一种显示面板及其制备方法、显示装置与流程

1.本发明实施例涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。


背景技术：

2.现有技术中，由于显示面板的基板表面平整度较差，显示面板发光元件place制程中，整个背板受力不均，导致背板受力大的区域被压伤，受力小的区域接触不足，基板和各功能及各功能层之间存在应力产生比较大的翘曲度和不平整，影响发光元件转移良率，同时还存在工艺窗口小和背板受损的问题。


技术实现要素：

3.本发明提供一种显示面板及其制备方法、显示装置，采用柔性衬底基板以及在显示面板的驱动基板中增设柔性有机层，利用双层柔性有机层的可形变特性，缓解背板的表面不平整以及发光元件转移制程中由于表面不平整导致的受力不均，从而避免良率下降和背板损伤。
4.第一方面，本发明实施例提供了一种显示面板，所述显示面板包括驱动基板和多个发光元件，所述发光元件包括第一电极和第二电极；
5.所述驱动基板包括柔性衬底以及依次位于所述柔性衬底一侧的驱动电路层和有机层；所述驱动电路层包括第一连接电极和第二连接电极，所述有机层包括第一开口和第二开口；
6.其中，所述第一连接电极远离所述柔性衬底一侧的至少部分表面位于所述第一开口内，所述第二连接电极远离所述柔性衬底一侧的至少部分表面位于所述第二开口内；所述第一电极穿过所述第一开口与所述第一连接电极电连接，所述第二电极穿过所述第二开口与所述第二连接电极电连接。
7.第二方面，本发明实施例还提供了一种显示面板的制备方法，该制备方法包括：
8.制备驱动基板；所述驱动基板包括柔性衬底以及依次位于所述柔性衬底一侧的驱动电路层和有机层，所述驱动电路层包括第一连接电极和第二连接电极，所述有机层包括第一开口和第二开口，所述第一连接电极远离所述柔性衬底一侧的至少部分表面位于所述第一开口内，所述二连接电极远离所述柔性衬底一侧的至少部分表面位于所述第二开口内；
9.制备发光元件；所述发光元件包括第一电极和第二电极；
10.转移所述发光元件至所述驱动基板上；所述第一电极穿过所述第一开口与所述第一连接电极连接，所述第二电极穿过所述第二开口与所述第二连接电极连接。
11.第三方面，本发明实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括第一方面提供的显示面板。
12.本发明实施例提供的显示面板，显示面板包括驱动基板和多个发光元件，发光元
件包括第一电极和第二电极；驱动基板包括柔性衬底以及依次位于柔性衬底一侧的驱动电路层和有机层；驱动电路层包括第一连接电极和第二连接电极，有机层包括第一开口和第二开口；其中，第一连接电极远离柔性衬底一侧的至少部分表面位于第一开口内，第二连接电极远离柔性衬底一侧的至少部分表面位于第二开口内；第一电极穿过第一开口与第一连接电极电连接，第二电极穿过第二开口与第二连接电极电连接。采用柔性衬底基板以及在显示面板的驱动基板中增设柔性有机层，利用双层柔性有机层的可形变特性，缓解背板的表面不平整以及发光元件转移制程中由于表面不平整导致的受力不均，从而避免良率下降和背板损伤。
附图说明
13.图1是本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图；
14.图2是本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；
15.图3是本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；
16.图4是本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；
17.图5是本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法的流程示意图；
18.图6是图5提供的一种显示面板的制备工艺的流程示意图；
19.图7是图5提供的一种显示面板的制备工艺的流程示意图；
20.图8是现有技术提供的一种发光元件转移工艺的流程示意图；
21.图9是图8中m区域的放大示意图；
22.图10是本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法的流程示意图；
