驱动基板、显示面板及电子设备的制作方法

1.本技术涉及显示技术领域，具体涉及一种驱动基板、显示面板及电子设备。


背景技术：

2.在显示技术领域中，通常会大量采用薄膜晶体管组成电路来驱动显示装置。在一实施方式中，采用大量的氧化物半导体薄膜晶体管来组成电路驱动显示装置。
3.其中，驱动电路包括开关薄膜晶体管，开关薄膜晶体管要求较快的开关速度，所以要求较小的亚阈值摆幅(ss)。


技术实现要素：

4.本技术提供的驱动基板、显示面板及电子设备，以使开关薄膜晶体管的亚阈值摆幅变小。
5.为了解决上述技术问题，本技术提供的第一个技术方案为：提供一种驱动基板，包括衬底和设于所述衬底上的开关薄膜晶体管，其中，所述开关薄膜晶体管包括第一栅极电极、第一绝缘层、第一氧化物半导体层、第一源极电极、第一漏极电极和吸附层；所述第一绝缘层设于所述第一栅极电极的一侧；所述第一氧化物半导体层设于所述第一绝缘层远离所述第一栅极电极的一侧；所述第一源极电极和所述第一漏极电极设于所述第一绝缘层远离所述第一栅极电极的一侧，且与所述第一氧化物半导体层电连接；所述吸附层设于所述第一氧化物半导体层的表面；所述吸附层的材料具有与所述第一氧化物半导体层的材料中的氧结合的能力。
6.在一实施方式中，所述第一栅极电极位于所述第一绝缘层靠近所述衬底的一侧；所述吸附层设于所述第一氧化物半导体层靠近所述第一栅极电极的表面；
7.优选地，述吸附层覆盖整个所述第一氧化物半导体层靠近所述第一栅极电极的表面。
8.在一实施方式中，所述第一栅极电极位于所述第一绝缘层靠近所述衬底的一侧；所述吸附层设于所述第一氧化物半导体层远离所述第一栅极电极的表面；
9.优选地，所述第一源极电极至少部分设于所述第一氧化物半导体层远离所述第一栅极电极的表面，所述第一漏极电极至少部分设于所述第一氧化物半导体层远离所述第一栅极电极的表面；所述第一氧化物半导体层远离所述第一栅极电极的表面未被所述第一源极电极和所述第一漏极电极覆盖的区域定义为第一区域，所述吸附层覆盖整个所述第一区域。
10.在一实施方式中，所述驱动基板还包括驱动薄膜晶体管，所述驱动薄膜晶体管包括第二栅极电极、第二绝缘层、第二氧化物半导体层、第二源极电极、第二漏极电极；所述第二绝缘层设于所述第二栅极电极的一侧；所述第二氧化物半导体层设于所述第二绝缘层远离所述第二栅极电极的一侧；所述第二源极电极和所述第二漏极电极设于所述第二绝缘层远离所述第二栅极电极的一侧，且与所述第二氧化物半导体层电连接；其中，所述驱动薄膜
晶体管中没有吸附层；
11.优选地，所述第二栅极电极位于所述第二绝缘层靠近所述衬底的一侧。
12.在一实施方式中，所述吸附层的材料包括游离的金属，所述金属具有与所述第一氧化物半导体层的材料中的氧结合的能力；
13.优选地，所述吸附层的材料包括游离的金属镁。
14.在一实施方式中，所述吸附层的材料包括金属氧化物，所述金属氧化物包括游离的金属；
15.优选地，所述吸附层的材料包括氧化镁和/或过氧化镁，所述氧化镁和/或所述过氧化镁包括游离的金属镁。
16.在一实施方式中，所述吸附层的厚度为30nm-50nm。
17.在一实施方式中，所述第一氧化物半导体层和所述第二氧化物半导体层的材料包括氧化铟锡、氧化铟镓中的至少一种。
18.为了解决上述技术问题，本技术提供的第二个技术方案为：提供一种显示面板，包括上述任一项所述的驱动基板和发光结构层；所述发光结构层设于所述驱动基板的一侧。
19.为了解决上述技术问题，本技术提供的第三个技术方案为：提供一种电子设备，包括上述所述的显示面板。
20.本技术的有益效果：区别于现有技术，本技术公开了一种驱动基板、显示面板及电子设备；驱动基板包括衬底和设置于衬底上的开关薄膜晶体管；开关薄膜晶体管包括第一栅极电极、第一绝缘层、第一氧化物半导体层、第一源极电极、第一漏极电极和吸附层；第一绝缘层设于第一栅极电极的一侧；第一氧化物半导体层设于第一绝缘层远离第一栅极电极的一侧；第一源极电极和第一漏极电极与所述第一氧化物半导体层电连接；吸附层设于第一氧化物半导体层的表面；吸附层的材料具有与第一氧化物半导体层的材料中的氧结合的能力，使得第一氧化物半导体层中的氧空位增加，进而导致开关薄膜晶体管的亚阈值摆幅变小。
