存储设备及其操作方法与流程

存储设备及其操作方法
1.相关申请的交叉引用
2.本技术基于2022年1月6日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2022-0002368号并要求其优先权，其公开内容通过引用整体并入本文。
技术领域
3.本发明构思的实施例涉及存储设备及其操作方法，更具体地，涉及包括可能能够增加数据可靠性的非易失性存储器(memory)设备的存储(storage)设备及其操作方法。


背景技术：

4.半导体存储器设备可以分类为易失性半导体存储器设备和非易失性半导体存储器设备。易失性半导体存储器设备可以高速读取和写入数据。然而，当阻断向其供电时，存储的数据丢失。相反，非易失性半导体存储器设备可以用于存储要保存的内容，而不管是否向其供电。
5.非易失性半导体存储器设备的代表性示例是闪存设备。最近，基于nand闪存的存储设备已经变得更普遍地用作移动设备的存储介质。经常，存储设备被安装在移动设备的印刷电路板(pcb)上。为此，可以对存储设备执行回流(reflow)工艺。在回流工艺中，在存储设备接触pcb的表面上形成多个焊球(solder ball)。由于回流工艺产生的热，存储在存储设备中的基本数据可能丢失。
6.为了防止或降低由于回流工艺而丢失基本数据的风险，存储设备可以在主机的控制下执行基本数据保护操作，该操作限于第一回流工艺。因此，由于执行回流工艺的返工(rework)时产生的热，基本数据可能有丢失的风险。


技术实现要素：

7.本发明构思的实施例涉及存储设备及其操作方法，该存储设备被配置为执行用于保护存储在其中的基本数据抵御(against)在第一回流工艺之后对存储设备执行的返工的操作。
8.根据本发明构思的一方面，提供了一种包括非易失性存储器设备的存储设备，该非易失性存储器设备包括第一存储器区域和第二存储器区域，第一存储器区域的存储器单元处于与第二存储器区域的存储器单元不同的电平，以及控制器，被配置为通过包括在第一回流工艺的返工之前将存储在第一存储器区域中的基本数据迁移到第二存储器区域的第一操作和在完成回流工艺的返工之后将基本数据从第二存储器区域恢复到第一存储器区域的第二操作，来控制抵御回流工艺的返工的基本数据保护操作。该控制器被配置为向主机提供管理信息，该管理信息包括关于抵御返工的基本数据保护操作中的当前状态的第一信息、关于第一存储器区域的第二信息和关于第二存储器区域的第三信息中的至少一个。
9.根据本发明构思的另一方面，提供了一种操作存储设备的方法，用于在执行回流
工艺的返工时保护从主机接收的基本数据。该方法包括在完成存储设备的回流工艺之后，将存储设备设置为表示基本数据存储在第一存储器区域中的焊接(soldered)状态，响应于从主机接收的第一状态改变请求，将存储设备的状态从焊接状态改变到备份加载状态，以用于将基本数据从第一存储器区域迁移到具有更高可靠性的第二存储器区域的第一操作，当第一操作完成时，将存储设备的状态从备份加载状态改变到备份完成状态，以及响应于从主机接收的第二状态改变请求，将存储设备的状态从备份完成状态改变为焊接状态，以用于将基本数据从第二存储器区域恢复到第一存储器区域的第二操作。
10.根据本发明构思的另一方面，提供了一种操作存储设备以用于保护基本数据的方法。该方法包括响应于从主机接收的管理信息请求，向主机传输管理信息，以及根据基于管理信息控制存储设备的方法，使用第一存储器区域和第二存储器区域与主机执行用于基本数据保护操作的信令，第一存储器区域和第二存储器区域分别包括处于不同电平的单元。管理信息包括表示是否执行抵御存储设备的回流工艺的基本数据保护操作的第一信息。
附图说明
11.从以下结合附图的详细描述中，将更清楚地理解本发明概念的实施例，其中：
12.图1是示意性例示了根据本发明构思的实施例的存储器系统的框图；
13.图2a是例示了根据本发明构思的实施例的包括在图1的第二存储器区域中的单元的阈值电压分布的视图；
14.图2b是例示了根据本发明构思的实施例的包括在图1的第一存储器区域中的单元的阈值电压分布的视图；
15.图3a是例示了根据本发明构思的实施例的存储设备的状态的视图；
16.图3b和图3c是例示了根据本发明构思的实施例的存储设备的视图，在该存储设备上分别执行回流工艺和回流工艺的返工；
17.图4a和图4b是例示了根据本发明构思的实施例的基本数据保护操作的视图；
18.图5是示意性例示了根据本发明构思的实施例的主机和存储设备之间的基本数据保护操作的信令的流程图；
19.图6是示意性例示了根据本发明构思的实施例的主机和存储设备之间的基本数据保护操作的信令的流程图；
20.图7a和图7b是例示了根据本发明构思的实施例的图6的操作的流程图；
21.图8是例示了根据本发明构思的实施例的图6的基本数据保护操作的示例的流程图；
22.图9是例示了根据本发明构思的实施例的抵御主机和存储设备之间的回流工艺的返工的基本数据保护操作的信令的流程图；
23.图10a和图10b是例示了根据本发明构思的实施例的抵御主机和存储设备之间的回流工艺的返工的基本数据保护操作的信令的流程图；
24.图11a和图11b是例示了根据本发明构思的实施例的存储设备的操作的视图；
25.图12a是例示了根据本发明构思的实施例的图1的非易失性存储器设备的存储器单元阵列的框图；
26.图12b是例示了根据本发明构思的实施例的图12a的存储器块中的一个的配置的
视图；
27.图13是示意性例示了根据本发明构思的实施例的卡系统的框图；以及
28.图14是例示了根据本发明构思的实施例的便携式终端的框图。
具体实施方式
29.下文将参考附图更全面地描述各种示例实施例，附图中示出了一些示例实施例。然而，本发明主题可以以许多不同的形式体现，并且不应该被解释为限于本文阐述的实施例。在附图中，贯穿描述的相同的数字指代相同的元素，并且可以省略重复的描述。将理解，尽管术语第一、第二等可以在本文用来描述各种元素，但是这些元素不应该被这些术语所限制。这些术语仅用于区分一个元素与另一个元素。因此，例如，下面讨论的第一元素、第一组件或第一部分也可以被称为第二元素、第二组件或第二部分，而不脱离本发明概念的教导。如本文所用，术语“和/或”包括一个或多个相关联的列出的项目的任何以及所有的组合。注意，关于一个实施例描述的各方面可以结合到不同的实施例中，尽管没有相对于其的具体描述。也就是说，所有实施例和/或任何实施例的特征可以以任何方式和/或组合进行组合。