23.图11是图10提供的一种显示面板的制备工艺的流程示意图；
24.图12是图10提供的一种显示面板的制备工艺的流程示意图；
25.图13是图10提供的一种显示面板的制备工艺的流程示意图；
26.图14是本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法的流程示意图；
27.图15是图14提供的一种发光元件的制备工艺的流程示意图；
28.图16是图14提供的一种发光元件的制备工艺的流程示意图；
29.图17是本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。
具体实施方式
30.下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
31.基于上述技术问题，发明人进一步研究出本发明实施例的技术方案。具体的，本发明实施例提供一种显示面板，显示面板包括驱动基板和多个发光元件，发光元件包括第一电极和第二电极；驱动基板包括柔性衬底以及依次位于柔性衬底一侧的驱动电路层和有机层；驱动电路层包括第一连接电极和第二连接电极，有机层包括第一开口和第二开口；其中，第一连接电极远离柔性衬底一侧的至少部分表面位于第一开口内，第二连接电极远离柔性衬底一侧的至少部分表面位于第二开口内；第一电极穿过第一开口与第一连接电极电连接，第二电极穿过第二开口与第二连接电极电连接。
32.采用上述技术方案，设置驱动基板包括柔性衬底以及依次位于柔性衬底一侧的驱动电路层和有机层，通过在有机层上开设第一开口和第二开口，以裸漏出驱动电路层的第一连接电极和第二连接电极，发光元件转移制程中，设置发光元件的第一电极穿过第一开口与第一连接电极电连接，发光元件的第二电极穿过第二开口与第二连接电极电连接，采用柔性衬底以及在驱动基板和发光元件之间增设柔性有机层，在发光元件与驱动基板的电连接过程中，利用双层柔性膜层结构的柔性特性，改善显示面板的不平整，使得显示面板整体受力均匀，避免良率下降和背板损伤，有利于提高发光元件转移过程中的挤压力，增加发光元件与驱动基板电连接的键合强度，增大发光元件的转移良率。
33.以上是本发明的核心思想，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下，所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
34.图1是本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；图2是本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图。结合图1和图2所示，本发明实施例提供的显示面板，显示面板200包括驱动基板20和多个发光元件30，发光元件30包括第一电极31和第二电极32；驱动基板20包括柔性衬底21以及依次位于柔性衬底21一侧的驱动电路层22和有机层23；驱动电路层22包括第一连接电极221和第二连接电极222，有机层23包括第一开口231和第二开口232；其中，第一连接电极221远离柔性衬底21一侧的至少部分表面位于第一开口231内，第二连接电极222远离柔性衬底21一侧的至少部分表面位于第二开口232内；第一电极31穿过第一开口231与第一连接电极221电连接，第二电极32穿过第二开口232与第二连接电极222电连接。
35.具体的，结合图1和图2所示，显示面板200包括次毫米发光二极管显示面板(mini led)、微发光二极管显示面板(micro light emitting diode display，micro led)、发光二极管显示面板(light emitting diode display，led)、等，本发明实施例对显示面板200的类型不做具体的限制。
36.驱动基板20采用柔性衬底21，柔性衬底21的材料可以包括但不限于高分子塑料材料等柔性材料，如包括聚酰亚胺(pi)的柔性衬底，柔性衬底21具有，具有较大的弹性模量，起到缓冲的作用，同时还可以阻挡氧和湿气，防止湿气或杂质通过柔性衬底21向显示面板内部扩散。在柔性衬底21的一侧设置驱动电路层22，驱动电路层22包括多个第一连接电极221和多个第二连接电极222，相邻连个第一连接电极221和第二连接电极222为一组，用于向发光元件30提供驱动电压。其材料可以包括但不限于诸如铝(al)、银(ag)、铬(cr)、钛(ti)、钽(ta)、钼(mo)等的金属、其合金、其氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。
