信号输入端111和电极臂112之间，用于基于接收到的第一控制电压和第二控制电压，对初始调制信号进行滤波处理，得到目标调制信号。均衡电路，包括：第一掺杂半导体130，包括第一n型掺杂区131和第一p型掺杂区132，第一n型掺杂区131连接第一电极133和信号输入端111，第一p型掺杂区132连接第二电极134和电极臂112，第一电极133和第二电极134用于接收反向偏置的第一控制电压。以及第二掺杂半导体120，包括第二n型掺杂区121和第二p型掺杂区122，第二n型掺杂区121的第一端和第二p型掺杂区122的第一端均连接信号输入端111，第二n型掺杂区121的第二端和p型掺杂区的第二端均连接电极臂112，第二p型掺杂区122的第一端还连接第三电极123，第二n型掺杂区121的第二端还连接第四电极124，第三电极123和第四电极124用于接收第二控制电压。
29.根据本公开的实施例，信号输入端111可以用于接收初始调制信号。均衡电路可以用于对初始调制信号进行滤波，得到目标调制信号。电极臂112可以用于接收目标调制信号，以使电光调制器可以通过目标调制信号对输入电光调制器的光信号进行调制。
30.根据本公开的实施例，第一掺杂半导体130和第二掺杂半导体120均可以是基于pn结形成的半导体。通过将第一n型掺杂区131连接第一电极133和信号输入端111，第一p型掺杂区132连接第二电极134和电极臂112，可以使第一掺杂半导体130与电容等效；通过将第二n型掺杂区121的第一端和第二p型掺杂区122的第一端均连接信号输入端111，第二n型掺杂区121的第二端和p型掺杂区的第二端均连接电极臂112，可以使第二掺杂半导体120与电阻等效。由于第一掺杂半导体130与电容等效，因此，需要对第一掺杂半导体130输入反向偏置电压。而由于第二掺杂半导体120与电阻等效，因此，对第二掺杂半导体120输入正向偏置电压或者反向偏置电压均可。
31.基于此，均衡电路可等效为rc(resistor-capacitance，电阻-电容)并联电路，均衡电路的作用可以相当于高通滤波器。由于电光调制器会使经调制的光信号的高频信号衰减，因此，通过使用该均衡电路，可以补偿电光调制器衰减的高频信号。
32.根据本公开的实施例，初始调制信号可以是rf(rf-radio frequency signal，射频)信号。对于与rf信号方向平行的第一掺杂半导体130，通过改变第一掺杂半导体130两端的第一控制电压，可大幅度改变由第一掺杂半导体130的结电容以及扩散电容。对于与rf信号垂直的第二掺杂半导体120，改变第二掺杂半导体120两端的第二控制电压，可以调整载流子的分布，从而改变第二掺杂半导体120的径向电阻。基于此，通过控制第一掺杂半导体130两端的第一控制电压和第二掺杂半导体120两端的第二控制电压，可以动态调整均衡电路的工作状态，改变均衡电路均衡效应的强弱，从而可以由均衡电路对初始调制信号进行不同程度的滤波，由此，可以实现对调制器带宽的大范围连续调节。
33.根据本公开的实施例，第一控制电压和第二控制电压均可以为直流电压。
34.根据本公开的实施例，在对电光调制器施加初始调制信号的基础上，通过改变第一掺杂半导体130的第一控制电压，可以改变pn结结电容和扩散电容，并且，通过改变第二掺杂半导体120的第二控制电压，可以改变载流子的分布，进而改变第二掺杂半导体120的电阻，基于此，通过改变第一控制电压的大小和第二控制电压的大小，可以改变均衡电路的均衡效应，对初始调制信号进行不同程度的滤波，由此，可以扩大电光调制器的调制带宽的范围。
35.根据本公开的实施例，调制器主体，还包括光输入波导、光分束器、多个调制臂、光合束器和光输出波导。其中，光输入波导，用于接收光信号。其中，光分束器，与光输入波导的输出端连接，光分束器用于对光信号进行分束，得到与多个调制臂各自对应的分束光信号。其中，多个调制臂与光分束器的多个输出端之间一一连接，多个调制臂中的每个调制臂，用于基于目标调制信号，对接收到的分束光信号进行调制，得到调制光信号。其中，光合束器的多个输入端与多个调制臂各自的输出端之间一一连接，光合束器，用于对与多个调制臂各自对应的调制光信号进行合束，得到目标光信号。其中，光输出波导，与光合束器的输出端连接，用于输出接收到的目标光信号。
