放大器的可配置输入的制作方法

放大器的可配置输入
1.交叉引用
2.本专利申请要求薛(xue)等人于2022年1月5日提交的标题为“放大器的可配置输入(configurable input for an amplifier)”的第17/647,151号美国专利申请的优先权，所述申请被转让给本技术的受让人，且明确以引用的方式并入本文。
技术领域
3.技术领域涉及放大器的可配置输入。


背景技术：

4.存储器装置广泛用于将信息存储在例如计算机、用户装置、无线通信装置、相机、数字显示器等各种电子装置中。通过将存储器装置内的存储器单元编程到各种状态来存储信息。例如，二进制存储器单元可编程到两种支持状态中的一种，常常由逻辑1或逻辑0来表示。在一些实例中，单个存储器单元可支持多于两个状态，所述状态中的任一个可被存储。为了存取所存储的信息，组件可读取或感测存储器装置中的至少一个所存储状态。为了存储信息，组件可写入或编程存储器装置中的状态。
5.存在各种类型的存储器装置和存储器单元，包含磁性硬盘、随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、动态ram(dram)、同步动态ram(sdram)、静态ram(sram)、铁电ram(feram)、磁性ram(mram)、电阻式ram(rram)、快闪存储器、相变存储器(pcm)、自选存储器、硫属化物存储器技术等。存储器单元可为易失性或非易失性的。例如feram的非易失性存储器即使在无外部电源存在下仍可维持所存储的逻辑状态很长一段时间。例如dram的易失性存储器装置在与外部电源断开连接时可能会丢失它们所存储的状态。


技术实现要素：

6.描述一种设备。所述设备可包含电路，其包括：第一类型的第一晶体管，其与第一节点耦合且具有与第一信号耦合的栅极；第二类型的第二晶体管，其与所述第一节点耦合且具有与所述第一信号耦合的栅极；第一开关，其与所述第一晶体管和第二节点耦合，其中所述第一开关的第一控制信号至少部分地基于所述第一信号具有在某一条件的范围内的第一电压分布而激活所述第一开关；以及第二开关，其与所述第二晶体管和所述第二节点耦合，其中所述第二开关的第二控制信号至少部分地基于所述第一信号具有在所述条件的所述范围内的第二电压分布而激活所述第二开关。
7.描述一种方法。所述方法可包含：在电路的第一类型的第一晶体管的栅极处接收第一信号，其中所述第一类型的所述第一晶体管与第一节点耦合；在所述电路的第二类型的第二晶体管的栅极处接收所述第一信号，其中所述第二类型的所述第二晶体管与所述第一节点耦合，其中所述第一信号包括在某一条件的范围内的第一电压分布或在所述条件的所述范围内的第二电压分布；至少部分地基于与所述第一晶体管和第二节点耦合的第一开关接收到第一控制信号且所述第一信号具有在所述条件的所述范围内的所述第一电压分
布，激活所述第一开关；至少部分地基于激活所述第一开关，将与所述第二晶体管和所述第二节点耦合的第二开关维持处于撤销激活状态。
8.描述一种设备。所述设备可包含放大器，其包括第一输入级和第二输入级，其中所述第一输入级包括：第一类型的第一晶体管，其与第一节点耦合且具有与第一信号耦合的栅极；第二类型的第二晶体管，其与所述第一节点耦合且具有与所述第一信号耦合的栅极；第一开关，其与所述第一晶体管和第二节点耦合且配置成接收第一控制信号；以及第二开关，其与所述第二晶体管和所述第二节点耦合且配置成接收第二控制信号，其中所述放大器的所述第一输入级配置成在激活所述第一类型的所述第一晶体管和激活所述第二类型的所述第二晶体管之间切换，其中所述第一类型的所述第一晶体管配置成至少部分地基于所述第一开关接收到所述第一控制信号且所述第一信号具有在某一条件的范围内的第一电压分布而被激活，并且其中所述第二类型的所述第二晶体管配置成至少部分地基于所述第二开关接收到所述第二控制信号且所述第一信号具有在所述条件的所述范围内的第二电压分布而被激活。
附图说明
9.图1示出根据本文所公开的实例的支持放大器的可配置输入的系统的实例。
10.图2示出根据本文所公开的实例的支持放大器的可配置输入的存储器裸片的实例。
11.图3示出根据本文所公开的实例的支持放大器的可配置输入的电路的实例。
12.图4示出根据本文所公开的实例的支持放大器的可配置输入的参考信号的温度梯度(temperature slope)的实例。
13.图5a和5b示出根据本文所公开的实例的支持放大器的可配置输入的电路。
14.图6示出根据本文所公开的实例的示出支持放大器的可配置输入的一或多种方法的流程图。
具体实施方式
15.半导体制造受制于用于将集成电路设计应用于半导体晶片的制造参数的变化。工艺角(process corner)代表这些参数变化的极值，通常涵盖在晶片上制造的电路应正常工作的范围。在这些工艺角处制造的装置上运行的电路可能比在标称工艺条件下运行得慢或快，并且预期在规定的温度和电压范围内运行。
16.在一些例子中，第一工艺角(例如，快-慢(fs)角)可以指某些晶体管(例如，nmos)具有用于快速操作的特性(例如，阈值电压、跨导)，而其它晶体管(例如，pmos)具有用于慢速操作的特性。在其它角中，晶体管类型可能都是快的(例如，快-快(ff))或慢的(例如，慢-慢(ss)，或者速度差异可能是相反的(例如，慢-快(sf))。通常，在所有工艺角以及规定的温度和供应电压范围内，对放大器和比较器使用固定参考电压可能会导致性能下降或操作故障。例如，在晶体管的阈值电压(例如，vt)为高时使用固定参考电压可能导致晶体管在亚阈值区域中操作。因此，在此类条件下操作时，电路可能无法正常运行。
17.在一些情况下，电路可在一些工艺条件下使用固定参考电压，并在其它工艺条件下使用可变参考电压。例如，电路可接收基于一些工艺条件下的相关联装置的温度的电压。
也就是说，当存储器芯片的温度相对较低时，电压可能较高，反之亦然。然而，当在使用可变参考电压的某些条件下操作时，晶体管的漏极-源极电压(例如，vds)可能极低。因此，当在此类条件下操作时，电路可能无法正常运行。因此，在一些情况下，即使针对某些工艺角使用固定参考电压，在其它工艺角使用可变参考电压，也可能无法在规定的温度和电压范围内提供令人满意的操作。
18.在一些实例中，制造工艺可包含不同类型的晶体管。例如，不同类型的晶体管可具有用于不同电路或具有不同电压的不同特性(例如，栅极氧化物厚度)。如本文所描述，电路可包含不同类型的晶体管，其可在不同的工艺角下选择以减轻或消除由极低vds或亚阈值区域中的操作引起的问题。例如，电路可包含与第一开关耦合的第一类型晶体管和与第二开关耦合的第二类型晶体管。晶体管的类型和特性可以被选择，使得当电路接收到基于相关联存储器芯片的温度的电压时，第一开关和第一晶体管可以被激活。此外，当电路接收到不基于相关联存储器芯片的温度的电压时，第二开关和第二晶体管可以被激活。
19.因此，第一晶体管的vds可足够高，以允许电路在接收到温度相关电压时正常运行。此外，当第二晶体管接收到非温度相关电压时，其接收到的电压可以足够高于其vt，并且可以不在亚阈值区域中操作。因此，通过在不同的工艺角下包含不同类型的晶体管，电路可以减轻或消除由极低vds或接近或低于vt的栅极电压引起的问题，否则将导致晶体管在亚阈值区域中操作。
20.本公开的特征首先在参考图1和2所描述的系统和裸片的上下文中描述。本公开的特征在参考图3-5b所描述的电路和参考信号的温度梯度的上下文中描述。本公开的这些和其它特征进一步由参考图6所描述的涉及放大器的可配置输入的流程图示出并参考此流程图描述。
21.图1示出根据本文所公开的实例的支持放大器的可配置输入的系统100的实例。系统100可包含主机装置105、存储器装置110和耦合主机装置105与存储器装置110的多个信道115。系统100可包含一或多个存储器装置110，但是所述一或多个存储器装置110的各方面可以在单个存储器装置(例如，存储器装置110)的上下文中加以描述。
