耐高温抗氧化耐热疲劳之高功率用粗铜线及其制造方法与流程
未命名
10-18
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1.本发明涉及合金及高功率半导体封装用线(如高功率igbt及第三代半导体封装领域封装用线)技术领域,具体涉及一种耐高温抗氧化耐热疲劳之高功率用粗铜线及其制造方法,该粗铜线用于高功率半导体封装。
背景技术:
2.在电力电子模块的先进应用中,功率模块的设计和制造必须满足高频开关速率、高功率密度、高结温等要求,传统电力电子模块的引线互连技术通常采用铝线键合,但由于铝线电阻率高、屈服强度低等材料本身的局限性,这种连接方式已成为限制高功率电力电子模块发展的关键因素。失效分析研究显示,在电力电子功率模块应用时,键合界面的失效是限制模块寿命最重要的因素。
3.特别在高功率的igbt及第三代半导体器件中,需要高导电、高导热和高温承受能力,粗铝线的热学特性和导电性能并不太理想,特别是其热膨胀系数与半导体芯片之间失配较大,在经过热循环或功率循环后易产生较大的热应力累积,使键合线出现裂痕或脱落,会导致模块失效。大量试验表明,采用铝引线键合,经过多次功率循环后会在键合点界面处附近(而不是在界面处)发生裂纹而产生失效。
4.新的引线互连技术通过使用铜线键合技术代替铝线键合技术,以提高模块的寿命。与铝线相比,铜线拥有多项优势,铜线拥有更高的电导率和热导率,同时拥有更高的屈服强度和机械稳定性,这使得铜线键合点的可靠性寿命和剪切力强度都优于铝线。
5.然而,纯铜线晶粒不稳定,焊接性能不稳定。申请人的在先申请(公开号cn113699409a的中国发明申请)公开了一种用于半导体封装的粗铜线及其制造方法,其提供的粗铜线仍存在晶粒稳定度不高,耐温性不足,焊接时结合力难控制的缺点。
技术实现要素:
6.本发明所要解决的技术问题在于提供一种耐高温抗氧化耐热疲劳之高功率用粗铜线及其制造方法,这种粗铜线耐高温性能好,抗氧化性能佳,通电疲劳能力好,超声波焊接能力优异(焊点推力高,焊线焊点稳定,线弧拉力高,温度循环能力优异)。本发明的粗铜线,用于高功率半导体封装(例如用于半导体功率器件、集成电路模块、电力功率模块、芯片与框架或电子器件的内部与引线的互连)时能够有效提升其功率循环能力。
7.解决上述技术问题采用的方案如下:一种耐高温抗氧化耐热疲劳之高功率用粗铜线,由铜微合金构成,其特征在于:所述铜微合金按重量计含有微量添加元素0.003wt.%~0.12wt.%,余量为铜;所述微量添加元素是be、y和p的组合;粗铜线成品线材结构的平均晶粒尺寸为2-50μm。
8.通常,上述粗铜线的线表光亮洁净无氧化。
9.优选方案中,所述铜微合金中,be的含量在0.001wt.%-0.01wt.%之间,y的含量在
0.001wt.%-0.06wt.%之间,p的含量在 0.001wt.%-0.05wt.%之间,且be、p和y的总含量为0.003wt.%~0.12wt.%。
10.优选方案中,余量铜的纯度为含铜量超过99.998wt.%(重量)。更优选方案中,余量铜的纯度为含铜量超过99.999wt.%。
11.优选上述粗铜线成品线材的直径为100-500μm,粗铜线成品线材的延伸率在20-45%之间。
12.本发明的铜微合金中添加微量添加元素be(铍)、p(磷)和y(钇),能起到细化晶粒,稳定结构的作用,结合工艺的控制,能很好得锁定晶粒尺寸的大小,从而对焊线焊点稳定性、焊点结合力的稳定性提供了保障;另外,在信赖性方面也比较稳定,不会因为晶粒过大或过小,而造成强度不一、粘结能力不一致的问题(在信赖性中,粘结能力弱的,就容易产生信赖性问题)。
13.be固溶于铜,可明显提高强度和弹性,具有固溶强化效应;当从固相中析出时,又产生散布强化,同样提升硬度。再者,微量添加be可提高机械性能之外,更能抑制受热发生粗晶现象,从而稳定铜材的高温电性。当be添加量高于0.01wt.% (100ppm),铜线的拉伸降伏值会显著增加,导致不易卷绕线 (回弹严重),且延伸率会降低。