附图说明
21.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
22.图1是本技术实施例提供的驱动基板的结构示意图；
23.图2是图1所示的吸附层另一实施方式的结构示意图；
24.图3是图1所示的吸附层另一实施方式的结构示意图；
25.图4是图1所示的吸附层另一实施方式的结构示意图；
26.图5是本技术实施例提供的显示面板的结构示意图。
具体实施方式
27.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于
本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
28.以下描述中，为了说明而不是为了限定，提出了诸如特定系统结构、接口、技术之类的具体细节，以便透彻理解本技术。
29.本技术中的术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”、“第三”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个所述特征。本技术的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。本技术实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后
……
)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果所述特定姿态发生改变时，则所述方向性指示也相应地随之改变。本技术实施例中的术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元，而是可选地还包括没有列出的步骤或单元，或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或组件。
30.在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本技术的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现所述短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。
31.下面结合附图和实施例对本技术进行详细的说明。
32.请参阅图1-图4，图1是本技术实施例提供的驱动基板的结构示意图，图2是图1所示的吸附层另一实施方式的结构示意图，图3是图1所示的吸附层另一实施方式的结构示意图，图4是图1所示的吸附层另一实施方式的结构示意图。
33.驱动基板1包括衬底11和设于衬底11上的开关薄膜晶体管12。开关薄膜晶体管12包括第一栅极电极121、第一绝缘层122、第一氧化物半导体层123、第一源极电极124、第一漏极电极125、吸附层126。第一绝缘层122设于第一栅极电极121的一侧。第一氧化物半导体层123设于第一绝缘层122远离第一栅极电极121的一侧。第一源极电极124和第一漏极电极125设于第一绝缘层122远离第一栅极电极121的一侧，且与第一氧化物半导体层123电连接。吸附层126设于第一氧化物半导体层123的表面。吸附层126的材料具有与第一氧化物半导体层123的材料中的氧结合的能力，以使第一氧化物半导体层123中的氧空位增加，进而导致开关薄膜晶体管12的亚阈值摆幅变小，开关薄膜晶体管12具有较快的开关速度。
34.在本实施例中，第一栅极电极121设于第一绝缘层122靠近衬底11的一侧；即，开关薄膜晶体管12为底栅结构。第一源极电极124至少部分设于第一氧化物半导体层123远离第一栅极电极121的表面，第一漏极电极125至少部分设于第一氧化物半导体层123远离第一栅极电极121的表面；示例性的，第一源极电极124完全设于第一氧化物半导体层123远离第一栅极电极121的表面，第一漏极电极125完全设于第一氧化物半导体层123远离第一栅极电极121的表面。