37.在驱动电路层22上增加有机层23，有机层23采用柔性材料，其材料可以包括但不限于光刻胶、聚丙烯酸酯基树脂、聚酰亚胺基树脂、聚酰胺基树脂、硅氧烷基树脂、丙烯酸基树脂和环氧基树脂等，具有较大的弹性模量。在有机层23上设置第一开口231和第二开口232，以裸漏出第一连接电极221和第二连接电极222。
38.结合图1所示，发光元件30包括第一电极31、第二电极32、第一接触电极33、发光主体34、第二接触电极35，第一电极31与第一接触电极33电连接，第二电极32与第二接触电极35电连接。结合图2所示，发光元件30还包括绝缘层36，起到对下层膜层进行保护和封装发光元件的功能。其中，第一接触电极33可以为p型半导体层接触电极，第二接触电极35可以
为n型半导体层接触电极，第一电极31可以为正极，第二电极32可以为负极。第一电极31和第二电极32的材料可以包括但不限于金(au)、锡(sn)、镍(ni)、钛(ti)、铝(al)、银(ag)和铟(in)等金属的合金，或者包括ito、gizo、gzo、izo(inzno)或azo(alzno)的金属或导电氧化物。第一接触电极33可以采用透明导电材料，例如，氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、ito/ag/ito等；第二接触电极35的材料可以包括但不限于金(au)、锡(sn)、镍(ni)、钛(ti)、铝(al)、银(ag)和铟(in)等金属的合金，或者包括ito、gizo、gzo、izo(inzno)或azo(alzno)的金属或导电氧化物。发光结构34包括p型半导体层、发光层和n型半导体层(图中未示出)，其中，发光层的材料可以包括但不限于氮化镓(gan)、磷化铝铟镓(alingap)、砷化铝镓(algaas)、磷砷化镓(gaasp)等化合物半导体。
39.设置第一电极31穿过第一开口231与第一连接电极221电连接，第二电极32穿过第二开口232与第二连接电极222电连接，驱动电路层202通过第一连接电极221和第二连接电极222向发光元件30提供驱动电压，从而驱动发光元件30发光。在发光元件30与驱动基板20的电连接过程中，由于驱动基板20和各功能及各功能层之间存在应力产生比较大的翘曲度和不平整，本技术利用柔性衬底21和有机层23的双层柔性膜层的可形变特性，有利于缓解驱动基板20的表面不平整以及发光元件30转移时由于表面不平整导致的受力不均，可以避免驱动基板20以及发光元件30受损，降低良率下降，有利于进一步提高发光元件30转移过程中的挤压力，增加第一电极31与第一连接电极221电连接的键合强度以及第二电极32与第二连接电极222电连接的键合强度，最终提高发光元件30的转移良率。
40.需要说明的是，驱动电路层还包括多个薄膜晶体管(thin film transistor，tft)、存储电容和金属走线等结构(图中未示出)，显示面板还包括其他结构，例如封装盖板等，多个膜层和结构共同作用实现显示面板的正常显示，这里不再做一一列举。
41.综上，本发明实施例提供的显示面板，显示面板包括驱动基板和多个发光元件，设置驱动基板包括柔性衬底以及依次位于柔性衬底一侧的驱动电路层和有机层，通过增设有机层，并在有机层上开设多个第一开口和第二开口，以裸漏出驱动电路层的第一连接电极和第二连接电极，设置发光元件的第一电极穿过第一开口与第一连接电极电连接，发光元件的第二电极穿过第二开口与第二连接电极电连接，采用柔性衬底以及在驱动基板和发光元件之间增设柔性有机层，在发光元件与驱动基板的电连接过程中，利用双层柔性膜层结构的柔性特性，改善显示面板的不平整，使得显示面板整体受力均匀，避免驱动基板以及发光元件受损，从而可以进一步提高发光元件转移过程中的挤压力，增加发光元件与驱动基板电连接的键合强度，增大发光元件的转移良率。
