一种MEMS压电式压力传感器及其制备方法与流程

一种mems压电式压力传感器及其制备方法
技术领域
1.本发明涉及压力传感器技术领域，尤其涉及一种mems压电式压力传感器及其制备方法。


背景技术：

2.mems（micro-electro-mechanical system，微机电系统）压力传感器具有优良的稳定性和较高的传感持性，在航空航天、汽车、电子、生物医学等领域得到了普遍的应用。压电式压力传感器是利用压电材料所具有的正压电效应制成的压力传感器；正压电效应是指在某个方向上对材料施加压力，使材料产生变形，材料内部会发生极化现象，电荷中心发生偏移，使得上下表面积聚异号电荷形成电势差，因此可以通过压电材料产生的电压反映其受力。但是，在所受压力较小时，压电式压力传感器的电压输出也较低，即存在检测灵敏度不够高的缺点，此外，在检测动态压力时，压电式压力传感器的频率检测范围会受到器件固有频率的限制，只能用于检测固定频率范围的压力。因此，需要设法提高压电式压力传感器的压力检测灵敏度和动态频率范围。


技术实现要素：

3.本发明的目的在于克服现有技术中存在的不足，提供了一种mems压电式压力传感器及mems压电式压力传感器的制备方法，能够实现更高效的压力检测。
4.作为本发明的一个方面，提供一种mems压电式压力传感器，包括第二衬底层、压力敏感薄膜和热电发电机，所述压力敏感薄膜设置在所述第二衬底层的上表面，所述热电发电机设置在所述压力敏感薄膜的上表面，所述热电发电机包括第三衬底层、p型热电腿、n型热电腿、热电电极、绝缘层和散热层，所述第三衬底层位于所述压力敏感薄膜的上表面，所述p型热电腿和所述n型热电腿交错排列在所述第三衬底层的内部上端，所述热电电极位于所述第三衬底层的上表面，并且所述热电电极分别连接所述p型热电腿和所述n型热电腿，所述绝缘层位于所述热电电极的上表面，所述散热层位于所述绝缘层的上表面。
5.进一步地，所述压力敏感薄膜包括第一衬底层、第一钝化层、第一压电电极、压电层、第二压电电极和第二钝化层，所述第一衬底层位于所述第二衬底层的上表面，所述第一衬底层的下表面中央设置有凹槽，所述第二衬底层的上表面与所述第一衬底层下表面的凹槽共同围成密闭空腔，所述第一钝化层位于所述第一衬底层的上表面中央，所述第一压电电极位于所述第一钝化层的上表面，所述压电层位于所述第一压电电极的上表面，所述第二压电电极位于所述压电层的上表面，所述第二钝化层位于所述第二压电电极的上表面，所述第三衬底层位于所述第二钝化层的上表面。
6.进一步地，所述第二衬底层的材料为单晶硅或玻璃，厚度为200-2000μm。
7.进一步地，所述第三衬底层的材料为多晶硅，厚度为1-100μm；所述热电电极的材料为铝、铜、铂、钛或金，厚度为50-500nm；所述绝缘层的材料为二氧化硅、氮化硅或氮氧化硅，厚度为100-1000nm；所述散热层的材料为铝、铜、铂、钛或金，厚度为50-500nm。
8.进一步地，所述p型热电腿和所述n型热电腿的材料分别为p型半导体和n型半导体。
9.进一步地，每个p型热电腿的长度、宽度、厚度相同，每个n型热电腿的长度、宽度、厚度相同。
10.进一步地，所述第一衬底层的材料为单晶硅或玻璃，厚度为200-2000μm；所述第一钝化层和所述第二钝化层的材料均为二氧化硅、氮化硅或氮氧化硅，厚度均为100-1000nm；所述第一压电电极和所述第二压电电极的材料均为铝、铜、铂、钛或金，厚度均为50-500nm；所述压电层的材料为氮化铝、氧化锌或锆钛酸铅，厚度为100nm-5000nm。
11.进一步地，所述密闭空腔的高度为10-500μm。
12.作为本发明的另一个方面，提供一种mems压电式压力传感器的制备方法，其中，所述mems压电式压力传感器的制备方法包括：提供第二衬底层和制备压力敏感薄膜；通过阳极键合将所述第二衬底层的上表面和所述压力敏感薄膜的下表面连接在一起；在所述压力敏感薄膜上形成热电发电机。
