显影方法与流程

1.本技术涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种显影方法。


背景技术：

2.光刻是半导体集成电路生产中的一个重要工艺，主要包括涂胶、曝光和显影步骤，以在光刻胶层上形成器件结构图案。
3.不同的光刻胶产品的粘度和在晶片上形成的目标厚度有所不同，针对粘度高且厚度需求高的光刻胶，若喷胶转速过低晶片边缘容易出现涂覆不全的现象，而提高转速容易导致膜厚的面内均匀性变差，无法通过调整涂胶参数来改善膜厚面内均匀性。
4.相关技术中的显影工艺为喷涂显影液的同时喷嘴均匀移动，欲使得显影液在晶圆表面均匀覆盖，然后通过控制晶圆静置时间，以控制显影效果。
5.但是对于粘度高且厚度需求厚的光刻胶，由于其涂覆在晶片上时容易出现膜厚面内均匀性差的现象，因此相关技术中的显影工艺会导致晶片面内器件结构图案关键尺寸的均匀性较差的问题，无法满足产品工艺需求。


技术实现要素：

6.本技术提供了一种显影方法，可以解决相关技术导致晶片面内器件结构图案关键尺寸的均匀性差的问题。
7.为了解决背景技术中所述的技术问题，本技术提供一种显影方法，所述显影方法包括：
8.步骤s1：对覆盖在测试晶片上且经过曝光后的光刻胶层进行第一显影操作；
9.步骤s2：基于所述第一显影操作前、后覆盖在所述测试晶片上的光刻胶厚度差与光刻胶厚度差阈值之间的大小关系，确定所述测试晶片的强显影能力区和弱显影能力区；
10.步骤s3：对覆盖在另一相同测试晶片上且经过曝光后的光刻胶层，进行第二显影操作；所述第二显影操作包括：对覆盖在另一相同测试晶片上且经过曝光后的光刻胶层的强显影能力区进行减弱显影操作，以减小所述第二显影操作前、后覆盖在所述另一相同测试晶片强显影能力区上的光刻胶厚度差；以及，对覆盖在另一相同测试晶片上且经过曝光后的光刻胶层的弱显影能力区进行加强显影操作，以增加所述第二显影操作前、后覆盖在所述另一相同测试晶片弱显影能力区上的光刻胶厚度差；
11.步骤s4：当所述第二显影操作前、后覆盖在所述另一相同测试晶片强显影能力区上的光刻胶厚度差大于所述光刻胶厚度差阈值，和/或，当所述第二显影操作前、后覆盖在所述另一相同测试晶片弱显影能力区上的光刻胶厚度差小于所述光刻胶厚度差阈值时，重复所述步骤s3直至所述第二显影操作前、后覆盖在所述另一相同测试晶片强显影能力区上的光刻胶厚度差，等于所述第二显影操作前、后覆盖在所述另一相同测试晶片弱显影能力区上的光刻胶厚度差。
12.可选地，在所述步骤s1进行前，还进行以下步骤：
13.步骤s01：获取测试晶片；
14.步骤s02：在所述测试晶片的直径方向上确定若干个测量点；
15.步骤s03：在所述测试晶片上涂覆光刻胶层；
16.步骤s04：测量各个所述测量点位置处的光刻胶层厚度，形成光刻胶层第一厚度集合；
17.步骤s05：对所述光刻胶层进行全域曝光。
18.可选地，所述步骤s02包括：沿着所述测试晶片的直径方向，以第一间隔步长由所述测试晶片的一侧边缘至另一侧边缘，确定若干个测量点。
19.可选地，在所述步骤s1完成后，在所述步骤s2进行前还进行以下步骤：
20.步骤s11：完成所述第一显影操作后，测量各个测量点位置处的显影后光刻胶层厚度，形成光刻胶层第二厚度集合；
21.步骤s12：基于所述光刻胶层第一厚度集合和所述光刻胶层第二厚度集合,分别计算出对应各个测量点的光刻胶厚度差，形成光刻胶厚度差集合；所述光刻胶厚度差集合表征所述第一显影操作前、后覆盖在所述测试晶片上的光刻胶厚度差。
22.可选地，所述步骤s2，包括：
23.步骤s211：当所述光刻胶厚度差集合中光刻胶厚度差元素的值大于所述光刻胶厚度差阈值时，确定所述光刻胶厚度差元素对应测量点为强显影能力测量点；
24.步骤s212：确定只包括所述强显影能力测量点的区域为强显影能力区；