30.图1是示意性例示了根据本发明构思的实施例的存储器系统1的框图。在将存储设备100安装在电子设备(未示出)中的进程中配置图1的存储器系统1，并且当存储设备100被完全安装在电子设备(未示出)中时，主机10和存储设备100之间的连接可能被阻断。在当前说明书中，主机可以是在制造存储设备时用于测试存储设备的装备和/或用于将操作系统映像(image)写入存储设备的装备。此外，在当前说明书中，永久存储在存储设备中的基本数据可以包括但不限于，例如根据存储设备的测试结果的调试数据或用于驱动存储设备的操作系统的操作系统映像。
31.参照图1，存储器系统1可以包括主机10和存储设备100。主机10可以确定，在将存储设备100安装在电子设备(未示出)的目标板上的进程中，将要执行第一回流工艺或第一回流工艺的返工，并且可以请求存储设备100执行基本数据保护操作，抵御第一回流工艺或第一回流工艺的返工。然而，将理解，本发明构思的实施例不限于存储设备100的第一回流工艺或第一回流工艺的返工，并且还可以应用于任意工艺或工作，在这样的工艺或工作中产生热，使得存储在存储设备100中的至少一部分基本数据可能丢失。然而，在当前说明书中，为了便于例示本发明构思的实施例，将基于抵御第一回流工艺或第一回流工艺的返工的基本数据保护操作来进行描述。
32.存储设备100可以包括控制器110和非易失性存储器设备120。控制器110可以被配置为控制非易失性存储器设备120的整体操作，并且可以包括基本数据保护处理机(handler)111。在一个实施例中，基本数据保护处理机111可以被配置为基于抵御第一回流工艺的返工的保护程序111_1和管理信息111_2来控制抵御第一回流工艺的返工的基本数据保护操作。基本数据保护处理机111的操作可以被解释为控制器110或存储设备100的操作。在一些实施例中，保护程序111_1和管理信息111_2可以存储在包括在控制器110中的寄存器中，或者可以存储在非易失性存储器设备120中的任何存储器区域中。在当前说明书中，返工可以意味着在第一回流工艺之后在存储设备100上再次执行的回流工艺，或者在布置在目标板上的、与存储设备100相邻的半导体设备上再次执行的回流工艺。也就是说，返
工可以意味着可能通过在第一回流工艺之后产生热而影响存储设备100的基本数据的工艺或工作。
33.在一实施例中，非易失性存储器设备120可以包括第一存储器区域121和第二存储器区域122。第一存储器区域121和第二存储器区域122可以分别包括处于不同电平的存储器单元。例如，包括在第一存储器区域121中的单元可以处于比包括在第二存储器区域122中的单元的电平更高的电平。因此，第二存储器区域122可以提供比第一存储器区域121更高的可靠性。例如，第一存储器区域121可以包括多电平单元，每个多电平单元可以存储两个或更多个位的数据，并且第二存储器区域122可以包括单电平单元，每个单电平单元可以存储一个位的数据。稍后将参照图2a和图2b描述第一存储器区域121和第二存储器区域122的示例实施例。在一些实施例中，非易失性存储器设备120可以包括分别包括处于不同电平的单元的三个或更多个存储器区域，并且可以被配置为通过使用三个或更多个存储器区域来执行根据本发明构思的实施例的基本数据保护操作。
34.在图1中，假设在存储设备100的第一回流工艺完成之后，基本数据被存储在第二存储器区域122中。在一实施例中，基本数据可以在第一回流工艺之前存储在第一存储器区域121或第二存储器区域122中，并且可以在第一回流工艺完成之后存储在第二存储器区域122中。稍后将参照图4a和图4b描述其详细实施例。
35.在一实施例中，基本数据保护处理机111可以被配置为执行保护程序111_1，以根据来自主机10的请求，控制抵御返工的基本数据保护操作。具体地，基本数据保护处理机111可以被配置为基于与主机10的信令来控制抵御返工的基本数据保护操作。基本数据保护处理机111可以被配置为在对存储设备100执行返工之前将存储在第一存储器区域121中的基本数据迁移到第二存储器区域122，并且可以在完成返工之后将基本数据从第二存储器区域122恢复到第一存储器区域121。也就是说，在返工之前，基本数据保护处理机111可以将基本数据迁移到第二存储器区域122，第二存储器区域122可以基于更高的可靠性而更耐热，并且当返工完成时，可以将基本数据恢复到第一存储器区域121。
36.在一实施例中，基本数据保护处理机111可以被配置为生成和更新用于执行抵御返工的基本数据保护操作的管理信息111_2。例如，管理信息111_2可以包括关于抵御返工的基本数据保护操作中存储设备100的当前状态的第一信息、关于第一存储器区域121的第二信息和关于第二存储器区域122的第三信息中的一个或多个。稍后将参照图3a至图3c给出第一信息的详细描述。
37.在一实施例中，主机10可以被配置为参考从存储设备100接收的管理信息111_2的第一信息，向存储设备100传输适合于第一信息的基本数据保护操作的请求。例如，当管理信息111_2的第一信息表示在存储设备100经历第一回流工艺之后基本数据被存储在第一存储器区域121中时，主机10可以确定存储设备100经历了第一回流工艺并且没有必要传输基本数据，并且可以请求存储设备100在不传输基本数据的情况下执行抵御返工的基本数据保护操作。作为另一个示例，当管理信息111_2的第一信息表示存储设备100抵御第一回流工艺的基本数据保护操作被去激活时，主机10可以确定存储设备100还没有经历第一回流工艺，可以仅当基本数据没有存储在存储设备100中时，向存储设备100传输基本数据连同写入请求，并且可以请求存储设备100执行抵御第一回流工艺的基本数据保护操作。
38.在一些实施例中，在执行第一回流工艺的进程中连接到存储设备100的主机可以
不同于在执行返工的进程中连接到存储设备100的主机。因此，新连接到存储设备100的主机可以被配置为通过管理信息111_2立即确定存储设备100的历史，并且可以请求适合于存储设备100的历史的基本数据保护操作。此外，主机可以被配置为连续地监视重复执行返工的存储设备100，以测试存储在存储设备100中的基本数据的丢失，或者专注于对在存储设备100上执行的返工的管理，使得返工可以成功地执行。
