包括存储器控制器的存储设备及其操作方法与流程

包括存储器控制器的存储设备及其操作方法
1.相关申请的交叉引用
2.本技术基于2021年12月24日在韩国知识产权局提交的第10-2021-0187770号韩国专利申请并要求其优先权，其公开内容通过引用整体并入本文。
技术领域
3.本发明构思涉及存储设备，并且更具体地，涉及用于基于流属性对多个流进行分组的存储设备及其操作方法。


背景技术：

4.多个主机可以共享一个存储设备或一个命名空间。可替代地，多个主机可以共享多个存储设备或多个命名空间。
5.此外，每个主机可以向存储设备或命名空间发送被分配流标识符的流，从而控制流被存储在与流标识符对应的存储区域中。
6.流标识符可以被分配给具有相似生命期的相关数据，但是用于分配流标识符的具体准则可能主机之间彼此不同。


技术实现要素：

7.本发明构思提供了一种通过调度对具有相同或连续属性的流的管理操作具有改进的生命期的存储设备以及该存储设备的操作方法。
8.根据本发明构思的一方面，提供了一种包括存储器控制器和存储器设备的存储设备的操作方法，该方法包括：将从主机接收的多个流存储在存储器设备中；对存储器设备中的存储了多个流当中的第一流的第一存储区域执行管理操作；以及对存储器设备中的存储了基于多个流当中的第一流的属性选择的第二流的第二存储区域执行管理操作。
9.根据本发明构思的另一方面，提供了一种操作存储器控制器的方法，该方法包括：将从第一主机和第二主机接收的多个流分别存储在第一存储节点和第二存储节点中；基于多个流的属性将流分组为多个子分组；控制对第一存储节点中的存储了多个流当中的第一流的第一存储区域的管理操作；以及控制对第二存储节点中的存储了多个子分组当中的与第一流相同的子分组中包括的第二流的第二存储区域的管理操作。
10.根据本发明构思的另一方面，提供了一种存储设备，包括：存储器设备，其包括第一存储区域和第二存储区域；以及存储器控制器，被配置为将从主机接收的多个流存储在存储器设备中，控制存储器设备对其中存储了多个流当中的第一流的第一存储区域执行管理操作，以及控制存储器设备对其中存储了基于多个流当中的第一流的属性选择的第二流的第二存储区域执行管理操作。
附图说明
11.从以下结合附图的详细描述中，将更清晰地理解本发明构思的示例实施例，其中：
12.图1是用于描述根据本发明构思的示例实施例的存储系统的示图；
13.图2是根据本发明构思的示例实施例的存储设备的操作方法的流程图；
14.图3是示出根据本发明构思的示例实施例的非易失性存储器设备的框图；
15.图4是示出根据本发明构思的示例实施例的存储器块的电路图；
16.图5a和图5b是用于描述根据本发明构思的示例实施例的管理操作的示图；
17.图6a至图6c是示意性示出根据本发明构思的示例实施例的多流写入操作的示图；
18.图7是用于描述一般写入操作和多流写入操作的示图；
19.图8是用于描述根据本发明构思的示例实施例的子分组表的示图；
20.图9是示出根据本发明构思的示例实施例的支持多命名空间功能的存储设备的逻辑到物理(l2p)映射操作的示图；
21.图10是示出根据本发明构思的示例实施例的存储器控制器的框图；
22.图11是根据本发明构思的示例实施例的操作存储器控制器的方法的流程图；
23.图12是根据本发明构思的示例实施例的存储器控制器的操作方法的流程图；
24.图13是根据本发明构思的示例实施例的存储器控制器的操作方法的流程图；和
25.图14是示出根据本发明构思的示例实施例的包括存储设备的数据中心的示图。
具体实施方式
26.图1是用于描述根据本发明构思的示例实施例的存储系统的示图。
27.参照图1，存储系统1可以包括主机10和/或存储设备20，并且存储设备20可以包括存储器控制器100和/或多个存储器设备200。响应于来自主机10的写入/读取请求，存储器控制器100可以控制存储器设备200中的至少一个(例如，存储器设备210)读取存储在其中的数据或将数据写入存储器设备210。下文中，关于存储器设备210的描述也可以应用于存储器设备200中每一个。
28.存储设备20可以支持命名空间功能。这里，“命名空间”可以被定义为可以被格式化为逻辑块的一定量的存储器设备200，并且大小为n的命名空间是具有逻辑块地址(lba)从0到(n-1)的逻辑块的集合。“命名空间功能”是指从一个物理设备提供多个逻辑设备的功能。例如，命名空间功能可以是将存储设备20划分成多个命名空间并为每个命名空间分配唯一的lba的技术。存储设备20可以包括用于根据来自主机10的请求存储数据的存储介质。作为示例，存储设备20可以包括固态驱动器(ssd)、嵌入式存储器和/或可移动外部存储器中的至少一个。当存储设备20是ssd时，存储设备20可以是符合非易失性存储器特快(nvme)标准的设备。当存储设备20是嵌入式存储器或外部存储器时，存储设备20可以是符合通用闪存(ufs)标准或嵌入式多媒体卡(emmc)标准的设备。主机10和存储设备20可以分别根据其采用的标准协议来生成和发送数据包。当存储设备20的非易失性存储器131至13n和141至14m包括闪存时，闪存可以包括2d nand存储器阵列或3d(或垂直)nand(vnand)存储器阵列。在另一个示例中，存储设备20可以包括各种其他类型的非易失性存储器。例如，存储设备20可以包括磁性ram(mram)、自旋转移矩mram、导电桥接ram(cbram)、铁电ram(feram)、相位ram(pram)、电阻ram和各种其他类型的存储器。
29.存储器设备210可以包括多个非易失性存储器131至13n和141至14m。非易失性存储器131至13n可以通过第一通道ch1连接到存储器控制器100，并且非易失性存储器141至
14m可以通过第二通道ch2连接到存储器控制器100。命名空间可以提供分别与非易失性存储器131至13n和141至14m中的至少一个非易失性存储器中包括的物理块对应的逻辑块。在一些示例实施例中，命名空间可以提供分别与存储器设备200中的至少一个中包括的物理块对应的逻辑块。
30.存储设备20可以支持流功能。这里，“流”可以被定义为存储在相关位置处的相关数据。主机10可以通过向相关数据分配流标识符并将流标识符提供给存储设备20来控制相关数据被存储在相关位置处。因为具有相同流标识符的相关数据可能具有相似的生命期，所以可以在相似的定时处从非易失性存储器中删除相关数据。换言之，当具有相似生命期的流分布在多个逻辑块或多个物理块中并被任意管理时，当流被更新时，写入放大因子(waf)可能增加。因此，当存储设备20在同一逻辑块或同一物理块中存储具有相似生命期的流时，存储设备20的生命期可能增加。稍后可以参照图6a至图7详细描述使用多个流标识符的存储设备20存储数据的方法。