25.步骤s213：当所述光刻胶厚度差集合中光刻胶厚度差元素的值小于所述光刻胶厚度差阈值时，确定所述光刻胶厚度差元素对应测量点为弱显影能力测量点；
26.步骤s214：确定只包括所述弱显影能力测量点的区域为弱显影能力区。
27.可选地，所述步骤s212包括：
28.步骤s2121：由所述测试晶片的外圆至所述测试晶片的中心，将所述测试晶片定义为多个相连的测量区，每个所述测量区的中心为所述测试晶片的中心；每个所述测量区至少对应一个测量点，且每个所述测量区至少包括外边界，所述外边界穿过对应的测量点；
29.步骤s2122：当一测量区的外边界穿过的测量点均为强显影能力测量点时，确定所述测量区为强显影能力区。
30.可选地，所述步骤s214，包括：
31.当一测量区的外边界穿过的测量点均为弱显影能力测量点时，确定所述测量区为弱显影能力区。
32.可选地，所述步骤s2，还包括：当一测量区外边界穿过的测量点包括强显影能力测量点和弱显影能力测量点，计算所述测量区外边界穿过的所有测量点对应光刻胶厚度差元素的平均值；
33.当所述平均值大于所述光刻胶厚度差阈值时，确定所述测量区为强显影能力区；
34.当所述平均值小于所述光刻胶厚度差阈值时，确定所述测量区为弱显影能力区。
35.可选地，所述步骤s3中的所述减弱显影操作包括：在所述第一显影操作的基础上以第一时间增加显影时间、以第一转速降低显影转速；
36.所述加强显影操作包括：在所述第一显影操作的基础上以所述第一时间减小显影时间、以所述第一转速增加显影转速。
37.本技术技术方案，至少包括如下优点：通过上述方法可以最终得到使得测试晶片各个区显影效果一致的显影操作方法，从而避免对粘度高且厚度需求厚的光刻胶的显影效果不均衡，进而避免导致晶片面内器件结构图案关键尺寸的均匀性差的问题。
附图说明
38.为了更清楚地说明本技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
39.图1示出了本技术一实施例提供的显影方法流程图；
40.图2示出了测试晶片的结构示意图；
41.图3示出了光刻胶层第一厚度集合p、光刻胶层第二厚度集合q分别与测量点的对应关系曲线图；
42.图4示出了光刻胶厚度差集合r与测量点的对应关系曲线图。
具体实施方式
43.下面将结合附图，对本技术中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例是本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在不做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本技术保护的范围。
44.在本技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
45.在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电气连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，还可以是两个元件内部的连通，可以是无线连接，也可以是有线连接。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
46.此外，下面所描述的本技术不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
47.图1示出了本技术一实施例提供的显影方法流程图，从图1中可以看出，该显影方法包括以下步骤s1至步骤s4：
48.步骤s1：对覆盖在测试晶片上且经过曝光后的光刻胶层进行第一显影操作。