35.在一实施方式中，如图1所示，吸附层126设于第一氧化物半导体层123靠近第一栅极电极121的表面。优选地，吸附层126覆盖整个第一氧化物半导体层123靠近第一栅极电极121的表面。需要说明的是，本技术对吸附层126覆盖第一氧化物半导体层123靠近第一栅极
电极121的表面的面积并不限定，能够增加第一氧化物半导体层123中的氧空位即可。
36.在一实施方式中，如图2所示，吸附层126设于第一氧化物半导体层123远离第一栅极电极121的表面。优选地，第一氧化物半导体层123远离第一栅极电极121的表面未被第一源极电极124和第一漏极电极125覆盖的区域定义为第一区域(图未标)，吸附层126覆盖整个第一区域。需要说明的是，本技术对吸附层126覆盖第一氧化物半导体层123远离第一栅极电极121的表面的面积并不限定，能够增加第一氧化物半导体层123中的氧空位即可。
37.在一实施方式中，如图3所示，第一源极电极124远离第一漏极电极125的一侧的侧面相对于第一氧化物半导体层123的侧面内缩，第一漏极电极125远离第一源极电极124的一侧的侧面相对于第一氧化物半导体层123的侧面内缩；吸附层126设于第一氧化物半导体层123远离第一栅极电极121的表面，部分吸附层126位于第一源极电极124与第一漏极电极125之间，部分吸附层126位于第一源极电极124远离第一漏极电极125一侧的侧面和第一漏极电极125远离第一源极电极124一侧的侧面。
38.在一实施方式中，如图4所示，第一氧化物半导体层123靠近第一栅极电极121的表面和第一氧化物半导体层123远离第一栅极电极121的表面均设有吸附层126。优选地，吸附层126将第一氧化物半导体层123靠近第一栅极电极121的表面完全覆盖；且吸附层126完全覆盖第一氧化物半导体层123远离第一栅极电极121的表面未被第一源极电极124和第一漏极电极125覆盖的区域。
39.在一实施方式中，吸附层126的材料包括游离的金属，该金属具有与第一氧化物半导体层123的材料中的氧结合的能力。优选地，吸附层126的材料包括游离的金属镁。游离的金属镁会吸附第一氧化物半导体层123中的氧，形成稳定的mg-o键。
40.在一实施方式中，吸附层126的材料包括金属氧化物，金属氧化物包括游离的金属，该金属具有与第一氧化物半导体层123的材料中的氧结合的能力。优选地，吸附层126的材料包括氧化镁和/或过氧化镁，氧化镁和/或过氧化镁包括游离的金属镁。游离的金属镁会吸附第一氧化物半导体层123中的氧，形成稳定的mg-o键。
41.在一实施方式中，吸附层126的厚度为30nm-50nm。可以理解，吸附层126的厚度并不限于上述尺寸，具体根据需要进行设计。
42.需要说明的是，通过对吸附层126的形成工艺、吸附层126的材料、吸附层126覆盖第一氧化物半导体层123的表面的面积进行设计，使得第一氧化物半导体层123中的氧空位符合使用需求，进而使得开关薄膜晶体管12的亚阈值摆幅在比较小的同时符合使用需求。其中，吸附层126覆盖第一氧化物半导体层123的表面可以为第一氧化物半导体层123靠近第一栅极电极121的表面，和/或第一氧化物半导体层123远离第一栅极电极121的表面。
43.在一实施方式中，第一氧化物半导体层123的材料包括氧化铟锡(ito)、氧化铟镓(igo)中的至少一种。
44.继续参阅图1，驱动基板1还包括驱动薄膜晶体管13。驱动薄膜晶体管13包括第二栅极电极131、第二绝缘层132、第二氧化物半导体层133、第二源极电极134、第二漏极电极135。第二绝缘层132设于第二栅极电极131的一侧。第二氧化物半导体层133设于第二绝缘层132远离第二栅极电极131的一侧。第二源极电极134和第二漏极电极135设于第二绝缘层132远离第二栅极电极131的一侧，且与第二氧化物半导体层133电连接。需要说明的是，驱动薄膜晶体管13中没有吸附层126。
