具有发光器件的显示装置的制作方法

具有发光器件的显示装置
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2021年12月31日提交的韩国专利申请第10-2021-0194732号的权益，其以援引的方式并入本文，如同在本文中完整阐述。
技术领域
3.本公开涉及一种在器件基板的显示区域上设置有发光器件的显示装置。


背景技术：

4.通常，显示装置向用户显示图像。例如，显示装置可以包括像素区域。各像素区域可以显示特定颜色。例如，各像素区域包括发光器件。发光器件可以发射特定颜色的光。例如，发光器件可以包括依次层叠的第一电极、发光层和第二电极。
5.在各像素区域中可以设置有电连接到发光器件的像素驱动电路。像素驱动电路可以根据栅极信号向发光器件供应与数据信号对应的驱动电流。例如，像素驱动电路可以包括至少一个薄膜晶体管。在器件基板上可以层叠有用于独立控制各像素区域的多个像素驱动电路。
6.发光层可能容易受到水分的损害。例如，在显示装置中，第二电极可能覆盖发光层的端部。可以通过沉积工序形成发光层。例如，发光层可能包括厚度逐渐减小的尾部(tail portion)。然而，在显示装置中，第二电极所占的尺寸可能由于发光层的尾部而增加。因此，在显示装置中，非发光区域可能增加。即，在显示装置中，发光区域可能相对减少，图像质量可能变差。


技术实现要素：

7.因此，本公开旨在提供一种基本上消除由于相关技术的限制和缺点引起的一个以上的问题的显示装置。
8.本公开的一个目的在于提供一种不增加边框区域就能够防止或至少减小由于外部水分所导致的发光器件的损伤的显示装置。
9.本公开的附加优点、目的和特征将在如下的说明书中部分阐述，并且对本领域技术人员而言，在查阅下文内容后，部分将变得明显，或者可以从本公开的实践中习得。可以通过书面说明和权利要求及附图中特别指出的结构来实现和达成本公开的目的和其他优点。
10.为了实现这些目的和其他优点并根据本公开的目的，如本文所具体实施和广义说明的，提供一种显示装置，包括：器件基板，包括显示区域和至少部分地围绕显示区域的边框区域；外涂层，位于器件基板的显示区域和边框区域上；发光器件，位于外涂层的位于显示区域上的一部分上，发光器件被配置为发光；加热信号布线，位于器件基板与外涂层的位于边框区域上的一部分之间；多个加热图案，位于外涂层的位于边框区域上的该部分上，多个加热图案电连接到加热信号布线；粘合层，位于显示区域中的发光器件和边框区域中的
多个加热图案上，粘合层与多个加热图案接触；以及封装基板，位于粘合层上，封装基板位于器件基板的显示区域和边框区域上。
11.在一个实施例中，一种显示装置，包括：基板，包括显示区域和至少部分围绕显示区域的边框区域；发光器件，位于显示区域中，所述发光器件包括位于显示区域中的第一电极、发光层以及第二电极，发光层包括位于显示区域中的第一电极上的第一部分和从发光层的第一部分延伸到边框区域的第二部分，第二电极包括位于显示区域中的发光层的第一部分上的第一部分和从所述第二电极的第一部分延伸到边框区域的第二部分；加热信号布线，位于基板的边框区域上并且部分围绕显示区域，加热信号布线被配置为施加电流，其中，发光层的位于边框区域中的第二部分和第二电极的位于边框区域中的第二部分不与加热信号布线重叠。
12.在一个实施例中，一种显示装置的形成方法，包括：形成包括显示区域和至少部分围绕显示区域的边框区域的基板；在基板的边框区域上形成加热信号布线，加热信号布线部分围绕显示区域；形成外涂层，外涂层包括位于显示区域上的一部分和在边框区域中的位于加热信号布线上的一部分；在外涂层的显示区域中的一部分上形成第一电极，并且在外涂层的位于边框区域中的一部分上形成多个加热图案，多个加热图案电连接到加热信号布线；形成发光层，发光层包括所述第一电极上的位于显示区域中的第一部分和从发光层的第一部分延伸到边框区域的第二部分，从而发光层的第二部分的一部分位于多个加热图案上；形成第二电极，第二电极包括发光层的位于显示区域中的第一部分上的第一部分和从第二电极的第一部分朝向边框区域延伸的第二部分，从而第二电极的第二部分的一部分位于多个加热图案上的发光层的第二部分上的一部分上；以及通过向加热信号布线施加电流，加热信号布线将电流供应到多个加热图案，去除发光层的第二部分的一部分和第二电极的第二部分的一部分。
附图说明
13.本公开包括附图以提供对本公开的进一步理解，并且附图被并入本技术并构成本技术的一部分，附图图示本公开的实施例并且与说明书一起用来解释本公开的原理。附图中：
14.图1是示意性地示出根据本公开的一个实施例的显示装置的视图。
15.图2是示出根据本公开的该实施例的显示装置中的单位像素区域的电路的视图。
16.图3是根据本公开的实施例的图1中的k区域的放大视图。
17.图4a是根据本公开的实施例的沿图1的i-i’线截取的视图。
18.图4b是根据本公开的实施例的沿图3的ii-ii’线截取的视图。
19.图5a、图5b、图6a、图6b、图7a、图7b、图8a、图8b、图9a以及图9b是依次示出根据本公开的该实施例的显示装置的形成方法的视图。
20.图10至图12是分别示出根据本公开的另一实施例的显示装置的视图。
具体实施方式
21.在下文中，将通过参照示出本公开的一些实施例的附图的下列详细说明而清晰地理解本公开的实施例的上述目的、技术结构和作用效果有关细节。在本文中，为了向本领域
技术人员充分地传达本公开的技术理念而提供本公开的实施例，因此本公开可以以其他形式实施，并不限于下文说明的实施例。
22.此外，在说明书全文中，相同或极其相似的要素可以用相同的附图标记表示，并且在附图中，为了方便起见，层和区域的长度和厚度可以是夸张示出的。应理解的是，当第一要素被指代为在第二要素“上”时，尽管第一要素可能设置在第二要素上以与第二要素接触，但也可以在第一要素和第二要素之间插置第三要素。
23.在本文中，例如“第一”和“第二”的术语可以用于区分任何一个要素与另一个要素。然而，在不脱离本公开的技术理念的情况下，第一要素和第二要素可以根据本领域技术人员的便利性任意地命名。
