倒装封装结构及其制作方法与流程

倒装封装结构及其制作方法
【技术领域】
1.本发明涉及倒装led封装技术领域，特别涉及一种倒装封装结构及其制作方法。


背景技术：

2.倒装led具有高效、节能、环保、体积小、超薄等优点，在照明、显示、信号、车载、手持式装置、可穿戴设备等领域获得广泛应用，但随着产品升级，终端产品对于倒装led的封装高度也提出了新的需求。
3.但当前行业内基于基板的倒装led的封装高度至少为0.2mm，无法满足现有终端产品超薄化的应用需求。


技术实现要素：

4.为解决现有技术中基于基板的倒装led的封装高度无法满足终端产品超薄化的应用需求的问题，本发明提供了一种倒装封装结构及其制作方法。
5.本发明解决技术问题的方案是提供一种倒装封装结构的制作方法，包括以下步骤：
6.提供单面覆铜pcb基板、倒装芯片、半固化片以及带有线路图案的阴阳铜双面覆铜pcb基板；所述单面覆铜pcb基板的厚度大于所述倒装芯片的厚度；
7.在所述单面覆铜pcb基板上沿含铜面向无铜面的方向铣出下沉式凹槽，并在所述下沉式凹槽内的预开窗位置和与所述预开窗位置对应的所述半固化片上均进行预开窗；
8.将已进行预开窗后的单面覆铜pcb基板和半固化片与阴阳铜双面覆铜pcb基板根据叠放顺序叠放并压合形成多层pcb线路板；
9.将倒装芯片固焊在多层pcb线路板的下沉式凹槽内，形成倒装封装结构。
10.优选地，提供单面覆铜pcb基板，具体包括：
11.提供双面覆铜pcb基板；所述双面覆铜pcb基板的厚度大于所述倒装芯片的厚度；
12.将所述双面覆铜pcb基板的单面覆铜面蚀刻掉铜，形成所述单面覆铜pcb基板。
13.优选地，提供带有线路图案的阴阳铜双面覆铜pcb基板，具体包括：
14.提供阴阳铜双面覆铜pcb基板；
15.对阴阳铜双面覆铜pcb基板的预制线路面依次进行前处理、贴膜、曝光、显影、蚀刻以及褪膜，使所述预制线路面上形成所述线路图案；所述预制线路面为阴阳铜双面覆铜pcb基板的阳铜面。
16.优选地，在所述下沉式凹槽内的预开窗位置和与所述预开窗位置对应的所述半固化片上均进行预开窗，具体包括：
17.根据所述倒装芯片固焊所需的焊盘尺寸设置第一开窗尺寸；
18.根据所述第一开窗尺寸在所述下沉式凹槽内的预开窗位置进行预开窗；
19.根据所述第一开窗尺寸在与所述预开窗位置对应的所述半固化片上进行预开窗。
20.优选地，根据所述第一开窗尺寸在与所述预开窗位置对应的所述半固化片上进行
预开窗，具体包括：
21.根据预设开窗尺寸公差对所述第一开窗尺寸进行补偿；
22.根据补偿后的第一开窗尺寸对与所述预开窗位置对应的所述半固化片上进行预开窗，使所述半固化片上的第二开窗尺寸与所述下沉式凹槽内的第一开窗尺寸相同。
23.优选地，所述叠放顺序依次为阴阳铜双面覆铜pcb基板、半固化片和单面覆铜pcb基板，所述阴阳铜双面覆铜pcb基板的阳铜面朝向所述半固化片，所述单面覆铜pcb基板的含铜面背离所述半固化片。
24.优选地，将已进行预开窗后的单面覆铜pcb基板和半固化片与阴阳铜双面覆铜pcb基板根据叠放顺序叠放并压合形成多层pcb线路板之后，所述方法还包括：
25.对多层pcb线路板中的阴阳铜双面覆铜pcb基板的阴铜面依次进行蚀刻盲孔和电镀镀铜填盲孔，使阴阳铜双面覆铜pcb基板的阴铜面与阳铜面互联导通。
26.优选地，将倒装芯片固焊在多层pcb线路板的下沉式凹槽内，形成倒装封装结构，具体包括：
27.通过固晶锡膏对倒装芯片进行固焊，以将倒装芯片固焊在多层pcb线路板的下沉式凹槽内；
28.通过模压或点胶切割的方式对固焊完成的倒装芯片进行封装，以形成倒装封装结构。
29.本发明为解决上述技术问题还提供一种倒装封装结构，采用如上任一项所述的倒装封装结构的制作方法制作得到。
30.优选地，所述倒装封装结构的封装高度小于0.2mm。
31.与现有技术相比，本发明提供的倒装封装结构及其制作方法具有以下优点：