31.存储器控制器100可以包括流管理器111。流管理器111可以是硬件，或者可以是在存储器控制器100中运行的固件或软件。流管理器111可以基于多个流的属性将从主机10接收的多个流分组为多个子分组。为了便于解释，图1中仅示出了一个主机10。然而，存储系统1可以包括多个主机(例如，如图10所示)。存储设备20可以从多个主机接收具有不同流标识符的流。主机可以各自通过使用唯一的算法来生成流标识符，但是主机可能无法识别彼此使用的算法。因此，由不同主机生成但具有相同属性或连续属性的流可以被单独管理。因此，流管理器111可以将从多个主机接收的流当中具有相似属性的流分组到一个子分组中。存储器控制器100可以通过对子分组中包括的流调度管理操作来提高存储设备20的流管理性能。
32.流管理器111可以监视存储在存储器设备200中的流的属性。在一些示例实施例中，流的属性可以是对流的访问频率、流在被写入存储器设备200之后直到被无效的时间(例如，流的生命期)、分配给流的逻辑地址的连续性、或者流标识符。
33.流管理器111可以基于流的属性将多个流分组为多个子分组。根据一些示例实施例，流管理器111可以将具有主机10的相同访问频率的流分组到一个子分组中。根据一些示例实施例，流管理器111可以将具有相同生命期的流分组到一个子分组中。根据一些示例实施例，流管理器111可以将具有连续分配的逻辑地址的流分组到一个子分组中。根据一些示例实施例，流管理器111可以将具有彼此相邻的流标识符的流分组到一个子分组。
34.存储器控制器100可以对包括在相同子分组中的流调度管理操作。管理操作可以由在存储器控制器100中运行的闪存转换层(ftl)来执行。管理操作可以指对存储器设备200的垃圾收集(collection)操作、对存储器设备200的磨损均衡操作、或者调整在存储器设备200的内部操作中使用的操作电压的电平的操作。稍后可以参照图5a详细描述垃圾收集操作，稍后可以参照图5b详细描述磨损均衡操作，并且稍后可以参照图3详细描述调整操作电压的电平的操作。
35.图2是根据本发明构思的示例实施例的操作存储设备的方法的流程图。
36.参照图2，操作存储设备的方法可以包括s210到s230的多个操作。下面可以参照图1来描述图2。
37.在操作s210中，存储设备20可以将从主机10接收的多个流存储在存储器设备200
中。流可以存储在不同的非易失性存储器中，或者可以存储在一个非易失性存储器中包括的多个物理块中。尽管图1仅示出了一个主机，但是存储设备20可以从多个主机接收流。
38.在操作s220中，存储设备20可以对存储器设备200的多个存储区域当中存储第一流的第一存储区域执行管理操作。存储区域可以指页面、块、平面、存储体(bank)或命名空间。管理操作可以指对存储区域的垃圾收集操作、对存储区域的磨损均衡操作、或者调整在存储区域的内部操作中使用的操作电压的电平的操作。可以基于第一存储区域的擦除计数、第一存储区域的读取计数、第一存储区域中包括的有效页面的数量或者从第一存储区域读取的数据的可纠正性来执行对第一存储区域的管理操作。在一些示例实施例中，在对第一存储区域的管理操作期间，第一流可以被迁移到另一个存储区域。
39.在操作s230，存储设备20可以对存储器设备200的存储区域当中存储第二流的第二存储区域执行管理操作。存储设备20可以基于第一流的属性选择第二流。流的属性可以是对流的访问频率、流在被写入存储器设备200之后直到被无效的时间(例如，流的生命期)、分配给流的逻辑地址的连续性或者流标识符。例如，存储设备20可以选择具有与第一流的访问频率相同的访问频率的流作为第二流。例如，存储设备20可以选择具有与第一流的生命期相同的生命期的流作为第二流。例如，存储设备20可以选择具有与指派给第一流的逻辑地址连续的逻辑地址的流作为第二流。例如，存储设备20可以选择具有与第一流的流标识符相邻的流标识符的流作为第二流。在一些示例实施例中，第一流和第二流可以是从不同主机接收的流。在一些示例实施例中，操作s230可以在存储设备20不从主机10接收数据的空闲时间执行。换言之，存储设备20可以作为后台操作来执行操作s230(本文公开的任何其他操作也可以)。
40.根据本发明构思的示例实施例，可以通过管理存储了具有相同属性或连续属性的流的存储区域来增加存储设备20的生命期。
41.图3是示出根据本发明构思的示例实施例的非易失性存储器设备131的框图。然而，示例实施例不限于此，并且图3可以是与非易失性存储器131至13n和141至14m中的任一个非易失性存储器相对应的框图。
42.非易失性存储器设备131可以包括存储器单元阵列310、行解码器320、页面缓冲器330、输入/输出缓冲器340、控制逻辑350和/或电压发生器360。根据本发明构思的示例实施例，非易失性存储器设备131可以是包括闪存设备、mram、reram和fram的非易失性存储器。
43.存储器单元阵列310可以通过字线wl1至wln连接到行解码器320。此外，存储器单元阵列310可以通过位线bl0至blm-1连接到页面缓冲器330。根据操作模式，页面缓冲器330可以操作为写入驱动器或感测放大器。例如，在编程操作期间，页面缓冲器330可以将对应于要被编程的数据的电压转移到位线bl0至blm-1。此外，在读取操作期间，页面缓冲器330可以通过位线bl0至blm-1感测存储在选择的存储器单元中的数据，并向输入/输出缓冲器340发送数据。输入/输出缓冲器340可以向页面缓冲器330发送接收的数据，或者向外部输出从页面缓冲器330提供的数据。
44.控制逻辑350可以控制包括在非易失性存储器设备131中的各种组件。例如，控制逻辑350可以根据来自外部的类似编程/读取的命令cmd来生成内部控制信号。例如，控制逻辑350控制电压发生器360生成各种电平的操作电压，用于类似编程和读取的操作。此外，控制逻辑350可以通过控制输入/输出缓冲器340来控制输入和输出数据的定时。