13.进一步地，还包括：步骤一：准备一片厚度为500μm的n型硅片，作为第一衬底层；步骤二：通过热氧化、正面光刻和刻蚀，在所述第一衬底层上表面生长200nm厚的sio2以形成第一钝化层；步骤三：通过磁控溅射、正面光刻和刻蚀，在所述第一钝化层上表面生长300nm厚的al以形成第一压电电极；步骤四：通过磁控溅射、正面光刻和刻蚀，在所述第一压电电极上表面生长1μm厚的aln薄膜以形成压电层；步骤五：通过磁控溅射、正面光刻和刻蚀，在所述压电层上表面生长300nm厚的al以形成第二压电电极；步骤六：通过热氧化、正面光刻和刻蚀，在所述第二压电电极上表面生长200nm厚的sio2以形成第二钝化层；步骤七：通过湿法腐蚀，在所述第一衬底层下表面形成梯形空腔，释放所述压力敏感薄膜；步骤八：准备一片厚度为200μm的玻璃片，作为所述第二衬底层，通过阳极键合使所述第二衬底层的上表面和步骤七得到的梯形空腔连接在一起形成密闭空腔；步骤九：通过磁控溅射、正面光刻和刻蚀，在所述第二钝化层上表面生长10μm厚的多晶硅以形成第三衬底层；步骤十：在步骤九得到的所述第三衬底层上进行p型掺杂形成p型热电腿，以及n型掺杂形成n型热电腿，以形成交错排列的热电偶；步骤十一：通过磁控溅射、正面光刻和刻蚀，在所述p型热电腿和所述n型热电腿之间生长300nm厚的al以形成热电电极，将热电偶通过所述热电电极串联起来形成热电堆；步骤十二：通过热氧化、正面光刻和刻蚀，在所述热电电极上表面生长200nm厚的sio2以形成绝缘层；
步骤十三：通过磁控溅射、正面光刻和刻蚀，在所述绝缘层上表面生长300nm厚的cu以形成散热层，完成所述mems压电式压力传感器的制备。
14.与传统的压电式压力传感器相比，本发明具有以下优点：1、本发明结合了热电发电机和传统的压电式压力传感器，在施加相同外力的情况下，器件能产生更大的电压输出，因此具有较高的压力检测灵敏度；2、本发明可以通过改变对热电发电机的外加电流方向调整压力敏感薄膜一侧的温度，从而使传感器的固有频率可调，以适应环境中动态压力的频率范围；3、本发明采用mems工艺制备的压电式压力传感器具有尺寸小、寿命长、易于批量制造以及成本低的优点。
附图说明
15.附图是用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本发明，但并不构成对本发明的限制。
16.图1为本发明实施例中一种mems压电式压力传感器的整体结构剖视图。
17.图2为本发明实施例中制备步骤一对应的结构剖视图。
18.图3为本发明实施例中制备步骤二对应的结构剖视图。
19.图4为本发明实施例中制备步骤三对应的结构剖视图。
20.图5为本发明实施例中制备步骤四对应的结构剖视图。
21.图6为本发明实施例中制备步骤五对应的结构剖视图。
22.图7为本发明实施例中制备步骤六对应的结构剖视图。
23.图8为本发明实施例中制备步骤七对应的结构剖视图。
24.图9为本发明实施例中制备步骤八对应的结构剖视图。
25.图10为本发明实施例中制备步骤九对应的结构剖视图。
26.图11为本发明实施例中制备步骤十对应的结构剖视图。
27.图12为本发明实施例中制备步骤十对应的结构俯视图。
28.图13为本发明实施例中制备步骤十一对应的结构剖视图。
29.图14为本发明实施例中制备步骤十一对应的结构俯视图。
30.图15为本发明实施例中制备步骤十二对应的结构剖视图。
31.图16为本发明实施例中制备步骤十二对应的结构俯视图。
32.图17为本发明实施例中制备步骤十三对应的结构剖视图。
33.图18为本发明实施例中制备步骤十三对应的结构俯视图。
34.附图中，各标号所代表的部件列表如下：1-第一衬底层；2-第一钝化层；3-第一压电电极；4-压电层；5-第二压电电极；6-第二钝化层；7-第二衬底层；8-密闭空腔；9-压力敏感薄膜；10-第三衬底层；11-p型热电腿；12-n型热电腿；13-热电电极；14-绝缘层；15-散热层；16-热电发电机。