36.根据本公开的实施例，调制臂的数量可以是两个，调制臂可以是波导，目标调制信号可以通过电极臂加载到调制臂上。
37.根据本公开的实施例，通过改变调制臂中的载流子浓度改变波导区域的有效折射率，可以动态改变经分束的两束分束光信号之间的相位差，以此来对光信号进行调制。
38.图2示意性示出了根据本公开实施例的电光调制器的示意图。
39.如图2所示，调制器本体可以包括光输入波导201、光分束器202、多个调制臂203、光合束器204和光输出波导205。调制器本体还可以包括信号输入端206_1、信号输入端206_2和电极臂207。其中，信号输入端206_1可以是负极，信号输入端206_2可以是正极。均衡电路可以包括第一掺杂半导体208、第二掺杂半导体209、第一电极210、第二电极211、第三电极212和第四电极213。其中，第一电极210可以为正电极，第二电极220可以为负电极，以使第一掺杂半导体208接收到反向偏置电压。其中，第一电极210可以为正电极，第二电极211可以为负电极，以使第一掺杂半导体接收到反向偏置电压。
40.图3示意性示出了根据本公开实施例的均衡电路的示意图。
41.如图3所示，片上可调谐均衡电路可以在硅层实现，均衡电路可以由两个互相垂直的pn结并联构成，该两个互相垂直的pn结即第一掺杂半导体310和第二掺杂半导体320。该两个pn结之间可以通过材料进行隔离，以避免该两个pn结之间导通，实现该两个pn结的并联。垂直方向的pn结，即第一掺杂半导体310工作在反向偏置条件下，pn结较小的结电容与pin调制臂的电容串联，可大幅度的降低等效电路的总电容。水平方向pn结，即第二掺杂半导体320可以工作在正向偏置条件下，通过施加横向电压改变载流子的浓度分布，可以改变垂直方向的等效电阻。
42.根据本公开的实施例，调制臂的电学结构包括第三n型掺杂区、第四n型掺杂区、本征区、第四p型掺杂区、第三p型掺杂区。其中，n型第三掺杂区的掺杂浓度范围包括5
×
10
19
cm-3
～5
×
10
20
cm-3
。其中，n型第四掺杂区的掺杂浓度范围包括5
×
10
17
cm-3
～5
×
10
19
cm-3
。其中，p型第三掺杂区的掺杂浓度范围包括5
×
10
19
cm-3
～5
×
10
20
cm-3
。其中，p型第四掺杂区的掺杂浓度范围包括5
×
1017cm-3～5
×
1019cm-3。
43.根据本公开的实施例，调制臂可以为pin结构，并可以工作在正向偏置的条件下。pin调制器可以包括四个掺杂区域。掺杂区两端分别为p型和n型的重掺杂区域，即上述第三n型掺杂区和上述第三p型掺杂区，用于实现和金属电极的欧姆接触，内侧为p型和n型的轻掺杂区域，即上述第四n型掺杂区和上述第四p型掺杂区，用于降低光学损耗和实现载流子正向注入。
44.图4示意性示出了根据本公开实施例的电光调制器的调制臂的截面示意图。
45.如图4所示，信号输入端可以是401，均衡电路可以是402，调制臂可以是403，以及电极臂可以是404。
46.根据本公开的实施例，n型第一掺杂区和p型第一掺杂区均通过通孔与电极臂连接。用于填充通孔的材料包括金、铝或铜。
47.根据本公开的实施例，由于使n型第一掺杂区和p型第一掺杂区均通过通孔与电极臂连接，可以保证较好的欧姆接触。
48.根据本公开的实施例，调制臂的光学结构为脊波导结构。调制臂长度包括200μm～500μm。
49.根据本公开的实施例，第一掺杂半导体的长度包括40μm～100μm。第二掺杂半导体的长度包括40μm～100μm。第一掺杂半导体的宽度包括20μm～80μm。第二掺杂半导体的宽度包括20μm～80μm。
50.根据本公开的实施例，基于上述尺寸，可以得到满足需求的调制臂和均衡电路，有助于对光信号进行调制，进而实现本技术的调制带宽较宽的电光调制器。
51.根据本公开的实施例，调制臂的厚度、第一掺杂半导体的厚度和第二掺杂半导体的厚度一致。
52.根据本公开的实施例，通过使调制臂的厚度、第一掺杂半导体的厚度和第二掺杂半导体的厚度一致，可以得到满足需求的电光调制器。
53.根据本公开的实施例，第一掺杂半导体和第二掺杂半导体之间设置有隔离层，隔离层的材料包括sio2。
54.根据本公开的实施例，通过使用sio2对第一掺杂半导体和第二掺杂半导体之间进行隔离，可以实现较好的隔离效果，由此可以得到rc并联的均衡电路。