45.基于控制逻辑350的控制，电压生成器360可以生成将被分别供应给字线wl1至wln的各种类型的字线电压和将被供应给形成存储器单元的衬底(bulk)(例如，阱区域(well region))的衬底电压。在示例实施例中，由电压发生器360生成的电压可以被称为操作电压。例如，关于编程操作，电压发生器360可以生成提供给选择的字线的编程电压、提供给未选择的字线的通过(pass)电压等。此外，关于读取操作，电压发生器360可以生成具有不同电平的选择的字线电压和未选择的字线电压。此外，电压发生器360可以在擦除操作期间向形成选择的存储器单元阵列的衬底提供高电平擦除电压。控制逻辑350可以响应于从图1的存储器控制器100接收的命令cmd来控制电压发生器360以调整操作电压的电平。
46.存储器单元阵列310可以包括多个单元块。根据示例实施例，非易失性存储器设备131可以是闪存设备，并且存储器单元阵列310可以包括多个nand单元串。单元串中的每一个可以在垂直方向或水平方向上形成通道。包括在单元串中的每一个中的存储器单元可以通过从行解码器320提供的高电压来编程或擦除。
47.此外，存储器单元阵列310可以通过除了字线wl1至wln之外的其他线连接到行解码器320。例如，行解码器320可以通过一个或多个串选择线ssl和接地选择线gsl连接到行解码器320。
48.图4是示出根据本发明构思的示例实施例的存储器块的电路图。
49.参照图4，存储器单元阵列(例如，图3的存储器单元阵列310)可以是水平nand闪存的存储器单元阵列，并且可以包括多个存储器块。每个存储器块blk11可以包括m(m是等于或大于2的整数)个单元串str，多个存储器单元mc在朝着位线bl0至blm-1的方向上串联连接到m个单元串str。
50.在具有如图4所示的结构的nand闪存设备中，可以逐块执行擦除，并且可以逐页面执行编程，其中页面分别对应于字线wl1-wln。图4示出了在一个块中提供的对应于n个字线wl1至wln的n个页面的示例。此外，图3的非易失性存储器设备131可以包括具有与上述存储器单元阵列310相同的结构并执行与上述存储器单元阵列310相同的操作的多个存储器单元阵列。
51.图5a和图5b是用于描述根据本发明构思的示例实施例的管理操作的示图。例如，图5a是用于描述垃圾收集操作的示图，而图5b是用于描述磨损均衡操作的示图。下面可以参照图1描述图5a和图5b。
52.参照图5a，存储器块blk12可以是图4所示的存储器块blk11的示例。第一数据至第四数据data1至data4可以存储在存储器块blk12中。第一数据至第四数据data1至data4可以各自是在至少一个页面中编程的数据。
53.第一数据和第三数据data1和data3可以是有效数据，并且第二数据和第四数据(data2和data4)可以是无效数据。在垃圾收集操作期间，可以基于被编程到存储器块的有效页面的数量来选择目标存储器块。存储在目标存储器块中的有效数据可以被迁移到另一个存储器块，并且存储在目标存储器块中的数据可以被擦除。例如，如图5a所示，作为存储在存储器块blk12中的有效数据的第一数据和第三数据data1和data3可以被迁移到存储器块blk13，并且存储在存储器块blk12中的数据可以被擦除并变成置空(free)块。由于在垃圾收集操作期间需要将有效数据迁移到另一个存储器块，因此waf可能增加。
54.参照图5b，存储器块blk14可以是图4所示的存储器块blk11的示例。第一数据至第
四数据data1至data4可以存储在存储器块blk14中。第一数据至第四数据data1至data4可以各自是在至少一个页面中编程的数据。
55.第一数据和第三数据data1和data3可以是具有高访问频率的热数据，并且第二数据和第四数据data2和data4可以是具有低访问频率的冷数据。在磨损均衡操作期间，可以基于编程擦除(pe)计数来选择目标存储器块。目标存储器块的pe计数可以是n(n是自然数)。存储在目标存储器块中的冷数据可以被迁移到编程擦除计数为m(m》n)的存储器块。换言之，由于具有低访问频率的数据被迁移到具有高pe计数的存储器块，所以存储器块的磨损水平可以被相对均匀地保持。
56.图6a至图6c是示意性示出根据本发明构思的示例实施例的多流写入操作的示图。
57.参照图6a，主机30可以向存储设备40提供多流数据。在一些示例实施例中，主机30可以通过将具有相同或基本相同的预期生命期或相似预期生命期的数据分配给相同的流并将具有不同预期生命期的数据分配给不同的流来生成多流数据。在一些示例实施例中，存储设备40可以将分配给相同流的数据存储在对应于对应的流的存储器块中，并且分配给不同流的数据被区分并存储在对应于对应的流的不同存储器块中。
58.例如，多流数据可以包括对应于第一流的流数据、对应于第二流的流数据和对应于第三流的流数据。存储设备40可以将对应于第一流的流数据存储在对应于第一流的第一块blka中，将对应于第二流的流数据存储在对应于第二流的第二块blkb中，并将对应于第三流的流数据存储在对应于第三流的第三块blkc中。
59.参照图6b，第一主机至第三主机31至33可以各自向存储器控制器100提供流数据。例如，第一主机31可以向存储器控制器100提供流数据stream_1[0:2]，第二主机32可以向存储器控制器100提供流数据stream_2[0:2]，并且第三主机33可以向存储器控制器100提供流数据stream_3[0:2]。在本说明书中，由主机生成的流数据可以表示为stream_xy。这里，x可以是用于标识主机的主机标识符，并且y可以是由主机分配的第一流标识符。例如，流数据stream_10可以由第一主机31的主机标识符“1”和由第一主机31分配的第一流标识符“0”来表示。此外，具有多个第一流标识符的流数据可以被称为多流数据。例如，多流数据流stream_1[0:2]可以表示具有由第一主机31分配的第一流标识符“0”、“1”和“2”的流数据。第一主机至第三主机31至33可以各自根据唯一的策略生成流数据，并可以将第一流标识符分配给流数据。
[0060]
存储器控制器100可以基于流数据的属性将除了由第一主机至第三主机31至33分配的第一流标识符之外的第二流标识符分配给流数据。例如，存储器控制器100可以通过将标识符a至c分配给流数据来生成a流数据str_a、b流数据str_b和c流数据str_c。在本说明书中，由存储器控制器100生成的流数据可以表示为stream_xyz。这里，x可以是用于标识主机的主机标识符，y可以是由主机分配的第一流标识符，并且z可以是由存储器控制器100分配的第二流标识符。例如，流数据stream_10a可以由第一主机31的主机标识符“1”、由第一主机31分配的第一流标识符“0”、以及由存储器控制器100分配的第二流标识符“a”来表示。具有第二流标识符“a”的流数据可以被称为a流数据str_a