具体实施方式
35.需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互结合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本发明。
36.为了使本领域技术人员更好地理解本发明方案，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本发明保护的范围。
37.需要说明的是，本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本发明的实施例。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包括，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
38.在本发明实施例中提供了一种mems压电式压力传感器，如图1所示，所述mems压电式压力传感器包括第二衬底层7、压力敏感薄膜9和热电发电机16，所述压力敏感薄膜9设置在所述第二衬底层7的上表面，所述热电发电机16设置在所述压力敏感薄膜9的上表面，所述热电发电机16包括第三衬底层10、p型热电腿11、n型热电腿12、热电电极13、绝缘层14和散热层15，所述第三衬底层10位于所述压力敏感薄膜9的上表面，所述p型热电腿11和所述n型热电腿12交错排列在所述第三衬底层10的内部上端，所述热电电极13位于所述第三衬底层10的上表面，并且所述热电电极13分别连接所述p型热电腿11和所述n型热电腿12，将其串联并引出，所述绝缘层14位于所述热电电极13的上表面，所述散热层15位于所述绝缘层14的上表面。
39.优选地，所述压力敏感薄膜9包括第一衬底层1、第一钝化层2、第一压电电极3、压电层4、第二压电电极5和第二钝化层6，所述第一衬底层1位于所述第二衬底层7的上表面，所述第一衬底层1的下表面中央设置有凹槽，所述第二衬底层7的上表面与所述第一衬底层1下表面的凹槽共同围成密闭空腔8，所述第一钝化层2位于所述第一衬底层1的上表面中央，所述第一压电电极3位于所述第一钝化层2的上表面，所述压电层4位于所述第一压电电极3的上表面，所述第二压电电极5位于所述压电层4的上表面，所述第二钝化层6位于所述第二压电电极5的上表面，所述第三衬底层10位于所述第二钝化层6的上表面。
40.优选地，所述第二衬底层7的材料为单晶硅或玻璃，厚度为200-2000μm。
41.优选地，所述第三衬底层10的材料为多晶硅，厚度为1-100μm；所述热电电极13的材料为铝、铜、铂、钛、金等中的一种，厚度为50-500nm；所述绝缘层14的材料为二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等中的一种，厚度为100-1000nm；所述散热层15的材料为铝、铜、铂、钛、金等中的一种，厚度为50-500nm。
42.优选地，所述p型热电腿11和所述n型热电腿12的材料分别为p型半导体和n型半导体。
43.优选地，每个p型热电腿11的长度、宽度、厚度相同，每个n型热电腿12的长度、宽度、厚度相同。
44.优选地，所述第一衬底层1的材料为单晶硅或玻璃，厚度为200-2000μm；所述第一钝化层2和所述第二钝化层6的材料均为二氧化硅、氮化硅或氮氧化硅，厚度均为100-1000nm；所述第一压电电极3和所述第二压电电极5的材料均为铝、铜、铂、钛或金，厚度均为50-500nm；所述压电层4的材料为氮化铝、氧化锌或锆钛酸铅，厚度为100nm-5000nm。
45.优选地，所述密闭空腔8的高度为10-500μm。