55.根据本公开的实施例，电极的材料包括金、铝或铜。
56.根据本公开的实施例，通过使用金、铝或铜，可以使本技术的电光调制器的电极的导电率满足需求。
57.根据本公开的实施例，电光调制器的衬底的材料包括硅。
58.根据本公开的实施例，在硅衬底上设置有二氧化硅埋氧层，以及在所述埋氧层上的调制器有源区硅波导和二氧化硅隔离层。其中，该有源区硅波导可以是指调制臂。
59.还需要说明的是，实施例中提到的方向用语，例如“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”等，仅是参考附图的方向，并非用来限制本公开的保护范围。贯穿附图，相同的元素由相同或相近的附图标记来表示。在可能导致对本公开的理解造成混淆时，将省略常规结构或构造。
60.并且图中各部件的形状和尺寸不反映真实大小和比例，而仅示意本公开实施例的内容。另外，在权利要求中，不应将位于括号之间的任何参考符号构造成对权利要求的限制。
61.除非有所知名为相反之意，本说明书及所附权利要求中的数值参数是近似值，能够根据通过本公开的内容所得的所需特性改变。具体而言，所有使用于说明书及权利要求中表示组成的含量、反应条件等等的数字，应理解为在所有情况中是受到「约」的用语所修饰。一般情况下，其表达的含义是指包含由特定数量在一些实施例中
±
10％的变化、在一些实施例中
±
5％的变化、在一些实施例中
±
1％的变化、在一些实施例中
±
0.5％的变化。
62.再者，单词“包含”不排除存在未列在权利要求中的元件或步骤。位于元件之前的单词“一”或“一个”不排除存在多个这样的元件。
63.说明书与权利要求中所使用的序数例如“第一”、“第二”、“第三”等的用词，以修饰相应的元件，其本身并不意味着该元件有任何的序数，也不代表某一元件与另一元件的顺序、或是制造方法上的顺序，该些序数的使用仅用来使具有某命名的一元件得以和另一具有相同命名的元件能做出清楚区分。本领域那些技术人员可以理解，可以对实施例中的设备中的模块进行自适应性地改变并且把它们设置在与该实施例不同的一个或多个设备中。可以把实施例中的模块或单元或组件组合成一个模块或单元或组件，以及此外可以把它们分成多个子模块或子单元或子组件。除了这样的特征和/或过程或者单元中的至少一些是相互排斥之外，可以采用任何组合对本说明书(包括伴随的权利要求、摘要和附图)中公开的所有特征以及如此公开的任何方法或者设备的所有过程或单元进行组合。除非另外明确陈述，本说明书(包括伴随的权利要求、摘要和附图)中公开的每个特征可以由提供相同、等同或相似目的的替代特征来代替。并且，在列举了若干装置的单元权利要求中，这些装置中的若干个可以是通过同一个硬件项来具体体现。
64.类似地，应当理解，为了精简本公开并帮助理解各个公开方面中的一个或多个，在上面对本公开的示例性实施例的描述中，本公开的各个特征有时被一起分组到单个实施例、图、或者对其的描述中。然而，并不应将该公开的方法解释成反映如下意图：即所要求保护的本公开要求比在每个权利要求中所明确记载的特征更多的特征。更确切地说，如下面的权利要求书所反映的那样，公开方面在于少于前面公开的单个实施例的所有特征。因此，遵循具体实施方式的权利要求书由此明确地并入该具体实施方式，其中每个权利要求本身都作为本公开的单独实施例。
65.本领域技术人员可以理解，本公开的各个实施例和/或权利要求中记载的特征可以进行多种组合或/或结合，即使这样的组合或结合没有明确记载于本公开中。特别地，在不脱离本公开精神和教导的情况下，本公开的各个实施例和/或权利要求中记载的特征可以进行多种组合和/或结合。所有这些组合和/或结合均落入本公开的范围。
66.以上对本公开的实施例进行了描述。但是，这些实施例仅仅是为了说明的目的，而并非为了限制本公开的范围。尽管在以上分别描述了各实施例，但是这并不意味着各个实施例中的措施不能有利地结合使用。本公开的范围由所附权利要求及其等同物限定。不脱离本公开的范围，本领域技术人员可以做出多种替代和修改，这些替代和修改都应落在本公开的范围之内。

技术特征：
