一种多芯组模压表贴瓷介电容器及其制备方法与流程

1.本技术涉及电容器技术领域，具体而言，涉及一种多芯组模压表贴瓷介电容器及其制备方法。


背景技术：

2.瓷介电容器利用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质，并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。它又分高频瓷介和低频瓷介两种。
3.多芯组模压表贴瓷介电容具有环氧模压表面贴装结构，且无极性，适用于表面贴装工艺，广泛应用于军用高端设备以及高频开关电源、输入/输出滤波、电源总线滤波。
4.目前，多芯组模压表贴瓷介电容都是采用单只或多只ⅱ类瓷介电容器在载带上进行并联组装，然后通过环氧树脂模压而成。组装产品的应用频率一般在1khz～10mhz之间，但是在更高频率下使用可能会出现高频瞬间干扰的问题。


技术实现要素：

5.本技术实施例的目的在于提供一种多芯组模压表贴瓷介电容器及其制备方法，用以解决现有多芯组模压表贴瓷介电容在更高频率下使用可能会出现高频瞬间干扰的技术问题。
6.本技术实施例提供了一种多芯组模压表贴瓷介电容器，包括：第一瓷介电容器；第二瓷介电容器，与所述第一瓷介电容器并联；正极引出端，与所述第一瓷介电容器和所述第二瓷介电容器的正极端连接；负极引出端，与所述第一瓷介电容器和所述第二瓷介电容器的负极端连接；其中，所述第一瓷介电容器的额定电压大于等于所述第二瓷介电容器的额定电压。
7.本技术通过一个或多个i类瓷介电容器和一个或多个ⅱ类瓷介电容器并联组装在一起，高频瞬间干扰可由i类瓷介电容器滤除，低频滤波可由ⅱ类瓷介电容器滤除，显著提升了电容器的使用频率。
8.在一些实施例中，所述第一瓷介电容器和所述第二瓷介电容器的尺寸一致。采用尺寸代码一致的ⅱ类瓷介电容器和i类瓷介电容器便于并联焊接。
9.在一些实施例中，所述第一瓷介电容器的正极端及所述第二瓷介电容器的正极端均与所述正极引出端焊接，所述第一瓷介电容器的负极端及所述第二瓷介电容器的负极端均与所述负极引出端焊接。
10.在一些实施例中，所述第一瓷介电容器设置有多个，多个所述第一瓷介电容器并联连接；所述第二瓷介电容器设置有多个，多个所述第二瓷介电容器并联连接。
11.在一些实施例中，所述正极引出端和所述负极引出端的材质为以下任意一种：铜、铁镍合金、锡铋合金。
12.在一些实施例中，所述第一瓷介电容器为i类瓷介电容器；所述第二瓷介电容器为
ⅱ
类瓷介电容器。
13.在一些实施例中，所述正极引出端包括相连接的正极连接部和正极引出部，其中，所述正极连接部与所述第一瓷介电容器和所述第二瓷介电容器的正极端连接；所述负极引出端包括相连接的负极连接部和负极引出部，其中，所述负极连接部与所述第一瓷介电容器和所述第二瓷介电容器的负极端连接。
14.在一些实施例中，还包括：模压封装体，所述第一瓷介电容器、所述第二瓷介电容器、所述正极连接部和所述负极连接部封装于所述模压封装体内，所述正极引出部和所述负极引出部露于所述模压封装体外。
15.本技术实施例还提供一种多芯组模压表贴瓷介电容器制备方法，包括：将一个或多个第一瓷介电容器与一个或多个第二瓷介电容器并联焊接在载带上的正极引出端和负极引出端，形成多个并联的瓷介电容器组，其中，所述第一瓷介电容器的额定电压大于等于所述第二瓷介电容器的额定电压；通过环氧树脂模压封装所述瓷介电容器组，形成多个并联的多芯组模压表贴瓷介电容器；对载带进行裁剪和整形得到独立的多芯组模压表贴瓷介电容器。
16.在一些实施例中，所述将一个或多个第一瓷介电容器与一个或多个第二瓷介电容器并联焊接在载带上的正极引出端和负极引出端包括：采用高温焊膏并通过回流焊将一个或多个第一瓷介电容器与一个或多个第二瓷介电容器并联焊接在铜材质或者铁镍合金材质的载带上的正极引出端和负极引出端。
附图说明