46.本发明实施例中mems压电式压力传感器的工作原理如下：当待测压力被施加在压力敏感薄膜9上时，压力敏感薄膜9会发生机械应变，其中的压电层4由于正压电效应，内部电荷中心发生偏移，在压电层4上下表面积聚异号电荷形成电势差，第一压电电极3和第二压电电极5上会产生电压输出，以此来检测外加压力，即构成传统的压电式压力传感器。
47.压力敏感薄膜9在受到外加压力时上下振动会做功产生热量，传递到热电发电机16下表面，形成热电发电机16的热端，热电发电机16上表面暴露在空气中，且表面设有散热层15，因此温度为空气温度，构成了热电发电机16的冷端。由于塞贝克效应，不同半导体的温度差异会在热电电极13上形成温差电动势，则相较于传统的压电式压力传感器，本发明的mems压电式压力传感器的电压输出更大，因此检测外加压力的灵敏度更高。
48.此外，压电式压力传感器的动态压力频率检测范围是由其固有频率决定的，可以通过调整传感器的固有频率来调整检测的动态压力频率。在其他条件不变的情况下，传感器的固有频率与压电材料的弹性模量成正比，压电材料的弹性模量会随环境温度降低而升高，因此传感器的固有频率随环境温度降低而升高。根据珀尔帖效应，即施加电流流过不同半导体组成的回路，在不同半导体的接头处会分别出现吸热、放热现象，在热电电极13上外加电源，通过控制电流方向使压力敏感薄膜9一侧的温度升高或降低，具体表现为温度升高则传感器固有频率降低、温度降低则传感器固有频率升高，从而可以通过控制电流方向调整压力传感器的固有频率，以适应环境中的动态压力不同的频率范围。
49.需要说明的是，本压电式压力传感器可用于不同动态压力频率的环境，例如，从高频环境到低频环境，利用珀尔贴效应，施加电流使压力敏感薄膜一侧的温度升高，降低压电材料的弹性模量，从而降低传感器的固有频率。反之同理。
50.需要说明的是，正常工作情况下，压力传感器的压力敏感薄膜振动产生热量，形成热电发电机的热端，空气是热电发电机的冷端，基于塞贝克效应热电发电机会产生温差电动势，以提高压力传感器检测灵敏度。当环境的压力频率范围发生变化时，热电发电机不会产生温差电动势，此时塞贝克效应消失，人为在热电电极13上外加电源，利用珀尔帖效应将传感器的固有频率调整到环境的频率范围，外加电源是人为可控的，调整好压力传感器固有频率之后，停止施加电源待压力传感器的自身温度恢复后，压力传感器恢复正常工作，再进行压力大小的检测，此时又会发生塞贝克效应；另外，是否发生塞贝克效应可通过热电电极产生的温差电动势观察，在时间上与之前施加电源不重合，因此塞贝克效应与珀尔帖效应不冲突。也就是说，只有当环境的压力频率范围发生变化时，人为施加电源才会发生珀尔帖效应，其他正常工作情况下，都只发生塞贝克效应。故塞贝克效应和珀尔帖效应两者不会同时作用在传感器的元器件内部。
51.在本发明实施例中还提供了一种mems压电式压力传感器的制备方法，包括以下步骤：提供第二衬底层7和制备压力敏感薄膜9；通过阳极键合将所述第二衬底层7的上表面和所述压力敏感薄膜9的下表面连接在一起；在所述压力敏感薄膜9上形成热电发电机16。
52.为进一步说明本发明提出的mems压电式压力传感器的制作实现，图2至图18为本发明实施例中的工艺形成过程示意图，如图2-18所示，所述mems压电式压力传感器的制备方法具体包括：步骤一：如图2所示，准备一片厚度为500μm的n型硅片，作为第一衬底层1；步骤二：如图3所示，通过热氧化、正面光刻和刻蚀，在所述第一衬底层1上表面生长200nm厚的sio2以形成第一钝化层2；步骤三：如图4所示，通过磁控溅射、正面光刻和刻蚀，在所述第一钝化层2上表面生长300nm厚的al以形成第一压电电极3；步骤四：如图5所示，通过磁控溅射、正面光刻和刻蚀，在所述第一压电电极3上表面生长1μm厚的aln薄膜以形成压电层4；步骤五：如图6所示，通过磁控溅射、正面光刻和刻蚀，在所述压电层4上表面生长300nm厚的al以形成第二压电电极5；步骤六：如图7所示，通过热氧化、正面光刻和刻蚀，在所述第二压电电极5上表面生长200nm厚的sio2以形成第