[0061]
例如，流管理器111可以基于流数据stream_1[0:2]、stream_2[0:2]和stream_3[0:2]的属性将从第一主机至第三主机31至33接收的流数据stream_1[0:2]、stream_2[0:2]和stream_3[0:2]分组为子分组，并向属于相同子分组的流数据分配标识符(例如，a、b或
c)。例如，参照图6b，a流数据str_a可以包括从第一主机31接收的流数据stream_10、从第二主机32接收的流数据stream_21和从第三主机33接收的流数据stream_32。a流数据str_a可以是属于相同子分组的流数据，并且可以具有相似的流属性。
[0062]
存储器控制器100可以基于主机标识符和第一流标识符来存储流数据。例如，存储器控制器100可以控制存储设备40将从第一主机31接收的流数据stream_1[0:2]存储在第四块blkd中，控制存储设备40将从第二主机32接收的流数据stream_2[0:2]存储在第五块blke中，并且控制存储设备40将从第三主机33接收的流数据stream_3[0:2]存储在第六块blkf中。存储设备40可以基于流标识符将流存储在对应于该流的存储器块中。例如，存储设备40可以将从第一主机31接收的流数据stream_1[0:2]存储在第四块blkd中，将从第二主机32接收的流数据stream_2[0:2]存储在第五块blke中，并且从第三主机33接收的流数据stream_3[0:2]存储在第六块blkf中。
[0063]
当对第四块至第六块blkd、blke和blkf中的一个执行管理操作时，存储器控制器100可以对基于子分组确定的另一个块执行管理操作。例如，当对第四块blkd当中存储流数据stream_10_a的块执行管理操作时，存储器控制器100可以对存储属于与流数据stream_10_a相同的子分组的另一个流数据(例如，stream_20_a)的块执行管理操作。换言之，存储器控制器100可以抢先对存储a流数据str_a的块执行管理操作
[0064]
根据本发明构思的示例实施例，存储器控制器100可以通过抢先对存储具有相似属性的流数据的块执行管理操作来延长存储设备的生命期并减少或防止性能降级。
[0065]
参照图6c，存储器控制器100可以将数据存储在对应于相应流数据的存储节点中。例如，存储器控制器100可以将从第一主机31接收的流数据stream_1[0:2]存储在第一存储节点sn1中，将从第二主机32接收的流数据stream_2[0:2]存储在第二存储节点sn2中，并将从第三主机33接收的流数据stream_3[0:2]存储在第三存储节点sn3中。存储节点可以指包括分布在多个物理设备上的多个存储区域的逻辑设备或一个物理设备。例如，图6c中所示的第一存储节点sn1中包括的多个块可以被包括在一个物理设备中。可替代地，第一存储节点sn1中包括的块可以分布在多个物理设备上。存储器控制器100可以是图1的存储器控制器100的示例，并且流管理器111可以是图1的流管理器111的示例。多流的数量或存储节点的数量不限于此。
[0066]
在图6c中，如上所述，流管理器111可以基于从第一主机至第三主机31至33接收的流数据的属性生成子分组。当对第一存储节点至第三存储节点sn1至sn3中的一个执行管理操作时，存储器控制器100可以对基于子分组确定的另一块执行管理操作。例如，当对存储流数据stream_10a并被包括在第一存储节点sn1中的块blk 1执行管理操作时，存储器控制器100可以对存储属于与stream_10a相同的子分组的其他流数据stream_20a、stream_21a和stream_32a的块blk 4、blk 5和blk 9执行管理操作。换言之，存储器控制器100可以对存储a流数据str_a的块执行管理操作。存储器控制器100可以通过抢先对存储具有相似属性的流数据的块执行管理操作来延长存储节点的生命期并减少或防止性能降级。
[0067]
图7是用于描述一般或正常写入操作和多流写入操作的示图。例如，图7的下部可以示出在一般或正常写入操作期间存储流的存储器块blk1’至3’，而图7的右部可以示出在多流写入操作期间存储流的存储器块blk1至3。
[0068]
参照图7的下部，根据在没有流(w/o str)的情况下执行的一般或正常写入操作，
可以响应于不包括流标识符的写入命令来执行数据写入操作。因此，可以根据数据的输入次序来确定存储数据的存储器块。例如，对应于逻辑块地址(lba)lba1、lba20、lba100和lba21的顺序输入的数据可以存储在第一存储器块blk1’中，并且对应于lba lba1、lba22、lba1和lba20的顺序输入的数据可以存储在第二存储器块blk2’中。
[0069]
参照图7的右部，在多流写入操作中，可以响应于包括流标识符的写入流命令来执行数据写入操作。因此，数据可以根据相应的流标识符存储在不同的存储器块中。因此，存储多流数据的块可以根据流标识符而不是数据的输入次序而变化。
[0070]
例如，对应于第一流str 1所有流数据的逻辑块地址可以是lba1，对应于第二流str 2的流数据的逻辑块地址可以顺序地是lba20、lba21、lba22和lba20，并且对应于第三流str 3的流数据的逻辑块地址可以是lba100。
[0071]
例如，第一流str 1的流标识符可以是1，并且第一流str 1可以存储在第一存储器块blk1中。此外，第二流str 2的流标识符可以是2，并且第二流str 2可以存储在第二存储器块blk2中。此外，第三流str 3的流标识符可以是3，并且第三流str 3可以存储在第三存储器块blk3中。
[0072]
第一流至第三流str 1至str 3可以分别是由不同主机输出的流数据。例如，参照图6b，第一流str 1可以是由第一主机31输出的流数据stream_1[0:2]，第二流str 2可以是由第二主机32输出的流数据stream_2[0:2]，并且第三流str 3可以是由第三主机33输出的流数据stream_3[0:2]。
[0073]
图8是用于描述根据本发明构思的示例实施例的子分组表的图。下面可以参照图1、图4和图6b来描述图8。
[0074]