17.为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对本技术实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
18.图1为本技术实施例提供的一种多芯组模压表贴瓷介电容器的结构示意图；
19.图2为本技术实施例提供的另一种多芯组模压表贴瓷介电容器的结构示意图；
20.图3为本技术实施例提供的一种多芯组模压表贴瓷介电容器制备方法示意图。
具体实施方式
21.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行描述。
22.应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。同时，在本技术的描述中，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
23.请参照图1，图1为本技术实施例提供的一种多芯组模压表贴瓷介电容器的结构示意图；图2为本技术实施例提供的另一种多芯组模压表贴瓷介电容器的结构示意图。
24.本技术实施例提供一种多芯组模压表贴瓷介电容器，包括：第一瓷介电容器10、第二瓷介电容器20、正极引出端31、负极引出端32。
25.第一瓷介电容器10可以为i类瓷介电容器，数量可以为一个或者多个，多个i类瓷介电容器可以并联在一起。
26.第二瓷介电容器20与第一瓷介电容器10并联，第一瓷介电容器10的额定电压大于等于第二瓷介电容器20的额定电压，第二瓷介电容器20可以为ⅱ类瓷介电容器，数量可以为一个或者多个，多个ⅱ类瓷介电容器可以并联在一起。
27.正极引出端31与第一瓷介电容器10和第二瓷介电容器20的正极端连接；负极引出端32与第一瓷介电容器10和第二瓷介电容器20的负极端连接。正极引出端31和负极引出端32用于连接负载，以形成电气回路。示例的，第一瓷介电容器10的正极端及第二瓷介电容器20的正极端均与正极引出端31焊接，第一瓷介电容器10的负极端及第二瓷介电容器20的负极端均与负极引出端32焊接。例如可以采用高温焊膏并通过370℃回流焊进行焊接，其中高温焊膏的sn含量可以为5％～10％，pd含量可以为90％～95％，高温焊膏焊接i类和ⅱ类瓷介电容器温度可为350℃～370℃。
28.本技术实施例的多芯组模压表贴瓷介电容器制备过程如下：
29.首先，将一个或多个第一瓷介电容器10(i类瓷介电容器)与一个或多个第二瓷介电容器20(ⅱ类瓷介电容器)并联焊接在载带上的正极引出端和负极引出端，形成多个并联的瓷介电容器组；其次，通过环氧树脂模压封装所述瓷介电容器组，形成多个并联的多芯组模压表贴瓷介电容器，其中模压温度可以为165℃～180℃；然后，对载带进行裁剪和整形得到独立的多芯组模压表贴瓷介电容器。
30.本技术实施例的多芯组模压表贴瓷介电容器通过一个或多个i类瓷介电容器和一个或多个ⅱ类瓷介电容器并联组装在一起，高频瞬间干扰可由i类瓷介电容器滤除，低频滤波可由ⅱ类瓷介电容器滤除，显著提升了电容器的使用频率。
31.在一些实施例中，第一瓷介电容器10和第二瓷介电容器20的尺寸可以一致。例如，单个或多个ⅱ类瓷介电容器20的尺寸代码可以为01005、0201、0402、0505、0603、0805、1111、1206、1210、1808、1812、2020、2211、2220、2225(英制)，额定电压范围可以为4v～3000v，容量范围可以为100pf～100000000pf。单个或多个i类瓷介电容器的尺寸代码可以为01005、0201、0402、0505、0603、0805、1111、1206、1210、1808、1812、2020、2211、2220、2225(英制)，额定电压范围可以为4v～3000v，容量范围可以为0.1pf～220000pf。采用尺寸代码一致的ⅱ类瓷介电容器和i类瓷介电容器便于并联焊接。
32.在一些实施例中，正极引出端31和负极引出端32的材质为以下任意一种：铜、铁镍合金、锡铋合金。载带可以采用铜、铁镍合金或锡铋合金材质。
