显示装置和显示装置的制备方法与流程

1.本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种显示装置和基于该显示装置的制备方法。


背景技术：

2.量子点有高色彩饱和度、更长的寿命以及更节能的优势，因此在部分显示领域越来越受到青睐。但是相关技术中，量子点图形化方式主要有黄光光刻和喷墨打印两种方式。在喷墨打印时，由于受到喷墨打印机精度的影响以及喷墨量的偏差影响，很容易出现将量子点打印到相邻的子像素区而出现颜色串扰的问题。


技术实现要素：

3.本发明的主要目的是提出一种显示装置，旨在改善因喷墨打印出现偏差时量子点容易打印至相邻的子像素区而出现颜色串扰的问题。
4.为实现上述目的，本发明提出的显示装置，包括基板，所述基板包括子像素区和隔离区，所述子像素区设有多个，多个子像素区间隔设置，所述子像素区设有量子发光体，每相邻两个子像素区之间均形成所述隔离区；所述显示装置还包括像素挡墙，所述像素挡墙设于基板的一侧并对应设于所述隔离区，以隔离相邻两个所述子像素区的所述量子发光体，所述像素挡墙背离所述基板的一侧形成有凹槽。
5.在一实施例中，所述凹槽的深度为h1，0.2μm≤h1≤2μm；
6.且/或，所述凹槽的形状为半圆形、矩形或者梯形；
7.且/或，所述像素挡墙的高度为h2，4μm≤h2≤15μm。
8.在一实施例中，所述凹槽的形状为梯形，且由靠近所述基板的方向至远离所述基板的方向，所述凹槽的开口逐渐增大。
9.在一实施例中，所述像素挡墙背离所述基板的表面包括：
10.第一表面，所述第一表面为所述凹槽的槽壁面；
11.第一连接面，所述第一连接面连接所述第一表面的一边缘；以及
12.第二连接面，所述第二连接面连接所述第一表面的另一边缘；
13.所述第一连接面和所述第二连接面均为粗糙面。
14.在一实施例中，所述基板为薄膜晶体管基板，所述量子发光体包括依次层叠设置于所述基板的阳极、空穴注入传输层、量子点层、电子传输注入层、阴极；
15.所述显示装置还包括封装层、光学膜片以及盖板，所述封装层设于所述阴极背离所述基板的一侧并填充所述凹槽，所述光学膜片和所述盖板依次层叠设于所述封装层背离所述基板的一侧。
16.本发明还提出一种显示装置的制备方法，包括：
17.准备基板，所述基板包括子像素区和隔离区，所述子像素区设有多个，多个子像素区间隔设置，每相邻两个子像素区之间均形成所述隔离区；
18.在所述基板的一侧涂布黑色像素定义层；
19.在所述黑色像素定义层对应所述隔离区的位置形成凹槽；
20.对所述黑色像素定义区进行蚀刻并显露所述子像素区，以使蚀刻后的所述黑色像素定义区形成像素挡墙。
21.在一实施例中，所述在所述黑色像素定义层对应所述隔离区的位置形成凹槽的步骤包括：
22.对所述黑色像素定义层对应所述隔离区的位置进行软烤以使其半固化；
23.用压印头对所述半固化的所述黑色像素定义层进行压印。
24.在一实施例中，所述对所述黑色像素定义层对应所述隔离区的位置进行软烤以使其半固化的步骤中的所述软烤的温度为t，80℃≤t≤100℃，所述软烤的时间为t，90s≤t≤150s。
25.在一实施例中，所述对所述黑色像素定义层对应所述隔离区的位置进行软烤以使其半固化的步骤之前，还包括：
26.对所述黑色像素定义区对应所述隔离区且背离所述基板的表面进行粗糙化处理。
27.在一实施例中，所述对所述黑色像素定义区进行蚀刻并显露所述子像素区，以使蚀刻后的所述黑色像素定义区形成像素挡墙的步骤之后，还包括：
28.所述子像素区形成有阳极，在所述阳极背离所述基板的一侧涂布空穴注入传输层；
29.在所述空穴注入传输层背离所述基板的一侧喷墨打印量子点层，并对所述量子点层进行固化；
30.在所述量子点层背离所述基板的一侧依次涂布电子注入层和阴极；
31.在所述阴极背离所述基板的一侧涂布封装层，所述封装层填充所述凹槽；
32.在所述封装层背离所述基板的一侧依次贴附光学膜片和盖板。
33.本发明技术方案通过像素挡墙背离基板的一侧形成有凹槽，则当向子像素区喷涂量子点时，即使喷墨打印精度有所偏移或者打印量超规而使得异常的量子点落入像素挡墙上时，这些异常的量子点会被像素挡墙的凹槽所收纳，进而避免这些异常的量子点进入相邻的子像素区，减少串色的风险，提高了每个子像素区对应的光的色纯度。