14.微量y有利细化铜晶粒,可强化铜材的冷热疲劳阻抗。简单说,y能降低铜材的冷热敏感度,抑制冷热循环造成的材料龟裂行为发生。当铜材在运作通电发热时,瞬间微区域温度可高达400℃,之后关电停止运作,铜材将冷却至室温。如此,反复开关,即为通电热疲劳 (冷热循环),而微量y添加可提升铜材的通电热疲劳寿命。根据cu-y 相图,微量y能显著降低铜cu熔点,且生成cu6y 金属间化合物 (imc),对提升耐热疲劳性有正面贡献。当y 含量超过0.06wt.% (600ppm),除了cu6y (imc)之外,容易生成cu7y
2 (imc),反而对电性有不良影响。
15.微量p存在铜内,能结合氧,从而改善铜的抗氧化性能,特别是在有氯离子与氢氧根离子的环境;p能缓和电位差腐蚀程度,提高铜材的抗腐蚀寿命。值得注意的是,当p 含量超过0.05wt.% (500ppm),p反而会聚集在铜晶界处,此时铜晶界会转换成铜磷晶界带,容易造成晶界的沿晶脆性破坏,大幅劣化铜材的延性。
16.基于此,本案主张的铜微合金中,be含量控制在0.001wt.%-0.01wt.%之间, y含量在0.001wt.%-0.06wt.%之间,p含量在 0.001wt.%-0.05wt.%之间,且be、p和y总含量为0.003wt.%~0.12wt.%。
17.本发明通过添加适量的微量添加元素be(铍)、p(磷)和y(钇),粗铜线成品线材结构的平均晶粒尺寸在2-50μm之间,从而使粗铜线具有优异性能,包括:耐高温性能、抗氧化性能和通电疲劳性能,超声波焊接能力优异 (焊点推力高,焊线焊点稳定,温度循环能力优异)。在此基础上,将粗铜线成品线材的延伸率控制在20%-45%之间,更能够确保粗铜线的优异打线可靠度 (不易断线)。
18.本发明还提供上述耐高温抗氧化耐热疲劳之高功率用粗铜线的一种制造方法,其特征在于包括如下步骤:(1)熔铸:按比例将微量添加元素加入到铜原料中,经过真空熔炼和定向连续引铸工艺,获得直径为5-7mm的铜合金棒;(2)对步骤(1)得到的铜合金棒进行拉拔,获得直径为100-500μm的铜合金线;
(3)对步骤(2)得到的铜合金线进行最终退火,最终退火采用真空退火工艺或管式退火,控制延伸率在20-45%之间,最终退火结束后,得到所需的耐高温抗氧化耐热疲劳之高功率用粗铜线。
19.优选方案中,上述步骤(2)包括如下步骤:(2-1)对步骤(1)得到的铜合金棒进行拉拔,获得直径为0.8-2.0mm的铜合金线;(2-2)中间热处理:步骤(2-1)拉拔完成后,对铜合金线进行中间热处理,中间热处理采用真空热处理或通电退火工艺;(2-3)对经步骤(3)中间热处理的铜合金线继续进行拉拔,获得直径为100-500μm的铜合金线。
20.优选步骤(1)中,熔炼真空度为0.01-1pa,感应加热温度到1100-1250℃,保持温度5-30分钟,并进行电磁搅拌15-30分钟后,再通入纯度为99.99%~99.999%氩气,控制炉内压力为0.9-1.1个大气压,连续铸造成直径为5-7mm铜合金棒。这样可确保熔炼母线成分均匀,线表光亮无刮伤、无污染、无氧化。在5-7mm熔炼母线线径,配合合适的熔炼参数,能够使线材结构更稳定。
21.步骤(2)中,采用多阶段伸线,确保合适的加工率,线材表面光亮不易拉伤;同时步骤(2-2)的中间热处理道次能及时消除加工硬化,在伸线(即拉拔)至0.8-2.0mm后进行中间热处理,消除加工硬化后再伸线至成品线径。
22.优选步骤(2-1)和步骤(2-3)中,采用金刚石模芯模具伸线。
23.优选步骤(3)中,采用真空退火工艺时,退火温度275-500℃,时间1-3小时;采用管式退火时,温度300-600℃,铜合金线的输送速度5-10米/分钟。