32.1、本发明实施例中提供的一种倒装封装结构的制作方法，包括以下步骤：提供单面覆铜pcb基板、倒装芯片、半固化片以及带有线路图案的阴阳铜双面覆铜pcb基板；单面覆铜pcb基板的厚度大于倒装芯片的厚度；在单面覆铜pcb基板上沿含铜面向无铜面的方向铣出下沉式凹槽，并在下沉式凹槽内的预开窗位置和与预开窗位置对应的半固化片上均进行预开窗；将已进行预开窗后的单面覆铜pcb基板和半固化片与阴阳铜双面覆铜pcb基板叠放压合形成多层pcb线路板；将倒装芯片固焊在多层pcb线路板的下沉式凹槽内，形成倒装封装结构。通过设置下沉式凹槽，能使厚度为0.03mm倒装芯片固焊在多层pcb线路板的下沉式凹槽内，极大降低了成品的封装高度，最终得到的倒装封装结构的封装高度能小于0.2mm，满足现有终端产品超薄化的应用需求。另外，通过对半固化片预开窗，使得倒装芯片固焊所需的焊盘得以跨层显现，保证电气连通及增强最终成型的倒装封装结构的支撑强度。
33.2、本发明实施例中提供带有线路图案的阴阳铜双面覆铜pcb基板，具体包括：提供阴阳铜双面覆铜pcb基板；对阴阳铜双面覆铜pcb基板的预制线路面依次进行前处理、贴膜、曝光、显影、蚀刻以及褪膜，使预制线路面上形成线路图案；预制线路面为阴阳铜双面覆铜pcb基板的阳铜面。通过对阴阳铜双面覆铜pcb基板的预制线路面依次进行前处理、贴膜、曝光、显影、蚀刻以及褪膜，能使预制线路面上形成线路图案，即倒装芯片固焊所需焊盘图形，以便进行倒装芯片的固焊。
34.3、本发明实施例中在下沉式凹槽内的预开窗位置和与预开窗位置对应的所述半固化片上均进行预开窗，具体包括：根据倒装芯片固焊所需的焊盘尺寸设置第一开窗尺寸；
根据所述第一开窗尺寸在下沉式凹槽内的预开窗位置进行预开窗；根据第一开窗尺寸在与预开窗位置对应的半固化片上进行预开窗。通过倒装芯片固焊所需的焊盘尺寸设置第一开窗尺寸，并根据第一开窗尺寸在下沉式凹槽内的预开窗位置和与预开窗位置对应的半固化片上进行预开窗，从而能使下沉式凹槽内开窗的尺寸与半固化片上的开窗的尺寸相同，更符合倒装芯片固焊的需求；且下沉式凹槽内开窗与半固化片上的开窗对应，能使倒装芯片固焊所需的焊盘得以跨层显现，保证电气连通及增强最终成型的倒装封装结构的支撑强度。
35.4、本发明实施例中根据第一开窗尺寸在与所述预开窗位置对应的所述半固化片上进行预开窗，具体包括：根据预设开窗尺寸公差对第一开窗尺寸进行补偿；根据补偿后的第一开窗尺寸对与预开窗位置对应的半固化片上进行预开窗，使半固化片上的开窗尺寸与下沉式凹槽内的开窗尺寸相同。通过补偿后第一开窗尺寸对半固化片上进行预开窗，从而能使半固化片上的开窗尺寸与下沉式凹槽内的开窗尺寸相同，避免半固化片上的实际开窗尺寸过小或过大，影响倒装芯片的固焊。
36.5、本发明实施例中叠放顺序依次为阴阳铜双面覆铜pcb基板、半固化片和单面覆铜pcb基板，阴阳铜双面覆铜pcb基板的阳铜面朝向半固化片，单面覆铜pcb基板的含铜面背离所述半固化片。通过设置叠放的顺序，以便更好地进行层压，从而提高最终成型的倒装封装结构的支撑强度。
37.6、本发明实施例中将已进行预开窗后的单面覆铜pcb基板和半固化片与阴阳铜双面覆铜pcb基板根据叠放顺序叠放并压合形成多层pcb线路板之后，所述方法还包括：对多层pcb线路板中的阴阳铜双面覆铜pcb基板的阴铜面依次进行蚀刻盲孔和电镀镀铜填盲孔，使阴阳铜双面覆铜pcb基板的阴铜面与阳铜面互联导通。通过对阴阳铜双面覆铜pcb基板的阴铜面依次进行蚀刻盲孔和电镀镀铜填盲孔，使阴阳铜双面覆铜pcb基板的阴铜面与阳铜面互联导通，从而确保证倒装芯片可以与电源板连通，保证电气连通。另外还能为倒装芯片发热提供优异的散热通道。
38.7、本发明实施例中将倒装芯片固焊在多层pcb线路板的下沉式凹槽内，形成倒装封装结构，具体包括：通过固晶锡膏对倒装芯片进行固焊，以将倒装芯片固焊在多层pcb线路板的下沉式凹槽内；通过模压或点胶切割的方式对固焊完成的倒装芯片进行封装，以形成倒装封装结构。采用固晶锡膏进行固焊，能大幅度提升倒装芯片的导热性能和导电性能，同时还能提供更强的机械强度和电气连接，并能提高封装密度，实现更小尺寸、更高集成度的封装方案，从而使通过模压或点胶切割的方式封装后形成的led封装结构的导热性能和导电性能更高，封装高度更低。
39.8、本发明还提供一种倒装封装结构，具有与上述倒装封装结构的制作方法相同的有益效果，在此不做赘述。
【附图说明】
40.为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