24.本公开的说明书中使用的术语仅仅是为了说明特定具体实施例而使用的，并不旨在限制本公开的范围。例如，以单数形式说明的要素旨在包括多个要素，除非上下文另有清楚指明。此外，在本公开的说明书中，还应理解的是，术语“包括”和“包含”指定存在所提及特征、整数、步骤、工作、要素、部件、和/或其组合，而不排除存在或添加一个以上的其他特征、整数、步骤、工作、要素、部件和/或组合。
25.另外，除非使用“直接”，否则术语“连接”和“连结”可以包括两个部件通过位于该两个部件之间的一个以上的其他部件“连接”或“连结”。
26.除非另有定义，否则本文使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)都具有与示例性实施例所属领域的技术人员所通常理解的含义相同的含义。还应理解的是，诸如通用辞典中定义的术语的术语应解释为具有与相关领域背景中的含义一致的含义，而不应被理想化地或过于形式化地解释，除非本文中明确那样定义。
27.(实施例)
28.图1是示意性地示出根据本公开的一个实施例的显示装置的视图。图2是示出根据本公开的该实施例的显示装置中的单位像素区域的电路的视图。图3是根据本公开的实施例的图1中的k区域的放大视图。图4a是根据本公开的实施例的沿图1的i-i’线截取的剖视图。图4b是根据本公开的实施例的沿图3的ii-ii’线截取的剖视图。
29.参照图1至图3以及图4a和图4b，根据本公开的实施例的显示装置可以包括器件基板100。器件基板100可以包含绝缘材料。器件基板100可以包含透明材料。例如，器件基板100可以包含玻璃或塑料。
30.器件基板100可以包括显示区域aa和边框区域na。可以在器件基板100的显示区域aa中设置有多个像素区域pa。边框区域na可以提供用于各像素区域pa的工作的各种信号。例如，在器件基板100的边框区域na上，可以设置有将栅极信号传输到各像素区域pa的至少一个栅极驱动器gip1和gip2以及将数据信号传输到各像素区域pa的焊盘部pad。焊盘部pad可以电连接到栅极驱动器gip1和gip2。例如，在器件基板100的边框区域na上可以设置有连接焊盘部pad与显示区域aa的数据链接线dll以及连接焊盘部pad与栅极驱动器gip1和gip2的栅极链接线gll。
31.各像素区域pa可以显示特定颜色。例如，发光器件300可以设置在各像素区域pa中。发光器件300可以发射显示特定颜色的光。例如，发光器件300可以包括依次层叠的第一电极310、发光层320和第二电极330。
32.第一电极310可以包含导电材料。第一电极310可以具有高透射率。例如，第一电极
310可以是由诸如ito和izo的透明导电材料制成的透明电极。
33.发光层320可以产生具有与第一电极310与第二电极330之间的电压差对应的亮度的光。例如，发光层320可以包括具有发光材料的发光材料层(eml)。发光材料可以包括有机材料、无机材料或混合材料。例如，根据本公开的实施例的显示装置可以是包含有机发光材料的有机发光显示装置。
34.发光层320可以具有多层结构。例如，发光层320可以进一步包括空穴注入层(hil)、空穴传输层(htl)、电子传输层(etl)以及电子注入层(eil)中的至少一者。因此，在根据本公开的实施例的显示装置中，可以提高发光层320的发光效率。
35.第二电极330可以包含导电材料。第二电极330可以包含与第一电极310不同的材料。第二电极330的反射率可以大于第一电极310的反射率。例如，第二电极330可以包含诸如铝(a1)和银(ag)的金属。因此，在根据本公开的实施例的显示装置中，由发光层320产生的光可以通过第一电极310和器件基板100发射到外部。
36.在各像素区域pa中可以设置有电连接到发光器件300的像素驱动电路dc。各像素区域pa中的发光器件300的工作可以由对应像素区域pa的像素驱动电路dc控制。各像素区域pa的像素驱动电路dc可以电连接到数据线dl中的一条数据线、栅极线gl中的一条栅极线以及电源电压供给线pl中的一条电源电压供给线。数据线dl可以电连接到数据链接线dll。栅极线gl可以电连接到栅极驱动器gip1和gip2。电源电压供给线pl可以电连接到电源单元。例如，各像素区域pa的像素驱动电路dc可以根据栅极信号向对应像素区域pa的发光器件300供应与数据信号对应的驱动电流。由各像素区域pa的像素驱动电流dc产生的驱动电流可以在一帧期间施加到对应像素区域pa的发光器件300。例如，各像素区域pa的像素驱动电路dc可以包括第一薄膜晶体管t1、第二薄膜晶体管t2以及存储电容器cst。
37.第一薄膜晶体管t1可以包括第一半导体图案211、第一栅极213、第一源极215以及第一漏极217。第二薄膜晶体管t2可以具有与第一薄膜晶体管t1相同的结构。例如，第二薄膜晶体管t2可以包括第二半导体图案221、第二栅极223、第二源极225以及第二漏极227。
38.第一半导体图案211和第二半导体图案221可以包含半导体材料。例如，第一半导体图案211和第二半导体图案221可以包含诸如igzo的氧化物半导体。第二半导体图案221可以包含与第一半导体图案211相同的材料。例如，第二半导体图案221可以与第一半导体图案211设置在同一层。第二半导体图案221可以与第一半导体图案211同时形成。
39.第一半导体图案211和第二半导体图案221中的每一者可以包括源区、漏区和沟道区。沟道区可以设置在源区与漏区之间。源区和漏区可以具有比沟道区的电阻低的电阻。例如，源区和漏区可以包括氧化物半导体的导体化区。沟道区可以是可能未导体化的氧化物半导体的区域。
40.第一栅极213和第二栅极223可以包含导电材料。例如，第一栅极213和第二栅极223可以包含诸如铝(a1)、铬(cr)、铜(cu)、钼(mo)、钛(ti)和钨(w)的金属。第二栅极223可以包含与第一栅极213相同的材料。例如，第二栅极223可以与第一栅极213设置在同一层。第二栅极223可以与第一栅极213同时形成。