二钝化层6；步骤七：如图8所示，通过湿法腐蚀，在所述第一衬底层1下表面形成梯形空腔，释放所述压力敏感薄膜9；步骤八：如图9所示，准备一片厚度为200μm的玻璃片，作为所述第二衬底层7，通过阳极键合使所述第二衬底层7的上表面和步骤七得到的梯形空腔连接在一起形成密闭空腔8；步骤九：如图10所示，通过磁控溅射、正面光刻和刻蚀，在所述第二钝化层6上表面生长10μm厚的多晶硅以形成第三衬底层10；步骤十：如图11-12所示，在步骤九得到的所述第三衬底层10上进行p型掺杂形成p型热电腿11，以及n型掺杂形成n型热电腿12，以形成交错排列的热电偶；步骤十一：如图13-14所示，通过磁控溅射、正面光刻和刻蚀，在所述p型热电腿11和所述n型热电腿12之间生长300nm厚的al以形成热电电极13，将热电偶通过所述热电电极13串联起来形成热电堆；步骤十二：如图15-16所示，通过热氧化、正面光刻和刻蚀，在所述热电电极13上表面生长200nm厚的sio2以形成绝缘层14；步骤十三：如图17-18所示，通过磁控溅射、正面光刻和刻蚀，在所述绝缘层14上表面生长300nm厚的cu以形成散热层15，完成如图1所示的mems压电式压力传感器的制备。
53.可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

技术特征：
1.一种mems压电式压力传感器，其特征在于，包括第二衬底层（7）、压力敏感薄膜（9）和热电发电机（16），所述压力敏感薄膜（9）设置在所述第二衬底层（7）的上表面，所述热电发电机（16）设置在所述压力敏感薄膜（9）的上表面，所述热电发电机（16）包括第三衬底层（10）、p型热电腿（11）、n型热电腿（12）、热电电极（13）、绝缘层（14）和散热层（15），所述第三衬底层（10）位于所述压力敏感薄膜（9）的上表面，所述p型热电腿（11）和所述n型热电腿（12）交错排列在所述第三衬底层（10）的内部上端，所述热电电极（13）位于所述第三衬底层（10）的上表面，并且所述热电电极（13）分别连接所述p型热电腿（11）和所述n型热电腿（12），所述绝缘层（14）位于所述热电电极（13）的上表面，所述散热层（15）位于所述绝缘层（14）的上表面；其中，所述压力敏感薄膜（9）包括第一衬底层（1）、第一钝化层（2）、第一压电电极（3）、压电层（4）、第二压电电极（5）和第二钝化层（6），所述第一衬底层（1）位于所述第二衬底层（7）的上表面，所述第一衬底层（1）的下表面中央设置有凹槽，所述第二衬底层（7）的上表面与所述第一衬底层（1）下表面的凹槽共同围成密闭空腔（8），所述第一钝化层（2）位于所述第一衬底层（1）的上表面中央，所述第一压电电极（3）位于所述第一钝化层（2）的上表面，所述压电层（4）位于所述第一压电电极（3）的上表面，所述第二压电电极（5）位于所述压电层（4）的上表面，所述第二钝化层（6）位于所述第二压电电极（5）的上表面，所述第三衬底层（10）位于所述第二钝化层（6）的上表面。2.根据权利要求1所述的mems压电式压力传感器，其特征在于，所述第二衬底层（7）的材料为单晶硅或玻璃，厚度为200-2000μm。3.根据权利要求1所述的mems压电式压力传感器，其特征在于，所述第三衬底层（10）的材料为多晶硅，厚度为1-100μm；所述热电电极（13）的材料为铝、铜、铂、钛或金，厚度为50-500nm；所述绝缘层（14）的材料为二氧化硅、氮化硅或氮氧化硅，厚度为100-1000nm；所述散热层（15）的材料为铝、铜、铂、钛或金，厚度为50-500nm。4.根据权利要求1所述的mems压电式压力传感器，其特征在于，所述p型热电腿（11）和所述n型热电腿（12）的材料分别为p型半导体和n型半导体。5.根据权利要求1所述的mems压电式压力传感器，其特征在于，每个p型热电腿（11）的长度、宽度、厚度相同，每个n型热电腿（12）的长度、宽度、厚度相同。