41.图1是本发明第一实施例提供的倒装封装结构的制作方法的步骤流程图一。
42.图2是本发明第一实施例提供的倒装封装结构的制作方法中提供的单面覆铜pcb基板的俯视图。
43.图3是本发明第一实施例提供的倒装封装结构的制作方法中提供的单面覆铜pcb基板和半固化片的剖视图。
44.图4是本发明第一实施例提供的倒装封装结构的制作方法中提供的阴阳铜双面覆铜pcb基板的剖视图。
45.图5是本发明第一实施例提供的倒装封装结构的制作方法中压合形成的多层pcb线路板的剖视图。
46.图6是本发明第一实施例提供的倒装封装结构的制作方法中固焊完成的倒装封装结构的剖视图。
47.图7是本发明第一实施例提供的倒装封装结构的制作方法之步骤s204的具体步骤流程图。
48.图8是本发明第一实施例提供的倒装封装结构的制作方法的步骤流程图二。
49.图9是本发明第一实施例提供的倒装封装结构的制作方法之步骤s40的具体步骤流程图。
50.图10是本发明第二实施例提供的倒装封装结构的立体结构示意图。
51.附图标识说明：
52.1、倒装封装结构；2、多层pcb线路板；3、倒装芯片；
53.10、单面覆铜pcb基板；11、半固化片；13、阴阳铜双面覆铜pcb基板；14、固晶锡膏；31、电极。
54.101、含铜面；102、下沉式凹槽；103、第一开窗；111、第二开窗；131、阳铜面；132、阴铜面；133、线路图案；134、盲孔。
【具体实施方式】
55.为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施实例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
56.需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。
57.请参阅图1-图6，本发明第一实施例提供一种倒装封装结构1的制作方法，包括以下步骤：
58.s10：提供单面覆铜pcb基板10、倒装芯片3、半固化片11以及带有线路图案133的阴阳铜双面覆铜pcb基板13；所述单面覆铜pcb基板10的厚度大于所述倒装芯片3的厚度；
59.s20：在所述单面覆铜pcb基板10上沿含铜面101向无铜面的方向铣出下沉式凹槽102，并在所述下沉式凹槽102内的预开窗位置和与所述预开窗位置对应的所述半固化片11上均进行预开窗；
60.s30：将已进行预开窗后的单面覆铜pcb基板10和半固化片11与阴阳铜双面覆铜pcb基板13叠放压合形成多层pcb线路板2；
61.s40：将倒装芯片3固焊在多层pcb线路板2的下沉式凹槽102内，形成倒装封装结构1。
62.可以理解地，本实施例中所提供的单面覆铜pcb基板10的厚度须大于倒装芯片3的厚度，由此才能铣出高度大于倒装芯片3的下沉式凹槽102。该下沉式凹槽102为不导通的盲凹槽，该盲凹槽用于隔离或分隔电路的不同部分，在多层电路板中，能够划分各个电路层，防止不同层的电路信号干扰。且采用的倒装芯片3的厚度优选0.02mm-0.05mm，本实施例中，更优选的，可采用厚度为0.03mm倒装芯片3。半固化片11，即pp片的需满足厚度小于2mil，且rc值须大于70。下沉式凹槽102内的预开窗位置为倒装芯片3的电极31预放置位置。
63.可以理解地，通过步骤s20，可通过控深锣方式在提供的单面覆铜pcb基板10的含铜面101上铣出下沉式凹槽102，即沿含铜面101向无铜面的方向在单面覆铜pcb基板10铣出下沉式凹槽102。并在下沉式凹槽102内和半固化片11上均进行预开窗，从而使下沉式凹槽102内形成第一开窗103，半固化片11上形成第二开窗111；且下沉式凹槽102内的预开窗的第一开窗103的位置与半固化片11上进行预开窗的第二开窗111的位置一一对应，下沉式凹槽102内第一开窗103的尺寸与半固化片11上第二开窗111的尺寸相同。由此通过步骤30，可将已进行预开窗后的单面覆铜pcb基板10和半固化片11与阴阳铜双面覆铜pcb基板13一起叠放，即使下沉式凹槽102内的开窗与半固化片11的第一开窗103与第二开窗111的一一对应，并与阴阳铜双面覆铜pcb基板13叠放，以压合形成多层pcb线路板2。