41.第一栅极213可以设置在第一半导体图案211上。例如，第一栅极213可以与第一半导体图案211的沟道区重叠。第一栅极213可以与第一半导体图案211绝缘。例如，第一半导体图案211的沟道区可以具有与施加到第一栅极213的电压对应的导电率。第二栅极223可
以设置在第二半导体图案221上。例如，第二栅极223可以与第二半导体图案221的沟道区重叠。第二栅极223可以与第二半导体图案221绝缘。第二半导体图案221的沟道区可以具有与施加到第二栅极223的电压对应的导电率。
42.第一源极215、第一漏极217、第二源极225和第二漏极227可以包含导电材料。例如，第一源极215、第一漏极217、第二源极225和第二漏极227可以包含诸如铝(al)、铬(cr)、铜(cu)、钼(mo)、钛(ti)和钨(w)的金属。第一漏极217可以包含与第一源极215相同的材料。例如，第一漏极217可以与第一源极215设置在同一层。第一漏极217可以与第一源极215同时形成。第二漏极227可以包含与第二源极225相同的材料。例如，第二漏极227可以与第二源极225设置在同一层。第二漏极227可以与第二源极225同时形成。
43.第一源极215和第一漏极217可以包含与第一栅极213相同的材料。例如，第一源极215和第一漏极217可以与第一栅极213设置在同一层。第一源极215和第一漏极217可以与第一栅极213同时形成。第一源极215和第一漏极217可以与第一栅极213绝缘。例如，第一源极215和第一漏极217可以与第一栅极213间隔开。
44.第二源极225和第二漏极217可以包含与第二栅极223相同的材料。例如，第二源极225和第二漏极227可以与第二栅极223设置在同一层。第二源极225和第二漏极227可以与第二栅极223同时形成。第二源极225和第二漏极227可以与第二栅极223绝缘。例如，第二源极225和第二漏极227可以与第二栅极223间隔开。
45.第一源极215可以电连接到第一半导体图案211的源区。第一漏极217可以电连接到第一半导体图案211的漏区。第二源极225可以电连接到第二半导体图案221的源区。第二漏极227可以电连接到第二半导体图案221的漏区。第二源极225和第二漏极227可以包含与第一源极215和第一漏极217相同的材料。例如，第二源极225和第二漏极227可以与第一源极215和第一漏极217设置在同一层。第二源极225和第二漏极227可以与第一源极215和第一漏极217同时形成。第一源极215、第一漏极217、第二源极225和第二漏极227可以彼此间隔开。
46.各像素区域pa的薄膜晶体管t1和t2可以设置在器件基板100与对应像素区域pa的发光器件300之间。在器件基板100上可以设置有绝缘层110、120、130、140和150中的至少一个。因此，在根据本公开的实施例的显示装置中，可以防止各像素区域pa的薄膜晶体管t1和t2与发光器件300之间的不必要的连接。例如，在器件基板100上可以依次层叠有器件缓冲层110、栅极绝缘层120、下部钝化层130、外涂层140和堤绝缘层150。
47.器件缓冲层110可以包含绝缘材料。例如，器件绝缘层110可以包含诸如硅氧化物(sio)和硅氮化物(sin)的无机绝缘材料。器件缓冲层110可以具有多层结构。例如，器件缓冲层110可以具有由硅氮化物(sin)制成的层和由硅氧化物(sio)制成的层的层叠结构。
48.器件缓冲层110可以设置在器件基板100与各像素区域pa的薄膜晶体管t1和t2之间。器件缓冲层110可以防止或至少减少在形成薄膜晶体管t1和t2的工序中由于器件基板100所导致的污染。例如，器件基板100的朝向各像素区域pa的薄膜晶体管t1和t2的整个表面可以被器件缓冲层110覆盖。各像素区域pa的薄膜晶体管t1和t2可以设置在器件缓冲层110上。
49.栅极绝缘层120可以包含绝缘材料。例如，栅极绝缘层120可以包含诸如硅氧化物(sio)和硅氮化物(sin)的无机绝缘材料。栅极绝缘层120可以包含具有高介电常数的材料。
例如，栅极绝缘层120可以包含诸如铪氧化物(hfo)的高k材料。栅极绝缘层120可以具有多层结构。
50.栅极绝缘层120可以设置在器件缓冲层110上。栅极绝缘层120可以在各薄膜晶体管t1和t2的半导体图案211和222与栅极213和223之间延伸。例如，各薄膜晶体管t1和t2的栅极213和223可以通过栅极绝缘层120与对应薄膜晶体管t1和t2的半导体图案211和221绝缘。栅极绝缘层120可以覆盖各像素区域pa的第一半导体图案211和第二半导体图案221。各像素区域pa的第一栅极213和第二栅极223可以设置在栅绝缘层120上。
51.各像素区域pa的第一源极215、第一漏极217、第二源极225和第二漏极227可以设置在栅极绝缘层120上。例如，各像素区域pa的栅极绝缘层120可以包括使第一半导体图案211的源区暴露的第一源接触孔、使第一半导体图案211的漏区暴露的第一漏接触孔、使第二半导体图案221的源区暴露的第二源接触孔和使第二半导体图案221的漏区暴露的第二漏接触孔。
52.下部钝化层130可以包含绝缘材料。例如，下部钝化层130可以包含诸如硅氧化物(sio)和硅氮化物(sin)的无机绝缘材料。
53.下部钝化层130可以设置在栅绝缘层120上。下部钝化层130可以防止或至少减少由于外部水分和冲击所导致的各薄膜晶体管t1和t2的损伤。例如，各像素区域pa的第一栅极213、第一源极215、第一漏极217、第二栅极223、第二源极225和第二漏极227可以被下部钝化层130覆盖。下部钝化层130可以沿着各薄膜晶体管t1和t2的与器件基板100相对的表面延伸。下部钝化层130可以在与各像素区域pa中的薄膜晶体管t1和t2不重叠的区域处与栅极绝缘层120接触。
54.外涂层140可以包含绝缘材料。外涂层140可以包含与下部钝化层130不同的材料。例如，外涂层140可以包含有机绝缘材料。