24.上述步骤(1)中,be以cu-be中间合金 (优选cu-4wt.%be母合金) 形式加入, y以cu-y中间合金的形式加入 (优选cu-16wt.%y母合金),p以cu-p中间合金的形式加入 (优选cu-8wt.%p母合金);加入的方式为cu-be中间合金优先加入到铜原料中,其次加入cu-y中间合金,最后加入cu-p中间合金。目的是be能充分溶解,y进一步净化溶体,最后加入cu-p中间合金,以减少p被挥发损失。铜以纯铜的形式加入(配方中铜的总量减去各中间合金所含铜的量,即为纯铜的加入量),纯铜的纯度为99.998-99.9999%。
25.上述cu-4wt.%be母合金是由4wt.%的be与96wt.%的cu熔炼而成的合金。其特点为:1) 是共晶组成;2) 可藉助γ相提高铜的热定性。
26.上述cu-16wt.%y母合金是由16wt.%的y与84wt.%的cu熔炼而成的合金。其特点为:1) 是共晶组成;2) 可藉助cu6y相提高铜的通电疲劳性。
27.上述cu-8wt.%p母合金是由8wt.%的p与92wt.%的cu熔炼而成的合金。其特点为:1) 是共晶组成;2) 可藉助cu3p相提高铜的抗氧化性。
28.本发明的耐高温抗氧化耐热疲劳之高功率用粗铜线,可以避免晶粒结构过大或过小所造成抗拉强度不合适、焊线不均匀等情况。本发明用于高功率半导体封装用粗铜线具有更高的焊接强度,更稳定的焊接能力,并解决功率循环中更大的电流承载问题 (电疲劳寿命),也起到更好稳定度。本发明用于高功率半导体封装用粗铜线具有更高的线材强度,且能够承受更大功率通电循环后所产生的热应力累积,线材不易断裂。再者,藉助合金元素的添加 (be 与y),可提升本案粗铜线的耐热性与电疲劳性。另外,铜线与基本dbc(陶瓷覆铜板)材质都属于铜材,但由于封装等级不同,因此容易受到环境腐蚀与氧化损坏的挑战,
而本案微量添加p元素能有效抑制腐蚀劣化情况。
29.值得注意: 球焊成型的细键合丝,通常线径为18-50μm,要求成球良好、焊接不易断线,主要用在ic芯片与支架的焊接或led芯片与支架的连接。本发明用于高功率半导体封装用粗铜线,主要用在高功率器件,如igbt模组中,dbc(陶瓷覆铜板)与dbc的互连,dbc与芯片和互连,dbc与端子的连接,其线径为100-500μm,焊接方式为超声波压焊,不存在热成球模式,焊接设备也不同,应用领域与细键合丝不同。本发明的粗铜线在进行超声波焊接时,都能实现稳定的焊接强度且焊接均匀性好,具优异耐热性与抗氧化性及电疲劳寿命。
附图说明
30.图1是本发明实施例粗铜线成品线材一焊点的焊点形貌图;图2是本发明实施例粗铜线成品线材二焊点的焊点形貌图。
具体实施方式
31.实施例1
32.用于高功率半导体封装用粗铜线的制造方法步骤与试验:(1)熔铸:按比例将微量添加元素be加入到铜原料中 (be:0.001wt.%,0.01wt.%,0.015wt.%,0.022wt.%),经过真空熔炼和定向连续引铸工艺,获得直径为6mm的铜合金棒;(2)对步骤(1)得到的铜合金棒进行拉拔与退火,获得直径为500μm的铜合金线 (二元的cu-be 微合金粗导线,表1)。用电感耦合等离子光谱发生仪(icp)测试cu-be的铍含量。
33.上述步骤(1)中,熔炼真空度为0.01pa,感应加热温度到1250℃,保持温度15分钟,并进行电磁搅拌30分钟后,再通入纯度为99.99%的氩气,控制炉内压力为1个大气压,连续铸造成直径为6mm铜合金棒。微量添加元素be以cu-4wt.%be母合金的形式加入。
34.上述步骤(2)包括如下步骤:(2-1)对步骤(1)得到的铜合金棒进行拉拔(采用金刚石模芯模具伸线),获得直径为1.0mm的铜合金线;(2-2)中间热处理:步骤(2-1)拉拔完成后,对铜合金线进行中间热处理,中间热处理采用真空热处理(温度为500℃,退火时间为1小时);(2-3)对经步骤(3)中间热处理的铜合金线继续进行拉拔(采用金刚石模芯模具伸线),获得直径为500μm的铜合金线;(2-4)对步骤(2-3)得到的铜合金线进行最终退火,最终退火采用真空退火工艺(退火温度450℃,时间1.5小时),最终退火结束后得到用于高功率半导体封装用粗铜线。