压合形成多层pcb线路板2中，下沉式凹槽102露出于外界。该多层线路板中阴阳铜双面覆铜pcb基板13上的线路图案133可依次经过半固化片11的第二开窗111和下沉式凹槽102内的第一开窗103，并露出于下沉式凹槽102内的底部，且不高于下沉式凹槽102的高度。由此，通过步骤s40，可将倒装芯片3放置在下沉式凹槽102内的第一开窗103对应的位置，并将倒装芯片3的电极31固焊在露出于下沉式凹槽102内的第一开窗103所在平面内的阴阳铜双面覆铜pcb基板13上的线路图案133上，由此完成了倒装芯片3的固焊，形成了倒装封装结构1。倒装芯片3固焊在下沉式凹槽102内时，其倒装芯片3的高度是小于下沉式凹槽102的高度，即倒装芯片3全部位于下沉式凹槽102内部。此时整体的倒装封装结构1仅为单面覆铜pcb基板10和半固化片11与阴阳铜双面覆铜pcb基板13一起压合后的高度，无需将倒装芯片3的厚度计算在内，由此，极大降低了最终形成的倒装封装结构1的封装高度h(如图6所示h)，使最终得到的倒装封装结构1的封装高度h能小于0.2mm，满足现有终端产品超薄化的应用需求。同时该倒装封装结构1为超薄三层板结构，其整体的支撑强度高，能在机械加工时提供足够的支撑，避免加工过程无铜保护树脂区域发生撕裂。另外，由于倒装芯片3全部位于下沉式凹槽102内部，并未露出于凹槽，降低了倒装芯片3受外部环境的影响度。除此之外，通过对半固化片11预开窗，使得倒装芯片3固焊所需的焊盘得以跨层显现，保证电气连通及增强最终成型的倒装封装结构1的支撑强度。
64.需要说明的是，在步骤s30中，是通过层压的方式对叠放好的单面覆铜pcb基板10和半固化片11与阴阳铜双面覆铜pcb基板13进行压合。通过层压的方式压合，增强了最终成型的倒装封装结构1的整体支撑强度。另外，还可有效释放单面覆铜pcb基板10和阴阳铜双面覆铜pcb基板13的内部应力，使倒装芯片3封装制程热处理后翘曲度可得到改善。
65.需要说明的是，本实施例中，倒装芯片3为倒装led芯片，采用的倒装led芯片的厚度优选0.02mm-0.05mm，本实施例中，更优选的，可采用厚度为0.03mm倒装led芯片，最终形成的倒装封装结构1的封装高度h也将小于0.2mm。
66.进一步地，提供单面覆铜pcb基板10，具体包括：
67.s101：提供双面覆铜pcb基板；所述双面覆铜pcb基板的厚度大于所述倒装芯片3的厚度；
68.s102：将所述双面覆铜pcb基板的单面覆铜面蚀刻掉铜，形成所述单面覆铜pcb基板10。
69.可以理解地，本实施例的单面覆铜pcb基板10可由双面覆铜pcb基板制作而成。具体地，可采用厚度大于倒装芯片3的厚度的双面覆铜pcb基板，并将双面覆铜pcb基板中的其中一面单面覆铜面蚀刻掉铜，从而形成单面覆铜pcb基板10，且该单面覆铜pcb基板10的厚度仍然需要满足厚度大于倒装芯片3的厚度，使铣出的下沉式凹槽102的高度是大于倒装芯片3的厚度，使倒装芯片3完全位于下沉式凹槽102的内部。从而可通过蚀刻形成厚度更低的单面覆铜pcb基板10。
70.可选的，也可直接采用单面覆铜pcb基板10，本实施例中对此不做限制，满足最后的单面覆铜pcb基板10的厚度大于倒装芯片3的厚度即可。
71.请参阅图4，进一步地，提供带有线路图案133的阴阳铜双面覆铜pcb基板13，具体包括：
72.s103：提供阴阳铜双面覆铜pcb基板13；
73.s104：对阴阳铜双面覆铜pcb基板13的预制线路面依次进行前处理、贴膜、曝光、显影、蚀刻以及褪膜，使所述预制线路面上形成所述线路图案133；所述预制线路面为阴阳铜双面覆铜pcb基板13的阳铜面131。
74.可以理解地，线路图案133为倒装芯片3固焊所需的焊盘图形，该焊盘图形需形成在双面覆铜pcb基板的预制线路面上，也即阴阳铜双面覆铜pcb基板13的阳铜面131上。