22.系统100可包含电子装置的部分，例如计算装置、移动计算装置、无线装置、图形处理装置、车辆或其它系统。例如，系统100可示出计算机、笔记本计算机、平板计算机、智能电话、移动电话、可穿戴装置、因特网连接装置、车辆控制器等等的各方面。存储器装置110可以是系统中可用于存储系统100的一或多个其它组件的数据的组件。
23.系统100的至少部分可为主机装置105的实例。主机装置105可为处理器或使用存储器来执行过程的装置内(例如计算装置、移动计算装置、无线装置、图形处理装置、计算机、笔记本计算机、平板计算机、智能电话、移动电话、可穿戴装置、因特网连接装置、车辆控制器、芯片上系统(soc)或某一其它固定或便携式电子装置以及其它实例内)的其它电路的实例。在一些实例中，主机装置105可以指实施外部存储器控制器120的功能的硬件、固件、软件或其组合。在一些实例中，外部存储器控制器120可称为主机或主机装置105。
24.存储器装置110可为可用于提供可由系统100使用或参考的物理存储器地址/空间的独立装置或组件。在一些实例中，存储器装置110可配置成配合一或多个不同类型的主机装置起作用。主机装置105与存储器装置110之间的信令可用于支持以下各者中的一或多者：调制信号的调制方案、用于传达信号的各种引脚配置、用于主机装置105和存储器装置
110的物理封装的各种外观尺寸、主机装置105与存储器装置110之间的时钟信令及同步、定时惯例，或其它因素。
25.存储器装置110可用于存储用于主机装置105的组件的数据。在一些实例中，存储器装置110可充当主机装置105的辅助型或依赖型装置(例如，通过外部存储器控制器120对由主机装置105提供的命令作出响应且执行所述命令)。此类命令可包含用于写入操作的写入命令、用于读取操作的读取命令、用于刷新操作的刷新命令或其它命令中的一或多个。
26.主机装置105可包含外部存储器控制器120、处理器125、基本输入/输出系统(bios)组件130中的一或多个或例如一或多个外围组件或一或多个输入/输出控制器等其它组件。主机装置105的组件可使用总线135彼此耦合。
27.处理器125可用于对系统100的至少部分或主机装置105的至少部分提供控制或其它功能性。处理器125可为通用处理器、数字信号处理器(dsp)、专用集成电路(asic)、现场可编程门阵列(fpga)或其它可编程逻辑装置、离散门或晶体管逻辑、离散硬件组件，或这些组件的组合。在此类实例中，处理器125可为中央处理单元(cpu)、图形处理单元(gpu)、通用gpu(gpgpu)或soc的实例，以及其它实例。在一些实例中，外部存储器控制器120可由处理器125实施，也可以是所述处理器的一部分。
28.bios组件130可以是包含作为固件操作的bios的软件组件，其可初始化且运行系统100或主机装置105的各种硬件组件。bios组件130还可管理处理器125与系统100或主机装置105的各种组件之间的数据流。bios组件130可包含存储于只读存储器(rom)、快闪存储器或其它非易失性存储器中的一或多个中的程序或软件。
29.存储器装置110可包含装置存储器控制器155及一或多个存储器裸片160(例如，存储器芯片)以支持用于数据存储的所需容量或指定容量。每一存储器裸片160(例如，存储器裸片160-a、存储器裸片160-b、存储器裸片160-n)可包含本地存储器控制器165(例如，本地存储器控制器165-a、本地存储器控制器165-b、本地存储器控制器165-n)及存储器阵列170(例如，存储器阵列170-a、存储器阵列170-b、存储器阵列170-n)。存储器阵列170可为存储器单元的集合(例如，一或多个栅格、一或多个存储体、一或多个拼块、一或多个区段)，其中每一存储器单元可用于存储至少一个数据位。包含两个或更多个存储器裸片160的存储器装置110可称为多裸片存储器或多裸片封装或多芯片存储器或多芯片封装。
30.装置存储器控制器155可包含可用于控制存储器装置110的操作的电路、逻辑或组件。装置存储器控制器155可包含使得存储器装置110能够执行各种操作的硬件、固件或指令，且可用于接收、传输或执行与存储器装置110的组件相关的命令、数据或控制信息。装置存储器控制器155可用于与外部存储器控制器120、所述一或多个存储器裸片160或处理器125中的一或多者通信。在一些实例中，装置存储器控制器155可结合存储器裸片160的本地存储器控制器165控制本文中所描述的存储器装置110的操作。
31.本地存储器控制器165(例如，在存储器裸片160本地)可包含可用于控制存储器裸片160的操作的电路、逻辑或组件。在一些实例中，本地存储器控制器165可用于与装置存储器控制器155通信(例如，接收或传输数据或命令或这两者)。在一些实例中，存储器装置110可不包含装置存储器控制器155，且本地存储器控制器165或外部存储器控制器120可执行本文中所描述的各种功能。由此，本地存储器控制器165可用于与装置存储器控制器155、其它本地存储器控制器165或直接与外部存储器控制器120或处理器125或其组合通信。可包
含于装置存储器控制器155或本地存储器控制器165或这两者中的组件的实例可包含用于接收信号(例如，从外部存储器控制器120)的接收器、用于传输信号(例如，到外部存储器控制器120)的传输器、用于解码或解调所接收信号的解码器、用于编码或调制要传输的信号的编码器，或可用于支持装置存储器控制器155或本地存储器控制器165或这两者的所描述操作的各种其它电路或控制器。
32.外部存储器控制器120可用于使得能够在系统100或主机装置105的组件(例如，处理器125)与存储器装置110之间传达信息、数据或命令中的一或多者。外部存储器控制器120可转换或转译在主机装置105的组件与存储器装置110之间交换的通信。在一些实例中，外部存储器控制器120或系统100的其它组件或主机装置105或本文中所描述的功能可由处理器125实施。例如，外部存储器控制器120可为由处理器125或系统100的其它组件或主机装置105实施的硬件、固件或软件或其某一组合。尽管外部存储器控制器120描绘为在存储器装置110外部，但在一些实例中，外部存储器控制器120或本文中所描述的功能可由存储器装置110的一或多个组件(例如，装置存储器控制器155、本地存储器控制器165)实施，反之亦可。
33.主机装置105的组件可使用一或多个信道115与存储器装置110交换信息。信道115可用于支持外部存储器控制器120和存储器装置110之间的通信。每个信道115可以是在主机装置105和存储器装置之间载送信息的传输介质的实例。每个信道115可包含与系统100的组件相关联的端子之间的一或多个信号路径或传输介质(例如，导体)。信号路径可以是可用于载送信号的导电路径的实例。例如，信道115可包含第一端子，所述第一端子包含在主机装置105处的一或多个引脚或衬垫和在存储器装置110处的一或多个引脚或衬垫。引脚可以是系统100的装置的导电输入或输出点的实例，并且引脚可用于充当信道的部分。
34.信道115(及相关联的信号路径和端子)可专门用于传达一或多种类型的信息。例如，信道115可包含一或多个命令和地址(ca)信道186、一或多个时钟信号(ck)信道188、一或多个数据(dq)信道190、一或多个其它信道192，或其组合。在一些实例中，信令可以使用单倍数据速率(sdr)信令或双倍数据速率(ddr)信令通过信道115传达。在sdr信令中，信号的一个调制符号(例如，信号电平)可以针对每个时钟循环寄存(例如，在时钟信号的上升或下降边沿上)。在ddr信令中，信号的两个调制符号(例如，信号电平)可以针对每个时钟循环寄存(例如，在时钟信号的上升边沿和下降边沿两者上)。
35.在一些实例中，存储器装置110可包含配置成用作比较器或放大器的电路。电路可包含一或多个晶体管和一或多个开关，并且可配置成基于接收到具有第一电压分布或第二电压分布的电压而操作。在一些例子中，第一电压分布可与存储器装置110的温度相关联，而第二电压分布可与存储器装置的温度无关(例如，相对无关)。