55.外涂层140可以设置在下部钝化层130上。外涂层140可以消除由于各像素区域pa的薄膜晶体管t1和t2所导致的厚度差。例如，外涂层140的与器件基板100相对的上表面可以是平坦表面。各像素区域pa的第一电极310、发光层320和第二电极330可以依次层叠在外涂层140的上表面上。例如，各像素区域pa的第一电极310可以通过穿过外涂层140的电极接触孔中的一个电极接触孔电连接到对应像素区域pa的第二薄膜晶体管t2。因此，在根据本公开的实施例的显示装置中，可以防止或至少减少由于通过器件基板100发射到外部的光的产生位置差异所导致的特性偏差。
56.堤绝缘层150可以包含绝缘材料。例如，堤绝缘层150可以包含有机绝缘材料。堤绝缘层150可以包含与外涂层140不同的材料。
57.堤绝缘层150可以设置在外涂层140上。各发光器件300的第一电极310可以通过堤绝缘层150与相邻发光器件300的第一电极310绝缘。例如，堤绝缘层150可以覆盖各像素区域pa中的第一电极310的边缘。因此，在根据本公开的实施例的显示装置中，各像素区域pa的发光器件300可以独立地被堤绝缘层150限定。各发光器件300的发光层320和第二电极330可以层叠在通过堤绝缘部150暴露的对应第一电极310的一部分上。例如，堤绝缘层150可以限定各像素区域pa中的发光区域。
58.由堤绝缘层150限定的各像素区域pa的发光区域可以与对应像素区域pa的像素驱动电路dc不重叠(例如，非重叠)。例如，各像素区域pa的薄膜晶体管t1和t2可以设置在对应
像素区域pa的发光区域的外侧。因此，在根据本公开的实施例的显示装置中，从各像素区域pa的发光器件300发射的光不会被对应像素区域pa的薄膜晶体管t1和t2阻挡。
59.各发光器件300的发光层320可以连接到相邻发光器件300的发光层320。例如，每个像素区域pa的每个发光器件300的发光层320可以延伸到另一个像素区域pa的堤绝缘层150上。从各像素区域pa的发光器件300发射的光可以显示与从相邻像素区域pa的发光器件300发射的光相同的颜色。例如，各像素区域pa的发光层320可以产生白光。
60.然而，各像素区域pa可以显示与相邻像素区域pa不同的颜色。例如，各像素区域pa可以包括与对应像素区域pa的发光区域重叠的滤色器400。滤色器400可以利用穿过其中的光实现特定颜色。例如，各像素区域pa的滤色器400可以设置在从对应像素区域pa中的发光器件300发射的光的路径上。各像素区域pa的滤色器400可以设置在器件基板100与对应像素区域pa的发光器件300之间。例如，各像素区域pa的滤色器400可以设置在下部钝化层130与外涂层140之间。外涂层140可以消除由于各像素区域pa的滤色器400所导致的厚度差。
61.施加到各发光器件300的第二电极330的电压可以与施加到相邻发光器件300的第二电极330的电压相同。例如，各发光器件300的第二电极330可以电连接到相邻发光器件300的第二电极330。各发光器件300的第二电极330可以包含与相邻发光器件300的第二电极330相同的材料。例如，各发光器件300的第二电极330可以与相邻发光器件300的第二电极330同时形成。因此，在根据本公开的实施例的显示装置中，可以简化形成各发光器件300的第二电极330的工序。
62.在器件基板100与各薄膜晶体管t1和t2之间可以设置有遮光图案231，以与薄膜晶体管t1和t2重叠。例如，遮光图案231可以设置在器件基板100与器件缓冲层110之间。遮光图案231可以包含能够吸收或反射光的材料。遮光图案231可以包含导电材料。例如，遮光图案231可以包含诸如铝(al)、铬(cr)、铜(cu)、钼(mo)、钛(ti)和钨(w)的金属。
63.沿各薄膜晶体管t1和t2的半导体图案211和221的方向行进的外部光可以被遮光图案231阻挡。例如，遮光图案231可以包括与各半导体图案211和221的沟道区重叠的区域。因此，在根据本公开的实施例的显示装置中，可以防止由于外部光所导致的各薄膜晶体管t1和t2的特性变化。
64.各像素驱动电路dc的第一薄膜晶体管t1可以根据栅极信号向对应像素驱动电路dc的第二薄膜晶体管t2传输数据信号。例如，各像素驱动电路dc的第一栅极213可以电连接到栅极线gl中的一条栅极线，各像素驱动电路dc的第一源极215可以电连接到数据线dl中的一条数据线。各像素驱动电路dc的第二薄膜晶体管t2可以产生与数据信号对应的驱动电流。例如，各像素驱动电路dc的第二栅极223可以电连接到对应像素驱动电路dc的第一漏极217，并且各像素驱动电路dc的第二源极225可以电连接到电源电压供给线pl中的一条电源电压供给线。由各像素区域pa的第二薄膜晶体管t2产生的驱动电流可以提供给对应像素区域pa的发光器件300。例如，各像素区域pa的第一电极310可以电连接到对应像素区域pa的第二漏极227。
65.栅极线gl可以与各薄膜晶体管t1和t2的栅极213和223设置在同一层上。例如，栅极线gl可以设置在栅极绝缘层120与下部钝化层130之间。栅极线gl可以包含与各薄膜晶体管t1和t2的栅极213和223相同的材料。例如，栅极线gl可以与各薄膜晶体管t1和t2的栅极213和223同时形成。各像素区域pa的第一栅极213可以与对应栅极线gl直接接触。
66.数据线dl可以与栅极线gl相交。数据线dl可以设置在与栅极线gl不同的层上。例如，数据线dl可以设置在器件基板100与器件缓冲层110之间。数据线dl可以包含与遮光图案231相同的材料。例如，数据线dl可以与遮光图案231同时形成。器件缓冲层110和栅极绝缘层120可以包括使各数据线dl的一部分暴露的数据接触孔。各像素区域pa的第一源极215可以通过数据接触孔中的一个数据接触孔连接到对应数据线dl。
67.电源电压供给线pl可以与数据线dl平行地延伸。例如，电源电压供给线pl可以与栅极线gl相交。电源电压供给线pl可以与数据线dl设置在同一层。例如，电源电压供给线pl可以设置在器件基板100与器件缓冲层110之间。电源电压供给线pl可以包含与数据线dl相同的材料。例如，电源电压供给线pl可以与数据线dl同时形成。器件缓冲层110和栅极绝缘层120可以包括使各电源电压供给线pl的一部分暴露的电源接触孔。各像素区域pa的第二源极225可以通过电源接触孔中的一个电源接触孔连接到对应电源电压供给线pl。