39.在一实施例中，主机10可以被配置为参考管理信息111_2的第二信息和第三信息，向存储设备100传输对适合于第二信息和第三信息的基本数据保护操作的请求。例如，第二信息可以表示存储在第一存储器区域121中的基本数据的大小，并且第三信息可以表示第二存储器区域122的闲置(free)大小。当通过第二信息和第三信息确定基本数据的大小大于第二存储器区域122的闲置大小时，主机10可以被配置为在请求存储设备100删除基本数据的不必要的片段(piece)之后，请求存储设备100执行基本数据保护操作。在一些实施例中，当通过第二信息和第三信息确定基本数据的大小大于第二存储器区域122的闲置大小时，主机10可以被配置为在请求存储设备100压缩基本数据之后，请求存储设备100执行基本数据保护操作。在一实施例中，基本数据的不必要的片段可以由主机10或基本数据保护处理机111来确定。
40.根据本发明构思的实施例，存储设备100可以被配置为通过支持抵御第一回流工艺的返工的基本数据保护操作，持续降低基本数据丢失的可能性或防止基本数据丢失，直到存储设备100被安装在电子设备中。
41.此外，根据本发明构思的实施例的存储设备100可以被配置为向主机10提供在抵御返工的基本数据保护操作中使用的管理信息111_2，使得主机10可以容易地确定存储设备100的历史，并且可以被配置为向存储设备100传输对适合于存储设备100的历史的基本数据保护操作的请求。
42.图2a是例示了根据本发明构思的一些实施例的包括在图1的第二存储器区域122中的单元的阈值电压分布的视图，图2b是例示了根据本发明构思的一些实施例的包括在图1的第一存储器区域121中的单元的阈值电压分布的视图。
43.参照图2a，作为单电平单元包括在第二存储器区域122中的每个单元可以存储一个位的数据。单电平单元可以对应于擦除状态e和编程状态p中的一个。
44.参照图2b，作为多电平单元包括在第一存储器区域121中的每个单元可以存储两位数据。多电平单元可以对应于擦除状态e和第一至第三编程状态p1、p2和p3中的一个。
45.因为单电平单元的阈值电压分布e和p之间的距离大于多电平单元的阈值电压分布e、p1、p2和p3中的每两个之间的距离，所以单电平单元中的读取裕量大于多电平单元中的读取裕量，使得单电平单元可以提供比多电平单元更高的数据可靠性。
46.因此，根据本发明构思的实施例，为了降低由于返工产生的热而丢失基本数据的可能性或防止由于返工产生的热而丢失基本数据，基本数据可以在返工之前从第一存储器区域121(参照图1)迁移到第二存储器区域122(参照图1)。
47.然而，将理解，图2a和图2b仅是示例实施例，本发明构思不限于此，并且包括在第一存储器区域121中的单元可以是三电平单元或四电平单元，并且包括在第二存储器区域122中的单元可以处于比包括在第一存储器区域121中的单元更低的电平。
48.图3a是例示了根据本发明构思的实施例的存储设备100的状态的视图，并且图3b
和图3c是例示了根据本发明构思的一些实施例的存储设备100的视图，在该存储设备100上分别执行回流工艺和回流工艺的返工。在下文中，为了方便起见，将参照图1和图3a到图3c给出描述。
49.参照图3a，在第一回流工艺的第一过程中，存储设备100可以处于关闭状态s1、预焊接状态s2、加载完成状态s3和焊接状态s4中的一个。在当前说明书中，第一过程意味着存储设备100抵御第一回流工艺的基本数据保护操作，并且状态s1到s4可以被定义为向主机10通知基本数据保护操作的进度。
50.在一实施例中，抵御第一回流工艺的基本数据保护操作可以包括在第一回流工艺之前将存储在第一存储器区域121中的数据迁移到第二存储器区域122的第一操作，以及在第一回流工艺完成之后将基本数据从第二存储器区域122恢复到第一存储器区域121的第二操作。第一过程的状态s1到s4可以如下表示上述操作的进度。例如，关闭状态s1可以表示抵御第一回流工艺的基本数据保护操作被去激活，预焊接状态s2可以表示正在执行第一操作，加载完成状态s3可以表示第一操作完成，焊接状态s4可以表示基本数据通过第二操作被存储在第一存储器区域121中。然而，本发明构思的实施例不限于此，并且第一过程的状态可以由表示抵御回流工艺的基本数据保护操作的进度的各种方法中的一个来定义。
51.在一实施例中，在返工的第二过程中，存储设备100可以处于焊接状态s4、备份加载状态s5和备份完成状态s6中的一个。在当前说明书中，第二过程意味着抵御返工的存储设备100的基本数据保护操作，并且状态s4至s6可以被定义为向主机10通知基本数据保护操作的进度。
52.在一实施例中，抵御返工的基本数据保护操作可以包括在返工之前将存储在第一存储器区域121中的数据迁移到第二存储器区域122的第三操作，以及在返工完成之后将基本数据从第二存储器区域122恢复到第一存储器区域121的第四操作。第二过程的状态s4到s6可以如下表示上述操作的进度。例如，焊接状态s4可以表示基本数据存储在第一存储器区域121中，备份加载状态s5可以表示正在执行第三操作，并且备份完成状态s6可以表示第三操作完成。然而，本发明构思的实施例不限于此，并且第二过程的状态可以由表示抵御返工的基本数据保护操作的进度的各种方法中的一个来定义。此外，状态的名称可以根据与基本数据保护操作相关的标准化说明书而变化。
53.在一实施例中，基本数据保护处理机111可以被配置为根据第一过程管理状态s1到s4，以及根据第二过程管理状态s4到s6。例如，基本数据保护处理机111可以被配置为将存储设备100的当前状态更新到管理信息111_2，并且可以被配置为向主机10传输管理信息111_2，以及主机10可以被配置为参考管理信息111_2来确定存储设备100的当前状态，并且可以被配置为向存储设备100传输适合于当前状态的请求。
54.在一实施例中，基本数据保护处理机111可以被配置为在第一过程中按照关闭状态s1、预焊接状态s2、加载完成状态s3和焊接状态s4的顺序改变存储设备100的状态，并且还可以被配置为控制适合于存储设备100的状态的操作。基本数据保护处理机111可以被配置为响应于来自主机10的取消第一过程的请求(或者取消抵御回流工艺的基本数据保护操作的请求)，将存储设备100的状态从预焊接状态s2改变为关闭状态s1，或者从加载完成状态s3改变为关闭状态s1。此外，因为焊接状态s4表示第一过程由存储设备100执行，并且主机10需要确定第一过程是否由存储设备100执行，所以基本数据保护处理机111可以被配置
