一种改善APD响应度均匀性的方法和光电二极管与流程

一种改善apd响应度均匀性的方法和光电二极管
技术领域
1.本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种改善apd响应度均匀性的方法和光电二极管。


背景技术：

2.雪崩光电二极管apd(avalanche photodiode)是一种光电二极管，用于检测光信号并将其转换为电信号。apd可以通过内部电场引发电子的雪崩增殖效应，从而增加光电二极管的增益和灵敏度。根据材料的不同，apd可以分为以下几种：
3.硅基apd：硅基apd是最常见的一种，主要用于可见光和近红外光的检测。
4.锗基apd：锗基apd的工作原理与硅基apd类似，但它可以在较长波长的红外光范围内工作，因为锗材料的截止波长比硅材料更长。
5.ingaas apd：ingaas apd主要用于近红外光和红外光的检测，工作波长范围通常在1.0微米至1.7微米之间。
6.hgcdte apd：hgcdte apd也用于红外光检测，工作波长范围通常在2.0微米至25微米之间。
7.总之，不同种类的apd在工作波长范围和灵敏度等方面都有所不同，需要根据具体的应用需求选择合适的材料。
8.虽然不同种类的apd具有类似的工作原理，但它们的结构有所不同，具体如下：
9.硅基apd：硅基apd通常是在p-n结上加上高掺杂的反型区，反型区和p-n结之间形成一个内部电场。当光子进入反型区并被吸收时，电子被加速并产生电子雪崩效应，从而产生电流。硅基apd的内部电场可以通过pn结来调制，这使得硅基apd能够在很大程度上提高增益和灵敏度。
10.锗基apd：锗基apd的结构与硅基apd类似，但锗基apd通常需要比硅基apd更高的反型掺杂浓度和更高的电压。
11.ingaas apd：ingaas apd通常是在inp衬底上生长的p-n结构。inp衬底具有与ingaas相匹配的晶格常数，这可以避免晶格不匹配引起的缺陷和失配。ingaas apd需要高反型掺杂浓度和较高的偏压来实现电子雪崩效应。
12.hgcdte apd：hgcdte apd的结构类似于锗基和硅基apd，但其在制造过程中需要特别注意材料纯度和晶格匹配。
13.总之，虽然这些apd的工作原理类似，但由于它们制造过程中所用材料的不同，因此它们的具体结构也有所不同，而这些结构的差异可以影响它们的性能和应用。
14.即使不同材料制成的apd也具有一些相同的结构特征，其中包括：
15.活性区域(光敏面)：apd的活性区通常是指p-n结区域，在该区域中发生电子雪崩效应，并产生放大的光电流。在不同材料制成的apd中，活性区的材料和厚度可能会有所不同，但它们都是实现电子雪崩放大的关键区域。
16.非活性区域(非光敏面)：非活性区是指apd的其他区域，它们通常不会产生电子雪
崩效应。这些区域的主要功能是提供电子的传输和收集，以及限制电子在活性区以外的扩散。在不同材料制成的apd中，非活性区的厚度和材料也可能会有所不同。
17.此外，虽然不同材料制成的apd具有不同的结构特征，但它们都需要高电压来产生电子雪崩效应。因此，在apd的结构中通常会包含高电压电极和低电压电极，用于在p-n结区域形成强电场和产生电子雪崩效应。
18.总之，虽然不同材料制成的apd具有一些不同的结构特征，但它们都具有活性区和非活性区，并且需要高电压来实现电子雪崩效应。
19.在apd的结构中，活性区和非活性区之间通常需要覆盖介质层，以实现电压隔离和电场调制的目的。这些介质层可以是氧化物、氮化物、硅氧化物等。
20.介质层的要求主要包括以下几个方面：
21.电学性能：介质层需要具有良好的绝缘性能，以保证活性区和非活性区之间的电荷隔离，并防止电荷在非活性区域内的扩散。同时，介质层还需要具有一定的介电常数，以实现电场的调制和控制。非活性区上方需具备此性能。
22.光学性能：介质层需要具有良好的透明性，以便光子能够穿透介质层进入活性区产生电子雪崩效应。活性区上方需具备此性能。