75.可以理解地，可采用阴阳铜双面覆铜pcb基板13，并根据倒装芯片3固焊所需的焊盘图形对阴阳铜双面覆铜pcb基板13的预制线路面进行线路工艺处理，具体操作依次为：前处理、贴膜、曝光、显影、蚀刻以及褪膜，阴面铜保持全铜覆盖，从而将设计的焊盘图形转移到阴阳铜双面覆铜pcb基板13的预制线路面，以在预制线路面上形成与焊盘图形对应的线路图案133。该线路图案133在压合后可依次经过半固化片11的第二开窗111和下沉式凹槽102内的第一开窗103，且不高于该下沉式凹槽102的高度，便于将倒装芯片3的电极31固焊在该线路图案133上，从而实现倒装芯片3与阴阳铜双面覆铜pcb基板13的电路导通。
76.请参阅图3，进一步地，在所述下沉式凹槽102内的预开窗位置和与所述预开窗位置对应的所述半固化片11上均进行预开窗，具体包括：
77.s202：根据所述倒装芯片3固焊所需的焊盘尺寸设置第一开窗103尺寸；
78.s203：根据所述第一开窗103尺寸在所述下沉式凹槽102内的预开窗位置进行预开窗；
79.s204：所述第一开窗103尺寸在与所述预开窗位置对应的所述半固化片11上进行预开窗。
80.可以理解地，在进行预开窗之前，可根据倒装芯片3固焊所需的焊盘尺寸设置第一
开窗103尺寸，且该第一开窗103尺寸需与阴阳铜双面覆铜pcb基板13上线路图案133的尺寸对应，从而根据该第一开窗103尺寸在下沉式凹槽102内的预开窗位置和与预开窗位置对应的半固化片11上进行预开窗，使下沉式凹槽102内第一开窗103的尺寸与半固化片11上的第二开窗111的尺寸相同，以避免下沉式凹槽102内第一开窗103的尺寸与半固化片11上的第二开窗111的尺寸过大或过小，从而避免阴阳铜双面覆铜pcb基板13上线路图案133无法穿过下沉式凹槽102内的第一开窗103和半固化片11上的第二开窗111。且下沉式凹槽102内第一开窗103位置与半固化片11上的第二开窗111位置对应，从而能使阴阳铜双面覆铜pcb基板13上线路图案133准确穿过下沉式凹槽102内的第一开窗103和半固化片11上的第二开窗111，以符合倒装芯片3固焊的需求，能使倒装芯片3固焊所需的焊盘得以跨层显现，保证电气连通及增强最终成型的倒装封装结构1的支撑强度。
81.请结合图3和图7，进一步地，步骤s204，具体包括：
82.s2041：根据预设开窗尺寸公差对所述第一开窗103尺寸进行补偿；
83.s2042：根据补偿后的第一开窗103尺寸对与所述预开窗位置对应的所述半固化片11上进行预开窗，使所述半固化片11上的第二开窗111尺寸与所述下沉式凹槽102内的第一开窗103尺寸相同。
84.可以理解地，本实施例中的半固化片11是通过铣锣的方式进行预开窗。若直接根据最初设置的第一开窗103尺寸以铣锣的方式对半固化片11进行预开窗，会使半固化片11的实际开窗尺寸与最初的设置的第一开窗103尺寸之间存在公差，因而也与下沉式凹槽102内的第一开窗103尺寸之间存在公差，使两者的开窗无法做到对应重合，进而影响倒装芯片3的焊接。因而可通过步骤s2041，可根据预设开窗尺寸公差对最初根据倒装芯片3固焊所需的焊盘尺寸设置第一开窗103尺寸进行补偿。并通过步骤s2042，根据补偿后的第一开窗103尺寸对与预开窗位置对应的半固化片11上进行预开窗，从而能使半固化片11上的第二开窗111尺寸与下沉式凹槽102内的第一开窗103尺寸相同，以避免半固化片11上的实际开窗尺寸过小或过大，进而避免半固化片11与下沉式凹槽102内的开窗存在公差，影响倒装芯片3的焊接。
85.具体地，在设计半固化片11铣锣的锣带资料时将半固化片11的第二开窗111的实际尺寸公差做补偿，即预设开窗尺寸公差是预先依据铣锣的锣带资料设置的，避免实际开窗尺寸过小或过大。
86.请参阅图5，进一步地，叠放顺序依次为阴阳铜双面覆铜pcb基板13、半固化片11和单面覆铜pcb基板10，所述阴阳铜双面覆铜pcb基板13的阳铜面131朝向所述半固化片11，所述单面覆铜pcb基板10的含铜面101背离所述半固化片11。
87.可以理解地，压合之前，还需要将根据叠放顺序依次将阴阳铜双面覆铜pcb基板13、半固化片11和单面覆铜pcb基板10进行叠放。使半固化片11位于阴阳铜双面覆铜pcb基板13和单面覆铜pcb基板10之间，并使阴阳铜双面覆铜pcb基板13的阳铜面131和单面覆铜pcb基板10的无铜面均朝向半固化片11，并使阴阳铜双面覆铜pcb基板13的阴铜面132和单面覆铜pcb基板10的含铜面101均背离半固化片11，从而使含铜面101上的下沉式凹槽背离半固化片11，从而露出于外界。同时，下沉式凹槽102内的第一开窗103与半固化片11的第二开窗111一一对应，阴阳铜双面覆铜pcb基板13阳铜面131上的线图图片即焊盘图形依次穿过半固化片11的第二开窗111与下沉式凹槽102内的第一开窗103。从而完成了单面覆铜pcb