附图说明
34.为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
35.图1为本发明实施例一显示装置一实施例的结构示意图；
36.图2为本发明实施例一显示装置中基板上设有像素挡墙的结构示意图；
37.图3为本发明实施例二显示装置的制备方法一示例的流程示意图；
38.图4为图3中步骤20完成后对应的结构示意图；
39.图5为图3中步骤30完成后对应的结构示意图；
40.图6为本发明实施例二显示装置的制备方法步骤30的细化步骤的流程示意图；
41.图7为本发明实施例二显示装置的制备方法另一示例的流程示意图。
42.附图标号说明：
43.标号名称标号名称100基板101子像素区102隔离区200量子发光体210阳极220空穴注入传输层230量子点层240电子传输注入层250阴极300黑色像素定义层310像素挡墙
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301凹槽311第一表面312第一连接面313第二连接面400封装层500光学膜片600盖板700压印头
44.本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
45.下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
46.需要说明，若本发明实施例中有涉及方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后
……
)，则该方向性指示仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。
47.另外，若本发明实施例中有涉及“第一”、“第二”等的描述，则该“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本发明要求的保护范围之内。
48.实施例一：
49.本发明提出一种显示装置。
50.在本发明实施例中，请结合参照图1和图2，该显示装置包括基板100，基板100包括子像素区101和隔离区102，子像素区101设有多个，多个子像素区101间隔设置，子像素区101设有量子发光体200，每相邻两个子像素区101之间均形成隔离区102；显示装置还包括像素挡墙310，像素挡墙310设于基板100的一侧并对应设于隔离区102，以隔离相邻两个子像素区101的量子发光体200，像素挡墙310背离基板100的一侧形成有凹槽301。
51.基板100上可具有薄膜晶体管阵列，因此该基板100可以为薄膜晶体管阵列基板100，该基板100上具有多个子像素区101和多个隔离区102，多个子像素区101间隔设置，不同的子像素区101能够设置不同的量子发光体200，从而能够发出不同颜色的光。例如相邻
的三个子像素区101内分别设置有红色量子发光体200、绿色量子发光体200以及蓝色量子发光体200。每相邻两个子像素区101之间形成隔离区102，隔离区102对应设有像素挡墙310，该像素挡墙310用以将相邻的两个子像素区101进行隔离，防止出现串色的风险。另外，量子发光体200包括量子点层230，量子点层230的图像化方式通常通过黄光光刻或者喷墨打印的方式实现。可以理解的是，当采用喷墨打印的方式喷涂量子点层230时，极易受到喷墨机打印精度的影响，若喷墨打印时具有误差或者打印量超规时，则使得部分墨水落入像素挡墙310的表面，并沿着像素挡墙310的表面流向相邻的子像素区101而造成颜色串扰的问题，导致色纯度不足。而本发明通过将像素挡墙310背离基板100的一侧形成有凹槽301，则即使部分多余或者异常的量子点落入像素挡墙310上，则该墨水会沿着像素挡墙310的表面流入凹槽301内，使得凹槽301具有容纳多余或者异常量子点的作用，避免量子点流向相邻的子像素区101内。并且，通过在像素挡墙310背离基板100的一侧形成有凹槽301，则凹槽301的侧壁还对喷涂过程中正在落入像素挡墙310上的量子点进行阻挡，从而对量子点具有一定的反射作用，使其尽可能落入原本的应喷涂的区域，防止量子点的喷涂范围过广而出现量子点落入相邻子像素区101发生串色的风险。该凹槽301的形成可以通过压印或者蚀刻的方式实现。该凹槽301的形状可以为半圆形、矩形或者梯形等。