42.图3是本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；图4是本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图。结合图3和图4所示，本发明实施例提供的显示面板200还包括导电结构40；导电结构40包括第一导电结构41和第二导电结构42，第一导电结构41至少部分位于第一开口231内，第二导电结构42至少部分位于第二开口232内；第一导电结构41分别与第一电极31和第一连接电极221电连接，第二导电结构42分别与第二电极32通过和第二连接电极222电连接。
43.具体的，结合图3和图4所示，在有机层23的第一开口231和第二开口232填充导电结构40，其材料可以包括但不限于焊料、铟(in)、锡(sn)、镍(ni)、钛(ti)、铝(al)和银(ag)等金属的合金或者固溶体。利用第一导电结构41电连接第一电极31和第一连接电极221，第
二导电结构42电连接第二电极32和第二连接电极222。一种可行的实施方式，可以通过增加有机层23沿图中z方向的厚度h0，增加第一开口231和第二开口232的深度，提填充更多的加导电结构40，当导电结构40沿图中z方向的高度变高，在发光元件键合(wafer bonding)制程中，导电结构40会融化成液态，有利于提高第一导电结构41与第一电极31和第一连接电极221的键合强度，以及第二导电结构42与第二电极32和第二连接电极222的键合强度，增大发光元件的转移良率。
44.可选的，继续参照图1-图4所示，沿显示面板的厚度方向z，设置柔性衬底21的厚度d0和有机层23的厚度h0为20μm～100μm。通过合理增大双层柔性膜层沿图中z方向的厚度，可以提高导电结构40(焊料)高度，避免发光元件30的第一电极31和第二电极32在加热融化键合过程中的短路。
45.在上述实施例的基础上，继续参照图1-图4所示，第一电极31至少部分位于第一开口231内，第二电极32至少部分位于第二开口232内。
46.具体的，结合1-图4所示，沿图中z方向，通过增加有机层23的厚度h0，增大第一开口41和第二开口42的深度，有利于第一电极31至少部分嵌入第一开口231内，第二电极32至少部分嵌入第二开口232内，从而提高键合强度，提高转移良率。
47.基于同样的发明构思，本发明实施例还提供了一种显示面板的制备方法，用于制备上述实施例提供的显示面板。图5是本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法的流程示意图；图6是图5提供的一种显示面板的制备工艺的流程示意图；图7是图5提供的一种显示面板的制备工艺的流程示意图。结合图5-图7所示，本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法包括：
48.s101、制备驱动基板。
49.其中，结合图6所示，驱动基板20包括柔性衬底21以及依次位于柔性衬底21一侧的驱动电路层22和有机层23，驱动电路层22包括第一连接电极221和第二连接电极222，有机层23包括第一开口231和第二开口232，第一连接电极221远离柔性衬底21一侧的至少部分表面位于第一开口231内，第二连接电极222远离柔性衬底21一侧的至少部分表面位于第二开口232内。
50.具体的，结合图6所示，一种可行实施方式，提供柔性衬底21，在柔性衬底21的一侧制备驱动电路层22，驱动电路层22还包括多个薄膜晶体管(thin film transistor，tft)、存储电容和金属走线等结构，且在驱动电路层22远离柔性衬底21的一侧表面制备第一连接电极221和第二连接电极222。进一步在驱动电路层22的表面沉积有机层23，采用剥离工艺(lift-off)刻蚀有机层23，获得多个第一开口231和多个第二开口232，以裸漏出第一连接电极221和第二连接电极222的至少部分表面。另一种可行实施方式，还可以先制备有机层23，刻蚀有机层23，获得多个第一开口231和多个第二开口232，再在第一开口231和多个第二开口232内分别制备驱动电路层22的第一连接电极221和第二连接电极222，这里不做限制。