36.电路可包含至少两个平行配置且各自与至少一个开关耦合的晶体管。开关可各自与相应控制信号耦合，所述控制信号配置成基于电压分布与存储器装置110的温度相关联(或不与存储器装置110的温度相关联)而被激活。例如，第一开关可接收第一控制信号，并且第一晶体管在被选定时可接收与存储器装置110的温度相关的电压。在其它实例中，第二开关可接收第二控制信号，并且第二晶体管在被选定时可接收不与存储器装置110的温度相关的电压。在一些实例中，与温度相关的电压可在操作温度范围内改变超过阈值量，其中阈值量可以是50mv、100mv或200mv。在一些实例中，不与存储器装置110的温度相关的电压
可以是恒定的、固定的，或者可以基本不变(例如，在操作温度范围跨可具有小于阈值量的变化，其中阈值量可以是2mv、5mv、10mv、25mv或50mv)。
37.在作为比较器操作时，电路可比较输入电压与相应晶体管接收到的温度相关或非温度相关电压。另外或替代地，在作为放大器操作时，电路可接收输入电压，并输出相等、经划分(例如，小于输入电压)或经放大(例如，大于输入电压)的电压。
38.在任一例子中，包含在电路中的晶体管的vds可以足够高，以允许电路在接收到温度相关电压时正常运行。此外，当电路的晶体管接收到非温度相关电压时，所述电压可足够高于晶体管的vt，因此晶体管可不在亚阈值区域中操作。通过在电路的不同工艺角下包含不同类型的晶体管，电路可以减轻或消除由极低vds或亚阈值区域中的操作引起的问题。
39.图2示出根据本文所公开的实例的支持放大器的可配置输入的存储器裸片200的实例。存储器裸片200可以是参考图1所描述的存储器裸片160的实例。在一些实例中，存储器裸片200可以称为存储器芯片、存储器装置或电子存储器设备。存储器裸片200可包含各自可编程为存储不同逻辑状态(例如，编程为一组两个或更多个可能状态中的一个)的一或多个存储器单元205。例如，存储器单元205可用于每次存储一个信息位(例如，逻辑0或逻辑1)。在一些实例中，存储器单元205(例如，多层级存储器单元)可用于每次存储超过一个信息位(例如，逻辑00、逻辑01、逻辑10、逻辑11)。在一些实例中，存储器单元205可布置成阵列，例如参考图1所描述的存储器阵列170。
40.存储器单元205可在电容器中存储表示可编程状态的电荷。dram架构可包含电容器，所述电容器包含用于存储表示可编程状态的电荷的介电材料。在其它存储器架构中，其它存储装置和组件是可能的。例如，可以采用非线性介电材料。存储器单元205可包含例如电容器230的逻辑存储组件和开关组件235。电容器230可以是介电电容器或铁电电容器的实例。电容器230的节点可与电压源240耦合，所述电压源可以是单元板参考电压，例如vpl，也可以是地，例如vss。
41.存储器裸片200可包含一或多个存取线(例如，一或多个字线210和一或多个字线数字线215)，这些存取线布置成某一图案，例如网格状图案。存取线可以是与存储器单元205耦合的导电线，并且可用于对存储器单元205执行存取操作。在一些实例中，字线210可以称为行线。在一些实例中，数字线215可以称为列线或位线。对存取线、行线、列线、字线、数字线或位线或其类似物的提及是可互换的，不会影响理解或操作。存储器单元205可定位在字线210和数字线215的相交点处。
42.例如读取和写入的操作可通过激活或选择存取线(例如，字线210或数字线215中的一或多个)而在存储器单元205上执行。通过偏置字线210和数字线215(例如，向字线210或数字线215施加电压)，可以存取位于它们的相交点处的单个存储器单元205。二维或三维配置中的字线210和数字线215的相交点可以称为存储器单元205的地址。
43.存取存储器单元205可以通过行解码器220或列解码器225控制。例如，行解码器220可从本地存储器控制器260接收行地址并基于接收到的行地址激活字线210。列解码器225可从本地存储器控制器260接收列地址并基于接收到的列地址激活数字线215。
44.选择或撤销选择存储器单元205可通过使用字线210激活或撤销激活开关组件235来实现。电容器230可使用开关组件235与数字线215耦合。例如，当开关组件235被撤销激活时电容器230可与数字线215隔离，且当开关组件235被激活时电容器230可与数字线215耦
合。
45.感测组件245可用于检测存储在存储器单元205的电容器230上的状态(例如，电荷)，并基于所存储的状态确定存储器单元205的逻辑状态。感测组件245可包含一或多个感测放大器，用于放大或以其它方式转换由存取存储器单元205产生的信号。感测组件245可比较从存储器单元205检测到的信号与参考250(例如，参考电压)。检测到的存储器单元205的逻辑状态可以作为感测组件245的输出提供(例如，提供给输入/输出255)，并且可以向包含存储器裸片200的存储器装置的另一组件指示检测到的逻辑状态。
46.本地存储器控制器260可通过各种组件(例如，行解码器220、列解码器225、感测组件245)控制存储器单元205的存取。本地存储器控制器260可以是参考图1所描述的本地存储器控制器165的实例。在一些实例中，行解码器220、列解码器225与感测组件245中的一或多个可以与本地存储器控制器260处于相同位置。本地存储器控制器260可用于从一或多个不同的存储器控制器(例如，与主机装置105相关联的外部存储器控制器120、与存储器裸片200相关联的另一控制器)接收命令或数据中的一或多个，将命令或数据(或这两者)转译成可供存储器裸片200使用的信息，对存储器裸片200执行一或多个操作，并基于执行所述一或多个操作而将数据从存储器裸片200传达到主机装置105。本地存储器控制器260可产生行信号和列地址信号，以激活目标字线210和目标数字线215。本地存储器控制器260还可产生和控制在存储器裸片200的操作期间使用的各种电压或电流。一般来说，本文所论述的所施加电压或电流的幅度、形状或持续时间可以改变，并且针对在操作存储器裸片200中论述的各种操作可以是不同的。
47.本地存储器控制器260可用于对存储器裸片200的一或多个存储器单元205执行一或多个存取操作。存取操作的实例可包含写入操作、读取操作、刷新操作、预充电操作或激活操作等等。在一些实例中，存取操作可由本地存储器控制器260响应于各种存取命令(例如，来自主机装置105)而执行或以其它方式协调。本地存储器控制器260可用于执行此处未列出的其它存取操作或与存储器裸片200的操作相关的其它操作(与存取存储器单元205不直接相关)。
48.在一些实例中，存储器裸片200可包含配置成用作比较器或放大器的电路。电路可包含一或多个晶体管和一或多个开关，并且可配置成基于接收到具有第一电压分布或第二电压分布的电压而操作。在一些例子中，第一电压分布可与存储器裸片200的温度相关，而第二电压分布可基本上与存储器装置的温度无关。
49.电路可包含至少两个平行配置且各自与至少一个开关耦合的晶体管。开关可各自与相应控制信号耦合，所述控制信号配置成基于电压分布与存储器裸片200的温度相关而被激活，或基于电压分布与存储器裸片200的温度无关而被激活。例如，第一开关可接收第一控制信号，并且第一晶体管在被选定时可接收基于存储器裸片200的温度的电压。在其它实例中，第二开关可接收第二控制信号，并且第二晶体管在被选定时可接收不与存储器裸片200的温度相关联的电压。在一些实例中，不与存储器裸片200的温度相关联的电压可以是恒定的、固定的，或者可以不基于存储器装置的温度变化(例如，变化超过阈值量)。
50.在作为比较器操作时，电路可比较输入电压与相应晶体管接收到的温度相关或非温度相关电压。另外或替代地，在作为放大器操作时，电路可接收输入电压，并输出小于、等于或大于输入电压的电压。对比较器激活哪一晶体管的选择可基于激活开关中的一或多
个。
51.在任一例子中，包含在电路中的晶体管的vds可以足够高，以允许电路在接收到温度相关电压时正常运行。此外，当电路的晶体管接收到非温度相关电压时，所述电压可足够高于晶体管的vt，因此晶体管可不在亚阈值区域中操作。通过在电路的不同工艺角下包含不同类型的晶体管，电路可以减轻或消除由极低vds或亚阈值区域操作引起的问题。