33.进一步可选地，正极引出端31可以包括相连接的正极连接部311和正极引出部322，其中，正极连接部311与第一瓷介电容器10和第二瓷介电容器20的正极端连接；负极引出端32包括相连接的负极连接部321和负极引出部322，其中，负极连接部321与第一瓷介电容器10和第二瓷介电容器20的负极端连接。
34.进一步地，第一瓷介电容器10、第二瓷介电容器20、正极连接部311和负极连接部321封装于模压封装体内，正极引出部312和负极引出部322露于模压封装体外。
35.下面以制备规格为ct4502-m-x7r-25v-107m、ct4502-v-x5r-6.3v-108m、ct4502-f-x5r-10v-107m的多芯组模压表贴瓷介电容器为具体的实施例对本技术作进一步说明：
36.其中，
①
ct4502为型号：多芯组模压表贴瓷介电容器；
37.②
m、v、f为尺寸代码，m壳长12.70
±
0.30mm、宽8.40
±
0.30mm、厚7.60
±
0.30mm，v壳长11.00
±
0.30mm、宽12.50
±
0.30mm、厚7.50
±
0.30mm，f壳长7.30
±
0.30mm、宽6.00
±
0.30mm、厚3.50
±
0.30mm；
38.③
x7r、x5r为温度特性，x7r温度范围-55～125℃，电容量变化
±
15％，x7r温度范围-55～85℃，电容量变化
±
15％；
39.④
25v、6.3v、10v为额定电压；
40.⑤
107、108为容量，采用三位数表示法，前两位表示电容量有效数，第三位表示有效数“0”的个数，单位：pf，如：107即表示：10
×
107＝100000000pf＝100000nf＝100uf；
41.⑥
m为电容量允许偏差，m为
±
20％，k为
±
10％。
42.在一示例中，如图1所示，1)将2只ⅱ类瓷介电容器(尺寸代码为2220、温度特性x7r、额定电压25v、容量476k)用sn10pd90高温焊膏在铁镍合金材质的载带上进行并联组装；
43.2)再将2只i类瓷介电容器(尺寸代码为2220、温度特性c0g(温度范围-55～125℃，电容量变化0
±
30ppm/℃)、额定电压1500v、容量331j)用sn10pd90高温焊膏在铁镍合金材质的载带1上与上述2只容量476k的ⅱ类瓷介电容器进行并联组装，通过370℃回流焊进行焊接。
44.3)最后通过环氧树脂模压而成ct4502-m-x7r-25v-107m多芯组模压表贴瓷介电容器。
45.在另一示例中，如图2所示，1)将4只ⅱ类瓷介电容器(尺寸代码为1812、温度特性x5r、额定电压6.3v、容量227k)用sn5pd95高温焊膏在铜质的载带2上进行并联组装；
46.2)再将3只i类瓷介电容器(尺寸代码为1812、温度特性c0g(温度范围-55～125℃，电容量变化0
±
30ppm/℃)、额定电压10v、容量470j)用sn5pd95高温焊膏在铜质的载带上与上述4只容量227k的ⅱ类瓷介电容器进行并联组装，通过365℃回流焊进行焊接。
47.3)最后通过环氧树脂模压而成ct4502-v-x5r-6.3v-108m多芯组模压表贴瓷介电容器。
48.在又一示例中，1)将2只ⅱ类瓷介电容器(尺寸代码为1210、温度特性x5r、额定电压10v、容量476k)用sn3pd97高温焊膏在锡铋合金材质的载带上进行并联组装；
49.2)再将1只i类瓷介电容器(尺寸代码为1210、温度特性c0g(温度范围-55～125℃，电容量变化0
±
30ppm/℃)、额定电压10v、容量120j)用sn3pd97高温焊膏在锡铋合金材质的载带上与上述2只容量476k的ⅱ类瓷介电容器进行并联组装，通过360℃回流焊进行焊接。
50.3)最后通过环氧树脂模压而成ct4502-f-x5r-10v-107m多芯组模压表贴瓷介电容器。