49.该步骤s1是先在测试晶片上涂覆光刻胶层，然后可以对该光刻胶层进行全域曝光使得覆盖在测试晶片全域的光刻胶层发生化学反应形成有机聚合物，再进行第一显影操作，使用显影液溶解形成有机聚合物的光刻胶部分。
50.其中该步骤中可以使用的光刻胶的种类众多，不同种类光刻胶的性状有所不同，
因此同样工艺参数的显影操作无法适用于所有种类的光刻胶，以使得晶片上各处的光刻胶均达到良好的显影效果，即晶片上存在显影效果强的区域和显影效果弱的区域。其中，通过显影前、后的光刻胶层膜厚差值表征显影效果的强弱，显影效果强的区域为强显影能力区，显影效果弱的区域为弱显影能力区，强显影能力区在显影后光刻胶被显影去除的厚度较厚，弱显影能力区在显影后光刻胶被显影去除的厚度较薄。
51.示例性地，在进行步骤s1前，可以通过以下步骤s01至步骤s05以得到步骤s1中覆盖有经过曝光光刻胶层的测试晶片，其中：
52.步骤s01：获取测试晶片。
53.步骤s02：在所述测试晶片的直径方向上确定若干个测量点。
54.参照图2，其示出了测试晶片的结构示意图，从图2中可以看出在进行步骤s02时，可以沿着测试晶片100的直径方向c，以第一间隔步长由测试晶片100的一侧边缘a至该测试晶片100的另一侧边缘b确定若干个测量点，且边缘a与边缘b处均确定一测量点。在其他实施例中，也可以根据需求以不同的间隔步长确定测量点。
55.步骤s03：在测试晶片上涂覆光刻胶层。
56.步骤s04：测量各个测量点位置处的显影前光刻胶层厚度，形成光刻胶层第一厚度集合p。
57.其中，光刻胶层第一厚度集合p中的每个元素表示各个测量点位置处的显影前光刻胶层厚度，因此光刻胶层第一厚度集合p中的各元素与各个测量点一一对应。
58.步骤s05：对所述光刻胶层进行全域曝光，从而使得覆盖在测试晶片全域的光刻胶层发生化学反应形成有机聚合物。
59.示例性地，在完成上述步骤s1后，在进行后续步骤s2前还可以通过以下步骤s11至步骤s12，得到第一显影操作前、后覆盖在所述测试晶片上的光刻胶厚度差。
60.步骤s11：完成所述第一显影操作后，测量各个测量点位置处的显影后光刻胶层厚度，形成光刻胶层第二厚度集合q。
61.其中，光刻胶层第二厚度集合q中的每个元素表示各个测量点位置处的显影后光刻胶层厚度，因此光刻胶层第二厚度集合q中的各元素与各个测量点一一对应。
62.步骤s12：基于所述光刻胶层第一厚度集合p和所述光刻胶层第二厚度集合q,分别计算出对应各个测量点的光刻胶厚度差，形成光刻胶厚度差集合r。
63.所述光刻胶厚度差集合r表征所述第一显影操作前、后覆盖在所述测试晶片上各个测量点的光刻胶厚度差，光刻胶厚度差集合r中的各光刻胶厚度差元素与各个测量点一一对应。
64.图3示出了光刻胶层第一厚度集合p、光刻胶层第二厚度集合q分别与测量点的对应关系曲线图。图4示出了光刻胶厚度差集合r与测量点的对应关系曲线图。图4中的光刻胶厚度差集合r是由图3所示的光刻胶层第一厚度集合p和光刻胶层第二厚度集合q得到，即r＝p-q。
65.图3和图4是以直径为12英寸的测试晶片为例，且间隔1/2英寸的第一间隔步长，从该测试晶片100的边缘a，沿着该测试晶片100的c方向，至该测试晶片100的边缘b，在该测试晶片100上确定25个测量点。
66.图3和图4的横坐标表示各个测量点，图3和图4的纵坐标为厚度，单位为埃。
67.步骤s2：基于所述第一显影操作前、后覆盖在所述测试晶片上的光刻胶厚度差与光刻胶厚度差阈值之间的大小关系，确定所述测试晶片的强显影能力区和弱显影能力区。
68.示例性地，可以通过以下步骤s211至步骤s214实现步骤s2：
69.步骤s211：当所述光刻胶厚度差集合r中光刻胶厚度差元素的值大于所述光刻胶厚度差阈值时，确定所述光刻胶厚度差元素对应测量点为强显影能力测量点。
70.其中，光刻胶厚度差阈值根据实际需要预先预设。
