对版图进行光学邻近效应校正的方法、装置及存储介质与流程

1.本技术涉及集成电路版图设计技术领域，具体而言，涉及一种对版图进行光学邻近效应校正的方法、装置及存储介质。


背景技术：

2.集成电路版图是集成电路从设计走向制造的桥梁，集成电路制造厂家把包含图形的集成电路版图制造具有掩膜图形的掩膜版，再通过掩膜版结合光刻工艺制造出集成电路版图，集成电路版图可简称为版图。光刻工艺是集成电路制造的主要工艺，光刻工艺的任务是实现掩膜版上的掩膜图形向硅表面各层材料上的转移，具体为通过投影光将掩膜版的掩膜图形传播到硅片上，在硅片上得到与掩膜图形相关的光刻图形。
3.但是，根据光波衍射和干涉原理，投影光的光波通过掩膜版时将发生衍射，掩膜版不同位置之间的光波还会发生干涉，导致在硅片上形成的光刻图形与掩膜图形之间存在一定偏差，特别是在不同掩膜图形之间相互邻近的部位，由于光波干涉和衍射作用明显，偏差相对较大，例如，在线段顶端和图形拐角等图形部位处偏差就比较明显，而这些图形部位往往是对电路的电学性能和电路功能起关键作用的地方，从而影响了整个芯片的性能，甚至导致电路失效。我们将这种由于光波衍射和干涉作用而使光刻图形与掩膜图形产生偏差的现象称为光学邻近效应(ope，optical proximity effect)。
4.在光刻工艺中，光学邻近效应是不可避免的，因此在光刻前，通过光学邻近效应校正(opc，optical proximity correction)模型移动集成电路版图中图形的边缘、或者为集成电路版图中的图形添加额外的多边形等方法，对集成电路版图中的图形进行校正，进一步使得按照集成电路版图制造的掩膜版上的掩膜图形也是经过光学邻近校正后的图形，达到了在光刻时减小掩膜图形到光刻图形的偏差，以保证芯片的性能和成品率的目的。
5.然而随着集成电路技术的不断发展，集成电路版图中包含的图形数量在急速增加，同时有些图形被多次实例化在集成电路版图中，存在相同图形在集成电路版图中重复出现的问题。当对集成电路版图中的图形进行校正时，出现对相同图形进行多次校正的情况，造成了大量重复计算，增大了校正过程的计算量、降低了校正效率降低。


技术实现要素：

6.为了解决对相同图形进行多次校正而造成大量重复计算的问题，本技术提供了一种对版图进行光学邻近效应校正的方法、装置及存储介质。
7.本技术的实施例是这样实现的：
8.本技术实施例的第一方面提供一种对版图进行光学邻近效应校正的方法，所述方法包括：
9.获取集成电路版图中单元的包围盒，所述单元对应的包围盒的面积不小于第一预设阈值，所述单元包括至少一个子单元，所述子单元为具有几何形状的图形；
10.将所述单元中任意相邻的预设数量个子单元进行组合，得到第一组合子单元；
11.将所述第一组合子单元与所述单元中其他相邻的子单元进行比较，确定第一重复子单元，所述第一重复子单元包括的相邻子单元的数量、排列方式和几何形状均与所述第一组合子单元相同；
12.将所述第一重复子单元和所述单元中除所述第一重复子单元之外的子单元共同输入到光学近邻校正模型中，以对其进行校正，得到校正后的集成电路版图。
13.在一些实施例中，从所述单元中选取相邻的至少两个子单元进行组合，得到第一组合子单元之后，所述方法还包括：
14.在所述单元中，将所述第一组合子单元和与所述第一组合单元相邻的子单元进行组合，得到第二组合子单元；
15.将所述第一组合子单元与所述单元中其他相邻的子单元进行比较，确定第一重复子单元，包括：
16.将所述第二组合子单元与所述单元中其他相邻的子单元进行比较，得到第二重复子单元，所述第二重复子单元包括的相邻子单元的数量、排列方式和几何形状均与第二组合单元相同；
17.计算第一数量之和与第二数量之和，所述第一数量之和为所述第一重复子单元的数量与所述单元中除所述第一重复子单元之外的子单元的数量之和，所述第二数量之和为所述第二重复子单元的数量与所述单元中除所述第二重复子单元之外的子单元的数量之和；
18.比较所述第一数量之和与所述第二数量之和，确定数值最小的数量之和所对应的重复子单元、以及所述单元中除所述重复子单元之外的子单元；