68.各像素驱动电路dc的存储电容器cst可以保持施加到对应像素驱动电路dc的第二栅极223的信号一帧期间。例如，各像素驱动电路dc的存储电容cst可以电连接在对应像素驱动电路dc的第二栅极223与第二漏极227之间。各像素驱动电路dc的存储电容器cst可以包括层叠在遮光图案231的一部分上的电容器电极232。例如，各像素区域pa的遮光图案231可以起到对应像素驱动电路dc中的存储电容器cst的电极的作用。各像素驱动电路dc的电容器电极232可以与对应遮光图案231绝缘。可以使用设置在器件基板100与外涂层140之间的导电层形成各像素驱动电路dc的存储电容器cst。例如，各像素驱动电路dc的电容器电极232可以设置在器件缓冲层110与栅极绝缘层120之间。
69.各像素驱动电路dc的遮光图案231可以电连接到对应像素驱动电路dc的第二漏极227。例如，器件缓冲层110可以包括在各像素区域pa中设置在遮光图案231与第二半导体图案221的漏区之间的存储接触孔。各像素区域pa中的第二半导体图案221的漏区可以通过存储接触孔中的一个存储接触孔连接到对应像素区域pa中的遮光图案231。
70.各像素驱动电路dc的电容器电极232可以包含与对应像素驱动电路dc的半导体图案211和221相同的材料。例如，各像素驱动电路dc的电容器电极232可以包含诸如igzo的氧化物半导体。各像素驱动电路dc的电容器电极232可以与对应像素驱动电路dc的半导体图案211和221同时形成。各像素驱动电路dc的电容器电极232可以具有比设置在对应像素驱动电路dc中的各半导体图案211和221的沟道区的电阻低的电阻。例如，各像素驱动电路dc的电容器电极232可以包括氧化物半导体的导体化区。
71.电连接到各像素区域pa的像素驱动电路dc的数据线dl、栅极线gl和电源电压供给线pl可以延伸到器件基板100的边框区域na上。用于使数据线dl、栅极线gl和电源电压供给线pl之间绝缘的绝缘层110、120、130、140和150中的至少一者可以设置在器件基板100的边框区域na上。例如，器件缓冲层110、栅极绝缘层120、下部钝化层130、外涂层140和堤绝缘层150可以从显示区域aa延伸到器件基板100的边框区域na。器件缓冲层110、栅极绝缘层120、下部钝化层130、外涂层140和堤绝缘层150可以依次层叠在器件基板100的边框区域na上。
72.在器件基板100的边框区域na上可以设置有加热信号布线sl。加热信号布线sl可以包含导电材料。加热信号布线sl可以包含具有相对低的电阻的材料。例如，加热信号布线sl可以包含与遮光图案231相同的材料。加热信号布线sl可以设置在器件基板100与器件缓冲层110之间。加热信号布线sl可以沿着显示区域aa的边缘延伸。例如，在图1所示的显示装
置的平面图中，加热信号布线sl可以位于栅极驱动器gip1与显示区域aa的第一侧(例如左侧)之间，并且可以位于栅极驱动器gip2与显示区域的第二侧(例如右侧)之间。在一个实施例中，在制造显示装置时，对加热信号布线sl施加电流，以去除从显示区域aa延伸到边框区域na的发光层320的一部分和第二电极330的一部分。电流的大小高到足以去除发光层320和第二电极330的位于边框区域na中的部分。
73.在边框区域na的外涂层140上可以设置有加热图案710。加热图案710可以设置在加热信号布线sl上，从而与加热信号布线sl至少部分重叠。例如，加热图案710可以沿着加热信号布线sl并排设置。各加热图案710可以电连接到加热信号布线sl。例如，边框区域na的外涂层140可以包括使加热信号布线sl部分暴露的加热接触孔141h。各加热图案710可以通过加热接触孔141h中的一个加热接触孔连接到加热信号布线sl。因此，在制造期间，施加到加热信号布线sl的电流也被施加到加热图案710，以去除加热图案710上的发光层320和第二电极330的位于边框区域na中的部分。通过去除发光层320和第二电极330的位于边框区域na中的部分，可以在不减小显示区域aa的情况下防止或至少减少由于外部湿气导致的位于显示区域da中的发光层320的劣化。
74.各加热图案710可以包括与加热信号布线sl重叠的区域。各加热图案710可以向加热信号布线sl的外侧延伸。因此，每个加热图案710具有与加热信号布线sl重叠的部分和不与加热信号布线sl重叠的部分。例如，各加热图案710可以包括与加热信号布线sl平行延伸的区域。各加热图案710可以包括与相邻加热图案710不同的形状。例如，加热图案710可以形成为使彼此交替的形状重复。因此，每个加热图案710具有第一形状或与第一形状不同的第二形状，并且具有第一形状的加热图案710和第二形状的加热图案710交替设置。
75.加热图案710可以包含导电材料。可以利用形成发光器件300的工序形成加热图案710。例如，加热图案710可以包含与各发光器件300的第一电极310相同的材料。
76.在边框区域na的外涂层140中可以形成有至少一个水分阻挡沟槽142h。例如，加热信号布线sl可以设置在一对水分阻挡沟槽142h之间。各水分阻挡沟槽142h可以完全穿过外涂层140的总厚度。例如，各水分阻挡沟槽142h可以使下部钝化层130部分暴露。水分阻挡沟槽142h可以沿着显示区域aa的边缘延伸。例如，各水分阻挡沟槽142h可以与加热信号布线sl平行地延伸。
77.在各水分阻挡沟槽142h的内侧可以设置有阻挡图案720。例如，各水分阻挡沟槽142h的表面可以被阻挡图案720覆盖。阻挡图案720的一端可以延伸出水分阻挡沟槽142h并朝向加热信号布线sl延伸至边框区域na的外涂层140上。此外，位于水分阻挡沟槽142h中的发光层320的一部分和第二电极330的一部分延伸出水分阻挡沟槽142h并朝向加热信号布线sl延伸至边框区域na的外涂层140上。