52.本发明技术方案通过像素挡墙310背离基板100的一侧形成有凹槽301，则当向子像素区101喷涂量子点时，即使喷墨打印精度有所偏移或者打印量超规而使得异常的量子点落入像素挡墙310上时，这些异常的量子点会被像素挡墙310的凹槽301所收纳，进而避免这些异常的量子点进入相邻的子像素区101，减少串色的风险，提高了每个子像素区101对应的光的色纯度。
53.进一步地，如图2所示，凹槽301的深度为h1，0.2μm≤h1≤2μm。
54.具体地，该凹槽301的深度h1可以为0.2μm、0.3μm、0.4μm、0.5μm、0.6μm、0.7μm、0.8μm、0.9μm、1.0μm、1.1μm、1.2μm、1.3μm、1.4μm、1.5μm、1.6μm、1.7μm、1.8μm、1.9μm或者2μm。通过将凹槽301的深度h1设置成不小于0.2μm，则可以使得凹槽301能够足够容纳异常的量子点，从而较好地避免异常量子点落入相邻子像素区101，保证在喷墨打印量子点的过程中不易出现串色的风险。
55.可以理解的是，量子点层230背离基板100的一侧通常还设有封装层400，该封装层400一部分设于像素挡墙310背离基板100的一侧，此时部分封装层400需要填充像素挡墙310的凹槽301。通过将凹槽301的深度h1设置成不大于2μm，则在保证凹槽301足够深以收纳异常的量子点的前提下，还可以避免浪费过多的封装层400。
56.在一示例中，如图2所示像素挡墙310的高度为h2，4μm≤h2≤15μm。
57.具体地，该像素挡墙310的深度h2可以为4μm、5μm、6μm、7μm、8μm、9μm、10μm、11μm、12μm、13μm、14μm或者15μm。通过将像素挡墙310的深度h2设置成不小于4μm，则可以使得像素挡墙310能够具有足够的高度阻挡量子点在喷墨过程中从相邻两个像素挡墙310之间并对应子像素区101的凹坑内溢出，从而较好地避免异常量子点落入相邻子像素区101，保证在喷墨打印量子点的过程中不易出现串色的风险。通过将像素挡墙310的深度h2设置成不大于15μm，则在保证像素挡墙310足够高以避免对应子像素区101的量子点溢出的前提下，还可以避免整个像是装置的厚度过大。
58.在一示例中，凹槽301的形状为梯形，且由靠近基板100的方向至远离基板100的方
向，凹槽301的开口逐渐增大。
59.当凹槽301的形状为梯形时，通过在由靠近基板100的方向至远离基板100的方向上，将凹槽301的开口逐渐增大，则使得凹槽301的开口范围较大，从而能够允许喷墨打印时具有较大范围的偏差，以使得尽可能多的量子点直接落入凹槽301内，避免较多的量子点直接跨过凹槽301落在像素挡墙310上。
60.在一示例中，如图2所示，像素挡墙310背离基板100的表面包括第一表面311、第一连接面312以及第二连接面313，第一表面311为凹槽301的槽壁面；第一连接面312连接第一表面311的一边缘；第二连接面313连接第一表面311的另一边缘；第一连接面312和第二连接面313均为粗糙面。
61.通过将凹槽301的槽壁面作为第一表面311，第一连接面312和第二连接面313分别连接于第一表面311相对的两侧，则落入像素挡墙310上的异常量子点可以直接落入在第一连接面312和第二连接面313上，通过将第一连接面312和第二连接面313均设置成粗糙面，则该粗糙面对量子点在像素挡墙310上的流动过程起到阻挡效果，从而减少异常量子点进入相邻子像素区101，或者甚至可以避免进入凹槽301内溢出后再进入相邻子像素区101内的风险。具体地，该第一连接面312和第二连接面313可以采用粗糙度较大材料直接形成，也可以通过蚀刻工艺实现第一连接面312和第二连接面313粗糙度较大的效果。