为防止存储设备100的状态在第一过程中从焊接状态s4改变为关闭状态s1。也就是说，主机10可以新连接到存储设备100，以用于在存储设备100上执行的返工，并且当管理信息111_2确定存储设备100处于焊接状态s4时，主机10可以被配置为立即确定存储设备100要被返工而使得可以省略对写入基本数据的不必要请求，并且还可以被配置为考虑到在存储设备100上执行的第一回流工艺失败而控制存储设备100。
55.在一实施例中，基本数据保护处理机111可以被配置为在第二过程中按照焊接状态s4、备份加载状态s5和备份完成状态s6的顺序改变存储设备100的状态，并且还可以被配置为控制适合于存储设备100的状态的操作。基本数据保护处理机111可以被配置为响应于来自主机10的取消第二过程的请求(或者取消抵御返工的基本数据保护操作的请求)，将存储设备100的状态从备份加载状态s5改变为焊接状态s4，或者从备份完成状态s6改变为焊接状态s4。
56.为了方便和说明的目的，定义了图3a中的状态s1至s6的名称，并且将完全理解，本发明概念的实施例不限于此。
57.参照图3b，第一焊球sb1可以通过回流工艺形成在存储设备100的一个表面上，并且存储设备100可以安装在第一印刷电路板(pcb)pcb1上。第一焊球sb1可以由通过红外加热器的第一焊接方法、在腔室(chamber)外部的空间中产生热并将热空气对流到腔室中的第二焊接方法以及在真空状态下的第三焊接方法中的一个形成。存储设备100可以被配置为执行图3a的第一过程，以减少或最小化由于形成第一焊球sb1时产生的热而导致的基本数据丢失。
58.参照图3c，通过回流工艺形成在存储设备100的一个表面上的第一焊球sb1可以与第二焊球sb2交换，并且存储设备100可以安装在第二pcb pcb2上。在一些实施例中，第一pcb pcb1可以与第二pcb pcb2相同或不同。通过第一至第三焊接方法中的一个，第一焊球sb1可以与第二焊球sb2交换。存储设备100可以被配置为执行图3a的第二过程，以减少或最小化由于当第一焊球sb1与第二焊球sb2交换时产生的热而导致的基本数据丢失。
59.图4a和图4b是例示了根据本发明构思的实施例的基本数据保护操作的视图。在图4a和图4b中，将基于抵御回流工艺的基本数据保护操作给出描述。在下文中，为了方便起见，将参照图3a、图4a和图4b给出描述。
60.参照图4a，在关闭状态s1中，存储设备100可以被配置为从主机10接收写入基本数据的请求和基本数据，并且还可以被配置为响应于写入基本数据的请求将基本数据存储在第一存储器区域121中。当存储设备100的状态从关闭状态s1改变到预焊接状态s2时，存储设备100可以将基本数据从第一存储器区域121迁移到第二存储器区域122。当基本数据从第一存储器区域121到第二存储器区域122的迁移完成时，存储设备100的状态可以从预焊接状态s2改变到加载完成状态s3。然后，可以对存储设备100执行第一回流工艺，在第一回流工艺完成之后，存储设备100的状态可以从加载完成状态s3改变到焊接状态s4，并且存储设备100可以被配置为将基本数据从第二存储器区域122恢复到第一存储器区域121。
61.参照图4b，在预焊接状态s2中，存储设备100可以被配置为从主机10接收写入基本数据的请求和基本数据，并且还可以被配置为响应于写入基本数据的请求将基本数据写入第二存储器区域122中。当基本数据被完全写入第二存储器区域122时，存储设备100的状态可以从预焊接状态s2改变到加载完成状态s3。然后，可以对存储设备100执行第一回流工
艺，在第一回流工艺完成之后，存储设备100的状态可以从加载完成状态s3改变到焊接状态s4，并且存储设备100可以将基本数据从第二存储器区域122移动到第一存储器区域121。
62.如上所述，在图4b的实施例中，与图4a相比，通过立即将基本数据写入第二存储器区域122中，可以减少或最小化由于基本数据保护操作而导致的基本数据的移动。
63.除了图4a和图4b之外，在第一回流工艺之前，基本数据可以以各种方法中的一种存储在存储设备100中，并且在经历第一回流工艺之后，存储设备100可以处于表示基本数据存储在第一存储器区域121中的焊接状态。主机10可以被配置为在确定存储设备100处于焊接状态之后，向存储设备100传输与返工相关的请求。
64.图5是示意性例示了根据本发明构思的实施例的主机10和存储设备100之间的基本数据保护操作的信令的流程图。
65.参照图5，在操作s100，主机10可以向存储设备100请求管理信息。在一实施例中，管理信息可以包括关于存储设备100的当前状态的第一信息、关于存储设备100的第一存储器区域的第二信息和/或关于存储设备100的第二存储器区域的第三信息中的一个或多个。例如，第一信息可以表示图3a的状态s1至s6中的一个，并且第二信息可以表示存储在第一存储器区域121中的基本数据的大小，并且第三信息可以表示第二存储器区域122的闲置大小。
66.在操作s110中，存储设备100可以向主机10传输管理信息。在操作s120，主机10可以基于管理信息选择控制存储设备100的方法。在一实施例中，主机10可以从第一信息确定存储设备100是否经历了第一回流工艺，并且可以基于确定结果选择是控制抵御存储设备100的第一回流工艺的基本数据保护操作，还是控制抵御存储设备100的返工的基本数据保护操作。此外，主机10可以确定基本数据是否存储在存储设备100中，并且可以确定是否向存储设备100传输写入基本数据的请求和基本数据。在一实施例中，基于第二信息和第三信息，存储设备100可以控制抵御存储设备100的返工的基本数据保护操作。
67.在操作s130中，主机10可以基于在操作s120中选择的方法，执行与存储设备100的基本数据保护操作的信令。
68.图6是示意性例示了根据本发明构思的实施例的主机10和存储设备100之间的基本数据保护操作的信令的流程图。