基板10和半固化片11与阴阳铜双面覆铜pcb基板13的叠放，以便更好地进行层压，从而提高最终成型的倒装封装结构1的支撑强度。
88.请结合图4和图8，进一步地，步骤s30之后，所述方法还包括：
89.s31：对多层pcb线路板2中的阴阳铜双面覆铜pcb基板13的阴铜面132依次进行蚀刻盲孔134和电镀镀铜填盲孔134，使阴阳铜双面覆铜pcb基板13的阴铜面132与阳铜面131互联导通。
90.可以理解地，进行蚀刻盲孔134之前，还需进行棕化，防止阴铜面132氧化。且电镀镀铜填盲孔134的具体操作依次为盲孔134孔金属化、盲孔134填孔、电镀线路，从而将蚀刻形成的盲孔134填平。本实施例中，优选的，采用激光进行蚀刻。阴阳铜双面覆铜pcb基板13的阴铜面132上盲孔134位置与阳铜面131上的依次穿进半固化片11的第二开窗111和下沉式凹槽102内的第一开窗103对应，由此，依次经过蚀刻盲孔134和电镀镀铜填盲孔134可将阴阳铜双面覆铜pcb基板13的阴铜面132与阳铜面131上的线路图案133导通，即与焊盘图形进行互联导通，从而确保证倒装芯片3可以与电源板连通，保证电气连通。另外还能为倒装芯片3发热提供优异的散热通道。
91.请结合图4和图9，进一步地，步骤s40，具体包括：
92.步骤s401：通过固晶锡膏14对倒装芯片3进行固焊，以将倒装芯片3固焊在多层pcb线路板2的下沉式凹槽102内；
93.步骤s402：通过模压或点胶切割的方式对固焊完成的倒装芯片3进行封装，以形成倒装封装结构1。
94.可以理解地，可采用固晶锡膏14对倒装芯片3进行固焊，即通过固晶锡膏14将倒装芯片3的电极31固焊在多层pcb线路板2的下沉式凹槽102内，并固焊在阴阳铜双面覆铜pcb基板13的阳铜面131上的线路图案133上，即焊盘图形上，由此完成了倒装芯片3的固焊。从而可通过模压或点胶切割的方式对固焊完成的倒装芯片3进行封装，从而形成倒装封装结构1。采用固晶锡膏14进行固焊，能大幅度提升倒装芯片3的导热性能和导电性能，同时还能提供更强的机械强度和电气连接，并能提高封装密度，实现更小尺寸、更高集成度的封装方案，从而使通过模压或点胶切割的方式封装后形成的led封装结构的导热性能和导电性能更高，封装高度h更低。
95.请参阅图10，本发明第二实施例提供一种倒装封装结构，采用第一实施例的倒装封装结构的制作方法制作得到。
96.可以理解地，采用第一实施例的倒装封装结构的制作方法制作得到的倒装封装结构的封装高度能满足现有终端产品超薄化的应用需求，且整体的支撑强度高，能在机械加工时提供足够的支撑，避免加工过程无铜保护树脂区域发生撕裂。另外，倒装封装结构的翘曲度低。
97.进一步地，采用第一实施例的倒装封装结构的制作方法制作得到的倒装封装结构封装高度能小于0.2mm，能满足现有终端产品超薄化的应用需求。
98.与现有技术相比，本发明提供的倒装封装结构及其制作方法具有以下优点：
99.1、本发明实施例中提供的一种倒装封装结构的制作方法，包括以下步骤：提供单面覆铜pcb基板、倒装芯片、半固化片以及带有线路图案的阴阳铜双面覆铜pcb基板；单面覆铜pcb基板的厚度大于倒装芯片的厚度；在单面覆铜pcb基板上沿含铜面向无铜面的方向铣
出下沉式凹槽，并在下沉式凹槽内的预开窗位置和与预开窗位置对应的半固化片上均进行预开窗；将已进行预开窗后的单面覆铜pcb基板和半固化片与阴阳铜双面覆铜pcb基板叠放压合形成多层pcb线路板；将倒装芯片固焊在多层pcb线路板的下沉式凹槽内，形成倒装封装结构。通过设置下沉式凹槽，能使厚度为0.03mm倒装芯片固焊在多层pcb线路板的下沉式凹槽内，极大降低了成品的封装高度，最终得到的倒装封装结构的封装高度能小于0.2mm，满足现有终端产品超薄化的应用需求。另外，通过对半固化片预开窗，使得倒装芯片固焊所需的焊盘得以跨层显现，保证电气连通及增强最终成型的倒装封装结构的支撑强度。