19.所述将所述第一重复子单元和所述单元中除所述第一重复子单元之外的子单元共同输入到光学近邻校正模型中，包括：
20.将数值最小的数量之和所对应的重复子单元和所述单元中除所述重复子单元之外的子单元共同输入到光学近邻校正模型中。
21.在一些实施例中，比较所述第一数量之和与所述第二数量之和之后，所述方法还包括：
22.若所述第一数量之和与所述第二数量之和相等，则比较第一重复子单元与所述第二重复子单元的面积，选取面积最小的重复子单元和所述单元中除所述重复子单元之外的子单元；
23.所述将所述第一重复子单元和所述单元中除所述第一重复子单元之外的子单元共同输入到光学近邻校正模型中，包括：
24.将所述面积最小的重复子单元和所述单元中除所述重复子单元之外的子单元共同输入到光学近邻校正模型中。
25.在一些实施例中，在确定第一重复子单元之后，所述方法还包括：
26.当所述第一重复子单元的面积小于第二预设阈值时，且所述第一重复子单元有与其相邻的其他重复子单元时，将所述第一重复子单元与与其相邻的其他重复子单元进行联合，得到联合子单元；
27.所述将所述第一重复子单元和所述单元中除所述第一重复子单元之外的子单元共同输入到光学近邻校正模型中，包括：
28.将所述联合子单元和所述单元中除所述联合子单元之外的子单元共同输入到光学近邻校正模型中。
29.在一些实施例中，所述第二预设阈值不小于利用光学近邻校正模型进行计算时的窗口面积。
30.在一些实施例中，所述子单元在所述包围盒中沿x轴和y轴方向上呈阵列排布，形成第一布局结构，每个所述子单元的位置信息用坐标表示；
31.将所述第一组合子单元与所述单元中其他相邻的子单元进行比较，确定第一重复子单元，包括：
32.以所述第一组合单元的结构为索引，搜索与所述第一组合单元的结构相同的第一待选重复子单元，并获取所述第一待选重复子单元的位置信息；
33.按照所述第一待选重复子单元的位置信息和所述单元中除所述第一待选重复子单元之外的子单元的位置信息，对所述第一待选重复子单元和所述单元中除所述第一待选重复子单元之外的子单元进行排列，得到第二局部结构；
34.若所述第一布局结构与所述第二布局结构一致，则确定所述第一待选重复子单元为所述第一重复子单元。
35.在一些实施例中，所述第一预设阈值不小于光刻工艺窗口的面积。
36.本技术实施例的第二方面提供一种对版图进行光学邻近效应校正的装置，包括：
37.获取模块，用于获取集成电路版图中单元的包围盒，所述单元对应的包围盒的面积不小于第一预设阈值，所述单元包括具有预设形状的多个子单元；
38.组合模块，用于在所述单元中，将任意相邻的预设数量个子单元进行组合，得到第一组合子单元；
39.确定模块，用于将所述第一组合子单元与所述单元中其他相邻的子单元进行比较，确定第一重复子单元，所述第一重复子单元包括的相邻子单元的数量、排列方式和几何形状均与所述组合子单元相同；
40.校正模块，用于将所述第一重复子单元和所述单元中除所述第一重复子单元之外的子单元共同输入到光学近邻校正模型中，以对其进行校正，得到校正后的集成电路版图。
41.本技术实施例的第三方面提供一种计算机设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现所述的对版图进行光学邻近效应校正的方法的步骤。
42.本技术实施例的第四方面提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现所述的对版图进行光学邻近效应校正的方法的步骤。
43.本技术的有益效果：通过将任意相邻的预设数量个子单元进行组合，得到第一组合子单元，然后将所述第一组合子单元与单元中其他相邻的子单元进行比较，确定与第一组合子单元图形相同的第一重复子单元，实现了从集成电路版图单元中筛选出了相同图形的目的；进一步仅将第一重复子单元和单元中除所述第一重复子单元之外的子单元作为光学邻近效应校正模型的输入，避免了将相同图形多次进行光学邻近效应校正所造成的重复计算的问题，减小了光学邻近效应校正模型的计算量，提高了校正效率。