69.参照图6，在操作s101，主机10可以从存储设备100请求关于存储设备100的当前状态的第一信息。在一实施例中，当主机10在操作s101中请求包括在管理信息中的第一信息时，存储设备100可以处于作为图3a的第一过程中的初始状态的关闭状态，或者可以处于作为图3a的第二过程中的初始状态的焊接状态。在操作s111，存储设备100可以向主机10传输关于存储设备100的当前状态的第一信息。在一实施例中，在操作s111中，存储设备100可以向主机10传输适合于存储设备100在关闭状态和焊接状态之间的当前状态的第一信息。在操作s102中，主机10可以从存储设备100请求关于存储在第一存储器区域中的基本数据的大小的第二信息。在操作s112，存储设备100可以向主机10传输关于存储在第一存储器区域中的基本数据的大小的第二信息。在操作s103，主机10可以从存储设备100请求关于第二存储器区域的闲置大小的第三信息。在操作s113，存储设备100可以向主机10传输关于第二存储器区域的闲置大小的第三信息。
70.在操作s121，主机10可以确定存储设备100的管理信息。在一实施例中，主机10可
以基于第一信息确定存储设备100的工艺相关历史。在一实施例中，主机10可以根据存储设备100的当前状态来确定是否对存储设备100执行第一回流工艺。例如，当存储设备100处于关闭状态时，主机10可以确定存储设备100还没有经历第一回流工艺。在一些实施例中，主机10可以确定有必要确定基本数据是否存储在存储设备100中。在一实施例中，主机10可以基于第二信息和第三信息确定存储设备100的第一存储器区域和第二存储器区域的状态。例如，主机10可以将存储在第一存储器区域中的基本数据的大小与第二存储器区域的闲置大小进行比较。
71.在操作s122，主机10可以基于操作s121的确定结果来控制存储设备100。例如，当存储设备100处于关闭状态时，在对存储设备100执行第一回流工艺的情况下，主机10可以控制基本数据保护操作，并且可以执行控制，使得按照场合需求将基本数据写入存储设备100中。作为另一个示例，当存储设备100处于焊接状态时，在对存储设备100执行返工的情况下，主机10可以控制基本数据保护操作，并且可以不传输将基本数据写入存储设备100的请求和基本数据。此外，当在操作s122中存储在第一存储器区域中的基本数据的大小不大于第二存储器区域的闲置大小时，主机10可以控制存储设备100立即执行基本数据保护操作。当在操作s122中存储在第一存储器区域中的基本数据的大小大于第二存储器区域的闲置大小时，主机10可以控制存储设备100在处理基本数据之后执行基本数据保护操作。
72.图7a和图7b是例示了根据本发明构思的一些实施例的图6s122的操作的流程图。在下文中，为了方便起见，将参照图6、图7a和图7b给出描述。
73.参照图7a，在操作s122_1a中，主机10可以确定存储设备100是否处于焊接状态。当在操作s122_1a中确定存储设备100不处于焊接状态时，主机10可以确定存储设备100处于关闭状态，并且随后执行操作s122_2a，使得主机10可以在控制基本数据保护操作中根据第一过程选择第一控制方法。具体地，主机10可以向存储设备100传输基于第一控制方法的请求，使得在对还没有经历第一回流工艺的存储设备100执行第一回流工艺之前，存储设备100可以执行基本数据保护操作。在一实施例中，操作s122_2a可以基于图3a中描述的第一过程。
74.当在操作s122_1a中确定存储设备100处于焊接状态时，随后执行操作s122_3a，使得主机10可以在控制基本数据保护操作中根据第二过程来选择第二控制方法。具体地，主机10可以基于第二控制方法向存储设备100传输请求，使得在对经历了第一回流工艺的存储设备100执行返工之前，存储设备100可以执行基本数据保护操作。在一实施例中，操作s122_3a可以基于参照图3a描述的第二过程。
75.参照图7b，在操作s122_1b中，主机10可以确定存储设备100是否处于焊接状态。当在操作s122_1b中确定存储设备100不处于焊接状态时，主机10可以确定存储设备100处于关闭状态，并且随后执行操作s122_2b，使得主机10可以在控制存储设备100中选择适合于关闭状态的第三控制方法。在一实施例中，主机10可以基于第三控制方法对还没有经历第一回流工艺的存储设备100执行除了基本数据保护操作之外的要求的操作。例如，当基本数据没有存储在存储设备100中时，主机10可以向存储设备100传输写入基本数据的请求。
76.当在操作s122_1b中确定存储设备100处于焊接状态时，随后执行操作s122_3b，使得主机10可以在控制存储设备100中选择适合于焊接状态的第四控制方法。在一实施例中，主机10确定对存储设备100执行返工的次数，并且可以基于确定结果专注于存储设备100的
管理。此外，主机10可以通过控制返工相关参数使得可以对存储设备100成功地执行返工，来减少对存储设备100执行返工的次数。
77.图8是例示了根据本发明构思的一些实施例的图6的操作s122的基本数据保护操作的流程图。
78.参照图8，在操作s122_3a_1中，主机10可以确定第二存储器区域122的闲置大小是否大于存储在第一存储器区域121中的基本数据的大小。当在操作s122_3a_1中确定第二存储器区域122的闲置大小不大于存储在第一存储器区域121中的基本数据的大小时，在操作s122_3a_2中，主机10可以控制存储设备100删除部分基本数据。例如，主机10可以控制存储设备100删除基本数据的不必要部分，使得基本数据的大小不大于第二存储器区域的闲置大小。在一些实施例中，主机10可以控制存储设备100压缩基本数据，使得压缩的基本数据的大小不大于第二存储器区域的闲置大小。当在操作s122_3a_1中确定第二存储器区域122的闲置大小大于存储在第一存储器区域121中的基本数据的大小时，主机10可以控制抵御返工的基本数据保护操作，而不修改基本数据。下面将参照图9具体描述根据本发明构思的实施例的抵御返工的基本数据保护操作的信令。
79.图9是例示了根据本发明构思的实施例的抵御主机10和存储设备100之间的返工的基本数据保护操作的信令的流程图。在下文中，为了方便起见，将参照图3a和图9给出描述。