23.物理稳定性：所有的介质层需要具有良好的物理稳定性，以避免在工作条件下出现介质层的热失效或机械损伤等问题。
24.不同的apd可能对介质层的要求有所不同，例如在硅基apd中，氧化物或硅氧化物通常用于作为介质层；在ingaas apd中，通常使用氮化硅或者硅氮化物作为介质层。介质层的厚度，材料种类，和在活性及非活性区域上的层数，也可能因不同的apd结构而异，通常需要根据具体应用和性能要求进行选择。
25.apd因其高增益、快速响应时间和低噪声特性而广泛用于各种高速光通信和传感应用的apd探测器芯片。如果在不同活性区域位置测得的响应度差异太大，将因此提高封装的困难度，可能也导致器件性能下降和设备可靠性降低。
26.响应度均匀性是指光功率入射apd活性区域不同区域时获得的响应度差异。一致的响应度确保apd能够在整个有效区域内以相同的灵敏度检测光，这对于各种应用至关重要，包括高速光通信、光学传感和光谱学。例如，在高速光通信系统中，不均匀的响应会导致信噪比降低、信号质量降低和误码率增加。在光学传感和光谱应用中，不均匀的响应会导致信号输出失真、精度降低和测量误差增加。
27.不均匀的响应通常是由活性区域的吸收系数、掺杂浓度和层厚度的变化引起的。这些变化可能导致光生成载流子的产生和收集的差异，导致响应不均匀。
28.为了解决这个问题，研究人员和工程师一直致力于开发提高apd响应均匀性的技术。这些技术包括掺杂优化、层厚控制和抗反射涂层(增透膜)的使用。此外，先进的制造技术，如分子束外延(mbe)或金属有机化学气相沉积(mocvd)，可用于实现高质量、可重复的器件结构，并具有更高的响应度均匀性。
29.尽管做出了这些努力，但不均匀响应度的问题仍然是apd技术领域的一个挑战。


技术实现要素：

30.本发明的目的在于提供一种改善apd响应度均匀性的方法和光电二极管，通过将
非活性区域上的绝缘介质层也特意同时设计去达到抗反射的功能要求，适用于不同种类的apd，通过减少非活性区域(非光敏面)的表面反射，以改善响应度均匀性以解决上述背景技术中提出的问题。
31.为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：
32.一种改善apd响应度均匀性的光电二极管，光电二极管的非活性区域上方设有抗反射涂层。
33.作为本发明进一步的方案：基于对非活性区域上方的绝缘介质层的厚度的控制实现抗反射功能从而使绝缘介质层作为抗反射涂层；抗反射涂层的材料为氧化物、氮化物或硅氧化物。
34.作为本发明进一步的方案：非活性区域上方设置有若干个绝缘介质层；
35.若干个绝缘介质层中的一个基于所用材料以满足作为抗反射涂层的目的确定厚度。
36.作为本发明进一步的方案：若干个绝缘介质层中远离非活性区域的一个设置为抗反射涂层。
37.作为本发明进一步的方案：活性区域上方同样设置有抗反射涂层；非活性区域的抗反射涂层和活性区域的抗反射涂层为同种材料同时生长获得。
38.一种改善apd响应度均匀性的方法，包括以下步骤：
39.步骤1：在盖帽层上生长第一绝缘介质层，采用光刻以及刻蚀的方法将需要扩散的区域的第一绝缘介质层刻蚀掉，之后由盖帽层上表面向下扩散形成p型层；
40.步骤2：在第一绝缘介质层上部及内侧生长第二绝缘介质层，之后采用光刻以及刻蚀的方法将第二绝缘介质层中间刻蚀掉；
41.步骤3：在第二绝缘介质层及p型层上表面生长第三绝缘介质层，之后采用光刻以及刻蚀的方法对p型层上方的第三绝缘介质层刻蚀通孔形成接触孔；其中，第三绝缘介质层为具有抗反射功能的抗反射涂层。
42.作为本发明进一步的方案：第三绝缘介质层为sinx抗反射涂层，厚度为100-500nm。
43.作为本发明进一步的方案：sinx抗反射涂层的生长方式为pecvd或icp-pecvd。
44.作为本发明进一步的方案：一种改善apd响应度均匀性的方法，包括以下步骤：
45.在盖帽层上加工制备若干个绝缘介质层；其中，若干个绝缘介质层中远离盖帽层的一个覆盖非活性区域并被设置为抗反射涂层。