78.阻挡图案720可以包含阻挡水分的材料。可以利用形成发光器件300的工序形成阻挡图案720。例如，阻挡图案720可以包含与各发光器件300的第一电极310相同的材料。阻挡图案720可以包含与加热图案710相同的材料。例如，阻挡图案720可以与加热图案710同时形成。各发光器件300的发光层320和第二电极330可以依次层叠在阻挡图案720上。因此，在根据本公开的实施例的显示装置中，可以防止外部水分经外涂层140渗透。
79.可以通过粘合层500将封装基板600附接在各发光器件300的第二电极上。例如，粘合层500可以包含粘合材料。在一个实施例中，整个表面粘合层50从显示区域aa朝向边框区
域ba延伸。封装基板600可以防止由于外部水分和冲击所导致的发光器件300的损伤。例如，封装基板600可以包含具有特定硬度以上的材料。封装基板600可以包含具有相对高的导热率的材料。例如，封装基板600可以包含诸如铝(al)、镍(ni)和铁(fe)的金属。因此，在根据本公开的实施例的显示装置中，由各像素区域pa的像素驱动电路dc和发光器件300产生的热量可以通过封装基板600散发。因此，在根据本公开的实施例的显示装置中，可以有效防止各像素区域pa中的发光层320的劣化。
80.粘合层500和封装基板600可以在器件基板100的边框区域na上延伸。例如，各加热图案710的与器件基板100相对的表面可以与粘合层500直接接触。
81.图5a、图5b、图6a、图6b、图7a、图7b、图8a、图8b、图9a以及图9b是依次示出本公开的该实施例的显示装置的形成方法的视图。
82.将参照图4a至图9a以及图4b至图9b详细说明根据本公开的该实施例的显示装置的形成方法。首先，如图5a和图5b所示，根据本公开的实施例的显示装置的形成方法可以包括：提供包括设置有像素区域的显示区域aa和设置在显示区域aa的外侧的边框区域na的器件基板100的步骤；在器件基板100的显示区域aa上形成遮光图案231、数据线dl和电源电压供给线pl的步骤；在器件基板100的边框区域na上形成加热信号布线sl的步骤；在形成有遮光图案231、数据线dl、电源电压供给线pl和加热信号布线sl的器件基板100上形成器件缓冲层110的步骤；在显示区域aa的器件缓冲层110上形成半导体图案211和221的步骤；在形成有半导体图案211和221的器件基板100上形成栅极绝缘层120的步骤；在显示区域aa的栅极绝缘层120上形成栅极213和223、源极215和225、漏极217和227以及电容器电极232的步骤；在形成有栅极213和223、源极215和225、漏极217和227以及电容器电极232的器件基板100上形成下部钝化层130的步骤；以及在下部钝化层130上形成外涂层140的步骤。
83.可以由具有高反射率的材料形成遮光图案231。可以由导电材料形成加热信号布线sl。加热信号布线sl可以与遮光图案231同时形成。例如，形成遮光图案231和加热信号布线sl的步骤可以包括：在器件基板100上形成具有高反射率的金属层的步骤；以及使金属层图案化的步骤。加热信号布线sl可以包含与遮光图案231相同的材料。
84.栅极213和223、源极215和225、漏极217和227以及电容器电极232可以包含导电材料。栅极213和223、源极215和225、漏极217和227以及电容器电极232可以同时形成。例如，形成栅极213和223、源极215和225、漏极217和227以及电容器电极232的步骤可以包括：在栅极绝缘层120上形成具有高反射率的金属层的步骤；以及使金属层图案化的步骤。栅极213和223、源极215和225、漏极217和227以及电容器电极232可以包含相同材料。
85.半导体图案211和221、栅极213和223、源极215和225、漏极217和227可以构成薄膜晶体管t1和t2。遮光图案231可以起到电容器电极的作用。例如，可以由遮光图案231和电容器电极232构成存储电容器cst。
86.如图6a和图6b所示，根据本公开的实施例的显示装置的形成方法可以包括：在外涂层140中形成电极接触孔、加热接触孔141h和至少一个水分阻挡沟槽142h的步骤。
87.可以在显示区域aa的像素区域中形成电极接触孔。例如，各电极接触孔可以使薄膜晶体管t1和t2中的一个薄膜晶体管的漏极217和227部分暴露。可以在边框区域na的外涂层140中形成加热接触孔141h和水分阻挡沟槽142h。加热接触孔141h可以与加热信号布线sl重叠。例如，加热接触孔141h可以使加热信号布线sl部分暴露。可以在加热接触孔141h周
边形成水分阻挡沟槽142h。例如，可以在加热信号布线sl和显示区域aa之间形成水分阻挡沟槽142h。水分阻挡沟槽142h可以完全穿过外涂层140。例如，水分阻挡沟槽142h可以使边框区域na的下部钝化层130部分暴露。
88.如图7a和图7b所示，根据本公开的实施例的显示装置的形成方法可以包括：在形成有电极接触孔、加热接触孔141h和水分阻挡沟槽142h的外涂层140上形成第一电极310、加热图案710和阻挡图案720的步骤。
89.第一电极310可以通过电极接触孔电连接到薄膜晶体管t1和t2中的一者。加热图案710可以通过加热接触孔141h电连接到加热信号布线sl。可以在水分阻挡沟槽142h中形成阻挡图案720。例如，阻挡图案720可以完全覆盖水分阻挡沟槽142h的表面。阻挡图案720的一端可以设置在边框区域na的外涂层140上。
90.可以同时形成第一电极310、加热图案710和阻挡图案720。例如，形成第一电极310、加热图案710和阻挡图案720的步骤可以包括：在形成有电极接触孔、加热接触孔141h和水分阻挡沟槽142h的外涂层140上形成导电材料层的步骤；以及使导电材料层图案化的步骤。
91.如图8a和图8b所示，根据本公开的实施例的显示装置的形成方法可以包括：在外涂层140上形成覆盖第一电极310的边缘的堤绝缘层150的步骤；以及在形成有堤绝缘层150的器件基板100上依次形成发光层320和第二电极330的步骤。