存储器控制器100可以将第二流标识符(例如，a、b或c)分配给从第一主机至第三主机31至33接收的流数据流stream_1[0:2]、stream_2[0:2]和stream_3[0:2]中的每一个，并将分配了第二流标识符的流数据存储在存储器设备210中。
[0075]
例如，流管理器111可以基于流数据stream_1[0:2]、stream_2[0:2]和stream_3[0:2]的属性生成子分组表300。例如，流管理器111可以基于对流的访问频率、流在被写入存储器设备210之后直到被无效的时间(例如，流的生命期)、分配给流的逻辑地址的连续性或第一流标识符来生成子分组表300。例如，当第一主机31的流数据str_10的访问频率和第二主机32的流数据str_20的访问频率相同时，可以生成包括流数据str_10和流数据str_20的第一子分组表子分组表1。流管理器111可以将第二流标识符“a”分配给包括在第一子分组表子分组表1中的流数据。
[0076]
换言之，流管理器111可以基于流的属性对从第一主机至第三主机31至33接收的流进行分组，并且可以调度对包括在一个分组中的流的管理操作。
[0077]
例如，参照图6b，在垃圾收集操作期间，存储器控制器100可以基于有效页面的数量选择存储了流数据stream_10a的第一存储器块blk1作为目标存储器块。根据本发明构思的示例实施例的存储器控制器100可以参考子分组表300，并对包括在与流数据stream_10a相同的子分组表中的流数据stream_20a、stream_21a和stream_32a执行垃圾收集操作。例如，存储器控制器100可以对第四块、第五块和第九块blk4、blk5和blk9执行垃圾收集操作。通过调度对具有相同的第二流标识符的流数据的管理操作，可以提高存储设备40的性能。
[0078]
图9是示出根据本发明构思的示例实施例的支持多命名空间功能的存储设备的
l2p映射操作的示图。
[0079]
参照图9，可以在存储设备(例如，图1的20)中生成三个命名空间，即，第一命名空间至第三命名空间ns1至ns3。例如，第一命名空间至第三命名空间ns1至ns3的逻辑地址空间可以分别映射到其物理地址空间。因此，由第一命名空间至第三命名空间ns1至ns3提供的总逻辑地址空间可以小于或等于非易失性存储器nvm的物理地址空间。参照图6c，在一些示例实施例中，非易失性存储器nvm可以对应于第一存储节点至第三存储节点sn1至sn3中的至少一个。
[0080]
整个逻辑地址空间当中的一些地址空间(例如，lba0至lba3)可以被分配给第一命名空间ns1，整个逻辑地址空间当中在分配给第一命名空间ns1的地址空间之后的一些地址空间(例如，lba4至lba7)可以被分配给第二命名空间ns2，并且整个逻辑地址空间当中在分配给第二命名空间ns2的地址空间之后的一些地址空间(例如，lba8至lba11)可以被分配给第三命名空间ns3。因此，由第一命名空间至第三命名空间ns1至ns3的l2p映射表管理的逻辑地址空间与非易失性存储器nvm的物理地址空间一致。
[0081]
图10是示出根据本发明构思的示例实施例的存储器控制器的框图。
[0082]
存储器控制器100可以从第一主机至第三主机31至33接收数据，或者向第一主机至第三主机31至33发送数据。
[0083]
存储器控制器100可以包括主机接口110、存储器接口170和/或处理器120。此外，存储器控制器100还可以包括工作存储器130、缓冲存储器140、纠错码(ecc)引擎150和/或高级加密标准(aes)引擎160。
[0084]
闪存转换层(ftl)181、流管理器182、至少一个子分组表183、l2p映射表184和/或命名空间管理器185可以被加载到工作存储器130。处理器120可以运行ftl 181，并且存储器设备210的数据写入操作和数据读取操作可以由ftl 181控制。
[0085]
ftl 181可以执行各种功能，如地址映射、操作电压调整、垃圾收集和磨损均衡。在本说明书中，操作电压调整、垃圾收集或磨损均衡可被称为管理操作。地址映射操作是用于将从主机接收的逻辑地址转换成用于在存储器设备210中实际存储数据的物理地址的操作。如上参照图3所述，操作电压调整可以是调整在非易失性存储器131中的内部操作(例如，编程操作、读取操作或擦除操作)期间使用的操作电压的电压电平的技术。如上参照图5a所述，垃圾收集是通过将块的有效数据复制到新块并擦除存储在现有块中的数据来确保存储器设备210中的可用容量的技术。磨损均衡是通过使存储器设备210中的块如上面参照图5b描述的那样被均匀使用来减少或防止特定块的过度恶化的技术，并且可以例如通过用于平衡物理块的擦除计数的固件技术来实现。
[0086]
ecc引擎150可以检测并纠正从存储器设备210读取的读取数据的错误。例如，ecc引擎150可以生成关于要被编程到存储器设备210的编程数据的奇偶校验位，并且这样的奇偶校验位可以与编程数据一起存储在存储器设备210中。当从存储器设备210读取数据时，ecc引擎150可以使用从存储器设备210读取的奇偶校验位以及读取数据来纠正读取数据的错误，并输出纠正错误的读取数据。
[0087]
aes引擎160可以使用例如对称密钥算法对输入到存储器控制器100的数据执行加密操作和解密操作中的至少一个。
[0088]
流管理器182可以基于流的属性将从第一主机至第三主机31至33接收的多个流分
组为多个子分组。流的属性可以是对流的访问频率、流在被写入存储器设备210之后直到被无效的时间(例如，流的生命期)、分配给流的逻辑地址的连续性或者流标识符。流管理器182可以通过使用具有相似属性的流来生成至少一个子分组表183。ftl 181可以参考子分组表183，并对存储相同子分组表183中包括的流的存储器设备210的存储区域执行管理操作。
[0089]
命名空间管理器185可以响应于从第一主机至第三主机31至33接收的命名空间生成请求或命名空间擦除请求，动态地生成或擦除如图9所示的命名空间。l2p映射表184可被更新以反映生成的或擦除的命名空间。
[0090]
存储器接口170可以向存储器设备200发送多个流，或者从存储器设备200接收多个流。
[0091]
图11是根据本发明构思的示例实施例的操作存储器控制器的方法的流程图。下面可以参照图10来描述图11。操作存储器控制器100的方法可以包括多个操作s1110至s1150。
[0092]