52.图3示出根据本文所公开的实例的支持放大器的可配置输入的电路300的实例。电路300可包含基于控制信号和由电路300接收的信号(例如，第一信号、参考信号)的电压分布进行激活的各个晶体管。电路300可包含第一输入305，其配置成向一或多个晶体管提供具有与温度梯度相关联的第一电压分布(例如，可变参考信号)或与非温度相关梯度相关联的第二电压分布(例如，固定参考信号)的第一信号。第一信号可以施加到一或多个晶体管的栅极，并且特定晶体管可以基于由一或多个开关接收的信号(例如，控制信号)来激活(例如，打开)或撤销激活(例如，断开)。因此，通过激活配置成接收与第一电压分布或第二电压分布相关联的第一信号的晶体管，电路300可以在没有任何晶体管在亚阈值区域中操作的情况下或者在具有极低vds(例如，漏极-源极电压)的情况下有效地操作。
53.电路300可包含与电路300的第一输入305(例如，正输入305)耦合的第一晶体管310和第二晶体管315。在一些实例中，第一晶体管310和第二晶体管315可分别为n沟道(例如，nmos)晶体管，并且可平行配置。但是，在其它实例中，第一晶体管310和第二晶体管315可以是不同类型的晶体管。此外，第一晶体管310和第二晶体管315可各自与不同的阈值电压(例如，不同vt)相关联。例如，第一晶体管310可具有比第二晶体管315更厚(例如，与其不同)的栅极氧化物，因此相比于第二晶体管315，可与更高vt相关联。第一晶体管310和第二晶体管315的厚度可基于相应晶体管的制造工艺。也就是说，不同的制造工艺可产生具有不同特性(例如，不同氧化物厚度)的不同晶体管类型。在一些实例中，相应晶体管可基于第一信号的电压和施加到电路300的控制信号而被激活(例如，在电路300中启用)。
54.电路300还可包含与电路300的第二输入330(例如，负输入330)耦合的第三晶体管320和第四晶体管325。在一些实例中，第三晶体管320和第四晶体管325可分别为n沟道(例如，nmos)晶体管，并且可平行配置。但是，在其它实例中，第三晶体管320和第四晶体管325可以是不同类型的晶体管。此外，第三晶体管320和第四晶体管325可各自与不同的阈值电压(例如，不同vt)相关联。例如，第三晶体管320可具有比第四晶体管325更厚(例如，与其不同)的栅极氧化物，因此相比于第四晶体管325，可与更高vt相关联。此外，第一晶体管310和第三晶体管320可具有相同或类似的栅极氧化物厚度(例如，相同或类似的vt)，并且第二晶体管315和第四晶体管325可具有相同或类似的栅极氧化物厚度。但是，如上文所描述，第一晶体管310、第二晶体管315、第三晶体管320和第四晶体管325中的每一个的栅极氧化物可基于特定的制造工艺，它们可使相应晶体管基于第一信号的电压和施加到电路300的控制信号而被激活(例如，打开)。
55.第一输入305可配置成向第一晶体管310和第三晶体管提供第一信号，且第二输入330可配置成向第二晶体管315和第四晶体管325提供第二信号。例如，如图4中所示出，第一信号可具有第一电压分布405或第二电压分布410。在一些实例中，第一电压分布405可与温度梯度相关联，且第二电压分布410可与非温度梯度相关联。第一电压分布405可与负梯度相关联，使得在较低温度值(例如，相关联存储器芯片的较低温度值)下，具有第一电压分布
405的第一信号的电压可以相对较高，且在较高温度值下，第一信号的电压可以相对较低。另外或替代地，第二电压分布410可以不与温度梯度相关联。也就是说，具有第二电压分布410的第一信号的电压可以是恒定的、固定的，或者可以基本上不基于存储器装置的温度发生变化(例如，在操作温度范围内可具有小于阈值量的变化，其中阈值量可以是2mv、5mv、10mv、25mv或50mv)。在一些例子中，具有第二电压分布410的第一信号的电压可在t1和tn之间变化(例如，第二电压分布410可略凸或略凹)，但端到端的变化可能相对较低。因此，尽管第二电压分布410在图4中示出为基本恒定的，第二电压分布410可以是任何形状或者具有在温度范围内变化相对较低的任何电压值(例如，与第一电压分布405相比)。
56.电路300可包含与第一晶体管310、第二晶体管315、第三晶体管320和第四晶体管325耦合的一或多个开关。例如，电路300可包含与第一控制信号340和第一晶体管310耦合的第一开关335，及与第二控制信号350和第二晶体管315耦合的第二开关345。另外或替代地，电路300可包含与第一控制信号340和第三晶体管320耦合的第三开关355，及与第二控制信号350和第四晶体管325耦合的第四开关360。在一些实例中，第一控制信号340可与第一电压分布405相关联，且第二控制信号350可与第二电压分布410相关联。也就是说，当电路300在温度梯度模式中操作时，第一控制信号340可经确证以激活第一开关335、第三开关355或这两者，并且当电路300在非温度梯度模式中操作时，第二控制信号350可经确证以激活第二开关345、第四开关360或这两者。
57.在一些实例中，电路300可包含一或多个非易失性只读存储器单元(例如，一组单元)，或者可与其耦合。所述一或多个非易失性只读存储器单元可以是或可包含配置成存储指示是否激活第一控制信号340或第二控制信号350的数据的熔丝或反熔丝。例如，所述一或多个非易失性只读存储器单元可存储第一值或第二值。如果所述一或多个非易失性只读存储器单元存储第一值，那么第一控制信号340可被确证(例如，可为高或vdd)，并且可激活第一开关335和第三开关355，同时第二控制信号350可被撤销确证(例如，可为低或vss)，且因此第二开关345和第四开关360可以不被激活。
58.在其它实例中，如果所述一或多个非易失性只读存储器单元存储第二值，那么第二控制信号350可被确证，并且可激活第二开关345和第四开关360，而第一控制信号340撤销确证，且因此第一开关335和第三开关355可以不被激活。在一些实例中，所述一或多个非易失性只读存储器单元可存储任何值，因此所存储值是激活还是撤销激活相应的控制信号可能是设计选择的问题。
59.电路300还可包含与电压源375(例如，vdd)耦合的第五晶体管365和第六晶体管370。在一些实例中，第五晶体管365和第六晶体管370可分别为p沟道(例如，pmos)晶体管。但是，在其它实例中，第五晶体管365和第六晶体管370可以是不同类型的晶体管。另外或替代地，第五晶体管365和第六晶体管370可以是配置成将电流从电压源375提供到电路300的一或多个节点的电流镜，或者可以包含在所述电流镜中。
60.在一些实例中，电路300可包含一或多个其它节点。例如，电路300可包含与第一晶体管310和第二晶体管315耦合的第一节点380。在一些例子中，第一节点380可与第一晶体管310的源极和第二晶体管315的源极耦合。电路300还可包含与第一开关335、第二开关345和第五晶体管365耦合的第二节点385。在一些例子中，第二节点385可与第五晶体管365的漏极耦合。
61.另外或替代地，电路300可包含与第三晶体管320和第四晶体管325耦合的第三节点390。第三节点390可以是与第一节点380相同的节点。在一些例子中，第三节点390可与第三晶体管320的源极和第四晶体管325的源极耦合，并且可以是与第一节点380相同的节点。电路300还可包含与第三开关355、第四开关360和第六晶体管370耦合的第四节点395。在一些例子中，第四节点395可与第六晶体管370的漏极耦合。
62.如本文所描述，在制造电路300期间，一些角(例如，一些工艺角)可受益于使用具有第一电压分布405的第一信号(例如，参考信号)，而其它角可受益于使用具有第二电压分布410的参考信号。也就是说，这两个参考信号(例如，具有第一电压分布405和第二电压分布410的参考信号)的电压可以使用带隙电压产生，但是第一电压分布405可基于存储器装置的温度变化，而第二电压分布410可以不基于存储器装置的温度变化(或者变化量可相对较低)。