92.层叠在通过堤绝缘层50暴露的第一电极310的一部分上的发光层320和第二电极330可以构成发光器件300。可以在器件基板100的显示区域aa和边框区域na上形成发光层320和第二电极330。例如，可以由发光层320和第二电极330覆盖发热图案710和阻挡图案720。
93.如图9a和图9b所示，根据本公开的实施例的显示装置的形成方法可以包括：去除层叠在加热图案710上的发光层320和第二电极330的步骤。
94.去除层叠在加热图案710上的发光层320和第二电极330的步骤可以利用焦耳加热工艺。例如，去除层叠在加热图案710上的发光层320和第二电极330的步骤可以包括：通过加热信号布线sl施加高电流的步骤。即，在根据本公开的实施例的显示装置的形成方法中，可以利用通过加热信号布线sl施加到加热图案710的高电流去除层叠在加热图案710上的发光层320和第二电极330。因此，在根据本公开的实施例的显示装置的形成方法中，不增加边框区域na，就可以去除发光层320的尾部。因此，在根据本公开的实施例的显示装置的形成方法中，可以防止由于外部水分所导致的发光层320的劣化，而不减小显示区域aa。
95.如图4a和图4b所示，根据本公开的实施例的显示装置的形成方法可以包括：在形成有发光器件300的器件基板100上利用粘合层500附接封装基板600的步骤。
96.粘合层500和封装基板600可以与器件基板100的显示区域aa和边框区域na重叠。例如，边框区域na的粘合层500可以和加热图案710的与器件基板100相对的表面直接接触。
97.因此，在根据本公开的实施例的显示装置中，可以在器件基板100的边框区域na与外涂层140之间形成加热信号布线sl，可以在外涂层140上形成电连接到加热信号布线sl的加热图案71，并且可以通过焦耳加热工艺去除层叠在加热图案710上的发光层320和第二电极330。因此，在根据本公开的实施例的显示装置中，不增加边框区域na，就可以阻挡外部水分通过发光层320的尾部渗透。
98.而且，在根据本公开的实施例的显示装置中，可以形成与加热信号布线sl平行延伸的水分阻挡沟槽142h，并且可以由阻挡图案720覆盖该水分阻挡沟槽720的侧部。因此，在根据本公开的实施例的显示装置中，可以借助于穿过边框区域na的外涂层140的水分阻挡沟槽142h和阻挡图案720防止外部水分通过外涂层140渗透。因此，在根据本公开的实施例的显示装置中，可以有效防止由于外部水分所导致的发光层320的劣化。
99.根据本公开的上述实施例的显示装置被描述为各加热图案710关于加热信号布线720呈对称形状。然而，在根据本公开的另一实施例的显示装置中，加热图案710可以呈各种形状。例如，在根据本公开的另一实施例的显示装置中，如图10所示，各加热图案710可以具有从加热信号布线sl沿一侧方向延伸的形状。因此，在根据本公开的另一实施例的显示装置中，可以提高加热图案710的形状的自由度。
100.根据本公开的该实施例的显示装置被描述为加热信号布线sl连接到焊盘部pad。然而，在根据本公开的另一实施例的显示装置中，如图11所示，可以在器件基板100的边框区域na上设置电连接到加热信号布线sl的加热焊盘sp。在一个实施例中，加热焊盘sp向加热信号布线sl供应高电流。例如，加热焊盘sp可以与焊盘部pad并排设置。因此，在根据本公开的另一实施例的显示装置中，通过加热信号布线施加的高电流不会影响外围布线。而且，在根据本公开的另一实施例的显示装置中，可以在去除层叠在加热图案710上的发光层320和第二电极330之后，将加热信号布线sl与加热焊盘sp断开。因此，在根据本公开的另一实施例的显示装置中，可以有效防止由于不必要的电连接所导致的缺陷。
101.如图12所示，根据本公开的另一实施例的显示装置可以包括加热接触孔141h与水分阻挡沟槽142h之间的穿过外涂层140的水分阻挡孔143h。例如，水分阻挡孔143h可以被加热图案710中的一者填充。加热图案710中的一者在水分阻挡孔143h的内侧延伸。水分阻挡孔143h可以与加热信号布线sl间隔开。因此，在根据本公开的另一实施例的显示装置中，可以显著减少通过边框区域na的外涂层140渗透的水分。因此，在根据本公开的另一实施例的显示装置中，可以有效防止由于外部水分所导致的发光层320的劣化。
102.结果是，根据本公开的实施例的显示装置可以包括设置在显示区域的外涂层上的发光器件、设置在边框区域的外涂层上的加热图案、由边框区域的外涂层覆盖的加热信号布线、设置在发光器件和加热图案上的粘合层、以及设置在粘合层上的封装基板，其中加热图案可以电连接到加热信号布线，并且其中粘合层可以与加热图案直接接触。因此，在根据本公开的实施例的显示装置中，不增加边框区域，就可以防止外部水分通过外涂层和发光层渗透。由此，在根据本公开的实施例的显示装置中，可以防止由于外部水分所导致的发光器件的损伤。

技术特征：
1.一种显示装置，包括：器件基板，包括显示区域和至少部分围绕所述显示区域的边框区域；外涂层，位于所述器件基板的所述显示区域和所述边框区域上；发光器件，位于所述外涂层的位于所述显示区域上的一部分上，所述发光器件被配置为发光；加热信号布线，位于所述器件基板与所述外涂层的位于边框区域上的一部分之间；多个加热图案，位于所述外涂层的位于所述边框区域上的所述一部分上，所述多个加热图案电连接到所述加热信号布线；粘合层，位于所述显示区域中的所述发光器件和所述边框区域中的所述多个加热图案上，所述粘合层与所述多个加热图案接触；以及封装基板，位于所述粘合层上，所述封装基板位于所述器件基板的所述显示区域和所述边框区域上。2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述加热信号布线沿着所述显示区域的边缘延伸，并且所述多个加热图案沿着所述加热信号布线并排设置。3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述多个加热图案中的每一个包括向所述加热信号布线的外侧延伸的一部分，并且所述一部分不与所述加热信号布线重叠。4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述多个加热图案中的每一个包括在与所述加热信号布线相同的方向上延伸的区域。