71.继续以图4所示的光刻胶厚度差集合r与测量点的对应关系曲线图为例，本实施例中预设光刻胶厚度差阈值为70000埃，从而根据步骤s211确定距离测试晶片中心-11英寸位置至距离测试晶片中心11英寸位置之间的所有测量点均为强显影能力测量点。
72.步骤s212：确定包括所述强显影能力测量点的区域为强显影能力区。
73.示例性地，可以通过以下步骤s2121至步骤s2122完成步骤s212以确定强显影能力区：
74.步骤s2121：由所述测试晶片的外圆至所述测试晶片的中心，将所述测试晶片定义为多个相连的测量区，每个所述测量区的中心为所述测试晶片的中心；每个所述测量区至少对应一个测量点，且每个所述测量区至少包括外边界，所述外边界穿过对应的测量点。
75.可选地，可以以所述第一间隔步长，由所述测试晶片的外圆至所述测试晶片的中心，将所述测试晶片定义为多个相连的测量区。
76.结合参照图2和图4，可以以1/2英寸为步长将该12寸的测试晶片100定义为多个测量区，包括相连的第一测量区g1、第二测量区g2、第n个测量区gn、第十二测量区g12，其中n为大于2小于12的正整数。该12个测量区的每个测量区的中心为测试晶片100的中心o。
77.以第一测量区g1和第二测量区g2为例，第一测量区g1对应第一测量点和第二十五测量点，第一测量区g1的外边界t1穿过该第一测量点和第二十五测量点；第二测量区g2对应第二测量点和第二十四测量点，第二测量区g2的外边界t2穿过第二测量点和第二十四测量点。
78.在其他实施例中，该步骤s2121还可以在步骤s02完成、确定若干个测量点后的任意时刻进行。
79.步骤s2122：当一测量区的外边界穿过的测量点均为强显影能力测量点时，确定所述测量区为强显影能力区。
80.以第二测量区g2为例，由于该第二测量区g2穿过的第二测量点和第二十四测量点均为强显影能力测量点，因此确定该第二测量区g2为强显影能力区。
81.从图4中可以看出，基于同样地理由，第二测量区g2至第十二测量区g12中的任意一个测量区均为强显影能力区。
82.步骤s213：当所述光刻胶厚度差集合r中光刻胶厚度差元素的值小于所述光刻胶厚度差阈值时，确定所述光刻胶厚度差元素对应测量点为弱显影能力测量点。
83.继续以图4所示的光刻胶厚度差集合r与测量点的对应关系曲线图为例，本实施例中预设光刻胶厚度差阈值为70000埃，从而根据步骤s213确定第一测量点和第二十五测量点均为弱显影能力测量点。
84.步骤s214：确定包括所述弱显影能力测量点的区域为弱显影能力区。
85.示例性地，可以通过以下步骤完成步骤s214以确定弱显影能力区：
86.当一测量区的外边界穿过的测量点均为弱显影能力测量点时，确定所述测量区为弱显影能力区。
87.以第一测量区g1为例，由于该第一测量区g1穿过的第一测量点和第二十五测量点均为弱显影能力测量点，因此确定该第一测量区g1为弱显影能力区。
88.当一测量区外边界穿过的测量点包括强显影能力测量点和弱显影能力测量点，计算所述测量区外边界穿过的所有测量点对应光刻胶厚度差元素的平均值。
89.当所述平均值大于所述光刻胶厚度差阈值时，确定所述测量区为强显影能力区。
90.当所述平均值小于所述光刻胶厚度差阈值时，确定所述测量区为弱显影能力区。
91.步骤s3：对覆盖在另一相同测试晶片上且经过曝光后的光刻胶层，进行第二显影操作。所述第二显影操作包括：对覆盖在另一相同测试晶片上且经过曝光后的光刻胶层的强显影能力区进行减弱显影操作，以减小所述第二显影操作前、后覆盖在所述另一相同测试晶片强显影能力区上的光刻胶厚度差；以及，对覆盖在另一相同测试晶片上且经过曝光后的光刻胶层的弱显影能力区进行加强显影操作，以增加所述第二显影操作前、后覆盖在所述另一相同测试晶片弱显影能力区上的光刻胶厚度差。