45.在本实施例中，第二栅极电极131位于第二绝缘层132靠近衬底11的一侧；即，驱动薄膜晶体管13为底栅结构。驱动薄膜晶体管13与开关薄膜晶体管12均为底栅结构，便于加工。第二源极电极134至少部分设于第二氧化物半导体层133远离第二栅极电极131的表面，第二漏极电极135至少部分设于第二氧化物半导体层133远离第二栅极电极131的表面；示例性的，第二源极电极134完全设于第二氧化物半导体层133远离第二栅极电极131的表面，第二漏极电极135完全设于第二氧化物半导体层133远离第二栅极电极131的表面。
46.驱动基板1包括多个驱动单元，每个驱动单元包括开关薄膜晶体管12和驱动薄膜晶体管13，开关薄膜晶体管12要求较小的亚阈值摆幅来提高开关速度，驱动薄膜晶体管13要求较大的亚阈值摆幅来增强低灰阶显示效果。本技术通过使开关薄膜晶体管12中有吸附层126，驱动薄膜晶体管13中没有吸附层126，使得开关薄膜晶体管12具有较小的亚阈值摆幅，同时驱动薄膜晶体管13具有较大的亚阈值摆幅。
47.其中，第一栅极电极121与第二栅极电极131在同一金属层上形成，第一源极电极124、第一漏极电极125、第二源极电极134、第二漏极电极135在同一金属层上形成，第一绝缘层122与第二绝缘层132连接，第一氧化物半导体层123与第二氧化物半导体层133同层设置且在同一工艺步骤形成。
48.当吸附层126设于第一氧化物半导体层123靠近第一栅极电极121的表面时，吸附层126的具体形成过程为：在第一绝缘层122远离第一栅极电极121的表面和第二绝缘层132远离第一栅极电极121的表面沉积一层吸附层126的材料，该材料经过成膜及图形化工艺后，只有开关薄膜晶体管12对应的区域保留该材料，除了开关薄膜晶体管12对应的区域之外的区域均去除该材料。
49.当吸附层126设于第一氧化物半导体层123远离第一栅极电极121的表面时，吸附层126的具体形成过程为：在第一氧化物半导体层123远离第一栅极电极121的表面和第二氧化物半导体层133远离第二栅极电极131的表面沉积一层吸附层126的材料，该材料经过成膜及图形化工艺后，只有开关薄膜晶体管12对应的区域保留该材料，除了开关薄膜晶体管12对应的区域之外的区域均去除该材料；需要注意的是，在上述图形化工艺过程中，需要避免对第一氧化物半导体层123和第二氧化物半导体层133产生影响。或者，在形成第一源极电极124、第一漏极电极125、第二源极电极134、第二漏极电极135之后沉积吸附层126材料，该材料除了覆盖第二氧化物半导体层133远离第二栅极电极131的表面，还覆盖第一源极电极124的表面、第一漏极电极125的表面、第二源极电极134的表面和第二漏极电极135的表面，对上述材料图形化工艺过程中，需要避免对第一氧化物半导体层123、第二氧化物半导体层133、第一源极电极124的表面、第一漏极电极125、第二源极电极134和第二漏极电极135产生影响。
50.需要说明的是，在其他实施方式中，第一栅极电极121设于第一绝缘层122远离衬底11的一侧；即，开关薄膜晶体管12为顶栅结构。第二栅极电极131位于第二绝缘层132远离衬底11的一侧；即，驱动薄膜晶体管13为顶栅结构。吸附层126设于第一氧化物半导体层123靠近第一栅极电极121的表面或设于第一氧化物半导体层123远离第一栅极电极121的表面，可以实现与开关薄膜晶体管12和驱动薄膜晶体管13为底栅结构时相同的技术效果，不再赘述。
51.请参阅图5，图5是本技术实施例提供的显示面板的结构示意图。
52.本技术还提供了一种显示面板，显示面板包括上述实施例所述的驱动基板1和设于驱动基板1一侧的发光结构层2。驱动基板1上的开关薄膜晶体管12和驱动薄膜晶体管13配合形成驱动电路，驱动电路用于驱动发光结构层2的像素单元发光。驱动电路的具体设置方式可参见现有技术，发光结构层2的具体设置方式可参见现有技术，不再赘述。
53.驱动基板1还包括平坦化层14，开关薄膜晶体管12远离衬底11的一侧和驱动薄膜晶体管13远离衬底11的一侧设有平坦化层14，以便于设置发光结构层2。图5中还有驱动基板1中未示出的结构，例如电极层等，具体可参见现有技术，不再赘述。