46.作为本发明进一步的方案：一种改善apd响应度均匀性的方法，包括以下步骤：
47.步骤1：提供inp衬底，之后依次向上生长n型inp缓冲层、非故意掺杂n型ingaas吸收层、n型inp电荷层、非故意掺杂inp盖帽层；
48.步骤2：在非故意掺杂inp盖帽层上生长第一绝缘介质层，采用光刻以及刻蚀的方法将需要扩散的区域的第一绝缘介质层刻蚀掉，之后由非故意掺杂inp盖帽层上表面向下扩散形成p型层；
49.步骤3：在第一绝缘介质层上部及内侧生长第二绝缘介质层，之后采用光刻以及刻蚀的方法将第二绝缘介质层中间刻蚀掉；
50.步骤4：在第二绝缘介质层及p型层上表面生长第三绝缘介质层，之后采用光刻以
及刻蚀的方法对p型层上方的第三绝缘介质层刻蚀通孔形成接触孔；其中，第三绝缘介质层为具有抗反射功能的抗反射涂层。
51.步骤5：在第三绝缘介质层上生长p型电极，p型电极通过接触孔与p型层形成欧姆接触；对衬底背面进行减薄最后蒸镀n型电极。
52.本发明的有益之处在于：通过在非活性区域上方设置抗反射涂层，减少非活性区域(非光敏面)的表面反射，以改善响应度均匀性。
53.本发明的其他特点和优点将会在下面的具体实施方式、附图中详细的揭露。
附图说明
54.图1是本发明的一种改善apd响应度均匀性的方法，在盖帽层上生长第一绝缘介质层的示意图，
55.图2是在图1基础上，在第一绝缘介质层上部及内侧生长第二绝缘介质层的示意图；
56.图3是在图2基础上，在第二绝缘介质层及p型层上表面生长第三绝缘介质层的示意图；
57.图4是在图3基础上，在第三绝缘介质层上生长p型电极的示意图；
58.图5是典型的inp样品的折射率示意图；
59.图6是本发明技术与传统技术的活性区域不同位置响应度的示意图。
具体实施方式
60.下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
61.抗反射涂层(anti-reflection coating,arc)，或称为增透膜，已经被广泛的利用，抗反射涂层可以通过减少器件表面的反射损耗来提高apd的响应度均匀性，从而增加光吸收并提高响应度。表面反射的减少也有助于减少光散射量，这可以提高响应度的空间均匀性。抗反射涂层对apd响应度均匀性的确切影响可能取决于几个因素，例如材料特性、厚度和抗反射涂层的波长范围。然而，目前抗反射涂层的利用，都只是着重在活性区域上面。
62.目前尚没有人会注意到将非活性区域上的绝缘介质层，也特意同时设计去达到抗反射的功能要求。即使有，也是因为既有的工艺流程，刚好在非活性区域上形成了非刻意的，稍具备有抗反射功能的绝缘介质层。但是，由于活性区域及非活性区域的折射率稍有不同，此非刻意形成的反射涂层并非是最优化的。
63.申请人研究发现非活性区域的表面反射也会影响其响应度均匀性。原因是当光进入设备并到达表面时，它可以反射回来，减少活性区域吸收的光量并影响apd的整体响应度。反射还会导致光散射，从而导致整个活性区域的响应不均匀。一般，非活性区域上方是多层或者单层的绝缘介质层，可能有超过两个以上的不同物质材料，其目的除了工艺中扩散的掩膜之外，主要也作为金属与底层半导体之间的隔离作用，所以非活性区域上方的各个介质层的厚度也从这个角度来决定。
64.一种改善apd响应度均匀性的光电二极管，光电二极管的非活性区域上方设有抗反射涂层。
65.具体而言，基于对非活性区域上方的绝缘介质层的厚度的控制实现抗反射功能从而使绝缘介质层作为抗反射涂层；抗反射涂层的材料为氧化物、氮化物或硅氧化物。
66.作为一种具体的实施方式，非活性区域上方设置有若干个绝缘介质层；若干个绝缘介质层中的一个基于所用材料以满足作为抗反射涂层的目的确定厚度。具体而言，若干个绝缘介质层中远离非活性区域的一个设置为抗反射涂层。
67.作为一种具体的实施方式，活性区域上方同样设置有抗反射涂层；非活性区域的抗反射涂层和活性区域的抗反射涂层为同种材料同时生长获得。
68.确定在非活性区域上方抗发射涂层的材料,层数,层厚。