附图说明
44.为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本技术的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图葬得其他的附图。
45.图1是本技术实施例提供的一种对版图进行光学邻近效应校正的方法的流程示意图；
46.图2是本技术实施例提供单元的包围盒的一种示例示意图；
47.图3是本技术实施例提供的又一种对版图进行光学邻近效应校正的方法的流程示意图；
48.图4是本技术实施例提供单元的一个单元的一种示例示意图；
49.图5是本技术实施例提供的又一种对版图进行光学邻近效应校正的方法的流程示意图；
50.图6是本技术实施例提供的又一个单元的一种示例示意图；
51.图7是本技术实施例提供的一种基于第一组合子单元在单元中确定第一重复子单元的流程示意图；
52.图8是本技术实施例提供的一种对版图进行光学邻近效应校正的装置的结构示意图；
53.其中，200、包围盒；400、单元；410、第一组合子单元；420、第二组合子单元；430、子单元；600、单元；610、第一组合子单元；620、第二组合子单元；630、子单元。
具体实施方式
54.为使本技术的目的、实施方式和优点更加清楚，下面将结合本技术示例性实施例中的附图，对本技术示例性实施方式进行清楚、完整地描述，显然，所描述的示例性实施例仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。
55.需要说明的是，本技术中对于术语的简要说明，仅是为了方便理解接下来描述的实施方式，而不是意图限定本技术的实施方式。除非另有说明，这些术语应当按照其普通和通常的含义理解。
56.本技术中说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”、“第三”等是用于区别类似或同类的对象或实体，而不必然意味着限定特定的顺序或先后次序，除非另外注明。应该理解这样使用的用语在适当情况下可以互换。
57.术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖但不排他的包含，例如，包含了一系列组件的产品或设备不必限于清楚地列出的所有组件，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些产品或设备固有的其它组件。
58.术语“设置”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
59.集成电路版图，简称版图，是集成电路设计者将设计并模拟优化后的电路转化成的一系列几何图形，包含了集成电路尺寸大小、各层拓扑定义等有关器件的所有物理信息。
版图的设计有特定的规则，这些规则是集成电路制造厂家根据自己的工艺特点而制定的。不同的工艺，有不同的设计规则。
60.集成电路制造厂家根据版图来制造掩膜版，掩膜版上的掩膜图形与集成电路版图中的图形对应相同。
61.相关技术中，利用掩膜版结合光刻工艺制造集成电路板。光刻工艺是集成电路制造的主要工艺，光刻工艺的任务是实现掩膜版上的掩膜图形向硅表面各层材料上的转移，具体为通过投影光将掩膜版的掩膜图形传播到硅片上，在硅片上得到与掩膜图形相关的光刻图形。
62.但是，在光刻时因存在光学邻近效应，导致在硅片上形成的光刻图形与掩膜图形之间存在一定偏差，一般将版图中的图形输入到光学邻近效应校正模型，通过光学邻近效应校正模型对版图中的图形进行校正，达到减小光刻图形与掩膜图形之间的偏差的目的。由于输入到光学邻近效应校正模型中的图形中有许多相同图形，出现了对相同图形进行多次校正的情况。造成了大量重复计算，增大了校正过程的计算量、降低了校正效率降低。基于此，本技术提供一种对版图进行光学邻近效应校正的方法、装置及存储介质。