62.进一步地，如图1所示，基板100为薄膜晶体管基板100，量子发光体200包括依次层叠设置于基板100的阳极210、空穴注入传输层220、量子点层230、电子传输注入层240、阴极250；显示装置还包括封装层400、光学膜片500以及盖板600，封装层400设于阴极250背离基板100的一侧并填充凹槽301，光学膜片500和盖板600依次层叠设于封装层400背离基板100的一侧。
63.如此设置，则经过电子传输注入层240注入传输的电子与经过空穴注入传输层220注入传输的空穴在量子点层230复合形成处于束缚能级的电子空穴对，并在此量子点成复合时会发光，发出的光经过光学膜片500的作用提升了亮度和视角，从而能够实现较好的出光显示效果。通过在阴极250背离基板100的一侧设置封装层400，且封装层400填充凹槽301，则该封装层400对量子发光体200具有较好的保护效果。通过在光学膜片500背离基板100的一侧设置盖板600，则该盖板600对光学膜片500起到较好的保护效果，提高了显示装置的使用寿命。
64.实施例二：
65.本发明还提出一种显示装置的制备方法，请结合参照图3至图7，该显示装置的制备方法基于上述的显示装置的结构，该显示装置的具体结构参照上述实施例，由于本显示装置的制备方法采用了上述所有实施例的全部技术方案，因此至少具有上述实施例的技术方案所带来的所有有益效果，在此不再一一赘述。其中，请具体结合参照图3至图5，显示装置的制备方法包括：
66.步骤10：准备基板100，所述基板100包括子像素区101和隔离区102，所述子像素区101设有多个，多个子像素区101间隔设置，每相邻两个子像素区101之间均形成所述隔离区102；
67.步骤20：在所述基板100的一侧涂布黑色像素定义层310；
68.步骤30：在所述黑色像素定义层310对应所述隔离区102的位置形成凹槽301；
69.步骤40：对所述黑色像素定义区进行蚀刻并显露所述子像素区101，以使蚀刻后的所述黑色像素定义区形成像素挡墙310。
70.基板100可以为薄膜晶体管阵列基板100，从而每一个薄膜晶体管可对应一个子像素区101设置，子像素区101也呈阵列方式排布，相邻两个子像素区101内间隔有一定的距离，该间隔的区域定义为隔离区102。为了避免出现混光的情况，相邻两个子像素区101之间通过像素挡墙310进行隔离，该像素挡墙310为黑色的挡墙，从而提高每个子像素区101的光的纯度。具体地，为了提高设置多个像素挡墙310的效率，本发明中可以通过在基板100的一侧涂布黑色像素定义层310，该黑色像素定义层310的高度可以设置为不小于4μm，且不大于15μm，从而保证具有足够的高度对设置在子像素区101内的量子点进行阻挡，然后再对该黑色像素定义层310对应隔离区102的位置形成凹槽301，对应子像素区101的位置进行蚀刻以显露子像素区101，从而使得黑色像素定义层310仅留下对应隔离区102的像素挡墙310，黑色像素定义层310形成有对应子像素区101的凹坑，凹坑处用以后续设置量子发光体200。像素挡墙310上设置有凹槽301，凹槽301用以收纳在喷墨打印量子点层230时的异常量子点，从而避免异常量子点落入相邻子像素区101内而发生串色的风险。并且，通过在像素挡墙310背离基板100的一侧形成有凹槽301，则凹槽301的侧壁还对喷涂过程中正在落入像素挡墙310上的量子点进行阻挡，从而对量子点具有一定的反射作用，使其尽可能落入原本的应喷涂的区域，防止量子点的喷涂范围过广而出现量子点落入相邻子像素区101发生串色的风险。该凹槽301的形成可以通过压印或者蚀刻的方式实现。该凹槽301的形状可以为半圆形、矩形或者梯形等。
71.另外，本发明中通过先在黑色像素定义区对应隔离区102的位置形成凹槽301后再对黑色像素定义区进行蚀刻并显露子像素区101，则可以避免对黑色像素定义区对应隔离区102的位置进行开槽时出现强度不足而使得像素挡墙310容易倾倒或出现坍塌的风险。
72.进一步地，如图6所示，步骤30：在所述黑色像素定义层310对应所述隔离区102的位置形成凹槽301，该步骤包括：
73.步骤31：对所述黑色像素定义层310对应所述隔离区102的位置进行软烤以使其半固化；
74.步骤32：用压印头对所述半固化的所述黑色像素定义层310进行压印。