35.下表1 为cu-be 微合金粗导线 (线径: 500μm)在室温之平均晶粒径 (grain size, gs) 及硬度值(hv) 与拉伸性质 (ts: 拉力值, el: 延性)。
36.表1
37.由表1得知,发现添加微量be对晶粒径无显著影响,可增加线材硬度与拉伸强度,但当be含量超过0.015 wt.%,线材延性就降低到30%左右 (脆化效应)。
38.下表2 为cu-be 微合金粗导线(线径: 500μm)在300℃环境下持温1小时后之平均晶粒径 (grain size, gs) 及硬度值(hv) 与拉伸性质 (ts: 拉力值, el: 延性)。
39.表2
40.由表2得知,将cu-be 微合金粗导线置于300度1小时,发现纯铜线的晶粒异常成长,而添加be则有抑制组织粗化效应 (晶粒径无显著增加),为本案添加be的主要功效,但线材硬度与拉伸强度在高温下仍劣化。值得一提: 但当be含量为0.01 wt.%,线材延性由36%降低到32%左右,换句话说,高温环境的退火效应并无法显著改善延性。
41.实施例2
42.选用表1 中cu-be合金 (be: 0.01wt.%: 具有抑制粗晶与高延性优势) 进行y添加而制造cu-be-y粗铜线的步骤方法与试验:(1)熔铸:按比例将微量添加y元素加入到cu-0.01wt.% be原料中 (y: 0.001wt.%,0.01wt.%,0.03wt.%,0.06wt.%,0.09wt.%),经过真空熔炼和定向连续引铸工艺,获得直径为6mm的铜合金棒;(2)对步骤(1)得到的cu-be-y合金棒进行拉拔与退火,获得直径为500μm的铜合金线 (三元的cu-be-y 微合金粗导线)。
43.上述熔铸、拉拔与退火的具体工艺参照实施例1。微量添加元素y以cu-16wt.%y母
合金的形式加入。
44.将线材进行电疲劳试验,并将相关材料数据一并呈现在表3。通电疲劳寿命量测实验:以直径500μm纯粗铜线的极限熔断电流35a 的80%进行通电疲劳试验,导线长度设为50mm,通电10秒,断电5秒,为一通电循环次数,持续通电与断电,直到线材毁损而计数循环次数,称为通电疲劳循环寿命(electrical fatigue number, efn)。
45.下表3为cu-be-y 微合金粗导线 (线径: 500μm)在室温之平均晶粒径 (grain size, gs),硬度值(hv),拉伸性质 (ts: 拉力值, el: 延性),电疲劳寿命 (efn)。
46.表3
47.由表3得知: 在三元的cu-be-y 微合金粗导线中,强度与硬度均随着y添加量增加而提高 (另一方面: 延性降低),又因为增加有效成核点,使得晶粒径有降低趋势。在efn部分,呈现先增加后降低现象,确认99.9999 cu + 0.010 be + 0.06 y具有较佳电疲劳寿命。
48.实施例3
49.选用表3 中cu-0.01wt.% be-0.06wt.% y 粗导线 (具有较佳电疲劳寿命) 进行p添加而制造cu-be-y-p粗铜线的步骤方法与试验:(1)熔铸:按比例将微量添加p元素加入到cu-0.01wt.% be-0.06wt.% y原料中 (p: 0.001wt.%,0.01wt.%, 0.03wt.%,0.05wt.%,0.07wt.%),经过真空熔炼和定向连续引铸工艺,获得直径为6mm的铜合金棒;(2)对步骤(1)得到的cu-be-y-p合金棒进行拉拔与退火,获得直径为500μm的铜合金线 (四元的cu-be-y-p 微合金粗导线)。
50.上述熔铸、拉拔与退火的具体工艺参照实施例1。微量添加元素p以cu-8wt.%p母合金的形式加入。