69.1、选择合适的材料：氮化物和氧化物材料通常用于抗反射涂层，因为它们在近红外(nir)和可见光区域具有高折射率和高透明度，此材料也与与工艺匹配。
70.2、确定层数：例子一，当传统工艺非活性区域的绝缘介质层为sinx/sio2/sinx的3层结构，在不改变传统工艺的步骤前提下，应用本发明的非活性区域上方抗反射涂层也采取同样为3层的sinx/sio2/sinx。例子二，当传统工艺非活性区域的绝缘介质层为sinx/sio2的2层结构，在不改变传统工艺的步骤前提下，应用本发明的非活性区域上方抗反射涂层也采取同样为2层的sinx/sio2。
71.3、优化各层的厚度,以ingaas apd为例,进行如下说明：
72.3.1、首先决定活性区域的区域上方的第三绝缘介质层sinx抗反射涂层的厚度以达到活性区域抗反射涂层(arc)涂层的目的。例如在工作波长1550nm，sinx的折射系数为2.0的情况下，sinx的厚度为194nm的时候可以达到抗反射涂层(arc)涂层的目的。
73.3.2、纯粹以制造芯片的工艺要求，和足够作为金属绝缘介质层的角度，来限定非活性区域的区域上方的第一绝缘介质层sinx和第二绝缘介质层sio2的厚度范围。例如sinx厚度应在80-200nm之间,sio2厚度应在100-500nm之间的时候即可以满足需求。
74.3.3、在以上的厚度范围内，设计sinx厚度和sio2厚度，使其加上sinx之后，同时也可以达到非活性区域的抗反射涂层的目的。
75.一种改善apd响应度均匀性的方法，包括以下步骤：
76.步骤1：提供inp衬底，之后依次向上生长n型inp缓冲层、非故意掺杂n型ingaas吸收层、n型inp电荷层、非故意掺杂inp盖帽层；
77.步骤2：在非故意掺杂inp盖帽层上生长第一绝缘介质层901(参考图1)，采用光刻以及刻蚀的方法将需要扩散的区域的第一绝缘介质层刻蚀掉，之后由非故意掺杂inp盖帽层上表面向下扩散形成p型层；第一绝缘介质层主要为sinx(也可以为sio2)；
78.步骤3：在第一绝缘介质层上部及内侧生长第二绝缘介质层902(参考图2)，之后采用光刻以及刻蚀的方法将第二绝缘介质层中间刻蚀掉；第二绝缘介质层可以主要为sio2；
79.步骤4：在第二绝缘介质层及p型层上表面生长第三绝缘介质层903(参考图3)，之后采用光刻以及刻蚀的方法对p型层上方的第三绝缘介质层刻蚀通孔形成接触孔904；其中，第三绝缘介质层903为具有抗反射功能的抗反射涂层；
80.步骤5：在第三绝缘介质层上生长p型电极，p型电极通过接触孔与p型层形成欧姆接触；对衬底背面进行减薄最后蒸镀n型电极。
81.参考图4在绝缘介质层上生长p型电极7，通过金属剥离的方式得到所需要的金属图形，p型电极进行退火处理，通过接触孔与p型层形成良好的欧姆接触，p型电极金属包括au,ti,cr,ag,al,cu,auge,pt中的一种或者几种的组合；对衬底1背面通过研磨的方式减薄背面，减薄到所需要的厚度，所述的厚度范围为80-300μm之间；最后蒸镀n型电极8，n型电极8的材料包括au,ge,cr,ni,auge,pt中的一种或者几种的组合。
82.为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，下面对本发明生长绝缘介质层的具体方法作进一步详细说明：
83.步骤1：在盖帽层上生长第一绝缘介质层，采用光刻以及刻蚀的方法得到所需要的图形，即将需要扩散的区域的第一绝缘介质层刻蚀掉，之后由盖帽层上表面向下扩散形成p型层；第一绝缘介质层采用的是可以是sinx也可以是sio2亦或者是两者的组合，作为扩散掩膜的适当厚度厚度在80-200nm之间；第一绝缘介质层901生长方式包括pecvd、icp-pecvd；
84.步骤2：在第一绝缘介质层上部及内侧生长第二绝缘介质层，之后采用光刻以及刻蚀的方法得到所需要的图形，即将第二绝缘介质层中间刻蚀掉；第二绝缘介质层为sio2，适当厚度在100-500nm之间；