92.示例性地，选择与上述步骤中所述的测试晶片相同的另一测试晶片，对该另一测试晶片进行上述步骤s02至步骤s05以得到步骤s3中所述的测试晶片，然后对该测试晶片进行第二显影操作，该第二显影操作为分区显影操作，即对强显影能力区进行减弱显影操作，对弱显影能力区进行加强显影操作，以使得各区在第二显影操作后的显影效果趋于均衡。其中可以用显影前、后的光刻胶厚度差表征显影效果。
93.继续结合参照图2和图4，以图中的第一测量区g1、第二测量区g2和第十二测量区g12为例。由上述步骤可以确定第二测量区g2至第十二测量区g12中的任意一个测量区均为强显影能力区，第一测量区g1为弱显影能力区，因此在进行步骤s3时，对该第二测量区g2至第十二测量区g12中的任意一个测量区进行减弱显影操作，对第一测量区g1进行加强显影操作，以使得对该另一测试晶片的所有区的显影效果趋于一致。
94.可选地，该步骤s3第二显影操作中对强显影能力区的减弱显影操作可以为：在第一显影操作的基础上以第一时间增加显影时间、以第一转速降低显影转速。该步骤s3第二显影操作中对弱显影能力区的加强显影操作可以为：在第一显影操作的基础上以第一时间减小显影时间、以第一转速增加显影转速。其中该第一时间和第一转速可以根据需求进行设定。
95.步骤s4：当所述第二显影操作前、后覆盖在所述另一相同测试晶片强显影能力区上的光刻胶厚度差大于所述光刻胶厚度差阈值，和/或，当所述第二显影操作前、后覆盖在所述另一相同测试晶片弱显影能力区上的光刻胶厚度差小于所述光刻胶厚度差阈值时，重复所述步骤s3直至所述第二显影操作前、后覆盖在所述另一相同测试晶片强显影能力区上的光刻胶厚度差，等于所述第二显影操作前、后覆盖在所述另一相同测试晶片弱显影能力区上的光刻胶厚度差。
96.在完成步骤s3后需要确定该另一测试晶片各个测量点在显影前、后的光刻胶厚度差，当强显影能力区与弱显影能力区中至少一个区的光刻胶厚度差不等于光刻胶厚度差阈值，重复上述步骤s3，使得强显影能力区与弱显影能力区的光刻胶厚度差相等并等于光刻胶厚度差阈值。
97.本技术通过上述方法可以最终得到使得测试晶片各个区显影效果一致的显影操作方法，从而避免对粘度高且厚度需求厚的光刻胶的显影效果不均衡，进而避免导致晶片面内器件结构图案关键尺寸的均匀性差的问题。
98.显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本技术创造的保护范围之中。

技术特征：
1.一种显影方法，其特征在于，所述显影方法包括：步骤s1：对覆盖在测试晶片上且经过曝光后的光刻胶层进行第一显影操作；步骤s2：基于所述第一显影操作前、后覆盖在所述测试晶片上的光刻胶厚度差与光刻胶厚度差阈值之间的大小关系，确定所述测试晶片的强显影能力区和弱显影能力区；步骤s3：对覆盖在另一相同测试晶片上且经过曝光后的光刻胶层，进行第二显影操作；所述第二显影操作包括：对覆盖在另一相同测试晶片上且经过曝光后的光刻胶层的强显影能力区进行减弱显影操作，以减小所述第二显影操作前、后覆盖在所述另一相同测试晶片强显影能力区上的光刻胶厚度差；以及，对覆盖在另一相同测试晶片上且经过曝光后的光刻胶层的弱显影能力区进行加强显影操作，以增加所述第二显影操作前、后覆盖在所述另一相同测试晶片弱显影能力区上的光刻胶厚度差；步骤s4：当所述第二显影操作前、后覆盖在所述另一相同测试晶片强显影能力区上的光刻胶厚度差大于所述光刻胶厚度差阈值，和/或，当所述第二显影操作前、后覆盖在所述另一相同测试晶片弱显影能力区上的光刻胶厚度差小于所述光刻胶厚度差阈值时，重复所述步骤s3直至所述第二显影操作前、后覆盖在所述另一相同测试晶片强显影能力区上的光刻胶厚度差，等于所述第二显影操作前、后覆盖在所述另一相同测试晶片弱显影能力区上的光刻胶厚度差。2.