51.其中，剥离工艺(lift-off)是在衬底上用光刻工艺获得图案化的光刻胶结构或者金属等掩膜(shadow mask)，利用镀膜工艺在掩膜上镀上目标涂层，再利用去胶液(又称剥离液)溶解光刻胶或者机械去除金属硬掩膜的方式获得与图案一致的目标图形结构，称之为剥离工艺。
52.s102、制备发光元件。
53.结合图7所示，发光元件30包括第一电极31、第二电极32、第一接触电极33、发光结构34和第二接触电极35。第一接触电极33可以为p型半导体层接触电极，第二接触电极35可以为n型半导体层接触电极，第一电极31可以为正极，第二电极32可以为负极。
54.s103、转移发光元件至驱动基板上。
55.结合图1所示，基于范德华力的印章转移流程，多个发光元件30的第一电极31穿过第一开口231与第一连接电极221电连接，第二电极32穿过第二开口232与第二连接电极222电连接。
56.本发明实施例提供的显示面板的制备方法，在发光元件30与驱动基板20的电连接过程中，在驱动基板20上增设有机层23，利用柔性衬底21和有机层23的双层柔性膜层的可形变特性，改善驱动基板20的表面不平整以及发光元件30转移时由于表面不平整导致的受力不均，既可以避免驱动基板20损伤，还可以在转移过程中提高发光元件30的挤压力，从而增加第一电极31与第一连接电极221电连接的键合强度以及第二电极32与第二连接电极222电连接的键合强度，从而提高转移良率。
57.图8是现有技术提供的一种发光元件转移工艺的流程示意图；图9是图8中m区域的放大示意图。图8为基于范德华力的印章转移流程，结合图8和图9所示，现有技术中，一方面，在wafer bonding制程和llo制程中，由于发光元件和转移(carrier)刚性基板存在较大的应力，又由于carrier刚性基板一般选用粘附力弱、硬度大、弹性模量大的材料，wafer bonding制程后翘曲度大的区域会由于carrier刚性基板的应力而分开，使得上下基板存在间隙(gap)，甚至间隙深度可达30μm，易导致llo制程中出现断晶、偏移、旋转等问题，故而需要在wafer bonding制程中使用大压力克服发光元件中间翘曲，这样又易引入发光元件的边缘芯片被陷入carrier刚性基板胶材内的问题，如图9中n区域所示，影响后续的pick制程中对发光元件的拾取。由于外延制程晶格失配和热失配，发光元件几乎都存在中间翘曲(warpage)的问题。另一方面，在place制程中，由于驱动基板表面平整度较差，使得工艺窗口小，同时易导致整个背板受力不均，背板受力大的区域被压伤，受力小的区域接触不足，从而影响转移良率。
58.其中，wafer bonding制程为键合技术，llo(laser lift-off)制程为激光剥离技术，pick制程为批量选取满足转移要求的发光元件，place制程为将选取的发光元件批量转移至驱动基板上。
59.基于上述技术问题，本发明实施例还提供一种显示面板的制备方法，用于解决发光元件在制备和转移过程中断晶、偏移、旋转、翘曲等问题。图10是本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法的流程示意图；图11是图10提供的一种显示面板的制备工艺的流程示意图；图12是图10提供的一种显示面板的制备工艺的流程示意图；图13是图10提供的一种显示面板的制备工艺的流程示意图。一种可行的实施方式，以制备图1所示的显示面板为例，结合图1、图10-图13所示，本发明实施例提供的另一种显示面板的制备方法包括：
60.s201、制备驱动基板。
61.继续参考上述实施例中图6所示，这里不再赘述。
62.s202、提供第一刚性基板。第一刚性基板301的材料包括但不限于玻璃、石英等材料。例如，第一刚性基板可以为用于在其上形成外延膜层的生长基板，外延膜层用于形成发
光结构。
63.s203、在第一刚性基板的一侧依次制备发光结构和第一接触电极。
64.具体的，结合图11中(a)图所示，采用“图案化”工艺在第一刚性基板301的一侧依次制备发光结构34和第一接触电极33，设置第一接触电极33沿图中z方向与发光结构34至少部分交叠。其中，第一方向z为第一接触电极指向发光结构的方向。
65.其中，本文中的“图案化”具体是指非整层结构，即制作过程中先形成整层的材料再刻出具体形状后的结构。
66.s204、提供第一柔性转移基板。