63.需要说明的是，光学邻近效应校正是一种光刻增强技术，主要在半导体器件的生产过程中使用，目的是为了保证生产过程中设计的图形的边缘能够得到完整的刻蚀。根据光学邻近校正模型在设计版图的图形时，已经考虑了光学邻近效应对图形产生的偏差，因此，光刻后的光刻图形接近于用于实际希望得到的目的图形。
64.图1是本技术实施例提供的一种对版图进行光学邻近效应校正的方法的流程示意图，参见图1，本技术实施例提供一种对版图进行光学邻近效应校正的方法，包括以下步骤：
65.s101获取集成电路版图中单元的包围盒，单元对应的包围盒的面积不小于第一预设阈值，单元包括至少一个子单元，子单元为具有几何形状的图形。
66.集成电路版图是芯片为例,各单元可包括晶体管、电容、电阻等电子元件。
67.在一些实施例中,对于每个单元可包括子单元,子单元是单元中的电子元件；需要说明的是,子单元可能存在一个或者多个,同样子单元也可能存在一个或者多个。同样的子单元是指图像相同的子单元。
68.为了对更好的划分单元中区域,可通过包围盒近似代替单元的几何形状，包围盒是比单元的体积稍大且特征简单的几何体。包围盒可通过aabb(axis-aligned bounding box)包围盒、方向包围盒obb(oriented bounding box)或者固定方向凸包fdh(fixed directionshulls或k-dop)等方式确定的,本技术实施例包围盒的确定不做限定。
69.在一些实施例中,包围盒是面积大于或等于单元的面积,且为矩形,可通过单元所在平面的x轴和y轴确定。在一些实施例中，包围盒的面积不小于第一预设阈值，该第一预设阈值不小于光刻工艺窗口的面积。
70.例如,图2是本技术实施例提供单元的包围盒的一种示例示意图,参照图2所示,通过可以包围单元的最小方形作为单元的包围盒200。
71.s102将单元中任意相邻的预设数量个子单元进行组合，得到第一组合子单元。
72.当单元中仅包含一个子单元，则这一个子单元为第一组合子单元；当单元中包含有多个子单元时，第一组合子单元可以有相邻近的两个子单元组成，也可由相邻近的三个子单元组成，也可由相邻近的四个子单元组成。
73.s103将第一组合子单元与单元中其他相邻的子单元进行比较，确定第一重复子单元，第一重复子单元包括的相邻子单元的数量、排列方式和几何形状均与第一组合子单元相同；
74.其他相邻的子单元指的是单元中除第一组合子单元之外的、且相邻近的子单元，第一组合子单元通过平移、或平移结合旋转后，能与其他相邻的子单元重合，则该其他相邻的子单元的组合认定为第一重复子单元。
75.在一个单元中，通过比较可以认定出一个第一重复子单元或多个第一重复子单元。
76.s104将第一重复子单元和单元中除第一重复子单元之外的子单元共同输入到光学近邻校正模型中，以对其进行校正，得到校正后的集成电路版图。
77.通过执行s103的步骤从单元中筛选出了一个或多个第一重复子单元，第一组合子单元、一个或多个第一重复子单元之间相比较其包括的相邻子单元的数量、排列方式和几何形状均相同，因此为重复图形，对于重复图形，我们只对其进行一次校正计算即可，因此仅将将第一重复子单元和单元中除第一重复子单元之外的子单元共同输入到光学近邻校正模型中，以对第一重复子单元和单元中除第一重复子单元之外的子单元进行校正，得到校正后的、由第一重复子单元和单元中除第一重复子单元之外的子单元所组成的集成电路版图。
78.在本实施例中，通过将任意相邻的预设数量个子单元进行组合，得到第一组合子单元，然后将第一组合子单元与单元中其他相邻的子单元进行比较，确定与第一组合子单元图形相同的第一重复子单元，实现了从集成电路版图单元中筛选出了相同图形的目的；进一步仅将第一重复子单元和单元中除第一重复子单元之外的子单元作为光学邻近效应校正模型的输入，避免了将相同图形多次进行光学邻近效应校正所造成的重复计算的问题，减小了光学邻近效应校正模型的计算量，提高了校正效率。
79.图3是本技术实施例提供的又一种对版图进行光学邻近效应校正的方法的流程示意图，参见图3，本技术实施例提供又一种对版图进行光学邻近效应校正的方法，包括以下步骤：