75.通过对黑色像素定义层310对应隔离区102的位置进行软烤以使其半固化，从而使得黑色像素定义层310具有容易形变的状态，但又能避免黑色像素定义层310呈流体状而散开至子像素区101上。通过压印头对半固化的黑色像素定义层310进行压印，则在该压印工艺中能够避免残留杂屑，进而可以保证显示装置具有良好的出光效果。
76.进一步地，步骤31：对所述黑色像素定义层310对应所述隔离区102的位置进行软烤以使其半固化，该步骤中的所述软烤的温度为t，80℃≤t≤100℃，所述软烤的时间为t，90s≤t≤150s。
77.具体地，软烤的温度t可以为80℃、85℃、90℃、95℃或者100℃。通过将软烤的温度t设置为不小于80℃，则可以减少软烤的时间。可以理解的是，量子点层230受到较高温度的影响时会出现寿命降低的风险，因此本发明中通过将软烤的温度t设置为不大于100℃，则可以避免量子点层230的寿命发生衰减的风险，并且还避免黑色像素定义层310因高温烘烤呈现流体状态而无法成为为稳定状态，进而难以形成上述的凹槽301。
78.另外，软烤时间t具体可以为90s、95s、100s、105s、110s、115s、120s、125s、130s、135s、140s、145s或者150s。通过将软烤时间t设置为不小于90s，则可以保证在上述软烤的温度范围内，保证黑色像素定义区较软以便于挤压变形形成凹槽301。另外，通过将软烤时间t设置为不大于150s，则可以烘烤时间太久而使得黑色像素定义层310呈现流体而无法成型的风险，并且如此设置还保证具有较高的生产效率。
79.进一步地，步骤31：所述对所述黑色像素定义层310对应所述隔离区102的位置进行软烤以使其半固化，该步骤之前还包括：
80.对所述黑色像素定义区对应所述隔离区102且背离所述基板100的表面进行粗糙化处理。
81.通过对黑色像素定义区对应隔离区102且背离基板100的表面进行粗糙化处理，则可以保证像素挡墙310背离基板100的一侧的表面呈粗糙面，从而可以对喷向像素挡墙310的异常量子点的流动起到阻碍作用，进一步减小了异常量子点流向相邻子像素区101的风险。
82.在一示例中，如图7所示，步骤40：所述对所述黑色像素定义区进行蚀刻并显露所述子像素区101，以使蚀刻后的所述黑色像素定义区形成像素挡墙310，该步骤之后还包括：
83.步骤50：所述子像素区101形成有阳极210，在所述阳极210背离所述基板100的一侧涂布空穴注入传输层220；
84.步骤60：在所述空穴注入传输层220背离所述基板100的一侧喷墨打印量子点层230，并对所述量子点层230进行固化；
85.步骤70：在所述量子点层230背离所述基板100的一侧依次涂布电子注入层和阴极250；
86.步骤80：在所述阴极250背离所述基板100的一侧涂布封装层400，所述封装层400填充所述凹槽301；
87.步骤90：在所述封装层400背离所述基板100的一侧依次贴附光学膜片500和盖板600。
88.如此设置，则经过电子传输注入层240注入传输的电子与经过空穴注入传输层220注入传输的空穴在量子点层230复合形成处于束缚能级的电子空穴对，并在此量子点成复合时会发光，发出的光经过光学膜片500的作用提升了亮度和视角，从而能够实现较好的出光显示效果。通过在阴极250背离基板100的一侧设置封装层400，且封装层400填充凹槽301，则该封装层400对量子发光体200具有较好的保护效果。通过在光学膜片500背离基板100的一侧设置盖板600，则该盖板600对光学膜片500起到较好的保护效果，提高了显示装置的使用寿命。
89.以上所述仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是在本发明的发明构思下，利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本发明的专利保护范围内。

技术特征：