85.步骤3：在第二绝缘介质层及p型层上表面生长第三绝缘介质层，之后采用光刻以及刻蚀的方法得到所需要的图形，即对p型层上方的第三绝缘介质层刻蚀通孔形成接触孔；其中，第三绝缘介质层为具有抗反射功能的抗反射涂层。第三绝缘介质层为sinx，适当厚度在100-500nm之间，作为p型层(活性区域)的抗反射涂层；sinx生长方式包括pecvd、icp-pecvd。
86.绝缘介质层为sio2或sinx或两者的结合。绝缘介质层包括第一绝缘介质层901、第二绝缘介质层902和第三绝缘介质层903；
87.第一绝缘介质层901位于盖帽层上非p型层的对应位置；第一绝缘介质层901采用的是可以是sinx也可以是sio2亦或者是两者的组合。
88.第二绝缘介质层902在第一绝缘介质层901上部及内侧生长，第二绝缘介质层902位于p型层上方边缘位置，第二绝缘介质层902采用的是sio2；
89.第三绝缘介质层903为sinx抗反射涂层，在第二绝缘介质层902及p型层上表面生长，位于p型层上方的中间区域，第三绝缘介质层903为减反射绝缘介质层，以减少反射光，增加探测器的透光量。
90.第一绝缘介质层901加上第二绝缘介质层902加上第三绝缘介质层903，位于覆盖在盖帽层和p型层的上方边缘位置，除了起钝化保护器件的作用，在本发明同时也设计其为抗反射涂层。
91.需要注意的是，抗反射涂层的光谱范围应设计为与设备的所需波长范围相匹配。这可能涉及对光谱的不同区域使用不同的材料或层厚度。
92.inp的折射率通常约为3.2，这是3.1至3.3范围内的平均值，具体取决于光的波长和晶体生长条件。掺杂zn(zinc)的inp的折射率可能略有不同，并且可能取决于几个因素，例如zn杂质的浓度、掺杂类型(n型或p型)以及晶体生长条件。值得注意的是，当inp掺杂zn时，其折射率由于材料中电子浓度的降低而降低。活性区域的折射率与非活性区域的折射率稍有不同，所以设计各介质层的厚度时需加以考虑两区域不同的折射率，以得到抗反射
涂层最佳的效果。
93.对于典型的inp样品参考图5，1550nm处的折射率为3.17,905nm处的折射率为3.39。
94.实施例子一：
95.对于在inp衬底上生长sinx/sio2/sinx，工作波长在1550nm，材料折射率:
96.inp为3.17；有掺杂的inp为3.14；sio2为1.45；sinx为2:
97.制成的三层抗反射涂层的厚度:活性区域(折射率3.14)上第三绝缘介质层903sinx厚度须为194nm，第一绝缘介质层901sinx厚度约采60nm，第二绝缘介质层902sio2厚度采486nm，可以得到非活性区域(折射率3.17)上合适的抗反射涂层效果，使透视射高于97％。
98.实施例子二：
99.对于在inp衬底上生长sio2/sinx，工作波长在1550nm，材料折射率:
100.inp为3.17；sio2为1.45；sinx为2:
101.制成的二层抗反射涂层的厚度:活性区域(折射率3.14)上sinx厚度须为194nm，非活性区域(折射率3.17)上的二层抗反射涂层的厚度采sio2厚度为534nm，可以得到非活性区域上合适的抗反射涂层效果，使透视射高于98％。
102.参考图6，apd整个活性区域内(此例活性区域直径200微米)，以相同的检测光讯号测试不同位置的响应度，以下是一般的芯片和本发明的芯片结果比较。一般的芯片的响应度在离开活性区域中心点的时候即开始明显降低，而本发明芯片的响应度即使在靠近非活性区域的边缘区域，仍保有一致性的响应度。
103.对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
104.此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。

技术特征：