51.下表4 为粗cu-0.01wt.% be-0.06 wt.%y-p线 (线径: 500μm)在室温之平均晶粒径 (grain size, gs),硬度值(hv),拉伸性质 (ts: 拉力值, el: 延性),电疲劳寿命 (efn),高温表面皮膜是否氧化 (温度150, 200, 250度,持温1小时)。
52.表4
53.在表4中,确认添加p可提高线材耐高温氧化性,特别是在250度高温环境下,一般铜线表面会严重氧化,而添加0.05 wt.% p 与0.07 wt.% p二组线材则具有优异抗高温氧化性能。再者,p是非金属,因此微量添加效应并不会明显影响线材机械性质。考虑粗线材打线稳定度 (延性》30%),所以本案p添加量上限为0.05 wt.%。
54.本实施例考虑线材在常温大气环境下(无保护),应具有优异抗氧化性,因此,将表4线材进行室温大气长时间的表面抗氧化性质调查。抗氧化性能测试方法:将线径500μm粗铜线裸线放置在室温环境,放置7/ 14/ 21/ 30天,到期后取样测试线表氧含量,氧含量越高,线表抗氧化能力越差。线表氧含量使用sem-eds设备测试,测试结果如表5所示。
55.表5
56.由表5可知,在空气室温下放置的过程看,随着放置时间的延长,表面氧含量都呈现增加的趋势,但添加p的线材氧含量明显相对较低,说明线材本身相对更不容易氧化,换言之,抗氧化性随着p含量增加而提升。
57.焊线及信赖性测试超声焊接方法是利用全自动焊接机台,将粗铜线焊接在dbc(陶瓷覆铜板)上,dbc材质为纯铜。
58.焊接能力包含事项如下:(1)焊点推力;测试方法:使用推拉力测试机设备测试,将焊线好的基板固定在设备上,将设备推刀停留焊点前方,高度为1/2-1/3焊点高度,按照一定速度对焊点施加推力,焊点被推脱的最大力即为焊点推力,设备自动记录焊点推力数据,测试20组数据,取平均值。合格标准:》10kg。
59.(2)线弧拉力;测试方法:使用推拉力测试机设备测试,将焊线好的基板固定在设备上,将设备拉力钩掛住线弧最高点,按照一定速度施加拉力,线弧被拉断的最大力即为线弧拉力,设备自动记录线弧拉力数据,测试20组数据,取平均值。合格标准:》5kg;(3)焊线作业稳定性(焊点失效个数);测试方法:焊点的外观评测,在20倍显微镜下,观察焊点是否有打裂或打烂的情形,出现打裂或打烂或虚焊,则为失效点。合格标准:0/200(即被测的200个焊点中没有焊点失效);(4)温度循环次数(信赖性)。
60.测试方法:将焊线后的产品放入温度循环测试设备内,在低温-45℃下维持30分钟,再在高温125℃下维持30分钟,为一个回合;重复运行,测试产品导通情况。合格标准:>1000回合。
61.测试结果如下表6所示。
62.表6 焊线及信赖性测试
63.表6中:
○
表示合适,
◎
表示优,x表示不合适。
64.本实施例微量添加元素be、y和p的添加量合适,结合合适的工艺控制,其晶粒尺寸合适,力学性能佳,焊接能力合适,焊点形貌良好(如图1和图2);有更高的焊点推力和线弧拉力,焊线焊点稳定,且有更优的温度循环能力。
65.综合表1-表6的测试结果可以看出,本发明采用含有适量微量添加元素be、y和p的铜微合金制成的粗铜线,具有以下有益效果:优良的耐高温性能,优良的抗氧化性能和优异的通电疲劳性能;线材焊接能力好,具备稳定的可靠性能。
66.本发明的粗铜线能够增强键合工艺的可靠性,特别是对于高功率密度、高效散热的功率模块,采用本发明的粗铜线键合耐高温性能好,抗氧化性能佳,具备优异的电疲劳能力,焊接作业性好,能够有效提升其功率循环能力。
技术特征:
1.一种耐高温抗氧化耐热疲劳之高功率用粗铜线,由铜微合金构成,其特征在于:所述铜微合金按重量计含有微量添加元素0.003wt.%~0.12wt.%,余量为铜;所述微量添加元素是be、y和p的组合;粗铜线成品线材结构的平均晶粒尺寸为2-50μm。2. 根据权利要求1所述的耐高温抗氧化耐热疲劳之高功率用粗铜线,其特征是:所述铜微合金中,be的含量在0.001wt.%-0.01wt.%之间,y的含量在0.001wt.%-0.06wt.%之间,p的含量在 0.001wt.%-0.05wt.%之间,且be、p和y的总含量为0.003wt.%~0.12wt.%。3. 根据权利要求1或2所述的耐高温抗氧化耐热疲劳之高功率用粗铜线,其特征是:余量铜的纯度为含铜量超过99.998 wt.%。4. 根据权利要求3所述的耐高温抗氧化耐热疲劳之高功率用粗铜线,其特征是:余量铜的纯度为含铜量超过99.999 wt.%。5.根据权利要求1或2所述的耐高温抗氧化耐热疲劳之高功率用粗铜线,其特征是:所述粗铜线成品线材的直径为100-500μm,粗铜线成品线材的延伸率在20-45%之间。6.权利要求1-5任一项所述的耐高温抗氧化耐热疲劳之高功率用粗铜线的制造方法,包括如下步骤:(1)熔铸:按比例将微量添加元素加入到铜原料中,经过真空熔炼和定向连续引铸工艺,获得直径为5-7mm的铜合金棒;(2)对步骤(1)得到的铜合金棒进行拉拔,获得直径为100-500μm的铜合金线;(3)对步骤(2)得到的铜合金线进行最终退火,最终退火采用真空退火工艺或管式退火,控制延伸率在20-45%之间,最终退火结束后,得到所需的耐高温抗氧化耐热疲劳之高功率用粗铜线。7.根据权利要求6所述的耐高温抗氧化耐热疲劳之高功率用粗铜线的制造方法,其特征在于所述步骤(2)包括如下步骤:(2-1)对步骤(1)得到的铜合金棒进行拉拔,获得直径为0.8-2.0mm的铜合金线;(2-2)中间热处理:步骤(2-1)拉拔完成后,对铜合金线进行中间热处理,中间热处理采用真空热处理或通电退火工艺;(2-3)对经步骤(3)中间热处理的铜合金线继续进行拉拔,获得直径为100-500μm的铜合金线。8.根据权利要求6或7所述的耐高温抗氧化耐热疲劳之高功率用粗铜线的制造方法,其特征在于:步骤(1)中,熔炼真空度为0.01-1pa,感应加热温度到1100-1250℃,保持温度5-30分钟,并进行电磁搅拌15-30分钟后,再通入纯度为99.99%~99.999%的氩气,控制炉内压力为0.9-1.1个大气压,连续铸造成直径为5-7mm铜合金棒。9.根据权利要求6或7所述的耐高温抗氧化耐热疲劳之高功率用粗铜线的制造方法,其特征在于:步骤(1)中,be以cu-be中间合金形式加入,y以cu-y中间合金的形式加入,p以cu-p中间合金的形式加入;加入的方式为cu-be中间合金优先加入到铜原料中,其次加入cu-y中间合金,最后加入cu-p中间合金。10.根据权利要求7所述的耐高温抗氧化耐热疲劳之高功率用粗铜线的制造方法,其特征在于:步骤(2-1)和步骤(2-3)中,采用金刚石模芯模具伸线;
步骤(3)中,采用真空退火工艺时,退火温度275-500℃,时间1-3小时;采用管式退火时,温度300-600℃,铜合金线的输送速度5-10米/分钟。
技术总结
本发明提供一种耐高温抗氧化耐热疲劳之高功率用粗铜线及其制造方法。这种耐高温抗氧化耐热疲劳之高功率用粗铜线由铜微合金构成;所述铜微合金按重量计含有微量添加元素0.003wt.%~0.12wt.%,余量为铜;所述微量添加元素是Be、Y和P的组合;粗铜线成品线材结构的平均晶粒尺寸为2-50μm。这种粗铜线耐高温性能好,抗氧化性能佳,通电疲劳能力好,超声波焊接能力优异(焊点推力高,焊线焊点稳定,线弧拉力高,温度循环能力优异)。本发明的粗铜线,用于高功率半导体封装(例如用于半导体功率器件、集成电路模块、电力功率模块、芯片与框架或电子器件的内部与引线的互连)时能够有效提升其功率循环能力。其功率循环能力。其功率循环能力。
技术研发人员:周博轩 周振基 郭骅德 于锋波 颜进 洪飞义 彭政展 王贤铭
受保护的技术使用者:汕头市骏码凯撒有限公司
技术研发日:2023.09.05
技术公布日:2023/10/15
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