100.2、本发明实施例中提供带有线路图案的阴阳铜双面覆铜pcb基板，具体包括：提供阴阳铜双面覆铜pcb基板；对阴阳铜双面覆铜pcb基板的预制线路面依次进行前处理、贴膜、曝光、显影、蚀刻以及褪膜，使预制线路面上形成线路图案；预制线路面为阴阳铜双面覆铜pcb基板的阳铜面。通过对阴阳铜双面覆铜pcb基板的预制线路面依次进行前处理、贴膜、曝光、显影、蚀刻以及褪膜，能使预制线路面上形成线路图案，即倒装芯片固焊所需焊盘图形，以便进行倒装芯片的固焊。
101.3、本发明实施例中在下沉式凹槽内的预开窗位置和与预开窗位置对应的所述半固化片上均进行预开窗，具体包括：根据倒装芯片固焊所需的焊盘尺寸设置第一开窗尺寸；根据所述第一开窗尺寸在下沉式凹槽内的预开窗位置进行预开窗；根据第一开窗尺寸在与预开窗位置对应的半固化片上进行预开窗。通过倒装芯片固焊所需的焊盘尺寸设置第一开窗尺寸，并根据第一开窗尺寸在下沉式凹槽内的预开窗位置和与预开窗位置对应的半固化片上进行预开窗，从而能使下沉式凹槽内开窗的尺寸与半固化片上的开窗的尺寸相同，更符合倒装芯片固焊的需求；且下沉式凹槽内开窗与半固化片上的开窗对应，能使倒装芯片固焊所需的焊盘得以跨层显现，保证电气连通及增强最终成型的倒装封装结构的支撑强度。
102.4、本发明实施例中根据第一开窗尺寸在与所述预开窗位置对应的所述半固化片上进行预开窗，具体包括：根据预设开窗尺寸公差对第一开窗尺寸进行补偿；根据补偿后的第一开窗尺寸对与预开窗位置对应的半固化片上进行预开窗，使半固化片上的开窗尺寸与下沉式凹槽内的开窗尺寸相同。通过补偿后第一开窗尺寸对半固化片上进行预开窗，从而能使半固化片上的开窗尺寸与下沉式凹槽内的开窗尺寸相同，避免半固化片上的实际开窗尺寸过小或过大，影响倒装芯片的固焊。
103.5、本发明实施例中叠放顺序依次为阴阳铜双面覆铜pcb基板、半固化片和单面覆铜pcb基板，阴阳铜双面覆铜pcb基板的阳铜面朝向半固化片，单面覆铜pcb基板的含铜面背离所述半固化片。通过设置叠放的顺序，以便更好地进行层压，从而提高最终成型的倒装封装结构的支撑强度。
104.6、本发明实施例中将已进行预开窗后的单面覆铜pcb基板和半固化片与阴阳铜双面覆铜pcb基板根据叠放顺序叠放并压合形成多层pcb线路板之后，所述方法还包括：对多层pcb线路板中的阴阳铜双面覆铜pcb基板的阴铜面依次进行蚀刻盲孔和电镀镀铜填盲孔，使阴阳铜双面覆铜pcb基板的阴铜面与阳铜面互联导通。通过对阴阳铜双面覆铜pcb基板的阴铜面依次进行蚀刻盲孔和电镀镀铜填盲孔，使阴阳铜双面覆铜pcb基板的阴铜面与阳铜面互联导通，从而确保证倒装芯片可以与电源板连通，保证电气连通。另外还能为倒装芯片发热提供优异的散热通道。
105.7、本发明实施例中将倒装芯片固焊在多层pcb线路板的下沉式凹槽内，形成倒装封装结构，具体包括：通过固晶锡膏对倒装芯片进行固焊，以将倒装芯片固焊在多层pcb线路板的下沉式凹槽内；通过模压或点胶切割的方式对固焊完成的倒装芯片进行封装，以形成倒装封装结构。采用固晶锡膏进行固焊，能大幅度提升倒装芯片的导热性能和导电性能，同时还能提供更强的机械强度和电气连接，并能提高封装密度，实现更小尺寸、更高集成度的封装方案，从而使通过模压或点胶切割的方式封装后形成的led封装结构的导热性能和导电性能更高，封装高度更低。
106.8、本发明还提供一种倒装封装结构，具有与上述倒装封装结构的制作方法相同的有益效果，在此不做赘述。
107.以上对本发明实施例公开的一种倒装封装结构及其制作方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，根据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制，凡在本发明的原则之内所作的任何修改，等同替换和改进等均应包含本发明的保护范围之内。

技术特征：