80.s301获取集成电路版图中单元的包围盒，单元对应的包围盒的面积不小于第一预设阈值，单元包括至少一个子单元，子单元为具有几何形状的图形。
81.集成电路版图中包括多个单元，以单元为单位对版图进行光学邻近效应校正。
82.s302将单元中任意相邻的预设数量个子单元进行组合，得到第一组合子单元。
83.s303在单元中，将第一组合子单元和与第一组合单元相邻的子单元进行组合，得到第二组合子单元。
84.s304将第二组合子单元与单元中其他相邻的子单元进行比较，得到第二重复子单元，第二重复子单元包括的相邻子单元的数量、排列方式和几何形状均与第二组合单元相同；
85.s305计算第一数量之和与第二数量之和，第一数量之和为第一重复子单元的数量与单元中除第一重复子单元之外的子单元的数量之和，第二数量之和为第二重复子单元的数量与单元中除第二重复子单元之外的子单元的数量之和。
86.s306比较第一数量之和与第二数量之和，确定数值最小的数量之和所对应的重复
子单元和单元中除重复子单元之外的子单元。
87.s307将数值最小的数量之和所对应的重复子单元和单元中除重复子单元之外的子单元共同输入到光学近邻校正模型中，以对其进行校正，得到校正后的集成电路版图。
88.例如图4是本技术实施例提供的一个单元的一种示例示意图，图中示意出了单元400中包括第一组合子单元410和第二组合子单元420，第二组合子单元420由第一组合子单元410和与第一组合子单元相邻的任意一个子单元430或多个子单元组成。
89.第一数量之和为1(即第一重复子单元的数量为1，单元中除第一重复子单元之外的子单元的数量为0)，第二数量之和为5(即第一重复子单元的数量为1，单元中除第一重复子单元之外的子单元的数量为4)，数值最小的数量之和所对应的重复子单元为第一重复子单元，仅将第一重复子单元输入光学近邻校正模型即可。
90.在本实施例中，在第一组合子单元的基础上构建第二组合子单元的目的是为扩大组合子单元的面积，以使其包含更多的子单元，组合子单元的面积扩大时，单元中除组合子单元之外的子单元的数量就相对减少，达到减小输入到光学近邻校正模型中的输入量(即数值最小的组合子单元、以及单元中除重复子单元之外的子单元的数量之和)的目的。
91.图5是本技术实施例提供的又一种对版图进行光学邻近效应校正的方法的流程示意图，参见图5，本技术实施例提供又一种对版图进行光学邻近效应校正的方法，包括以下步骤：
92.s501获取集成电路版图中单元的包围盒，单元对应的包围盒的面积不小于第一预设阈值，单元包括至少一个子单元，子单元为具有几何形状的图形；
93.s502将单元中任意相邻的预设数量个子单元进行组合，得到第一组合子单元；
94.s503在单元中，将第一组合子单元和与第一组合单元相邻的子单元进行组合，得到第二组合子单元；
95.s504将第二组合子单元与单元中其他相邻的子单元进行比较，得到第二重复子单元，第二重复子单元包括的相邻子单元的数量、排列方式和几何形状均与第二组合单元相同；
96.s505计算第一数量之和与第二数量之和，第一数量之和为第一重复子单元的数量与单元中除第一重复子单元之外的子单元的数量之和，第二数量之和为第二重复子单元的数量与单元中除第二重复子单元之外的子单元的数量之和；
97.s506比较第一数量之和与第二数量之和，若第一数量之和与第二数量之和相等，则比较第一重复子单元与第二重复子单元的面积，选取面积最小的重复子单元和单元中除重复子单元之外的子单元；
98.s507将面积最小的重复子单元和单元中除重复子单元之外的子单元共同输入到光学近邻校正模型中，以对其进行校正，得到校正后的集成电路版图。
99.例如图6是本技术实施例提供的又一个单元的一种示例示意图，图中示意出了单元600包括第一组合子单元610和第二组合子单元620，第二组合子单元620由第一组合子单元610和与第一组合子单元相邻的任意一个子单元630或多个子单元组成。
100.第一数量之和为1(第一重复子单元的数量为1，单元中除第一重复子单元之外的子单元的数量为0)，第二数量之和为1(第一重复子单元的数量为1，单元中除第一重复子单元之外的子单元的数量为0)，在数量之和相等时，比较第一组合子单元与第二组合子单元