51.将上述实施例制备的三种规格多芯组模压表贴瓷介电容器与现有仅采用ⅱ类瓷介电容器组装制备的电容器进行试验对比可以发现，采用本发明方法制备的电容器可使用频率更高。
52.本发明实施例还提供一种多芯组模压表贴瓷介电容器制备方法包括：步骤s11、步骤s12和步骤s13。
53.在步骤s11中，将一个或多个第一瓷介电容器与一个或多个第二瓷介电容器并联焊接在载带上的正极引出端和负极引出端，其中，第一瓷介电容器的额定电压大于等于第二瓷介电容器的额定电压；
54.步骤s11包括：采用高温焊膏并通过回流焊将一个或多个第一瓷介电容器与一个
或多个第二瓷介电容器并联焊接在铜材质或者铁镍合金材质的载带上的正极引出端和负极引出端。
55.在步骤s12中，通过环氧树脂模压封装所述瓷介电容器组，形成多个并联的多芯组模压表贴瓷介电容器。
56.在步骤s13中，对载带进行裁剪和整形，形成多个独立的多芯组模压表贴瓷介电容器。
57.上述高温焊膏的sn含量为5～10％，pd含量为90～95％，高温焊膏焊接i类和ⅱ类瓷介电容器温度为350～370℃，模压温度为165℃～180℃。
58.在本技术所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的装置和方法，也可以通过其它的方式实现。以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，附图中的流程图和框图显示了根据本技术的多个实施例的装置、方法和计算机程序产品的可能实现的体系架构、功能和操作。在这点上，流程图或框图中的每个方框可以代表一个模块、程序段或代码的一部分，所述模块、程序段或代码的一部分包含一个或多个用于实现规定的逻辑功能的可执行指令。也应当注意，在有些作为替换的实现方式中，方框中所标注的功能也可以以不同于附图中所标注的顺序发生。例如，两个连续的方框实际上可以基本并行地执行，它们有时也可以按相反的顺序执行，这依所涉及的功能而定。也要注意的是，框图和/或流程图中的每个方框、以及框图和/或流程图中的方框的组合，可以用执行规定的功能或动作的专用的基于硬件的系统来实现，或者可以用专用硬件与计算机指令的组合来实现。
59.另外，在本技术各个实施例中的各功能模块可以集成在一起形成一个独立的部分，也可以是各个模块单独存在，也可以两个或两个以上模块集成形成一个独立的部分。
60.所述功能如果以软件功能模块的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本技术的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)执行本技术各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：u盘、移动硬盘、只读存储器(rom，read-only memory)、随机存取存储器(ram，random access memory)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
61.以上所述仅为本技术的实施例而已，并不用于限制本技术的保护范围，对于本领域的技术人员来说，本技术可以有各种更改和变化。凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
62.以上所述，仅为本技术的具体实施方式，但本技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本技术揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本技术的保护范围之内。因此，本技术的保护范围应以所述权利范围为准。
63.需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要