80.参照图9，在操作s200，主机10可以向存储设备100传输从焊接状态s4到备份加载状态s5的第一状态改变请求。在操作s201中，存储设备100的状态可以从焊接状态s4改变到备份加载状态s5。在操作s202中，存储设备100可以响应于第一状态改变请求向主机10传输状态改变完成通知。在操作s203中，存储设备100可以将基本数据从第一存储器区域迁移到第二存储器区域。在操作s204中，在操作s203完成之后，存储设备100的状态可以从备份加载状态s5改变到备份完成状态s6。在操作s205中，主机10可以从存储设备100请求关于存储设备100的当前状态的信息。在操作s206中，存储设备100可以响应于操作s205的请求向主机10传输关于备份完成状态的信息。在其他实施例中，当主机10在操作s203期间从存储设备100请求关于存储设备100的当前状态的信息时，存储设备100可以向主机10传输关于备份加载状态的信息。在操作s206之后，主机10可以对存储设备100执行返工。在一实施例中，返工可以包括用新的焊球交换存储设备100的焊球的操作、用新的焊球更换布置在目标板上的与存储设备100相邻的半导体设备的焊球的操作、和/或将存储设备100附接到目标板上或从目标板上拆除(detach)的操作中的一个或多个。当存储设备100的基本数据存储在可靠性高于第一存储器区域的第二存储器区域中时，可以执行返工。
81.在返工完成之后，在操作s207中，主机10可以向存储设备100传输从备份完成状态s6到焊接状态s4的第二状态改变请求。在操作s208中，存储设备100的状态可以响应于第二状态改变请求从备份完成状态s6改变到焊接状态s4。在操作s209中，存储设备100可以将基本数据从第二存储器区域恢复到第一存储器区域。在操作s210中，存储设备100可以响应于第二状态改变请求向主机10传输状态改变完成通知。
82.图10a和图10b是例示了根据本发明构思的实施例的抵御主机10和存储设备100之间的返工的基本数据保护操作的信令的流程图。在下文中，假设存储在存储设备100的第一存储器区域中的基本数据的大小大于第二存储器区域的闲置大小。
83.参照图10a，在操作s300中，主机10可以向存储设备100传输从焊接状态s4到备份加载状态s5的第一状态改变请求。在操作s301中，存储设备100的状态可能无法从焊接状态s4改变到备份加载状态s5，因为存储在第一存储器区域中的基本数据可能不迁移到第二存储器区域。在操作s302中，存储设备100可以响应于第一状态改变请求向主机10传输状态改变失败通知。在操作s303中，主机10可以确定存储在存储设备100中的基本数据的不必要部分。在操作s304中，主机10可以向存储设备100传输删除基本数据的不必要部分的请求。在一些实施例中，主机10可以另外向存储设备100传输信息，诸如基本数据的不必要部分的地址。在操作s305中，存储设备100可以响应于操作s304的请求删除基本数据的不必要部分。在操作s306中，存储设备100可以响应于操作s304的请求向主机10传输删除完成通知。在操作s307中，主机10可以连同存储设备100一起传输用于基本数据保护操作的信令。
84.参照图10b，在操作s400中，存储设备100可以向主机10传输管理信息111_2。在操作s401中，主机10可以基于管理信息111_2的第二信息和第三信息确定是否删除基本数据。在操作s402中，主机10可以确定基本数据的不必要部分。在操作s403中，主机10可以向存储设备100传输删除基本数据的不必要部分的请求。在操作s404中，存储设备100可以响应于操作s403的请求删除基本数据的不必要部分。在操作s405中，存储设备100可以响应于操作s403的请求向主机10传输删除完成通知。在操作s406中，主机10可以连同存储设备100一起传输用于基本数据保护操作的信令。
85.在图10a的实施例中，可以在从存储设备100接收状态改变失败通知之后确定基本数据的不必要部分。在图10b的实施例中，可以基于从存储设备100接收的管理信息111_2抢先确定是否删除基本数据。
86.因为图10a和图10b仅仅是示例，所以本发明构思的实施例不限于此。在一些实施例中，存储设备100可以确定基本数据的不必要部分，并且可以响应于主机10的请求删除基本数据的不必要部分，或者可以在基本数据保护操作期间主动删除基本数据的不必要部分，而无需主机10的请求。
87.图11a和图11b是例示了根据本发明构思的实施例的存储设备的操作的视图。
88.参照图11a，存储设备200可以包括管理信息210、第一存储器区域220和第二存储器区域230。存储设备200可以连接到第一主机20以经历第一回流工艺。可以通过第一回流工艺形成焊球sb，使得存储设备200可以安装在印刷电路板(pcb)上。存储设备200可以具有存储在第一存储器区域220中的当前基本数据，并且可以以表示存储设备200经历了第一回流工艺的焊接状态更新管理信息210。
89.然后，存储设备200可以从印刷电路板pcb拆除(这可能是由于各种原因，使得焊球sb可以被移除)并且可以连接到第二主机30。同时，在从印刷电路板pcb拆除之前，存储设备200可以将基本数据从第一存储区域220迁移到第二存储区域230。在这种情况下，存储设备200可以按照备份加载状态和备份完成状态的顺序改变管理信息210。此后，存储装置200可以通过回流(reflow)工艺从印刷电路板pcb拆除，并且焊球sb可以被移除。存储设备200可以通过返工(rework)、通过其他焊球sb’附接到其他印刷电路板pcb’。此后，存储设备200可以将第二存储区域230的基本数据返回到第一存储区域220，并将管理信息210改变为焊接状态。第二主机30可以从存储设备200请求管理信息210以确定存储设备200当前处于焊接状态，并且可以确定基本数据存储在第一存储器区域220中并且存储设备200经历了第一回
流工艺。第二主机30可以基于存储设备200的状态控制抵御存储设备200的返工的基本数据保护操作。
90.参照图11b，存储设备200可以连接到第一主机20以准备第一回流工艺。存储设备200可以将管理信息210设置为表示抵御第一回流工艺的基本数据保护操作被去激活的关闭状态。
91.然后，存储设备200可以连接到第二主机30，这可能是由于各种原因。第二主机30可以从存储设备200请求管理信息210，以确定存储设备200当前处于关闭状态，并且可以确定没有对存储设备200执行第一回流工艺。第二主机30可以基于存储设备200的状态来控制抵御存储设备200的第一回流工艺的基本数据保护操作。在一些实施例中，第二主机30可以向存储设备200传输写入基本数据的请求和基本数据，并且存储设备200可以以参照图4a和图4b描述的方法写入基本数据。