的面积，面积最小的重复子单元为第一重复子单元(图6中示意出的第一组合子单元的面积小于第二组合子单元)，因此将第一组合子单元对应的第一重复子单元输入光学近邻校正模型即可。
101.在本实施例中，通过基于组合子单元搜索重复子单元达到减小输入到光学近邻校正模型中的输入量(即数值最小的组合子单元、以及单元中除重复子单元之外的子单元的数量之和)的目的，在输入量相同时，进一步比较输入的重复子单元的面积，将面积最小的重复子单元作为输入，进一步减少了光学邻近校正模型的计算量。
102.在一些实施例中，在s101-s103的基础上，对版图进行光学邻近效应校正的方法还包括：
103.当第一重复子单元的面积小于第二预设阈值时，且第一重复子单元有与其相邻的其他重复子单元时，将第一重复子单元与与其相邻的其他重复子单元进行联合，得到联合子单元；
104.将联合子单元和单元中除联合子单元之外的子单元共同输入到光学近邻校正模型中，以对其进行校正，得到校正后的集成电路版图。
105.其中的第二预设阈值不小于利用光学近邻校正模型进行计算时的窗口面积。
106.在本实施例中，若第一重复子单元的面积小于利用光学近邻校正模型进行计算时的窗口面积，则将多个第一重复子单元进行联合，得到面积更大的联合子单元并将其作为输入，以保证光刻近邻校正模型能够进行正常计算。
107.在一些实施例中，子单元在包围盒中沿x轴和y轴方向上呈阵列排布，形成第一布局结构，每个子单元的位置信息用坐标表示。图7是本技术实施例提供的一种基于第一组合子单元在单元中确定第一重复子单元的流程示意图，参见图7，本技术实施例提供一种基于第一组合子单元在单元中确定第一重复子单元的方法，包括以下步骤：
108.s701以第一组合单元的结构为索引，搜索与第一组合单元的结构相同的第一待选重复子单元，并获取第一待选重复子单元的位置信息；
109.s702按照第一待选重复子单元的位置信息和单元中除第一待选重复子单元之外的子单元的位置信息，对第一待选重复子单元和单元中除第一待选重复子单元之外的子单元进行排列，得到第二局部结构；
110.s703若第一布局结构与第二布局结构一致，则确定第一待选重复子单元为第一重复子单元。
111.在本实施例中，根据第一待选重复子单元的位置信息和单元中除第一待选重复子单元之外的子单元的位置信息对第一待选重复子单元和单元中除第一待选重复子单元之外的子单元进行排列，如果得到的第二局部结构与第一局部结构一致，则表明在搜索过程中，没有出现子单元移位、丢失或增多的情况，搜索前后单元的布局结构没有改变，因此认定此次搜索得到的结果是正确的。
112.在一个实施例中，图8是本技术实施例提供的一种对版图进行光学邻近效应校正的装置的结构示意图，参见图8，对版图进行光学邻近效应校正的装置800包括：获取模块810、组合模块820、确定模块830和校正模块840，具体为：
113.获取模块810，用于获取集成电路版图中单元的包围盒，单元对应的包围盒的面积不小于第一预设阈值，单元包括具有预设形状的至少一个子单元；
114.组合模块820，用于将单元中任意相邻的预设数量个子单元进行组合，得到第一组合子单元；
115.确定模块830，用于将第一组合子单元与单元中其他相邻的子单元进行比较，确定第一重复子单元，第一重复子单元包括的相邻子单元的数量、排列方式和几何形状均与第一组合子单元相同；
116.校正模块840，用于将第一重复子单元和单元中除第一重复子单元之外的子单元共同输入到光学近邻校正模型中，以对其进行校正，得到校正后的集成电路版图。
117.本技术实施例提供的对版图进行光学邻近效应校正的装置，其实现原理和技术效果与上述方法实施例类似，在此不在赘述。
118.本技术实施例还提供一种计算机设备，包括存储器和处理器，存储器存储有计算机程序，处理器执行计算机程序时实现以下步骤：
119.获取集成电路版图中单元的包围盒，单元对应的包围盒的面积不小于第一预设阈值，单元包括至少一个子单元，子单元为具有几何形状的图形；