在操作s1110中，存储器控制器100可以将从第一主机至第三主机31至33接收的多个流存储在存储器设备210中。不同的流标识符可以被分配给流。在一些示例实施例中，存储器控制器100可以将从第一主机至第三主机31至33接收的流存储在命名空间中。从第一主机至第三主机31至33接收的不同流可以存储在相同的命名空间中，或者可以存储在不同的命名空间中。
[0093]
在操作s1120中，存储器控制器100可以基于流的属性将流分组为多个子分组。例如，存储器控制器100可以监视存储在存储器设备210中的流的属性，并通过使用具有相似属性的流来生成子分组表133。包括在一个子分组表133中的流可以是从相同主机接收的流，或者是从不同主机接收的流。例如，如上参照图8所述，存储器控制器100可以对第一主机至第三主机31至33对流的访问频率进行计数，并通过使用具有相似访问频率的流来生成子分组表。例如，存储器控制器100可以对流在被写入存储器设备210之后直到该流被无效的时间(例如，流的生命期)进行计数，并且通过使用具有相似生命期的流来生成子分组表。例如，存储器控制器100可以通过使用被分配连续逻辑地址的流来生成子分组表。例如，存储器控制器100可以通过使用被分配连续流标识符的流来生成子分组表。
[0094]
在操作s1130中，存储器控制器100可以控制对存储第一流的第一存储区域的管理操作。第一存储区域可以是存储器块。例如，当关于第一流的读取操作失败时，存储器控制器100可以控制调整存储第一流的第一存储区域的读取电压的操作。例如，存储器控制器100可以基于第一存储区域中包括的有效页面的数量来控制对第一存储区域的垃圾收集操作。例如，存储器控制器100可以基于第一存储区域的pe计数来控制对第一存储区域的磨损均衡操作。
[0095]
在操作s1140中，存储器控制器100可以控制对存储了与第一流相同的子分组中包括的第二流的第二存储区域的管理操作。在一些示例实施例中，第二存储区域可以是和与第一存储区域的命名空间不同的命名空间对应的物理块。在一些示例实施例中，第一流和第二流可以是从不同主机接收的流。存储器控制器100可以通过参考子分组表获得存储第二流的第二存储区域的地址，并可以基于获得的地址控制对第二存储区域的管理操作。在一些示例实施例中，操作s1140可以作为后台操作来执行。换言之，可以在存储器控制器100和存储器设备210之间的通道处于空闲状态的时间段期间执行操作s1140。
[0096]
在操作s1150中，存储器控制器100可以基于由管理操作改变的流的属性或地址来更新多个子分组。当管理操作被执行时，包括对流的访问频率和流的生命期的属性可以被改变。此外，当执行管理操作时，存储流的存储区域的地址可以改变。因此，存储器控制器100可以在管理操作被执行之后立即、或者以每个预定的或可替代地期望的时段，为多个流新生成子分组表。
[0097]
根据依据本发明构思的示例实施例的操作存储器控制器的方法，可以通过对包括在一个子分组中的流执行管理操作来增加存储具有相似属性的流的存储区域的使用期(lifespan)。
[0098]
图12是根据本发明构思的示例实施例的操作存储器控制器的方法的流程图。参照图12，操作存储器控制器的方法可以包括多个操作s1210至s1250。下面可以参照图3和图10来描述图12。
[0099]
在操作s1210，存储器控制器100可以基于流的属性生成多个子分组表。由于操作s1210可以对应于图11的操作s1120，因此可以省略对其的详细描述。
[0100]
在操作s1220中，存储器控制器100可以对第一存储区域执行管理操作。第一存储区域可以是存储第一流的存储区域。在一些示例实施例中，存储区域可以指块。由于操作s1120可以对应于图11的操作s1130，因此可以省略对其的详细描述。
[0101]
在操作s1230，存储器控制器100可以确定是否正在执行对非易失性存储器131的内部操作。非易失性存储器131可以是包括第二存储区域的非易失性存储器。尽管图3中未示出，但是非易失性存储器131可以通过用于交换芯片使能(ce)信号、写入使能(we)信号和/或读取使能(re)信号的控制信号通道连接到存储器控制器100。存储器控制器100可以通过监视控制信号通道来确定非易失性存储器131的内部操作是否正在被执行。内部操作可以是编程操作、读取操作或擦除操作。当没有正在执行对非易失性存储器131的内部操作时，可以执行操作s1240。当正在执行对非易失性存储器131的内部操作时，可以执行操作s1250。
[0102]
在操作s1240中，存储器控制器100可以对第二存储区域执行管理操作。第二存储区域可以是存储第二流的存储区域。第二流可以是包括在与第一流相同的子分组表中的流。换言之，存储器控制器100可以在非易失性存储器131中不执行内部操作的时间段期间，对第二存储区域执行管理操作。
[0103]
在操作s1250中，存储器控制器100可以完成正在非易失性存储器131中执行的内部操作。存储器控制器100可以通过在完成内部操作之后执行操作s1240来管理存储器设备131的内部操作和对第二存储区域的管理操作之间的调度。
[0104]
图13是根据本发明构思的示例实施例的操作存储器控制器的方法的流程图。参照图13，操作存储器控制器的方法可以包括多个操作s1310至s1360。下面可以参照图3和图10来描述图13。操作s1310至s1330可以分别对应于图12的操作s1210至s1230。因此，可以省略对其的详细描述。
[0105]
在操作s1330中，当没有正在对存储器设备131执行内部操作时，可以执行操作s1340。当正在对非易失性存储器131执行内部操作时，可以执行操作s1350。
[0106]
在操作s1340中，存储器控制器100可以对第二存储区域执行管理操作。第二存储区域可以是存储第二流的存储区域。第二流可以是包括在与第一流相同的子分组表中的
流。换言之，在非易失性存储器131中不执行内部操作的时间段期间，存储器控制器100可以对第二存储区域执行管理操作。
[0107]
在操作s1350中，存储器控制器100可以暂停(suspend)正在非易失性存储器131中执行的内部操作。当内部操作被暂停时，可以存储非易失性存储器131在暂停时间处的状态。例如，可以存储暂停时间处的操作电压电平、被执行直到暂停时间的编程循环的数量或被执行直到暂停时间的擦除循环的数量。在一些示例实施例中，在操作s1350中，存储器控制器100可以中止(abort)正在非易失性存储器131中执行的内部操作。当内部操作被中止时，被执行直到暂停的内部操作可以被初始化。