1.一种电光调制器，其特征在于，包括调制器主体和均衡电路；所述调制器主体包括电极，所述电极包括信号输入端和电极臂；所述均衡电路，设置在所述信号输入端和所述电极臂之间，用于基于接收到的第一控制电压和第二控制电压，对所述初始调制信号进行滤波处理，得到目标调制信号；所述均衡电路，包括：第一掺杂半导体，包括第一n型掺杂区和第一p型掺杂区，所述第一n型掺杂区连接第一电极和所述信号输入端，所述第一p型掺杂区连接第二电极和所述电极臂，所述第一电极和所述第二电极用于接收反向偏置的所述第一控制电压；以及第二掺杂半导体，包括第二n型掺杂区和第二p型掺杂区，所述第二n型掺杂区的第一端和所述第二p型掺杂区的第一端均连接所述信号输入端，所述第二n型掺杂区的第二端和所述p型掺杂区的第二端均连接所述电极臂，所述第二p型掺杂区的第一端还连接第三电极，所述第二n型掺杂区的第二端还连接第四电极，所述第三电极和所述第四电极用于接收所述第二控制电压。2.根据权利要求1所述的电光调制器，其特征在于，所述调制器主体，还包括光输入波导、光分束器、多个调制臂、光合束器和光输出波导；其中，所述光输入波导，用于接收所述光信号；其中，所述光分束器，与所述光输入波导的输出端连接，所述光分束器用于对所述光信号进行分束，得到与所述多个调制臂各自对应的分束光信号；其中，所述多个调制臂与所述光分束器的多个输出端之间一一连接，所述多个调制臂中的每个所述调制臂，用于基于所述目标调制信号，对接收到的分束光信号进行调制，得到调制光信号；其中，所述光合束器的多个输入端与所述多个调制臂各自的输出端之间一一连接，所述光合束器，用于对与所述多个调制臂各自对应的调制光信号进行合束，得到所述目标光信号；其中，所述光输出波导，与所述光合束器的输出端连接，用于输出接收到的所述目标光信号。3.根据权利要求2所述的电光调制器，其特征在于，所述调制臂的电学结构包括第三n型掺杂区、第四n型掺杂区、本征区、第四p型掺杂区、第三p型掺杂区；其中，所述n型第三掺杂区的掺杂浓度范围包括5
×
10
19
cm-3
～5
×
10
20
cm-3
；其中，所述n型第四掺杂区的掺杂浓度范围包括5
×
10
17
cm-3
～5
×
10
19
cm-3
；其中，所述p型第三掺杂区的掺杂浓度范围包括5
×
10
19
cm-3
～5
×
10
20
cm-3
；其中，所述p型第四掺杂区的掺杂浓度范围包括5
×
10
17
cm-3
～5
×
10
19
cm-3
。4.根据权利要求3所述的电光调制器，其特征在于，所述n型第一掺杂区和所述p型第一掺杂区均通过通孔与所述电极臂连接；用于填充所述通孔的材料包括金、铝或铜。5.根据权利要求2所述的电光调制器，其特征在于，所述调制臂的光学结构为脊波导结构；调制臂长度包括200μm～500μm。6.根据权利要求2所述的电光调制器，其特征在于，所述调制臂的厚度、所述第一掺杂
半导体的厚度和所述第二掺杂半导体的厚度一致。7.根据权利要求1所述的电光调制器，其特征在于，所述第一掺杂半导体和所述第二掺杂半导体之间设置有隔离层，所述隔离层的材料包括s
i
o2。8.根据权利要求1所述的电光调制器，其特征在于，所述第一掺杂半导体的长度包括40μm～100μm；所述第二掺杂半导体的长度包括40μm～100μm；所述第一掺杂半导体的宽度包括20μm～80μm；所述第二掺杂半导体的宽度包括20μm～80μm。9.根据权利要求1所述的电光调制器，其特征在于，所述电极的材料包括金、铝或铜。10.根据权利要求1所述的电光调制器，其特征在于，所述电光调制器的衬底的材料包括硅。

技术总结
本公开提供了一种电光调制器，包括调制器主体和均衡电路；均衡电路，包括：第一掺杂半导体，包括第一N型掺杂区和第一P型掺杂区，第一N型掺杂区连接第一电极和信号输入端，第一P型掺杂区连接第二电极和电极臂，第一电极和第二电极用于接收反向偏置的第一控制电压；以及第二掺杂半导体，包括第二N型掺杂区和第二P型掺杂区，第二N型掺杂区的第一端和第二P型掺杂区的第一端均连接信号输入端，第二N型掺杂区的第二端和P型掺杂区的第二端均连接电极臂，第二P型掺杂区的第一端还连接第三电极，第二N型掺杂区的第二端还连接第四电极，第三电极和第四电极用于接收第二控制电压。四电极用于接收第二控制电压。四电极用于接收第二控制电压。


技术研发人员：李智勇 于航 殷煜翔 涂东河 关欢 于治国 姜磊
受保护的技术使用者：中国科学院半导体研究所
技术研发日：2023.07.18
技术公布日：2023/10/11