67.具体的，结合图11中(b)图所示，本技术在制备发光元件30的wafer bonding制程中，直接采用柔性材料的第一柔性转移基板302转移发光元件30，第一柔性转移基板302可选用耐热温度大于200℃，耐干法、湿法刻蚀的材料。可选的，第一柔性转移基板302的材料包括聚酰亚胺、有机硅和环氧树脂。同时合理设置第一柔性转移基板302沿第一方向z的厚度，可选的，设置第一柔性转移基板的厚度为10μm～100μm。其具有较大弹性模量，具有较大的弹性。
68.s205、转移发光结构和第一接触电极至第一柔性转移基板的一侧。
69.具体的，结合图11中(c)图所示，在wafer bonding制程中，将第一接触电极33远离发光结构34的一侧表面与第一柔性转移基板302贴合。使用第一柔性转移基板302，可以避免由于发光元件30翘曲导致llo制程中转移基板和发光元件30的分离，由于第一柔性转移基板302不包含刚性基板，没有刚性基板的应力，在wafer bonding制程中可以完全贴合存在翘曲度的外延面，只需要小的压力也不会存在gap，从而可以避免断晶、偏移、旋转等问题，同时也可以解决存在发光元件的边缘芯片被陷入carrier刚性基板的胶材内的问题，可以用较小的压力保证第一柔性转移基板302和发光元件30的贴合度，也避免了挤压力过大导致的发光元件30嵌入转移基板中形成机械互锁，影响下一次转移。在发光元件30转移的每一道制程中都能保证一边是柔性材料，可以降低对材料平整度的要求，同时降低llo制程中对发光元件30翘曲度的要求，有利于后续的pick制程中对发光元件的拾取以及降低对设备和产品平整度的要求。
70.结合图11中(c)图所示，采用择性激光剥离(selective laser lift-off，sllo)工艺，使用uv/duv波段的激光对发光元件30进行选择性剥离，以匹配驱动基板中的发光元件的排布。
71.s206、提供第二刚性基板。第二刚性基板303的材料包括但不限于玻璃、石英等材料。
72.s207、将第一柔性转移基板远离第一接触电极的一侧表面与第二刚性基板贴合。
73.具体的，结合图11中(d)图所示，将带第一柔性转移基板301远离第一接触电极33的一侧表面临时键合到第二刚性基板303上，以兼容wafer bonding制程工艺，方便第一柔性转移基板301的移动。
74.s208、刻蚀部分发光结构，获得第二电极制备区。
75.结合图11中(e)图所示，采用黄光和干法刻蚀工艺刻蚀部分发光结构34，以裸露出部分第一接触电极33，沿第一方向z，发光结构34的投影与第一接触电极33无交叠的区域为第二电极制备区330。
76.s209、在发光结构远离第一接触电极的一侧制备第二接触电极。
77.结合图11中(f)图所示，采用剥离工艺(lift-off)制程工艺在在发光结构34远离第一接触电极33的一侧制备第二接触电极35，示例性的，第二接触电极35为n型半导体接触电极，通过此设置，可以保证n型半导体的欧姆接触和第一电极32(pad)的良好黏附。
78.s210、在第一接触电极远离发光结构的一侧制备第一电极。
79.s211、在第二电极制备区远离第一柔性转移基板的一侧制备第二电极。
80.结合图12所示，采用剥离工艺(lift-off)在第一区域远离330远离第一柔性转移基板302的一侧制备第一电极31，在第二接触电极35远离发光结构34的一侧制备第二电极32。
81.s212、转移发光元件至驱动基板上。
82.具体的，结合图13所示，在wafer bonding制程中，当某一个点高度较高时，施压过程受力会集中在比较高的区域，驱动基板20中的有机层23起到缓冲作用，可以受力形变而高度降低，有机层23和柔性衬底21的缓冲作用，有利于整体受力均匀，可以进一步提高转移过程中发光元件30的挤压力，使得多个发光元件30的第一电极31穿过第一开口231与第一连接电极221电连接以及第二电极32穿过第二开口232与第二连接电极222电连接更紧密、反应更充分，提高键合强度，从而提高转移良率。
83.s213、去除第一柔性转移基板和第二刚性基板。
84.继续结合图13所示，在发光元件30转移至驱动基板20上，采用剥离工艺(lift-off)去除第一柔性转移基板302和第二刚性基板303，从而获得如图1所示的显示面板。