92.图12a是例示了根据本发明构思的一些实施例的图1的非易失性存储器设备120的存储器单元阵列mca的框图，并且图12b是例示了根据本发明构思的一些实施例的图12a的存储器块中的一个blkn的配置的视图。
93.存储器单元阵列mca可以包括多个存储器块blk1至blkz。多个存储器块blk1至blkz中的每个可以具有三维结构(或垂直结构)。例如，多个存储器块blk1至blkz中的每个可以包括在第一至第三方向延伸的结构。多个存储器块blk1至blkz中的每个可以包括在第二方向上延伸的多个单元串(未示出)。多个单元串(未示出)可以在第一和第三方向上彼此分开。一个存储器块的多个单元串(未示出)可以连接到例如多个位线bl、多个串选择线ssl、多个字线wl、一个接地选择线或多个接地选择线gsl以及多个公共源极线(未示出)。多个存储器块blk1至blkz中的每个的多个单元串(未示出)可以共享多个位线bl。例如，多个位线bl可以在第二方向上延伸，并且可以由多个存储器块blk1至blkz共享。
94.根据本发明构思的实施例，第一存储器区域121(参照图1)和第二存储器区域122(参照图1)可以以存储器块为单位，并且可以由控制器110(参照图1)来区分以被控制。
95.参照图12b，图12a的多个存储器块blk1至blkz中的一个blkn形成在垂直于衬底sub的方向上。多个公共源极线csl布置在衬底sub上，多个栅电极ge和多个绝缘层il交替堆叠在衬底sub上。此外，多个电荷存储层cs可以形成在多个栅电极ge和多个绝缘层il之间。
96.当交替堆叠的多个栅电极ge和多个绝缘层il被垂直图案化时，形成多个v形柱pl。多个v形柱pl通过多个栅电极ge和多个绝缘层il连接到衬底sub。多个v形柱pl的轮廓o包括用作沟道的半导体材料，并且其内部i可以包括绝缘材料，例如硅氧化物。
97.存储器块blkn的多个栅电极ge可以分别连接到多个接地选择线gsl、多个字线wl1至wl6和多个串选择线ssl。存储器块blkn的多个柱pl可以分别连接到多个位线bl1至bl3。
98.然而，因为图12b中例示的存储器块blkn仅是为了便于说明的示例，所以本发明构思的实施例不限于此，并且还可以应用于存储器块blkn的各种实施例中的一种或多种。
99.图13是示意性例示了根据本发明构思的实施例的卡系统1000的框图。
100.参照图13，卡系统1000可以包括主机1100和存储器卡1200。主机1100可以包括主机控制器1110和主机连接单元1120。存储器卡1200可以包括卡连接单元1210、卡控制器1220和闪存1230。
101.主机连接单元1120和卡连接单元1210可以包括多个引脚。多个引脚可以包括命令
引脚、数据引脚、时钟引脚和电源引脚。引脚的数量可以取决于存储器卡1200的类型而变化。主机1100可以被配置为将数据写入存储器卡1200，或者可以读取存储在存储器卡1200中的数据。主机控制器1110可以被配置为通过主机连接单元1120向存储器卡1200传输请求(例如，写入请求)、由主机1100中的时钟发生器(未示出)生成的时钟信号clk和数据dat。卡控制器1220可以被配置为响应于通过卡连接单元1210接收的写入请求，与卡控制器1220中的时钟发生器(未示出)生成的时钟信号同步地将数据dat存储在闪存1230中。闪存1230可以被配置为存储由主机1100传输的数据dat。例如，当主机1100是数码相机时，可以存储图像数据。
102.根据本发明构思的实施例的存储器卡1200可以包括嵌入式多媒体卡(emmc)。根据本发明构思的实施例，卡控制器1220可以包括基本数据保护处理机1221，并且可以被配置为通过基本数据保护处理机1221执行抵御返工的基本数据保护操作。此外，在存储器卡1200被安装在电子设备(未示出)中的操作中，关于存储器卡1200的当前状态的管理信息可以被提供给连接到存储器卡1200的主机(未示出)。由基本数据保护处理机1221保护的基本数据可以存储在闪存1230中，并且可以从卡控制器1220读取以执行存储器卡1200的操作。
103.卡连接单元1210可以被配置为通过各种不同接口协议中的一个或多个与外部(例如，外部设备和/或主机)通信，该各种不同接口协议诸如通用串行总线(ubs)协议、多媒体卡(mmc)协议、外围组件快速互连(pci-e)协议、统计分析系统(sas)协议、串行高级技术附件(sata)协议、并行ata(pata)协议、小型计算机系统接口(scsi)协议、增强型小型设备接口(esdi)协议以及集成开发环境(ide)协议。
104.图14是例示了根据本发明构思的实施例的便携式终端2000的框图。
105.参照图14，便携式终端2000可以包括图像处理单元2100、音频收发器2200、音频处理单元2300、emmc 2400、静态动态随机存取存储器(sdram)2500、用户接口2600和控制器2700。
106.图像处理单元2100可以包括镜头2110、图像传感器2120、图像处理器2130和显示单元2140。音频收发器2200可以包括天线2210、收发器2220和调制解调器2230。音频处理单元2300可以包括音频处理器2310、麦克风2320和扬声器2330。
107.这里，包括操作系统映像或调试数据的基本数据可以存储在emmc 2400中。具体地，为了保护基本数据抵御在便携式终端2000中安装emmc 2400的进程产生的热，emmc 2400可以根据本发明构思的实施例执行基本数据保护操作。因此，根据本发明构思的实施例的emmc 2400可以基于具有高可靠性的基本数据正确地执行控制器2700要求的操作。
108.根据本发明构思的实施例的存储器卡、非易失性存储器设备和卡控制器可以通过使用各种形式中的一个的封装来安装。例如，根据本发明构思的闪存和/或存储器控制器可以通过使用封装来安装，该封装诸如叠层封装(pop)、球栅阵列(bga)、芯片级封装(csp)、塑料引线芯片载体(plcc)、塑料双列直插封装(pdip)、华夫封装管芯、晶片形式管芯、板上芯片(cob)、陶瓷双列直插封装(cerdip)、塑料公制四方扁平封装(mqfp)，薄型四方扁平封装(tqfp)、小外形集成电路(soic)、收缩型小外形封装(ssop)、薄型小外形封装(tsop)、系统级封装(sip)、多芯片封装(mcp)、晶片级制造封装(wfp)或晶片级处理堆叠封装(wsp)。