[0108]
在操作s1360中，存储器控制器100可以继续暂停的内部操作。例如，存储器控制器100可以基于非易失性存储器131在暂停时间处的状态来恢复内部操作。在一些示例实施例中，在操作s1350中，存储器控制器100可以新执行中止的内部操作。例如，存储器控制器100可以基于存储在图10所示的缓冲存储器140中的数据或存储在命令队列(未示出)中的命令(编程命令、读取命令或擦除命令)来重新执行被中止的内部操作。
[0109]
在暂停内部操作之后，存储器控制器100可以执行操作s1240，并且然后恢复暂停的内部操作，从而管理存储器设备131的内部操作和对第二存储区域的管理操作之间的调度。
[0110]
图14是示出应用根据本发明构思的示例实施例的存储设备的数据中心的示图。
[0111]
参照图14，数据中心3000是收集各种类型的数据并提供服务的设施，并且也可以被称为数据存储中心。数据中心3000可以是用于操作搜索引擎和数据库的系统，并且也可以是由像银行或政府机构的公司使用的计算系统。数据中心3000可以包括应用服务器3100至3100n和存储服务器3200至3200m。根据示例实施例，应用服务器3100至3100n的数量和存储服务器3200至3200m的数量可以不同地选择，并且应用服务器3100至3100n的数量可以不同于存储服务器3200至3200m的数量。
[0112]
应用服务器3100或存储服务器3200可以包括处理器3110和3210以及存储器3120和3220中的至少一个。在存储服务器3200的示例实施例中，处理器3210可以控制存储服务器3200的整体操作，并且访问存储器3220以运行加载到存储器3220中的指令和/或数据。存储器3220可以是双倍数据速率同步dram(ddr sdram)、高带宽存储器(hbm)、混合存储器立方体(hmc)、双列直插式存储器模块(dimm)、傲腾dimm或非易失性dimm(nvmdimm)。根据示例实施例，可以不同地选择存储服务器3200中包括的处理器3210的数量和存储器3220的数量。在一些示例实施例中，处理器3210和存储器3220可以提供处理器-存储器对。在一些示例实施例中，处理器3210的数量和存储器3220的数量可以彼此不同。处理器3210可以包括单核处理器或多核处理器。存储服务器3200的上述描述可以类似地应用于应用服务器3100。根据示例实施例，应用服务器3100可以不包括存储设备3150。存储服务器3200可以包括至少一个或多个存储设备3250。根据示例实施例，包括在存储服务器3200中的存储设备3250的数量可以不同地选择。
[0113]
根据本发明构思的示例实施例的应用服务器3100至3100n可以对应于图1的主机10或者图6b和图8的第一主机至第三主机31至33。换言之，应用服务器3100至3100n可以各自通过网络3300向存储服务器3200发送具有流标识符的流。应用服务器3100至3100n和存储服务器3200至3200m可以通过网络3300相互通信。在下文中，描述将主要集中于应用服务
器3100和存储服务器3200。应用服务器3100的描述可以应用于其他应用服务器3100n，并且存储服务器3200的描述也可以应用于其他存储服务器3200m。
[0114]
应用服务器3100可以通过网络3300将用户或客户端请求存储的数据存储在存储服务器3200至3200m中的一个中。此外，应用服务器3100可以通过网络3300从存储服务器3200至3200m中的一个获得用户或客户端请求读取的数据。例如，应用服务器3100可以被实现为网络服务器或数据库管理系统(dbms)。
[0115]
在存储服务器3200的示例实施例中，接口3254可以提供处理器3210和控制器3251之间的物理连接以及网络接口卡(nic)3240和控制器3251之间的物理连接。例如，接口3254可以被实现为直接附接存储，其中存储设备3250通过专用电缆被直接访问。此外，例如，接口3254可以被实现为各种接口协议中的一个，像高级技术附件(ata)、串行ata(ata)、外部sata(e-sata)、小型计算机小型接口(scsi)、天线连接scsi(sas)、外围组件互连(pci)、pci特快(pcie)、nvm特快(nvme)、ieee 1394、通用串行总线(usb)、安全数字(sd)卡、多媒体卡(mmc)、嵌入式多媒体卡(emmc)、通用闪存(ufs)、嵌入式通用闪存(usb)、紧凑闪存(cf)卡接口、通过光纤的nvme(nvmeof)和支持rdma的网络协议。
[0116]
存储服务器3200还可以包括开关3230和nic 3240。开关3230可以在处理器3210的控制下选择性地将处理器3210连接到存储设备3250，或者选择性地将nic 3240连接到存储设备3250。
[0117]
在存储服务器3200至3200m或应用服务器3100至3100n中，处理器可以通过向存储设备3130至3130n和3250至3250m或存储器3120至3120n和3220至3220m发送命令来编程或读取数据。在一些示例实施例中，数据可以是通过纠错码(ecc)引擎纠正错误的数据。数据是通过数据总线转位(dbi)或数据屏蔽(dm)处理的数据，并且可以包括循环冗余码(crc)信息。数据可以是为了安全或隐私而加密的数据。
[0118]
存储设备3150至3150n和3250至3250m可以响应于从处理器接收的读取命令，向nand闪存设备3252至3252m发送控制信号和命令/地址信号。存储设备3150至3150n和3250至3250m可以对应于图1的存储设备20。因此，在从nand闪存设备3252至3252m读取出数据的示例实施例中，读取使能(re)信号可以作为数据输出控制信号输入，并且可以向dq总线输出数据。可以通过使用re信号来生成数据选通脉冲(dqs)。根据写入使能(we)信号的上升沿或下降沿，命令和地址信号可以被锁存在页面缓冲器中。
[0119]
控制器3251可以控制存储设备3250的整体操作。在一些示例实施例中，控制器3251可以包括静态随机存取存储器(sram)。控制器3251可以响应于写入命令向nand闪存3252写入数据，或者可以响应于读取命令从nand闪存3252读取数据。例如，可以从存储服务器3200中的处理器3210、另一个存储服务器3200m中的处理器3210m或者应用服务器3100和3100n中的处理器3110和3110n提供写入命令和/或读取命令。dram 3253可以临时存储(缓冲)要写入nand闪存3252的数据或者从nand闪存3252读取的数据。此外，dram 3253可以存储元数据。这里，元数据是用户数据或由控制器3251生成以管理nand闪存3252的数据。存储设备3250可以包括用于安全或隐私的安全元件(se)。