素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个
……”
限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

技术特征：
1.一种多芯组模压表贴瓷介电容器，其特征在于，包括：第一瓷介电容器；第二瓷介电容器，与所述第一瓷介电容器并联；正极引出端，与所述第一瓷介电容器和所述第二瓷介电容器的正极端连接；负极引出端，与所述第一瓷介电容器和所述第二瓷介电容器的负极端连接；其中，所述第一瓷介电容器的额定电压大于等于所述第二瓷介电容器的额定电压。2.根据权利要求1所述的多芯组模压表贴瓷介电容器，其特征在于，所述第一瓷介电容器和所述第二瓷介电容器的尺寸一致。3.根据权利要求1所述的多芯组模压表贴瓷介电容器，其特征在于，所述第一瓷介电容器的正极端及所述第二瓷介电容器的正极端均与所述正极引出端焊接，所述第一瓷介电容器的负极端及所述第二瓷介电容器的负极端均与所述负极引出端焊接。4.根据权利要求1所述的多芯组模压表贴瓷介电容器，其特征在于，所述第一瓷介电容器设置有多个，多个所述第一瓷介电容器并联连接；所述第二瓷介电容器设置有多个，多个所述第二瓷介电容器并联连接。5.根据权利要求1所述的多芯组模压表贴瓷介电容器，其特征在于，所述正极引出端和所述负极引出端的材质为以下任意一种：铜、铁镍合金、锡铋合金。6.根据权利要求1所述的多芯组模压表贴瓷介电容器，其特征在于，所述第一瓷介电容器为i类瓷介电容器；所述第二瓷介电容器为ⅱ类瓷介电容器。7.根据权利要求1所述的多芯组模压表贴瓷介电容器，其特征在于，所述正极引出端包括相连接的正极连接部和正极引出部，其中，所述正极连接部与所述第一瓷介电容器和所述第二瓷介电容器的正极端连接；所述负极引出端包括相连接的负极连接部和负极引出部，其中，所述负极连接部与所述第一瓷介电容器和所述第二瓷介电容器的负极端连接。8.根据权利要求7所述的多芯组模压表贴瓷介电容器，其特征在于，还包括：模压封装体，所述第一瓷介电容器、所述第二瓷介电容器、所述正极连接部和所述负极连接部封装于所述模压封装体内，所述正极引出部和所述负极引出部露于所述模压封装体外。9.一种多芯组模压表贴瓷介电容器制备方法，其特征在于，包括：将一个或多个第一瓷介电容器与一个或多个第二瓷介电容器并联焊接在载带上的正极引出端和负极引出端，形成多个并联的瓷介电容器组，其中，所述第一瓷介电容器的额定电压大于等于所述第二瓷介电容器的额定电压；通过环氧树脂模压封装每个所述瓷介电容器组，形成多个并联的多芯组模压表贴瓷介电容器；对载带进行裁剪和整形得到独立的多芯组模压表贴瓷介电容器。10.根据权利要求9所述的多芯组模压表贴瓷介电容器制备方法，其特征在于，所述将一个或多个第一瓷介电容器与一个或多个第二瓷介电容器并联焊接在载带上的正极引出端和负极引出端包括：
采用sn含量为5～10％，pd含量为90～95％，高温焊膏并通过350～370℃回流焊将一个或多个第一瓷介电容器与一个或多个第二瓷介电容器并联焊接在铜材质或者铁镍合金材质的载带上的正极引出端和负极引出端。

技术总结
本申请实施例提供一种多芯组模压表贴瓷介电容器及其制备方法。电容器包括：第一瓷介电容器；第二瓷介电容器，与第一瓷介电容器并联；正极引出端，与第一瓷介电容器和第二瓷介电容器的正极端连接；负极引出端，与第一瓷介电容器和第二瓷介电容器的负极端连接；其中，第一瓷介电容器的额定电压大于等于第二瓷介电容器的额定电压。本申请通过一个或多个第一瓷介电容器和一个或多个第二瓷介电容器并联组装在一起，高频瞬间干扰可由第一瓷介电容器滤除，低频滤波可由第二瓷介电容器滤除，显著提升了电容器的使用频率。提升了电容器的使用频率。提升了电容器的使用频率。


技术研发人员：于丽平 杨凯 张勇 肖颖韬 张二甜
受保护的技术使用者：中国振华（集团）新云电子元器件有限责任公司（国营第四三二六厂）
技术研发日：2023.04.13
技术公布日：2023/7/7