63.例如，第一晶体管310和第三晶体管320可具有较高vt，并且可受益于使用具有第一电压分布405的参考信号，以防相应晶体管在亚阈值区域中操作。此外，第二晶体管315和第四晶体管325可具有较低vt，并且可受益于使用具有第二电压分布410的参考信号，以防相应晶体管的vds(例如，漏极-源极电压)过小。通过防止相应晶体管在亚阈值区域中操作或具有极低vds，电路300可以在不经历原本会因为制造参数的变化而出现的问题的情况下有效地操作。
64.通过举例，电路300可在温度梯度模式中(例如，使用具有第一电压分布405的参考信号)操作。电路300可基于所述一或多个非易失性只读存储器单元存储第一值而在温度梯度模式中操作。因此，第一控制信号340可被确证(例如，驱动到高)，这可激活第一开关335。此外，第一输入305(或第二输入330)可向第一晶体管310的栅极(或第二晶体管315的栅极)提供具有基于相关联存储器芯片的温度的电压的第一信号。例如，如图4中所示出，具有第一电压分布405的参考信号的电压的值可在第一电压415(例如，在t1处)和第二电压420(例如，在tn处)之间。出于示例性目的，第一电压415可在-40c下(例如，在t1处)相对较高(例如，处于或约为1.0v)，且第二电压420可在130c下(例如，在tn处)相对较低(例如，低于1.0v)。
65.如本文所描述，第一晶体管310和第三晶体管320的vt可低于-40c和130c下的第一电压。因此，向第一晶体管310或第三晶体管320施加具有变化超过阈值(例如，50mv、100mv、150mv、200mv)的电压的第一信号可激活相应晶体管，并且因此防止晶体管在亚阈值区域中操作。在其它实例中，如果电路300仅包含第一晶体管310和第三晶体管320(例如，如果电路300针对非温度梯度模式不包含第二晶体管315和第四晶体管325)，那么当在非温度梯度模式中时，第一晶体管310和第三晶体管320可在亚阈值区域中操作。
66.另外或替代地，电路300可在非温度梯度模式中(例如，使用具有第二电压分布410的参考信号)操作。电路300可基于所述一或多个非易失性只读存储器单元存储第二值(例如，不同于第一值的值)而在非温度梯度模式中操作。因此，第二控制信号350可被确证(例如，驱动到高)，这可激活第二开关345(和第四开关360)。此外，第一输入305(或第二输入330)可向第二晶体管315的栅极(或第四晶体管325的栅极)提供具有不基于相关联存储器芯片的温度的电压的第一信号。例如，如图4中所示出，具有第二电压分布410的参考信号的电压的值可处于或接近于第三电压425(例如，在t1和tn之间)。出于示例性目的，第三电压
425可在-40c和130c之间约为0.7v。
67.如本文所描述，第二晶体管315和第四晶体管325的vt可处于或约为0.5v。因此，如果第一信号(例如，温度相关信号)被施加到第一输入305，那么第二晶体管315的较低vt将产生相对较高(例如，约0.5v)的第一节点380的电压，这会将第二晶体管315的vds减小到一个可能会影响电路300的性能的值。但是，如果第二信号(例如，非温度相关信号)被施加到第一输入305，那么第二晶体管的较低vt将第二节点385维持处于或接近于所述两个电压之间的差(例如，处于或约为0.2v)。在此情况下，第二节点385(或第四节点395)的电压可处于或约为0.7v，且因此第二晶体管315和第四晶体管325的vds(例如，漏极-源极电压)可以足够大，使得电路300在非温度相关的梯度模式下正常操作。
68.图5a示出根据本文所公开的实例的支持放大器的可配置输入的电路500-a的实例。电路500-a可包含放大器505，其可包含参考图3所描述的电路300的各方面。例如，电路500-a可包含第一输入510和第二输入515(例如，负输入)，它们可分别为参考图3所描述的第一输入305和第二输入330的实例。此外，放大器505可包含与输入耦合的各个晶体管和开关以及输出520，如参考图3所描述。使用电路300的输入级(例如，第一输入级或第二输入级)作为放大器505可允许电路300在整个温度范围内在性能限制之内操作，且因此可以为放大器505提供所需的输出驱动。
69.如参考图3所描述，电路300可包含基于控制信号和由电路300接收的信号(例如，第一信号、参考信号)的电压分布而被激活的各个晶体管。电路300可以是放大器505的实例或包含在放大器505内，并且可包含第一输入510，其配置成向一或多个晶体管提供具有与温度梯度相关联的第一电压分布(例如，可变参考信号)或与非温度相关梯度相关联的第二电压分布(例如，固定参考信号)的第一信号。第一信号可施加到一或多个晶体管的栅极，且特定晶体管可基于由一或多个开关接收的一或多个控制信号而被激活(例如，启用)或撤销激活(例如，撤销激活)。因此，通过激活配置成接收与第一电压分布或第二电压分布相关联的第一信号的晶体管，放大器505可以在没有任何晶体管在亚阈值区域中操作的情况下或者在具有极低vds(例如，漏极-源极电压)的情况下有效地操作。
70.在一些例子中，第一晶体管310、第二晶体管315、第一开关335和第二开关345可与放大器505的第一输入510相关联。另外或替代地，第三晶体管320、第四晶体管325、第三开关355和第四开关360可与放大器505的第二输入515相关联。例如，放大器505可配置成接收输入电压，并且基于接收到输入电压，可输出大于输入电压的电压(例如，经由输出520来输出输出电压)。电压可基于激活第一开关、第二开关、第三开关或第四开关而从放大器输出。
71.例如，放大器可在第一输入510处接收输入电压。在一些实例中，第一开关335或第二开关345可基于接收到相应控制信号而被激活。此外，第一信号可在第一晶体管310和第二晶体管315的栅极处接收。第一信号可由第一输入305提供。基于第一开关335或第二开关345被激活，第四节点395处的电压可从放大器505输出(例如，经由输出520)。
72.当电路300作为放大器505操作时，输出电压(例如，在输出520处)可通过使用从输出520到第二输入515的反馈(例如，经由反馈线525)跟踪输入电压(例如，在第一输入510处)。因此，如果输出520处的电压高于第一输入510处的电压，那么反馈可导致输出电压减小。另外或替代地，如果输出(例如，输出520处的电压)低于输入，那么反馈可导致输出电压增加。使用电路300的输入级(例如，第一输入级或第二输入级)作为放大器505以用于电压
产生或调节(例如，电荷泵、参考电压产生器等)，电路300可在整个温度范围内在性能限制之内操作，并且因此可为放大器提供所需的输出驱动。
73.图5b示出根据本文所公开的实例的支持放大器的可配置输入的电路500-b的实例。电路500-b可包含比较器530，其可包含参考图3所描述的电路300的各方面。例如，电路500-b可包含第一输入535和第二输入540，它们可分别为参考图3所描述的第一输入305和第二输入330的实例。此外，比较器530可包含与输入耦合的各个晶体管和开关以及输出545，如参考图3所描述。使用电路300作为用于电压产生或调节电路(例如，电荷泵、参考电压产生器等)中的比较器530，电路300可在整个温度范围内在性能限制之内操作，并且因此可为比较器530提供所需的开关性能。
74.如本文参考图3所描述，电路300的各方面可用作比较器530。例如，电路300可输出可基于是正输入305还是负输入330更高而摆动的电压(例如，在节点395处)。也就是说，如果正输入305高于负输入330，那么电路300可在第四节点395处输出相对较高的电压。如果负输入330高于正输入305，那么电路300可在第四节点395处输出相对较低的电压。