如权利要求1所述的显影方法，其特征在于，在所述步骤s1进行前，还进行以下步骤：步骤s01：获取测试晶片；步骤s02：在所述测试晶片的直径方向上确定若干个测量点；步骤s03：在所述测试晶片上涂覆光刻胶层；步骤s04：测量各个所述测量点位置处的光刻胶层厚度，形成光刻胶层第一厚度集合；步骤s05：对所述光刻胶层进行全域曝光。3.如权利要求2所述的显影方法，其特征在于，所述步骤s02包括：沿着所述测试晶片的直径方向，以第一间隔步长由所述测试晶片的一侧边缘至另一侧边缘，确定若干个测量点。4.如权利要求2所述的显影方法，其特征在于，在所述步骤s1完成后，在所述步骤s2进行前还进行以下步骤：步骤s11：完成所述第一显影操作后，测量各个测量点位置处的显影后光刻胶层厚度，形成光刻胶层第二厚度集合；步骤s12：基于所述光刻胶层第一厚度集合和所述光刻胶层第二厚度集合,分别计算出对应各个测量点的光刻胶厚度差，形成光刻胶厚度差集合；所述光刻胶厚度差集合表征所述第一显影操作前、后覆盖在所述测试晶片上的光刻胶厚度差。5.如权利要求4所述的显影方法，其特征在于，所述步骤s2，包括：步骤s211：当所述光刻胶厚度差集合中光刻胶厚度差元素的值大于所述光刻胶厚度差阈值时，确定所述光刻胶厚度差元素对应测量点为强显影能力测量点；步骤s212：确定只包括所述强显影能力测量点的区域为强显影能力区；步骤s213：当所述光刻胶厚度差集合中光刻胶厚度差元素的值小于所述光刻胶厚度差阈值时，确定所述光刻胶厚度差元素对应测量点为弱显影能力测量点；步骤s214：确定只包括所述弱显影能力测量点的区域为弱显影能力区。6.如权利要求5所述的显影方法，其特征在于，所述步骤s212包括：
步骤s2121：由所述测试晶片的外圆至所述测试晶片的中心，将所述测试晶片定义为多个相连的测量区，每个所述测量区的中心为所述测试晶片的中心；每个所述测量区至少对应一个测量点，且每个所述测量区至少包括外边界，所述外边界穿过对应的测量点；步骤s2122：当一测量区的外边界穿过的测量点均为强显影能力测量点时，确定所述测量区为强显影能力区。7.如权利要求6所述的显影方法，其特征在于，所述步骤s214，包括：当一测量区的外边界穿过的测量点均为弱显影能力测量点时，确定所述测量区为弱显影能力区。8.如权利要求7所述的显影方法，其特征在于，所述步骤s2，还包括：当一测量区外边界穿过的测量点包括强显影能力测量点和弱显影能力测量点，计算所述测量区外边界穿过的所有测量点对应光刻胶厚度差元素的平均值；当所述平均值大于所述光刻胶厚度差阈值时，确定所述测量区为强显影能力区；当所述平均值小于所述光刻胶厚度差阈值时，确定所述测量区为弱显影能力区。9.如权利要求1所述的显影方法，其特征在于，所述步骤s3中的所述减弱显影操作包括：在所述第一显影操作的基础上以第一时间增加显影时间、以第一转速降低显影转速；所述加强显影操作包括：在所述第一显影操作的基础上以所述第一时间减小显影时间、以所述第一转速增加显影转速。

技术总结
本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种显影方法，包括：对覆盖在测试晶片上且经过曝光后的光刻胶层进行第一显影操作；基于第一显影操作前、后覆盖在测试晶片上的光刻胶厚度差与光刻胶厚度差阈值之间的大小关系，确定测试晶片的强显影能力区和弱显影能力区；对覆盖在另一相同测试晶片上且经过曝光后的光刻胶层，进行第二显影操作；当强显影能力区上的光刻胶厚度差大于所述光刻胶厚度差阈值时，和/或，当弱显影能力区上的光刻胶厚度差小于所述光刻胶厚度差阈值时，重复上述步骤直至所有区的光刻胶厚度差一致。骤直至所有区的光刻胶厚度差一致。骤直至所有区的光刻胶厚度差一致。


技术研发人员：刘希仕 姚振海 王绪根 朱联合 彭嘉力 李少鹏
受保护的技术使用者：华虹半导体（无锡）有限公司
技术研发日：2023.07.19
技术公布日：2023/10/15