120.将单元中任意相邻的预设数量个子单元进行组合，得到第一组合子单元；
121.将第一组合子单元与单元中其他相邻的子单元进行比较，确定第一重复子单元，第一重复子单元包括的相邻子单元的数量、排列方式和几何形状均与第一组合子单元相同；
122.将第一重复子单元和单元中除第一重复子单元之外的子单元共同输入到光学近邻校正模型中，以对其进行校正，得到校正后的集成电路版图。
123.本技术实施例提供的计算机设备，其实现原理和技术效果与上述方法实施例类似，在此不在赘述。
124.本技术一实施例还提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现以下步骤：
125.获取集成电路版图中单元的包围盒，单元对应的包围盒的面积不小于第一预设阈值，单元包括至少一个子单元，子单元为具有几何形状的图形；
126.将单元中任意相邻的预设数量个子单元进行组合，得到第一组合子单元；
127.将第一组合子单元与单元中其他相邻的子单元进行比较，确定第一重复子单元，第一重复子单元包括的相邻子单元的数量、排列方式和几何形状均与第一组合子单元相同；
128.将第一重复子单元和单元中除第一重复子单元之外的子单元共同输入到光学近邻校正模型中，以对其进行校正，得到校正后的集成电路版图。
129.本技术实施例提供的计算机可读存储介质，其实现原理和技术效果与上述方法实施例类似，在此不在赘述。
130.为了方便解释,已经结合具体的实施方式进行了上述说明。但是，上述在一些实施例中讨论不是意图穷尽或者将实施方式限定到上述公开的具体形式。根据上述的教导,可以得到多种修改和变形。上述实施方式的选择和描述是为了更好的解释原理以及实际的应用,从而使得本领域技术人员更好的使用实施方式以及适于具体使用考虑的各种不同的变形的实施方式。

技术特征：
1.一种对版图进行光学邻近效应校正的方法，其特征在于，所述方法包括：获取集成电路版图中单元的包围盒，所述单元对应的包围盒的面积不小于第一预设阈值，所述单元包括至少一个个子单元，所述子单元为具有几何形状的图形；将所述单元中任意相邻的预设数量个子单元进行组合，得到第一组合子单元；将所述第一组合子单元与所述单元中其他相邻的子单元进行比较，确定第一重复子单元，所述第一重复子单元包括的相邻子单元的数量、排列方式和几何形状均与所述第一组合子单元相同；将所述第一重复子单元和所述单元中除所述第一重复子单元之外的子单元共同输入到光学近邻校正模型中，以对其进行校正，得到校正后的集成电路版图。2.根据权利要求1所述的对版图进行光学邻近效应校正的方法，其特征在于，从所述单元中选取相邻的至少两个子单元进行组合，得到第一组合子单元之后，所述方法还包括：在所述单元中，将所述第一组合子单元和与所述第一组合单元相邻的子单元进行组合，得到第二组合子单元；将所述第一组合子单元与所述单元中其他相邻的子单元进行比较，确定第一重复子单元，包括：将所述第二组合子单元与所述单元中其他相邻的子单元进行比较，得到第二重复子单元，所述第二重复子单元包括的相邻子单元的数量、排列方式和几何形状均与第二组合单元相同；计算第一数量之和与第二数量之和，所述第一数量之和为所述第一重复子单元的数量与所述单元中除所述第一重复子单元之外的子单元的数量之和，所述第二数量之和为所述第二重复子单元的数量与所述单元中除所述第二重复子单元之外的子单元的数量之和；比较所述第一数量之和与所述第二数量之和，确定数值最小的数量之和所对应的重复子单元、以及所述单元中除所述重复子单元之外的子单元；所述将所述第一重复子单元和所述单元中除所述第一重复子单元之外的子单元共同输入到光学近邻校正模型中，包括：将数值最小的数量之和所对应的重复子单元和所述单元中除所述重复子单元之外的子单元共同输入到光学近邻校正模型中。3.根据权利要求2所述的对版图进行光学邻近效应校正的方法，其特征在于，比较所述第一数量之和与所述第二数量之和之后，所述方法还包括：若所述第一数量之和与所述第二数量之和相等，则比较第一重复子单元与所述第二重复子单元的面积，选取面积最小的重复子单元和所述单元中除所述重复子单元之外的子单元；所述将所述第一重复子单元和所述单元中除所述第一重复子单元之外的子单元共同输入到光学近邻校正模型中，包括：将所述面积最小的重复子单元和所述单元中除所述重复子单元之外的子单元共同输入到光学近邻校正模型中。4.根据权利要求1所述的对版图进行光学邻近效应校正的方法，其特征在于，在确定第一重复子单元之后，所述方法还包括：当所述第一重复子单元的面积小于第二预设阈值时，且所述第一重复子单元有与其相