75.例如，第一信号可在第一晶体管310和第二晶体管315的栅极处接收。第一信号可在第一输入535(正输入)处接收。接着，比较器530可输出基于在第二输入540(负输入)处接收的第二信号之间的差的信号(例如，经由输出545来输出输出信号)。使用电路300作为用于电压产生或调节的电路(例如，电荷泵、参考电压产生器等)中的比较器530，电路300可在整个温度范围内在性能限制之内操作，并且因此可为比较器提供所需的开关性能。
76.图6示出根据本文所公开的实例的示出支持放大器的可配置输入的方法600的流程图。方法600的操作可由本文所述的电路或其组件实施。例如，方法600的操作可由参考图1到5所描述的电路执行。在一些实例中，电路可执行一组指令以控制装置的功能元件执行所描述的功能。另外或替代地，电路可使用专用硬件执行所描述的功能的各方面。
77.在605处，方法可包含在电路的第一类型的第一晶体管的栅极处接收第一信号，其中第一类型的第一晶体管与第一节点耦合。操作605可根据本文所公开的实例执行。
78.在610处，方法可包含在电路的第二类型的第二晶体管的栅极处接收第一信号，其中第二类型的第二晶体管与第一节点耦合，其中第一信号包含在某一条件的范围内的第一电压分布或在所述条件的范围内的第二电压分布。操作610可根据本文所公开的实例执行。
79.在615处，方法可包含至少部分地基于与第一晶体管和第二节点耦合的第一开关接收到第一控制信号且第一信号具有在所述条件的范围内的第一电压分布而激活第一开关。操作615可根据本文所公开的实例执行。
80.在620处，方法可包含至少部分地基于激活第一开关，将与第二晶体管和第二节点耦合的第二开关维持处于撤销激活状态。操作620可根据本文所公开的实例执行。
81.在一些实例中，本文所述的设备可执行一或多种方法，例如方法600。所述设备可包含用于以下的特征、电路、逻辑、构件或指令(例如，存储可由处理器执行的指令的非暂时性计算机可读媒体)：在电路的第一类型的第一晶体管的栅极处接收第一信号，其中第一类型的第一晶体管与第一节点耦合；在电路的第二类型的第二晶体管的栅极处接收第一信号，其中第二类型的第二晶体管与第一节点耦合，其中第一信号包含在某一条件的范围内的第一电压分布或在所述条件的范围内的第二电压分布；至少部分地基于与第一晶体管和第二节点耦合的第一开关接收到第一控制信号且第一信号具有在所述条件的范围内的第
一电压分布而激活第一开关；以及至少部分地基于激活第一开关，将与第二晶体管和第二节点耦合的第二开关维持处于撤销激活状态。
82.本文中所描述的方法600和设备的一些实例可进一步包含用于以下的操作、特征、电路、逻辑、构件或指令：从与电路耦合的非易失性存储器元件读取数据，其中至少部分地基于从非易失性存储器元件读取第一值，第一控制信号可配置成激活第一开关且第二控制信号可配置成撤销激活第二开关，且至少部分地基于从非易失性存储器元件读取第二值，第一控制信号可配置成撤销激活第一开关且第二控制信号可配置成激活第二开关。
83.在本文中所描述的方法600和设备的一些实例中，第一晶体管和方法、设备及非暂时性计算机可读媒体可包含用于以下的其它操作、特征、电路、逻辑、构件或指令：在第三节点处接收输入电压，并至少部分地基于激活第一开关或激活第二开关而从放大器输出可大于输入电压的输出电压。
84.本文中所描述的方法600和设备的一些实例可进一步包含用于以下的操作、特征、电路、逻辑、构件或指令：在第三节点处接收输入电压，比较输入电压与第一信号的电压，并且至少部分地基于输入电压和第一信号的电压之间的差而从电路输出输出电压。
85.在本文中所描述的方法600和设备的一些实例中，第一信号的第一电压分布包含第一温度梯度，且第一信号的第二电压分布包含可不同于第一温度梯度的第二温度梯度。
86.应注意，本文所描述的方法描述可能实施方案，并且操作和步骤可以重新布置或以其它方式修改，且其它实施方案是可能的。此外，可组合来自所述方法中的两个或更多个的部分。
87.描述一种设备。所述设备可包含电路，其包含：第一类型的第一晶体管，其与第一节点耦合且具有与第一信号耦合的栅极；第二类型的第二晶体管，其与所述第一节点耦合且具有与所述第一信号耦合的栅极；第一开关，其与所述第一晶体管和第二节点耦合，其中所述第一开关的第一控制信号至少部分地基于所述第一信号具有在某一条件的范围内的第一电压分布而激活所述第一开关；以及第二开关，其与所述第二晶体管和所述第二节点耦合，其中所述第二开关的第二控制信号至少部分地基于所述第一信号具有在所述条件的范围内的第二电压分布而激活所述第二开关。
88.在一些实例中，所述设备可包含与所述电路耦合的非易失性存储器元件，其中至少部分地基于所述非易失性存储器元件存储第一值，所述第一控制信号可配置成激活所述第一开关且所述第二控制信号可配置成撤销激活所述第二开关，并且至少部分地基于所述非易失性存储器元件存储第二值，所述第一控制信号可配置成撤销激活所述第一开关且所述第二控制信号可配置成激活所述第二开关。
89.在所述设备的一些实例中，所述电路进一步包含：所述第一类型的第三晶体管，其与第三节点耦合且具有与第二信号耦合的栅极；所述第二类型的第四晶体管，其与所述第三节点耦合且具有与所述第二信号耦合的栅极；第三开关，其与所述第三晶体管和第四节点耦合，其中所述第一开关的所述第一控制信号至少部分地基于所述第一信号具有在所述条件的范围内的所述第一电压分布而激活第三开关；以及第四开关，其与所述第四晶体管和所述第四节点耦合，其中所述第四开关的所述第二控制信号至少部分地基于所述第一信号具有在所述条件的范围内的所述第二电压分布而激活所述第四开关。
90.在所述设备的一些实例中，所述第一节点和所述第三节点包含相同节点。
91.在所述设备的一些实例中，所述电路的输出可位于所述第四节点处，且所述输出可至少部分地基于所述第一信号和所述第二信号之间的差。
92.在所述设备的一些实例中，所述第一类型的所述第一晶体管、所述第二类型的所述第二晶体管、所述第一开关和所述第二开关可与放大器的第一输入级相关联，且所述第一类型的所述第三晶体管、所述第二类型的所述第四晶体管、所述第三开关和所述第四开关可与所述放大器的第二输入级相关联。
93.在一些实例中，所述设备可包含：第三类型的第五晶体管，其与电压源和所述第二节点耦合；及所述第三类型的第六晶体管，其与所述电压源和所述第四节点耦合，其中所述第五晶体管和所述第六晶体管包含用于将电流从所述电压源提供到所述第二节点和所述第四节点的电流镜级。
94.在所述设备的一些实例中，所述条件包含与所述电路相关联的存储器芯片的温度，且所述范围包含所述存储器芯片的温度范围。
95.在所述设备的一些实例中，所述第一信号的所述第一电压分布包含第一温度梯度，且所述第一信号的所述第二电压分布包含可低于所述第一温度梯度的第二温度梯度。
96.在所述设备的一些实例中，所述第一类型的所述第一晶体管包含第一栅极氧化物厚度，且所述第二类型的所述第二晶体管包含可不同于所述第一栅极氧化物厚度的第二栅极氧化物厚度。
97.描述另一设备。所述设备可包含放大器，其包含第一输入级和第二输入级，其中所述第一输入级包含：第一类型的第一晶体管，其与第一节点耦合且具有与第一信号耦合的栅极；第二类型的第二晶体管，其与所述第一节点耦合且具有与所述第一信号耦合的栅极；第一开关，其与所述第一晶体管和第二节点耦合且配置成接收第一控制信号；以及第二开关，其与所述第二晶体管和所述第二节点耦合且配置成接收第二控制信号，其中所述放大器的所述第一输入级配置成在激活所述第一类型的所述第一晶体管和激活所述第二类型的所述第二晶体管之间切换，其中所述第一类型的所述第一晶体管配置成至少部分地基于所述第一开关接收到所述第一控制信号且所述第一信号具有在某一条件的范围内的第一电压分布而被激活，并且其中所述第二类型的所述第二晶体管配置成至少部分地基于所述第二开关接收到所述第二控制信号且所述第一信号具有在所述条件的范围内的第二电压分布而被激活。
98.在所述设备的一些实例中，所述第二输入级包含：所述第一类型的第三晶体管，其与第三节点耦合且具有与第二信号耦合的栅极；所述第二类型的第四晶体管，其与所述第三节点耦合且具有与所述第二信号耦合的栅极；第三开关，其与所述第三晶体管和第四节点耦合且配置成接收所述第一控制信号；以及第四开关，其与所述第四晶体管和所述第四节点耦合且配置成接收所述第二控制信号。