54.本技术还提供了一种电子设备，电子设备可以是笔记本电脑、个人数字助理(personal digital assistant；pda)、手机等。电子设备包括上述实施例提供的显示面板。
55.以上仅为本技术的实施方式，并非因此限制本技术的专利范围，凡是利用本技术说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本技术的专利保护范围内。

技术特征：
1.一种驱动基板，其特征在于，包括衬底和设于所述衬底上的开关薄膜晶体管，其中，所述开关薄膜晶体管包括：第一栅极电极；第一绝缘层，设于所述第一栅极电极的一侧；第一氧化物半导体层，设于所述第一绝缘层远离所述第一栅极电极的一侧；第一源极电极和第一漏极电极，设于所述第一绝缘层远离所述第一栅极电极的一侧，且与所述第一氧化物半导体层电连接；吸附层，设于所述第一氧化物半导体层的表面；所述吸附层的材料具有与所述第一氧化物半导体层的材料中的氧结合的能力。2.根据权利要求1所述的驱动基板，其特征在于，所述第一栅极电极位于所述第一绝缘层靠近所述衬底的一侧；所述吸附层设于所述第一氧化物半导体层靠近所述第一栅极电极的表面；优选地，所述吸附层覆盖整个所述第一氧化物半导体层靠近所述第一栅极电极的表面。3.根据权利要求1或2所述的驱动基板，其特征在于，所述第一栅极电极位于所述第一绝缘层靠近所述衬底的一侧；所述吸附层设于所述第一氧化物半导体层远离所述第一栅极电极的表面；优选地，所述第一源极电极至少部分设于所述第一氧化物半导体层远离所述第一栅极电极的表面，所述第一漏极电极至少部分设于所述第一氧化物半导体层远离所述第一栅极电极的表面；所述第一氧化物半导体层远离所述第一栅极电极的表面未被所述第一源极电极和所述第一漏极电极覆盖的区域定义为第一区域，所述吸附层覆盖整个所述第一区域。4.根据权利要求1所述的驱动基板，其特征在于，所述驱动基板还包括驱动薄膜晶体管，所述驱动薄膜晶体管包括：第二栅极电极；第二绝缘层，设于所述第二栅极电极的一侧；第二氧化物半导体层，设于所述第二绝缘层远离所述第二栅极电极的一侧；第二源极电极和第二漏极电极，设于所述第二绝缘层远离所述第二栅极电极的一侧，且与所述第二氧化物半导体层电连接；其中，所述驱动薄膜晶体管中没有吸附层；优选地，所述第二栅极电极位于所述第二绝缘层靠近所述衬底的一侧。5.根据权利要求1所述的驱动基板，其特征在于，所述吸附层的材料包括游离的金属，所述金属具有与所述第一氧化物半导体层的材料中的氧结合的能力；优选地，所述吸附层的材料包括游离的金属镁。6.根据权利要求5所述的驱动基板，其特征在于，所述吸附层的材料包括金属氧化物，所述金属氧化物包括游离的金属；优选地，所述吸附层的材料包括氧化镁和/或过氧化镁，所述氧化镁和/或所述过氧化镁包括游离的金属镁。7.根据权利要求1所述的驱动基板，其特征在于，所述吸附层的厚度为30nm-50nm。8.根据权利要求4所述的驱动基板，其特征在于，所述第一氧化物半导体层和所述第二
氧化物半导体层的材料包括氧化铟锡、氧化铟镓中的至少一种。9.一种显示面板，其特征在于，包括：权利要求1-8任一项所述的驱动基板；发光结构层，设于所述驱动基板的一侧。10.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求9所述的显示面板。

技术总结
本申请公开了一种驱动基板、显示面板及电子设备；驱动基板包括衬底和设置于衬底上的开关薄膜晶体管；开关薄膜晶体管包括第一栅极电极、第一绝缘层、第一氧化物半导体层、第一源极电极、第一漏极电极和吸附层；第一绝缘层设于第一栅极电极的一侧；第一氧化物半导体层设于第一绝缘层远离第一栅极电极的一侧；第一源极电极和第一漏极电极与所述第一氧化物半导体层电连接；吸附层设于第一氧化物半导体层的表面；吸附层的材料具有与第一氧化物半导体层的材料中的氧结合的能力，使得第一氧化物半导体层中的氧空位增加，进而导致开关薄膜晶体管的亚阈值摆幅变小。亚阈值摆幅变小。亚阈值摆幅变小。


技术研发人员：马应海 陈发祥 王德坚
受保护的技术使用者：云谷（固安）科技有限公司
技术研发日：2023.05.24
技术公布日：2023/9/23