109.虽然已经参照本发明构思的实施例具体示出和描述了本发明构思，但是将理解，在不脱离所附权利要求的精神和范围的情况下，可以在形式和细节上对其进行各种改变。

技术特征：
1.一种存储设备，包括：非易失性存储器设备，包括第一存储器区域和第二存储器区域，第一存储器区域的存储器单元处于与第二存储器区域的存储器单元不同的电平；以及控制器，被配置为通过包括在回流工艺的返工之前将存储在第一存储器区域中的基本数据迁移到第二存储器区域的第一操作和在完成回流工艺的返工之后将基本数据从第二存储器区域恢复到第一存储器区域的第二操作，来控制抵御回流工艺的返工的基本数据保护操作，其中，所述控制器被配置为向主机提供管理信息，所述管理信息包括关于抵御回流工艺的返工的基本数据保护操作中的当前状态的第一信息、关于第一存储器区域的第二信息和关于第二存储器区域的第三信息中的一个或多个。2.根据权利要求1所述的存储设备，其中，第一存储器区域包括多电平单元，并且其中，第二存储器区域包括单电平单元。3.根据权利要求1所述的存储设备，其中，第一信息表示以下状态之一：表示基本数据存储在第一存储器区域中的焊接状态、表示正在执行第一操作的备份加载状态、和表示第一操作完成的备份完成状态。4.根据权利要求3所述的存储设备，其中，当存储设备处于焊接状态时，所述控制器被配置为响应于来自主机的、将存储设备的状态改变为备份加载状态的请求，将存储设备的状态从焊接状态改变为备份加载状态。5.根据权利要求3所述的存储设备，其中，当存储设备处于备份完成状态时，所述控制器被配置为响应于来自主机的、将存储设备的状态改变为焊接状态的请求，将存储设备的状态从备份完成状态改变为焊接状态。6.根据权利要求1所述的存储设备，其中，所述基本数据包括存储设备的操作系统映像和存储设备的调试数据中的一个或多个。7.根据权利要求1所述的存储设备，其中，所述控制器还被配置为通过包括在回流工艺之前将存储在第一存储器区域中的基本数据迁移到第二存储器区域的第三操作和在完成回流工艺之后将基本数据从第二存储器区域恢复到第一存储器区域的第四操作，来控制抵御回流工艺的基本数据保护操作。8.根据权利要求7所述的存储设备，其中，所述管理信息还包括关于以下状态之一的第四信息：表示抵御回流工艺的基本数据保护操作被去激活的关闭状态、表示正在执行第三操作的预焊接状态、表示完成第三操作的加载完成状态、和表示通过第四操作将基本数据存储在第一存储器区域中的焊接状态。9.根据权利要求8所述的存储设备，其中，所述控制器被配置为防止从焊接状态到关闭状态的改变的发生。10.根据权利要求1所述的存储设备，其中，第二信息表示存储在第一存储器区域中的基本数据的大小，并且其中，第三信息表示第二存储器区域的闲置大小。11.根据权利要求1所述的存储设备，其中，所述主机是第一主机，并且在回流工艺的返工之前，所述存储设备连接到不同于第一主机的第二主机，并且其中，所述控制器被配置为向第二主机提供管理信息。
12.一种操作存储设备的方法，用于在回流工艺的返工中保护从主机接收的基本数据，所述方法包括：在完成存储设备的回流工艺之后，将存储设备设置为表示基本数据存储在第一存储器区域中的焊接状态；响应于从主机接收的第一状态改变请求，将存储设备的状态从焊接状态改变到备份加载状态，以用于将基本数据从第一存储器区域迁移到具有更高可靠性的第二存储器区域的第一操作；当第一操作完成时，将存储设备的状态从备份加载状态改变到备份完成状态；以及响应于从主机接收的第二状态改变请求，将存储设备的状态从备份完成状态改变为焊接状态，以用于将基本数据从第二存储器区域恢复到第一存储器区域的第二操作。13.根据权利要求12所述的方法，其中，当存储设备处于备份完成状态时，执行回流工艺的返工。14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述回流工艺的返工包括使用多个第二焊球交换通过回流工艺形成在存储器设备中的多个第一焊球的操作。15.根据权利要求13所述的方法，其中，所述回流工艺的返工包括使用多个第二焊球交换通过回流工艺形成在被布置为与存储设备相邻的半导体设备中的多个第一焊球的操作。16.根据权利要求12所述的方法，还包括：将关于存储设备的当前状态的第一信息更新为焊接状态、备份加载状态和备份完成状态中的一个；以及存储关于存储在第一存储器区域中的基本数据的大小的第二信息和关于第二存储器区域的闲置大小的第三信息。17.根据权利要求16所述的方法，还包括：响应于来自主机的请求，向主机提供第一信息、第二信息和第三信息中的一个或多个。18.根据权利要求17所述的方法，还包括：当通过第二信息和第三信息确定基本数据的大小大于第二存储器区域的闲置大小时，从主机接收删除一部分基本数据的请求；以及响应于删除一部分基本数据的请求，删除存储在第一存储器区域中的一部分基本数据。19.根据权利要求12所述的方法，还包括：响应于来自主机的、取消基本数据保护操作的请求，将存储设备的状态从备份加载状态或备份完成状态改变为焊接状态。20.一种操作存储设备以用于保护基本数据的方法，所述方法包括：响应于从主机接收的管理信息请求，向主机传输管理信息；以及根据基于管理信息控制存储设备的方法，使用第一存储器区域和第二存储器区域与主机执行用于基本数据保护操作的信令，第一存储器区域和第二存储器区域分别包括处于不同电平的单元，其中，所述管理信息包括表示是否执行抵御存储设备的回流工艺的基本数据保护操作的第一信息。

技术总结
公开了包括非易失性存储器设备和控制器的存储设备。非易失性存储器设备包括第一存储器区域和第二存储器区域，第一存储器区域的存储器单元处于与第二存储器区域的存储器单元不同的电平，而控制器被配置为通过包括在回流工艺的返工之前将存储在第一存储器区域中的基本数据迁移到第二存储器区域的第一操作和在完成回流工艺的返工之后将基本数据从第二存储器区域恢复到第一存储器区域的第二操作，来控制抵御回流工艺的返工的基本数据保护操作。控制器被配置为向主机提供管理信息，管理信息包括关于抵御返工的基本数据保护操作中的当前状态的第一信息、关于第一存储器区域的第二信息和关于第二存储器区域的第三信息中的至少一个。的至少一个。的至少一个。


技术研发人员：金丞日 姜远镐 柳京兑 朴正雨 宋秉俊 李京伯 黄正收
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：2023.01.04
技术公布日：2023/7/11