[0120]
根据本发明构思的示例实施例的控制器3251可以对应于图1的存储器控制器100或图10的存储器控制器100。因此，控制器3251可以基于流的属性将从应用服务器3100至3100n接收的流分组为多个子分组。如上参照图12和图13所述，控制器3251可以通过调度对
包括在子分组中的流的管理操作来改进存储设备3250的生命期。
[0121]
上面公开的一个或多个元件可以包括或实现在一个或多个处理电路中，诸如包括逻辑电路的硬件；硬件/软件组合，诸如运行软件的处理器；或它们的组合。例如，更具体地，处理电路可以包括但不限于中央处理单元(cpu)、算术逻辑单元(alu)、数字信号处理器、微型计算机、现场可编程门阵列(fgpa)、片上系统(soc)、可编程逻辑单元、微处理器、专用集成电路(asic)等。
[0122]
虽然已经参照本发明构思的示例性实施例具体示出和描述了本发明构思，但将理解，在不脱离所附权利要求的精神和范围的情况下，可以在形式和细节中做出各种改变。

技术特征：
1.一种包括存储器控制器和存储器设备的存储设备的操作方法，所述方法包括：将从主机接收的多个流存储在存储器设备中；对存储器设备中的存储了所述多个流当中的第一流的第一存储区域执行管理操作；以及对存储器设备中的存储了基于所述多个流当中的第一流的属性选择的第二流的第二存储区域执行管理操作。2.根据权利要求1所述的操作方法，其中，所述管理操作包括以下中的至少一个：对存储器设备的存储区域执行的垃圾收集操作、对存储器设备的存储区域执行的磨损均衡操作、或者用于调整在存储器设备的内部操作期间使用的操作电压电平的操作。3.根据权利要求1所述的操作方法，其中，第一流的属性包括以下中的至少一个：关于第一流的访问频率、第一流在被写入存储器设备之后直到被无效的时间、分配给第一流的逻辑地址的连续性、或者第一流标识符。4.根据权利要求1所述的操作方法，其中，对第二存储区域执行管理操作还包括从所述多个流当中选择具有与第一流的属性完全相同或连续的属性的流作为第二流。5.根据权利要求1所述的操作方法，其中，对第二存储区域执行管理操作是在没有从主机接收数据的空闲时间期间执行的。6.根据权利要求1所述的操作方法，其中，对第二存储区域执行管理操作，还包括：检测是否正在对存储器设备执行内部操作；以及在检测的内部操作完成之后，对第二存储区域执行管理操作。7.根据权利要求1所述的操作方法，其中，对第二存储区域执行管理操作，还包括：检测是否正在对存储器设备执行内部操作；暂停检测的内部操作；对第二存储区域执行管理操作；以及恢复对存储器设备的暂停的内部操作。8.根据权利要求1所述的操作方法，其中，将所述多个流存储在存储器设备中包括:将从第一主机接收的第一流存储在第一存储区域中；以及将从第二主机接收的第二流存储在第二存储区域中。9.根据权利要求1所述的操作方法，其中，第一存储区域是与具有第一大小的连续逻辑地址空间相对应的存储区域，并且第二存储区域是与具有第二大小的连续逻辑地址空间相对应的存储区域。10.根据权利要求1所述的操作方法，其中，第一流和第二流被包括在相同的子分组表中。11.一种存储器控制器的操作方法，所述操作方法包括：将从第一主机和第二主机接收的多个流分别存储在第一存储节点和第二存储节点中；基于所述多个流的属性将所述多个流分组为多个子分组；控制对第一存储节点中的存储了所述多个流当中的第一流的第一存储区域的管理操作；以及控制对第二存储节点中的存储了多个子分组当中的与第一流相同的子分组中所包括的第二流的第二存储区域的管理操作。
12.根据权利要求11所述的操作方法，其中，从第一主机接收第一流，并且从第二主机接收第二流。13.根据权利要求11所述的操作方法，其中，将所述多个流分组为多个子分组包括：监视存储在第一存储节点和第二存储节点中的所述多个流的属性；以及基于流的属性，分别生成与多个子分组相对应的多个子分组表。14.根据权利要求13所述的操作方法，还包括基于由对第一存储区域的管理操作和对第二存储区域的管理操作改变的所述多个流的属性来更新多个子分组表。15.一种存储设备，包括：存储器设备，包括第一存储区域和第二存储区域；以及存储器控制器，被配置为将从主机接收的多个流存储在存储器设备中，控制存储器设备对其中存储了所述多个流当中的第一流的第一存储区域执行管理操作，以及控制存储器设备对其中存储了基于所述多个流当中的第一流的属性选择的第二流的第二存储区域执行管理操作。16.根据权利要求15所述的存储设备，其中，所述管理操作包括以下中的至少一个：对存储器设备的存储区域执行的垃圾收集操作、对存储器设备的存储区域执行的磨损均衡操作、或者用于调整在存储器设备的内部操作期间使用的操作电压电平的操作。17.根据权利要求15所述的存储设备，其中，第一流的属性包括以下中的至少一个：关于第一流的访问频率、第一流在被写入存储器设备之后直到被无效的时间、分配给第一流的逻辑地址的连续性、或者第一流标识符。18.根据权利要求17所述的存储设备，其中，存储器控制器还被配置为从所述多个流当中选择具有与第一流的属性完全相同或连续的属性的流作为第二流。19.根据权利要求15所述的存储设备，其中，所述存储器控制器还被配置为检测是否正在对存储器设备执行内部操作，以及在检测的内部操作完成之后，对第二存储区域执行管理操作。20.根据权利要求15所述的存储设备，其中，所述存储器控制器还被配置为检测是否正在对存储器设备执行内部操作，暂停检测的内部操作，对第二存储区域执行管理操作，以及恢复对存储器设备的暂停的内部操作。

技术总结
提供了一种包括存储器控制器和存储器设备的存储设备的操作方法，该操作方法包括：将从主机接收的多个流存储在存储设备中；对存储器设备中的存储了多个流当中的第一流的第一存储区域执行管理操作；以及对存储器设备中的存储了基于第一流的属性从多个流当中选择的第二流的第二存储区域执行管理操作。第二流的第二存储区域执行管理操作。第二流的第二存储区域执行管理操作。


技术研发人员：李镇旭 殷熙锡
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：2022.12.22
技术公布日：2023/7/13