85.以发光元件30为micro-led为例，重复上述步骤202至步骤213，依次完成红色发光元件r、绿色发光元件g和蓝色发光元件b的转移，可实现三色micro-led的转移。
86.图14是本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法的流程示意图；图15是图14提供的一种显示面板的制备工艺的流程示意图；图16是图14提供的一种显示面板的制备工艺的流程示意图。在上述实施例的基础上，以制备图4所示的显示面板为例，本发明实施例还提供了一种显示面板的制备方法，结合图6、图11、图14-图16所示，本发明实施例提供的另一种显示面板的制备方法包括：
87.s301、制备驱动基板。
88.继续参考上述实施例中图6所示，这里不再赘述。
89.s302、提供第一刚性基板。第一刚性基板301的材料包括但不限于玻璃、石英等材料。
90.s303、在第一刚性基板的一侧依次制备发光结构和第一接触电极。
91.继续参考上述实施例中图11中(a)图所示，这里不再赘述。
92.s304、提供第一柔性转移基板。
93.继续参考上述实施例中图11中(b)图所示，这里不再赘述。
94.s305、转移发光结构和第一接触电极至第一柔性转移基板的一侧。
95.继续参考上述实施例中图11中(c)图所示，这里不再赘述。
96.s306、提供第二刚性基板。第二刚性基板303的材料包括但不限于玻璃、石英等材料。
97.s307、将第一柔性转移基板远离第一接触电极的一侧表面与第二刚性基板贴合。
98.继续参考上述实施例中图11中(d)图所示，这里不再赘述。
99.s308、刻蚀部分发光结构，获得第二电极制备区。
100.继续参考上述实施例中图11中(e)图所示，这里不再赘述。
101.s309、在发光结构远离第一接触电极的一侧制备第二接触电极。
102.继续参考上述实施例中图11中(f)图所示，这里不再赘述。
103.s310、在发光结构、第一接触电极、第二接触电极的表面沉积绝缘层。
104.结合图15中(a)图所示，采用钝化处理技术(passivation)在发光结构34、第一接触电极33、第二接触电极35的表面沉积一层绝缘层36，也可称为钝化层，对发光元件30进行封装和对下层膜层进行保护。其中，绝缘层36的材料包括不限于siox/sinx等。
105.s311、沿第一方向，刻蚀相邻两个发光元件之间的走道区以及第二电极制备区以及第二接触电极之上的部分绝缘层，获得第三开口和第四开口。
106.结合图15中(b)图所示，采用干法刻蚀或者llo等工艺，沿图中z方向，刻蚀相邻两个发光元件30之间的走道区360、第二电极制备区330以及第二接触电极35之上的部分绝缘层，在第二电极制备区330的部分表面之上获得第三开口361，在第二接触电极35的部分表面之上获得第四开口362。
107.其中，第一方向z为第一刚性基板303指向第一柔性转移基板302的方向。
108.s312、在第三开口内的第一接触电极远离发光结构的一侧制备第一电极。
109.s313、在第四开口内的第二电极制备区远离第一柔性转移基板的一侧制备所述第二电极。
110.结合图15中(c)图所示，采用剥离工艺(lift-off)在第三开口361和第四开口362内填充电极材料，分别获得第一电极31和第二电极32。其中，沿图中z方向，第一电极31的高度大于第三开口361的深度，第二电极32的高度大于第四开口362的深度，以便后续在place制程中与驱动基板键合。
111.可选的，第一电极31远离第一柔性转移基板302的一侧表面与第二电极32远离第一柔性转移基板302的一侧表面齐平。在place制程中，有利于第一电极31和第二电极32在键合施压过程中受力均匀，从而避免发光元件30在制备和转移过程中断晶、偏移、旋转、翘曲等问题。
112.s314、在第一开口和第二开口内填充导电结构。
113.s315、采用第一导电结构电连接第一电极和第一连接电极，采用第二导电结构电连接第二电极和第二连接电极。
114.具体的，结合图16所示，在第一开口231和第二开口232内填充导电结构40，也可称为焊料，导电结构40包括第一导电结构41和第二导电结构42，为了便于区分，标记第一导电结构41位于第一开口231内，第二导电结构42位于第二开口232内。沿显示面板的厚度方向z，设置第一导电结构41的高度h1小于第一开口231的深度h1，第二导电结构42的高度h2小于第二开口232的深度h2，在第一导电结构41和二导电结构42的上方预留出空间，以便第一电极31嵌入第一开口231内，第二电极32至少部分嵌入第二开口232内。