6.根据权利要求1所述的mems压电式压力传感器，其特征在于，所述第一衬底层（1）的材料为单晶硅或玻璃，厚度为200-2000μm；所述第一钝化层（2）和所述第二钝化层（6）的材料均为二氧化硅、氮化硅或氮氧化硅，厚度均为100-1000nm；所述第一压电电极（3）和所述第二压电电极（5）的材料均为铝、铜、铂、钛或金，厚度均为50-500nm；所述压电层（4）的材料为氮化铝、氧化锌或锆钛酸铅，厚度为100nm-5000nm。7.根据权利要求1所述的mems压电式压力传感器，其特征在于，所述密闭空腔（8）的高度为10-500μm。8.一种如权利要求1-7中任意一项所述的mems压电式压力传感器的制备方法，其特征在于，所述mems压电式压力传感器的制备方法包括：提供第二衬底层（7）和制备压力敏感薄膜（9）；通过阳极键合将所述第二衬底层（7）的上表面和所述压力敏感薄膜（9）的下表面连接在一起；
在所述压力敏感薄膜（9）上形成热电发电机（16）。9.根据权利要求8所述的mems压电式压力传感器的制备方法，其特征在于，还包括：步骤一：准备一片厚度为500μm的n型硅片，作为第一衬底层（1）；步骤二：通过热氧化、正面光刻和刻蚀，在所述第一衬底层（1）上表面生长200nm厚的sio2以形成第一钝化层（2）；步骤三：通过磁控溅射、正面光刻和刻蚀，在所述第一钝化层（2）上表面生长300nm厚的al以形成第一压电电极（3）；步骤四：通过磁控溅射、正面光刻和刻蚀，在所述第一压电电极（3）上表面生长1μm厚的aln薄膜以形成压电层（4）；步骤五：通过磁控溅射、正面光刻和刻蚀，在所述压电层（4）上表面生长300nm厚的al以形成第二压电电极（5）；步骤六：通过热氧化、正面光刻和刻蚀，在所述第二压电电极（5）上表面生长200nm厚的sio2以形成第二钝化层（6）；步骤七：通过湿法腐蚀，在所述第一衬底层（1）下表面形成梯形空腔，释放所述压力敏感薄膜（9）；步骤八：准备一片厚度为200μm的玻璃片，作为所述第二衬底层（7），通过阳极键合使所述第二衬底层（7）的上表面和步骤七得到的梯形空腔连接在一起形成密闭空腔（8）；步骤九：通过磁控溅射、正面光刻和刻蚀，在所述第二钝化层（6）上表面生长10μm厚的多晶硅以形成第三衬底层（10）；步骤十：在步骤九得到的所述第三衬底层（10）上进行p型掺杂形成p型热电腿（11），以及n型掺杂形成n型热电腿（12），以形成交错排列的热电偶；步骤十一：通过磁控溅射、正面光刻和刻蚀，在所述p型热电腿（11）和所述n型热电腿（12）之间生长300nm厚的al以形成热电电极（13），将热电偶通过所述热电电极（13）串联起来形成热电堆；步骤十二：通过热氧化、正面光刻和刻蚀，在所述热电电极（13）上表面生长200nm厚的sio2以形成绝缘层（14）；步骤十三：通过磁控溅射、正面光刻和刻蚀，在所述绝缘层（14）上表面生长300nm厚的cu以形成散热层（15），完成所述mems压电式压力传感器的制备。

技术总结
本发明涉及压力传感器技术领域，具体公开了一种MEMS压电式压力传感器及其制备方法，MEMS压电式压力传感器包括第二衬底层、压力敏感薄膜和热电发电机，压力敏感薄膜设置在第二衬底层的上表面，热电发电机设置在压力敏感薄膜的上表面，热电发电机包括第三衬底层、P型热电腿、N型热电腿、热电电极、绝缘层和散热层，第三衬底层位于压力敏感薄膜的上表面，P型热电腿和N型热电腿交错排列在第三衬底层的内部上端，热电电极位于第三衬底层的上表面，并且热电电极分别连接P型热电腿和N型热电腿，绝缘层位于热电电极的上表面，散热层位于绝缘层的上表面。本发明提供的MEMS压电式压力传感器，能够实现更高效的压力检测。够实现更高效的压力检测。够实现更高效的压力检测。


技术研发人员：刘同庆
受保护的技术使用者：无锡芯感智半导体有限公司
技术研发日：2023.06.12
技术公布日：2023/7/12