邻的其他重复子单元时，将所述第一重复子单元与与其相邻的其他重复子单元进行联合，得到联合子单元；所述将所述第一重复子单元和所述单元中除所述第一重复子单元之外的子单元共同输入到光学近邻校正模型中，包括：将所述联合子单元和所述单元中除所述联合子单元之外的子单元共同输入到光学近邻校正模型中。5.根据权利要求4所述的对版图进行光学邻近效应校正的方法，其特征在于，所述第二预设阈值不小于利用光学近邻校正模型进行计算时的窗口面积。6.根据权利要求1所述的对版图进行光学邻近效应校正的方法，其特征在于，所述子单元在所述包围盒中沿x轴和y轴方向上呈阵列排布，形成第一布局结构，每个所述子单元的位置信息用坐标表示；将所述第一组合子单元与所述单元中其他相邻的子单元进行比较，确定第一重复子单元，包括：以所述第一组合单元的结构为索引，搜索与所述第一组合单元的结构相同的第一待选重复子单元，并获取所述第一待选重复子单元的位置信息；按照所述第一待选重复子单元的位置信息和所述单元中除所述第一待选重复子单元之外的子单元的位置信息，对所述第一待选重复子单元和所述单元中除所述第一待选重复子单元之外的子单元进行排列，得到第二局部结构；若所述第一布局结构与所述第二布局结构一致，则确定所述第一待选重复子单元为所述第一重复子单元。7.根据权利要求1所述的对版图进行光学邻近效应校正的方法，其特征在于，所述第一预设阈值不小于光刻工艺窗口的面积。8.一种对版图进行光学邻近效应校正的装置，其特征在于，包括：获取模块，用于获取集成电路版图中单元的包围盒，所述单元对应的包围盒的面积不小于第一预设阈值，所述单元包括具有预设形状的多个子单元；组合模块，用于在所述单元中，将任意相邻的预设数量个子单元进行组合，得到第一组合子单元；确定模块，用于将所述第一组合子单元与所述单元中其他相邻的子单元进行比较，确定第一重复子单元，所述第一重复子单元包括的相邻子单元的数量、排列方式和几何形状均与所述组合子单元相同；校正模块，用于将所述第一重复子单元和所述单元中除所述第一重复子单元之外的子单元共同输入到光学近邻校正模型中，以对其进行校正，得到校正后的集成电路版图。9.一种计算机设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序时实现权利要求1至7中任一项所述的对版图进行光学邻近效应校正的方法的步骤。10.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1至7中任一项所述的对版图进行光学邻近效应校正的方法的步骤。

技术总结
本申请涉及集成电路版图设计技术领域，具体而言，涉及一种对版图进行光学邻近效应校正的方法、装置及存储介质，一定程度上可以解决对相同图形进行多次校正而造成大量重复计算的问题。本申请提供了对版图进行光学邻近效应校正的方法包括：获取集成电路版图中单元的包围盒，单元对应的包围盒的面积不小于第一预设阈值，单元包括至少一个子单元，子单元为具有几何形状的图形；将单元中任意相邻的预设数量个子单元进行组合，得到第一组合子单元；将第一组合子单元与单元中其他相邻的子单元进行比较，确定第一重复子单元；将第一重复子单元和单元中除第一重复子单元之外的子单元共同输入到光学近邻校正模型中，以对其进行校正，得到校正后的版图。得到校正后的版图。得到校正后的版图。


技术研发人员：贡顶 俞一天
受保护的技术使用者：苏州珂晶达电子有限公司
技术研发日：2023.03.29
技术公布日：2023/7/12