99.在所述设备的一些实例中，所述放大器的所述第二输入级可配置成在激活所述第一类型的所述第三晶体管和激活所述第二类型的所述第四晶体管之间切换，并且所述第一类型的所述第三晶体管可至少部分地基于所述第三开关接收到所述第一控制信号且所述第一信号具有在所述条件的范围内的所述第一电压分布而被激活。
100.在所述设备的一些实例中，所述第二类型的所述第四晶体管可至少部分地基于所述第四开关接收到所述第二控制信号且所述第一信号具有在所述条件的范围内的所述第
二电压分布而被激活。
101.在一些实例中，所述设备可包含：第三类型的第五晶体管，其与电压源和所述第二节点耦合；以及所述第三类型的第六晶体管，其与所述电压源和第四节点耦合，其中所述第五晶体管和所述第六晶体管包含用于将电流从所述电压源提供到所述第二节点和所述第四节点的电流镜级。
102.可使用多种不同技术和技艺中的任一个来表示本文中所描述的信息和信号。例如，可通过电压、电流、电磁波、磁场或磁粒子、光场或光粒子或其任何组合来表示在整个上文描述中可能参考的数据、指令、命令、信息、信号、位、符号和码片。一些图式可将信号示出为单个信号；然而，所述信号可表示信号总线，其中总线可具有多种位宽度。
103.术语“电子连通”、“导电接触”、“连接”和“耦合”可以指组件之间支持信号在组件之间流动的关系。如果组件之间存在可在任何时间支持信号在组件之间流动的任何导电路径，那么组件被视为彼此电子连通(或彼此导电接触，或彼此连接，或彼此耦合)。在任何给定时间，基于包含所连接组件的装置的操作，彼此电子连通(或彼此导电接触，或彼此连接，或彼此耦合)的组件之间的导电路径可以是开路或闭路。所连接组件之间的导电路径可以是组件之间的直接导电路径，或所连接组件之间的导电路径可以是可包含例如开关、晶体管或其它组件等中间组件的间接导电路径。在一些实例中，可例如使用例如开关或晶体管等一或多个中间组件中断所连接组件之间的信号流动一段时间。
104.术语“耦合”是指从组件之间的开路关系移动到组件之间的闭路关系的条件，在开路关系中，信号当前无法通过导电路径在组件之间传送，在闭路关系中，信号能够通过导电路径在组件之间传送。当例如控制器的一组件将其它组件耦合在一起时，那么所述组件引发允许信号通过导电路径在所述其它组件之间流动的改变，所述导电路径先前不允许信号流动。
105.术语“隔离”是指信号当前无法在组件之间流动的组件之间的关系。如果组件之间存在断路，那么它们彼此隔离。例如，由定位在两个组件之间的开关间隔开的组件在开关断开时彼此隔离。当控制器将两个组件隔离时，控制器实现以下改变：阻止信号使用先前准许信号流动的导电路径在组件之间流动。
106.本文中所论述的包含存储器阵列的装置可形成于半导体衬底上，例如硅、锗、硅锗合金、砷化镓、氮化镓等。在一些实例中，衬底是半导体晶片。在其它实例中，衬底可为绝缘体上硅(soi)衬底，例如玻璃上硅(sog)或蓝宝石上硅(sop)，或另一衬底上的半导体材料的外延层。可通过使用包含(但不限于)磷、硼或砷的各种化学物质的掺杂来控制衬底或衬底的子区的导电性。可在衬底的初始形成或生长期间，通过离子植入或通过任何其它掺杂方法执行掺杂。
107.本文所论述的开关组件或晶体管可表示场效应晶体管(fet)，并且包括包含源极、漏极和栅极的三端装置。端子可通过导电材料(例如金属)连接到其它电子元件。源极和漏极可为导电的，且可包括经重掺杂(例如简并)半导体区。源极与漏极可由轻掺杂的半导体区或沟道间隔开。如果沟道是n型(即，大部分载体为电子)，那么fet可被称作n型fet。如果沟道是p型(即，大部分载体为空穴)，那么fet可被称作p型fet。沟道可由绝缘栅极氧化物封端。可通过将电压施加到栅极来控制沟道导电性。例如，将正电压或负电压分别施加到n型fet或p型fet可导致沟道变得导电。当大于或等于晶体管的阈值电压的电压被施加到晶体
管栅极时，晶体管可“接通”或“激活”。当小于晶体管的阈值电压的电压被施加到晶体管栅极时，晶体管可“断开”或“撤销激活”。
108.本文结合附图阐述的描述内容描述了实例配置，且并不表示可以实施的或在权利要求书的范围内的所有实例。本文中所使用的术语“示例性”是指“充当实例、例子或说明”，且不比其它实例“优选”或“有利”。详细描述包含特定细节，以便提供对所描述技术的理解。然而，这些技术可在没有这些特定细节的情况下实践。在一些例子中，以框图的形式展示众所周知的结构和装置以免混淆所描述实例的概念。
109.在附图中，类似组件或特征可以具有相同参考标记。此外，可通过在参考标记之后跟着长划线及区分类似组件的第二标记来区分为相同类型的各种组件。如果说明书中仅使用第一参考标记，那么描述适用于具有相同第一参考标记的类似组件中的任一个，而与第二参考标记无关。
110.本文中所描述的功能可以硬件、由处理器执行的软件、固件或其任何组合来实施。如果以由处理器执行的软件来实施，那么可以将功能作为一或多个指令或代码存储于计算机可读媒体上或通过计算机可读媒体来传输。其它实例及实施方案在本公开及所附权利要求书的范围内。例如，由于软件的本质，本文所描述的功能可使用由处理器执行的软件、硬件、固件、硬连线或这些中的任一个的组合来实施。实施功能的特征也可物理上位于各个位置处，包含经分布以使得功能的各部分在不同物理位置处实施。
111.例如，结合本文中的公开内容所描述的各种说明性块和模块可使用经设计以执行本文中所描述的功能的通用处理器、dsp、asic、fpga或其它可编程逻辑装置、离散门或晶体管逻辑、离散硬件组件或其任何组合来实施或执行。通用处理器可为微处理器，但在替代方案中，处理器可为任何处理器、控制器、微控制器或状态机。处理器也可实施为计算装置的组合(例如，dsp与微处理器的组合、多个微处理器、一或多个微处理器结合dsp核心，或任何其它此类配置)。
112.如本文中(包含在权利要求书中)所使用，项目的列表(例如，以例如“中的至少一个”或“中的一或多个”的短语结尾的项目的列表)中所使用的“或”指示包含性列表，使得(例如)a、b或c中的至少一个的列表意指a或b或c或ab或ac或bc或abc(即，a和b和c)。并且，如本文中所使用，短语“基于”不应被理解为提及一组封闭条件。例如，在不脱离本公开的范围的情况下，描述为“基于条件a”的示例性步骤可基于条件a和条件b两者。换句话说，如本文中所使用，短语“基于”应同样地解释为短语“至少部分地基于”。
113.计算机可读媒体包含非暂时性计算机存储装置媒体和通信媒体两者，通信媒体包含有助于将计算机程序从一个地方传递到另一地方的任何媒体。非暂时性存储媒体可以是任何可用的媒体，它可以由通用或专用计算机存取。举例来说且不加限制，非暂时性计算机可读媒体可包括ram、rom、电可擦除可编程只读存储器(eeprom)、光盘(cd)rom或其它光盘存储装置、磁盘存储装置或其它磁性存储装置，或任何其它可用于载送或存储呈指令或数据结构形式的所要程序代码构件且可以通过通用或专用计算机或通用或专用处理器存取的非暂时性媒体。并且，任何连接被适当地称为计算机可读媒体。例如，如果软件从网站、服务器或其它远程源使用同轴电缆、光纤电缆、双绞线、数字订户线(dsl)或红外、无线电和微波等无线技术传输，那么同轴电缆、光纤电缆、双绞线、数字订户线(dsl)或红外、无线电和微波等无线技术包含在媒体的定义中。如本文中所使用，磁盘和光盘包含cd、激光光盘、光
学光盘、数字多功能光盘(dvd)、软盘和蓝光光盘，其中磁盘通常以磁性方式再现数据，而光盘用激光以光学方式再现数据。上述各项的组合同样包含在计算机可读媒体的范围内。
114.提供本文中的描述使得所属领域的技术人员能够进行或使用本公开。所属领域技术人员将清楚对本公开的各种修改，且本文中所定义的一般原理可应用于其它变化形式而不会脱离本公开的范围。因此，本发明不限于本文中所描述的实例和设计，而是被赋予与本文中所公开的原理和新颖特征一致的最宽范围。

技术特征：