1.一种倒装封装结构的制作方法，其特征在于：包括以下步骤：提供单面覆铜p c b基板、倒装芯片、半固化片以及带有线路图案的阴阳铜双面覆铜p c b基板；所述单面覆铜p c b基板的厚度大于所述倒装芯片的厚度；在所述单面覆铜p c b基板上沿含铜面向无铜面的方向铣出下沉式凹槽，并在所述下沉式凹槽内的预开窗位置和与所述预开窗位置对应的所述半固化片上均进行预开窗；将已进行预开窗后的单面覆铜p c b基板和半固化片与阴阳铜双面覆铜p c b基板根据叠放顺序叠放并压合形成多层p c b线路板；将倒装芯片固焊在多层p c b线路板的下沉式凹槽内，形成倒装封装结构。2.如权利要求1所述的倒装封装结构的制作方法，其特征在于：提供单面覆铜p c b基板，具体包括：提供双面覆铜p c b基板；所述双面覆铜p c b基板的厚度大于所述倒装芯片的厚度；将所述双面覆铜p c b基板的单面覆铜面蚀刻掉铜，形成所述单面覆铜p c b基板。3.如权利要求1所述的倒装封装结构的制作方法，其特征在于：提供带有线路图案的阴阳铜双面覆铜p c b基板，具体包括：提供阴阳铜双面覆铜p c b基板；对阴阳铜双面覆铜p c b基板的预制线路面依次进行前处理、贴膜、曝光、显影、蚀刻以及褪膜，使所述预制线路面上形成所述线路图案；所述预制线路面为阴阳铜双面覆铜p c b基板的阳铜面。4.如权利要求1所述的倒装封装结构的制作方法，其特征在于：在所述下沉式凹槽内的预开窗位置和与所述预开窗位置对应的所述半固化片上均进行预开窗，具体包括：根据所述倒装芯片固焊所需的焊盘尺寸设置第一开窗尺寸；根据所述第一开窗尺寸在所述下沉式凹槽内的预开窗位置进行预开窗；根据所述第一开窗尺寸在与所述预开窗位置对应的所述半固化片上进行预开窗。5.如权利要求4所述的倒装封装结构的制作方法，其特征在于：根据所述第一开窗尺寸在与所述预开窗位置对应的所述半固化片上进行预开窗，具体包括：根据预设开窗尺寸公差对所述第一开窗尺寸进行补偿；根据补偿后的第一开窗尺寸对与所述预开窗位置对应的所述半固化片上进行预开窗，使所述半固化片上的第二开窗尺寸与所述下沉式凹槽内的第一开窗尺寸相同。6.如权利要求1所述的倒装封装结构的制作方法，其特征在于：所述叠放顺序依次为阴阳铜双面覆铜p c b基板、半固化片和单面覆铜p c b基板，所述阴阳铜双面覆铜p c b基板的阳铜面朝向所述半固化片，所述单面覆铜p c b基板的含铜面背离所述半固化片。7.如权利要求1所述的倒装封装结构的制作方法，其特征在于：将已进行预开窗后的单面覆铜p c b基板和半固化片与阴阳铜双面覆铜p c b基板根据叠放顺序叠放并压合形成多层p c b线路板之后，所述方法还包括：对多层p c b线路板中的阴阳铜双面覆铜p c b基板的阴铜面依次进行蚀刻盲孔和电镀镀铜填盲孔，使阴阳铜双面覆铜p c b基板的阴铜面与阳铜面互联导通。8.如权利要求1所述的倒装封装结构的制作方法，其特征在于：将倒装芯片固焊在多层p c b线路板的下沉式凹槽内，形成倒装封装结构，具体包括：通过固晶锡膏对倒装芯片进行固焊，以将倒装芯片固焊在多层p c b线路板的下沉式
凹槽内；通过模压或点胶切割的方式对固焊完成的倒装芯片进行封装，以形成倒装封装结构。9.一种倒装封装结构，其特征在于：采用如权利要求1-8的任一项所述的倒装封装结构的制作方法制作得到。10.如权利要求9所述的倒装封装结构，其特征在于：所述倒装封装结构的封装高度小于0.2mm。

技术总结
本发明涉及倒装LED封装技术领域，特别涉及一种倒装封装结构及其制作方法，本发明提供的倒装封装结构的制作方法，包括以下步骤：提供单面覆铜PCB基板、倒装芯片、半固化片以及带有线路图案的阴阳铜双面覆铜PCB基板；单面覆铜PCB基板的厚度大于倒装芯片的厚度；在单面覆铜PCB基板上沿含铜面向无铜面的方向铣出下沉式凹槽，并在下沉式凹槽内的预开窗位置和与预开窗位置对应的半固化片上均进行预开窗；将预开窗后的单面覆铜PCB基板和半固化片与阴阳铜双面覆铜PCB基板根据叠放顺序叠放并压合形成多层PCB线路板；将倒装芯片固焊在多层PCB线路板的下沉式凹槽内，形成倒装封装结构。实现了倒装封装结构的封装高度能小于0.2mm，满足现有终端产品超薄化的应用需求。现有终端产品超薄化的应用需求。现有终端产品超薄化的应用需求。


技术研发人员：杜振龙 张嘉显 龚伟斌
受保护的技术使用者：浙江瑞丰光电有限公司
技术研发日：2023.07.07
技术公布日：2023/10/15