5.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述多个加热图案中的每一个具有关于所述加热信号布线对称的形状。6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述发光器件包括第一电极、所述第一电极上的发光层和所述发光层上的第二电极，并且其中，所述多个加热图案包含与所述发光器件的所述第一电极的材料相同的材料。7.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：至少一个水分阻挡沟槽，穿过所述外涂层的位于所述边框区域中的所述一部分的厚度，所述至少一个水分阻挡沟槽沿所述加热信号布线的长度平行地延伸；以及阻挡图案，位于所述水分阻挡沟槽中，所述阻挡图案覆盖所述水分阻挡沟槽的侧部。8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述阻挡图案包含与所述多个加热图案相同的材料。9.根据权利要求7所述的显示装置，还包括：位于所述器件基板与所述外涂层的位于所述边框区域中的所述一部分之间的下部钝化层，所述下部钝化层在所述加热信号布线上。10.根据权利要求7所述的显示装置，还包括位于所述加热信号布线与所述水分阻挡沟槽之间的水分阻挡孔，所述水分阻挡孔穿过所述外涂层的厚度，其中，所述多个加热图案中的一个的一部分在所述水分阻挡孔的内侧。11.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：像素驱动电路，位于所述器件基板的所述显示区域上，所述像素驱动电路电连接到所述发光器件；至少一条信号布线，将所述像素驱动电路与位于所述器件基板的所述边框区域上的焊
盘部电连接；以及加热焊盘，位于所述器件基板的所述边框区域上，所述加热焊盘电连接到所述加热信号布线，以将电流供应到所述加热信号布线。12.一种显示装置，包括：基板，包括显示区域和至少部分围绕所述显示区域的边框区域；发光器件，位于所述显示区域中，所述发光器件包括位于所述显示区域中的第一电极、发光层以及第二电极，所述发光层包括位于所述显示区域中的所述第一电极上的第一部分和从所述发光层的所述第一部分延伸到所述边框区域的第二部分，所述第二电极包括位于所述显示区域中的所述发光层的所述第一部分上的第一部分和从所述第二电极的所述第一部分延伸到所述边框区域的第二部分；加热信号布线，位于所述基板的所述边框区域上并且部分围绕所述显示区域，所述加热信号布线被配置为施加电流，其中，所述发光层的位于所述边框区域中的所述第二部分和所述第二电极的位于所述边框区域中的所述第二部分不与所述加热信号布线重叠。13.根据权利要求12所述的显示装置，还包括：多个加热图案，所述多个加热图案位于所述边框区域中，所述多个加热图案电连接到所述加热信号布线。14.根据权利要求13所述的显示装置，还包括：外涂层，包括位于所述显示区域中的一部分和位于所述边框区域中的一部分，所述外涂层的位于所述边框区域中的所述一部分在所述加热信号布线与所述多个加热图案之间。15.根据权利要求14所述的显示装置，还包括：沟槽，穿过所述外涂层的厚度；以及阻挡图案，位于所述沟槽中，所述阻挡图案包括与所述多个加热图案相同的材料。16.根据权利要求15所述的显示装置，其中，所述发光层的位于所述边框区域中的所述第二部分和所述第二电极的位于所述边框区域中的所述第二部分位于所述沟槽中的所述阻挡图案上。17.根据权利要求16所述的显示装置，其中，所述阻挡图案的一部分、所述发光层的所述第二部分的一部分以及所述第二电极的所述第二部分的一部分延伸出所述沟槽并朝向所述加热信号布线延伸到所述外涂层上。18.根据权利要求15所述的显示装置，还包括：孔，穿过所述外涂层的厚度，所述孔位于所述沟槽与所述加热信号布线之间，其中，所述多个加热图案的一个的一部分位于所述孔中。19.根据权利要求13所述的显示装置，其中，所述多个加热图案包括：第一加热图案，具有第一形状；以及第二加热图案，具有与所述第一形状不同的第二形状。20.一种显示装置的形成方法，包括：形成包括显示区域和至少部分围绕所述显示区域的边框区域的基板；在所述基板的所述边框区域上形成加热信号布线，所述加热信号布线部分围绕所述显示区域；
形成外涂层，所述外涂层包括位于所述显示区域上的一部分和在所述边框区域中的位于所述加热信号布线上的一部分；在所述外涂层的所述显示区域中的所述一部分上形成第一电极，并且在所述外涂层的位于所述边框区域中的所述一部分上形成多个加热图案，所述多个加热图案电连接到所述加热信号布线；形成发光层，所述发光层包括所述第一电极上的位于所述显示区域中的第一部分和从所述发光层的所述第一部分延伸到所述边框区域的第二部分，从而所述发光层的所述第二部分的一部分位于所述多个加热图案上；形成第二电极，所述第二电极包括所述发光层的位于所述显示区域中的所述第一部分上的第一部分和从所述第二电极的所述第一部分朝向所述边框区域延伸的第二部分，从而所述第二电极的所述第二部分的一部分位于所述多个加热图案上的所述发光层的所述第二部分上的所述一部分上；以及通过向所述加热信号布线施加电流，所述加热信号布线将所述电流供应到所述多个加热图案，去除所述发光层的所述第二部分的所述一部分和所述第二电极的所述第二部分的所述一部分。

技术总结
公开了一种包括发光器件的显示装置。发光器件位于器件基板的显示区域上。在器件基板与发光器件之间可以设置有外涂层。外涂层在器件基板的边框区域上延伸。在器件基板的边框区域与外涂层之间具有加热信号布线。在边框区域的外涂层上具有电连接到加热信号布线的加热图案。加热图案的与器件基板相对的表面可以与覆盖发光器件的粘合层接触。因此，在该显示装置中，可以防止或至少减少由于外部水分所导致的发光器件的损伤。发光器件的损伤。发光器件的损伤。


技术研发人员：方熙晳 申珠焕 梁锡
受保护的技术使用者：乐金显示有限公司
技术研发日：2022.12.06
技术公布日：2023/7/13