1.一种显示装置，包括基板，所述基板包括子像素区和隔离区，所述子像素区设有多个，多个子像素区间隔设置，所述子像素区设有量子发光体，每相邻两个子像素区之间均形成所述隔离区；其特征在于，所述显示装置还包括像素挡墙，所述像素挡墙设于基板的一侧并对应设于所述隔离区，以隔离相邻两个所述子像素区的所述量子发光体，所述像素挡墙背离所述基板的一侧形成有凹槽。2.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述凹槽的深度为h1，0.2μm≤h1≤2μm；且/或，所述凹槽的形状为半圆形、矩形或者梯形；且/或，所述像素挡墙的高度为h2，4μm≤h2≤15μm。3.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述凹槽的形状为梯形，且由靠近所述基板的方向至远离所述基板的方向，所述凹槽的开口逐渐增大。4.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述像素挡墙背离所述基板的表面包括：第一表面，所述第一表面为所述凹槽的槽壁面；第一连接面，所述第一连接面连接所述第一表面的一边缘；以及第二连接面，所述第二连接面连接所述第一表面的另一边缘；所述第一连接面和所述第二连接面均为粗糙面。5.如权利要求1至4中任意一项所述的显示装置，其特征在于，所述基板为薄膜晶体管基板，所述量子发光体包括依次层叠设置于所述基板的阳极、空穴注入传输层、量子点层、电子传输注入层、阴极；所述显示装置还包括封装层、光学膜片以及盖板，所述封装层设于所述阴极背离所述基板的一侧并填充所述凹槽，所述光学膜片和所述盖板依次层叠设于所述封装层背离所述基板的一侧。6.一种基于权利要求1至5中任意一项所述的显示装置的制备方法，其特征在于，所述显示装置的制备方法包括：准备基板，所述基板包括子像素区和隔离区，所述子像素区设有多个，多个子像素区间隔设置，每相邻两个子像素区之间均形成所述隔离区；在所述基板的一侧涂布黑色像素定义层；在所述黑色像素定义层对应所述隔离区的位置形成凹槽；对所述黑色像素定义区进行蚀刻并显露所述子像素区，以使蚀刻后的所述黑色像素定义区形成像素挡墙。7.如权利要求6所述的显示装置的制备方法，其特征在于，所述在所述黑色像素定义层对应所述隔离区的位置形成凹槽的步骤包括：对所述黑色像素定义层对应所述隔离区的位置进行软烤以使其半固化；用压印头对所述半固化的所述黑色像素定义层进行压印。8.如权利要求7所述的显示装置的制备方法，其特征在于，所述对所述黑色像素定义层对应所述隔离区的位置进行软烤以使其半固化的步骤中的所述软烤的温度为t，80℃≤t≤100℃，所述软烤的时间为t，90s≤t≤150s。9.如权利要求7所述的显示装置的制备方法，其特征在于，所述对所述黑色像素定义层对应所述隔离区的位置进行软烤以使其半固化的步骤之前，还包括：
对所述黑色像素定义区对应所述隔离区且背离所述基板的表面进行粗糙化处理。10.如权利要求6所述的显示装置的制备方法，其特征在于，所述对所述黑色像素定义区进行蚀刻并显露所述子像素区，以使蚀刻后的所述黑色像素定义区形成像素挡墙的步骤之后，还包括：所述子像素区形成有阳极，在所述阳极背离所述基板的一侧涂布空穴注入传输层；在所述空穴注入传输层背离所述基板的一侧喷墨打印量子点层，并对所述量子点层进行固化；在所述量子点层背离所述基板的一侧依次涂布电子注入层和阴极；在所述阴极背离所述基板的一侧涂布封装层，所述封装层填充所述凹槽；在所述封装层背离所述基板的一侧依次贴附光学膜片和盖板。

技术总结
本发明公开一种显示装置和显示装置的制备方法。其中，显示装置包括基板和像素挡墙，基板包括多个子像素区和隔离区，多个子像素区间隔设置，子像素区设有量子发光体，每相邻两个子像素区之间均形成隔离区；像素挡墙设于基板的一侧并对应设于隔离区，以隔离相邻两个子像素区的量子发光体，像素挡墙背离基板的一侧形成有凹槽。本发明技术方案通过像素挡墙背离基板的一侧形成有凹槽，则当向子像素区喷涂量子点时，即使喷墨打印精度有所偏移或者打印量超规而使得异常的量子点落入像素挡墙上时，这些异常的量子点会被像素挡墙的凹槽所收纳，进而避免这些异常的量子点进入相邻的子像素区，减少串色的风险，提高了每个子像素区对应的光的色纯度。色纯度。色纯度。


技术研发人员：王然龙 袁海江
受保护的技术使用者：惠科股份有限公司
技术研发日：2023.04.27
技术公布日：2023/7/13