1.一种改善apd响应度均匀性的光电二极管，其特征在于，所述光电二极管的非活性区域上方设有抗反射涂层。2.根据权利要求1所述的一种改善apd响应度均匀性的光电二极管，其特征在于，基于对非活性区域上方的绝缘介质层的厚度的控制实现抗反射功能从而使所述绝缘介质层作为所述抗反射涂层；所述抗反射涂层的材料为氧化物、氮化物或硅氧化物。3.根据权利要求1所述的一种改善apd响应度均匀性的光电二极管，其特征在于，所述非活性区域上方设置有若干个绝缘介质层；若干个所述绝缘介质层中的一个基于所用材料以满足作为抗反射涂层的目的确定厚度。4.根据权利要求3所述的一种改善apd响应度均匀性的光电二极管，其特征在于，若干个所述绝缘介质层中远离所述非活性区域的一个设置为抗反射涂层。5.根据权利要求1所述的一种改善apd响应度均匀性的光电二极管，其特征在于，所述活性区域上方同样设置有抗反射涂层；所述非活性区域的抗反射涂层和所述活性区域的抗反射涂层为同种材料同时生长获得。6.一种改善apd响应度均匀性的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：在盖帽层上生长第一绝缘介质层，采用光刻以及刻蚀的方法将需要扩散的区域的所述第一绝缘介质层刻蚀掉，之后由盖帽层上表面向下扩散形成p型层；步骤2：在所述第一绝缘介质层上部及内侧生长第二绝缘介质层，之后采用光刻以及刻蚀的方法将所述第二绝缘介质层中间刻蚀掉；步骤3：在所述第二绝缘介质层及p型层上表面生长第三绝缘介质层，之后采用光刻以及刻蚀的方法对p型层上方的所述第三绝缘介质层刻蚀通孔形成接触孔；其中，所述第三绝缘介质层为具有抗反射功能的抗反射涂层。7.根据权利要求6所述的一种改善apd响应度均匀性的方法，其特征在于，所述第三绝缘介质层为sinx抗反射涂层，厚度为100-500nm。8.根据权利要求2所述的一种改善apd响应度均匀性的方法，其特征在于，所述sinx抗反射涂层的生长方式为pecvd或icp-pecvd。9.一种改善apd响应度均匀性的方法，其特征在于，包括以下步骤：在盖帽层上加工制备若干个绝缘介质层；其中，若干个所述绝缘介质层中远离所述盖帽层的一个覆盖非活性区域并被设置为抗反射涂层。10.一种改善apd响应度均匀性的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：提供inp衬底，之后依次向上生长n型inp缓冲层、非故意掺杂n型ingaas吸收层、n型inp电荷层、非故意掺杂inp盖帽层；步骤2：在所述非故意掺杂inp盖帽层上生长第一绝缘介质层，采用光刻以及刻蚀的方法将需要扩散的区域的所述第一绝缘介质层刻蚀掉，之后由所述非故意掺杂inp盖帽层上表面向下扩散形成p型层；步骤3：在所述第一绝缘介质层上部及内侧生长第二绝缘介质层，之后采用光刻以及刻蚀的方法将所述第二绝缘介质层中间刻蚀掉；步骤4：在所述第二绝缘介质层及p型层上表面生长第三绝缘介质层，之后采用光刻以及刻蚀的方法对p型层上方的所述第三绝缘介质层刻蚀通孔形成接触孔；其中，所述第三绝
缘介质层为具有抗反射功能的抗反射涂层。步骤5：在所述第三绝缘介质层上生长p型电极，所述p型电极通过接触孔与p型层形成欧姆接触；对衬底背面进行减薄最后蒸镀n型电极。

技术总结
本发明涉及一种改善APD响应度均匀性的方法和光电二极管；一种改善APD响应度均匀性的光电二极管，光电二极管的非活性区域上方设有抗反射涂层。一种改善APD响应度均匀性的方法，包括以下步骤：步骤1：在盖帽层上生长第一绝缘介质层，将需要扩散的区域的第一绝缘介质层刻蚀掉，之后由盖帽层上表面向下扩散形成P型层；步骤2：在第一绝缘介质层上部及内侧生长第二绝缘介质层，将第二绝缘介质层中间刻蚀掉；步骤3：在第二绝缘介质层及P型层上表面生长第三绝缘介质层，其中，第三绝缘介质层为具有抗反射功能的抗反射涂层。本发明的有益效果是：通过在非活性区域上方设置抗反射涂层，减少非活性区域(非光敏面)的表面反射，以改善响应度均匀性。匀性。


技术研发人员：龚正致 李超翰 廖世容 万远涛
受保护的技术使用者：浙江光特科技有限公司
技术研发日：2023.03.23
技术公布日：2023/7/12