1.一种设备，其包括：电路，其包括：第一类型的第一晶体管，其与第一节点耦合且具有与第一信号耦合的栅极；第二类型的第二晶体管，其与所述第一节点耦合且具有与所述第一信号耦合的栅极；第一开关，其与所述第一晶体管和第二节点耦合，其中所述第一开关的第一控制信号至少部分地基于所述第一信号具有在某一条件的范围内的第一电压分布而激活所述第一开关；以及第二开关，其与所述第二晶体管和所述第二节点耦合，其中所述第二开关的第二控制信号至少部分地基于所述第一信号具有在所述条件的所述范围内的第二电压分布而激活所述第二开关。2.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括：与所述电路耦合的非易失性存储器元件，其中至少部分地基于所述非易失性存储器元件存储第一值，所述第一控制信号配置成激活所述第一开关且所述第二控制信号配置成撤销激活所述第二开关，并且至少部分地基于所述非易失性存储器元件存储第二值，所述第一控制信号配置成撤销激活所述第一开关且所述第二控制信号配置成激活所述第二开关。3.根据权利要求1所述的设备，其中所述电路进一步包括：所述第一类型的第三晶体管，其与第三节点耦合且具有与第二信号耦合的栅极；所述第二类型的第四晶体管，其与所述第三节点耦合且具有与所述第二信号耦合的栅极；第三开关，其与所述第三晶体管和第四节点耦合，其中所述第一开关的所述第一控制信号至少部分地基于所述第一信号具有在所述条件的所述范围内的所述第一电压分布而激活所述第三开关；以及第四开关，其与所述第四晶体管和所述第四节点耦合，其中所述第四开关的所述第二控制信号至少部分地基于所述第一信号具有在所述条件的所述范围内的所述第二电压分布而激活所述第四开关。4.根据权利要求3所述的设备，其中所述第一节点和所述第三节点包括相同节点。5.根据权利要求3所述的设备，其中所述电路的输出位于所述第四节点处，并且所述输出至少部分地基于所述第一信号和所述第二信号之间的差。6.根据权利要求3所述的设备，其中所述第一类型的所述第一晶体管、所述第二类型的所述第二晶体管、所述第一开关和所述第二开关与放大器的第一输入级相关联，且所述第一类型的所述第三晶体管、所述第二类型的所述第四晶体管、所述第三开关和所述第四开关与所述放大器的第二输入级相关联。7.根据权利要求6所述的设备，其进一步包括：第三类型的第五晶体管，其与电压源和所述第二节点耦合；以及所述第三类型的第六晶体管，其与所述电压源和所述第四节点耦合，其中所述第五晶体管和所述第六晶体管包括用于将电流从所述电压源提供到所述第二节点和所述第四节点的电流镜级。8.根据权利要求1所述的设备，其中
所述条件包括与所述电路相关联的存储器芯片的温度，且所述范围包括所述存储器芯片的温度范围。9.根据权利要求8所述的设备，其中所述第一信号的所述第一电压分布包括第一温度梯度，且所述第一信号的所述第二电压分布包括低于所述第一温度梯度的第二温度梯度。10.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一类型的所述第一晶体管包括第一栅极氧化物厚度，且所述第二类型的所述第二晶体管包括不同于所述第一栅极氧化物厚度的第二栅极氧化物厚度。11.一种方法，其包括：在电路的第一类型的第一晶体管的栅极处接收第一信号，其中所述第一类型的所述第一晶体管与第一节点耦合；在所述电路的第二类型的第二晶体管的栅极处接收所述第一信号，其中所述第二类型的所述第二晶体管与所述第一节点耦合，其中所述第一信号包括在某一条件的范围内的第一电压分布或在所述条件的所述范围内的第二电压分布；至少部分地基于与所述第一晶体管和第二节点耦合的第一开关接收到第一控制信号且所述第一信号具有在所述条件的所述范围内的所述第一电压分布，激活所述第一开关；以及至少部分地基于激活所述第一开关，将与所述第二晶体管和所述第二节点耦合的第二开关维持处于撤销激活状态。12.根据权利要求11所述的方法，其进一步包括：从与所述电路耦合的非易失性存储器元件读取数据，其中至少部分地基于从所述非易失性存储器元件读取第一值，所述第一控制信号配置成激活所述第一开关且第二控制信号配置成撤销激活所述第二开关，并且至少部分地基于从所述非易失性存储器元件读取第二值，所述第一控制信号配置成撤销激活所述第一开关且所述第二控制信号配置成激活所述第二开关。13.根据权利要求11所述的方法，其中所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第一开关和所述第二开关与放大器的输入级相关联，所述方法进一步包括：在第三节点处接收输入电压；以及至少部分地基于激活所述第一开关或激活所述第二开关，从所述放大器输出大于所述输入电压的输出电压。14.根据权利要求11所述的方法，其进一步包括：在第三节点处接收输入电压；比较所述输入电压与所述第一信号的电压；以及至少部分地基于所述输入电压和所述第一信号的所述电压之间的差，从所述电路输出输出电压。15.根据权利要求11所述的方法，其中所述第一信号的所述第一电压分布包括第一温度梯度，且所述第一信号的所述第二电压分布包括不同于所述第一温度梯度的第二温度梯度。16.一种设备，其包括：
放大器，其包括第一输入级和第二输入级，其中所述第一输入级包括：第一类型的第一晶体管，其与第一节点耦合且具有与第一信号耦合的栅极；第二类型的第二晶体管，其与所述第一节点耦合且具有与所述第一信号耦合的栅极；第一开关，其与所述第一晶体管和第二节点耦合且配置成接收第一控制信号；以及第二开关，其与所述第二晶体管和所述第二节点耦合且配置成接收第二控制信号，其中所述放大器的所述第一输入级配置成在激活所述第一类型的所述第一晶体管和激活所述第二类型的所述第二晶体管之间切换，其中所述第一类型的所述第一晶体管配置成至少部分地基于所述第一开关接收到所述第一控制信号且所述第一信号具有在某一条件的范围内的第一电压分布而被激活，并且其中所述第二类型的所述第二晶体管配置成至少部分地基于所述第二开关接收到所述第二控制信号且所述第一信号具有在所述条件的所述范围内的第二电压分布而被激活。17.根据权利要求16所述的设备，其中所述第二输入级包括：所述第一类型的第三晶体管，其与第三节点耦合且具有与第二信号耦合的栅极；所述第二类型的第四晶体管，其与所述第三节点耦合且具有与所述第二信号耦合的栅极；第三开关，其与所述第三晶体管和第四节点耦合且配置成接收所述第一控制信号；以及第四开关，其与所述第四晶体管和所述第四节点耦合且配置成接收所述第二控制信号。18.根据权利要求17所述的设备，其中所述放大器的所述第二输入级配置成在激活所述第一类型的所述第三晶体管和激活所述第二类型的所述第四晶体管之间切换，且所述第一类型的所述第三晶体管至少部分地基于所述第三开关接收到所述第一控制信号且所述第一信号具有在所述条件的所述范围内的所述第一电压分布而被激活。19.根据权利要求18所述的设备，其中所述第二类型的所述第四晶体管至少部分地基于所述第四开关接收到所述第二控制信号且所述第一信号具有在所述条件的所述范围内的所述第二电压分布而被激活。20.根据权利要求16所述的设备，其进一步包括：第三类型的第五晶体管，其与电压源和所述第二节点耦合；以及所述第三类型的第六晶体管，其与所述电压源和第四节点耦合，其中所述第五晶体管和所述第六晶体管包括用于将电流从所述电压源提供到所述第二节点和所述第四节点的电流镜级。

技术总结
本申请涉及用于放大器的可配置输入。在一些实例中，电路可配置成基于具有第一电压分布或第二电压分布的信号而操作。例如，所述第一电压分布可与基于相关联存储器芯片的温度的电压范围相关联，且所述第二电压分布可与不与所述存储器芯片的所述温度相关联的电压相关联。所述电路可包含一或多个晶体管和开关，它们基于所述电压分布和开关接收到特定控制信号而被激活。在一些例子中，所述控制信号可基于存储到一或多个非易失性存储器元件的值而被接收。被接收。被接收。


技术研发人员：薛茹燕 褚炜路 黄志琪
受保护的技术使用者：美光科技公司
技术研发日：2023.01.04
技术公布日：2023/7/12