115.进一步，可选的，沿第一方向z，第一电极31远离绝缘层36的一侧表面与绝缘层36远离第二接触电极35的一侧表面之间的距离为δh1；沿显示面板的厚度方向z，有机层23远离柔性衬底21的一侧表面与第一导电结构41远离柔性衬底21的一侧表面之间的距离为δ
h2；δh2＜δh1。
116.具体的，在wafer bonding制程中，导电结构40会融化成液态，当设置第一开口231内的第一导电结构41(焊料)的高度h1更高时，通过控制第一开口231的深度h1与第一导电结构41的高度h1之差δh2，有利于第一电极31压入第一导电结构41(焊料)的深度，提高键合强度。在place制程中，由于第一柔性转移基板302、有机层23和柔性衬底21的共同缓冲作用，使得驱动基板20和发光元件30整体受力均匀，有利于可以进一步提高转移过程中发光元件30的挤压力，提高发光元件30的第一电极31与第一连接电极221的键合强度以及第二电极32与第二连接电极222键合强度，使得发光元件30与驱动基板20电连接更紧密、导电结构40反应更充分，从而提高键合强度，提高转移良率。
117.可以理解的是，结合图16所示，沿图中z方向，有机层23的高度为h0，第一连接电极221和第二连接电极222的高度为h3，第一导电结构41的高度为h1，第二连接电极222的高度为h2，设置h0＞h1+h3，h0＞h2+h3，通过合理增大导电结构40的高度h3，使其位于有机层23的开口内，可以避免发光元件30单色转移时对驱动基板20中其他发光颜色发光元件30对应的导电结构40(焊料)的造成影响，从而提高发光元件30的转移良率。
118.需要说明的是，本技术说明书中第一方向以及沿显示面板的厚度方向均与图中z方向平行。
119.s316、去除第一柔性转移基板和第二刚性基板。
120.结合图16所示，在发光元件30转移至驱动基板20上，采用剥离工艺(lift-off)去除第一柔性转移基板302和第二刚性基板303，获得如图4所示的显示面板200。
121.以发光元件30为micro-led为例，重复上述步骤302至步骤317，依次完成红色发光元件r、绿色发光元件g和蓝色发光元件b的转移，可实现三色micro-led的转移。
122.基于同样的发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置。图17为本发明实施例提供的显示装置的结构示意图，如图17所示，该显示装置包括上述实施方式提供的任一种显示模组。示例性的，如图17所示，该显示装置300包括显示面板200。因此，该显示装置也具有上述实施方式中的显示模组所具有的有益效果，相同之处可参照上文对显示模组的解释说明进行理解，下文不再赘述。
123.本发明实施例提供的显示装置300可以为图17所示的手机，也可以为任何具有显示功能的电子产品，包括但不限于以下类别：电视机、笔记本电脑、桌上型显示器、平板电脑、数码相机、智能手环、智能眼镜、车载显示器、工控设备、医用显示屏、触摸交互终端等，本发明实施例对此不作特殊限定。
124.注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

技术特征：
1.一种显示面板，其特征在于，包括驱动基板和多个发光元件，所述发光元件包括第一电极和第二电极；所述驱动基板包括柔性衬底以及依次位于所述柔性衬底一侧的驱动电路层和有机层；所述驱动电路层包括第一连接电极和第二连接电极，所述有机层包括第一开口和第二开口；其中，所述第一连接电极远离所述柔性衬底一侧的至少部分表面位于所述第一开口内，所述第二连接电极远离所述柔性衬底一侧的至少部分表面位于所述第二开口内；所述第一电极穿过所述第一开口与所述第一连接电极电连接，所述第二电极穿过所述第二开口与所述第二连接电极电连接。2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括导电结构；所述导电结构包括第一导电结构和第二导电结构，所述第一导电结构至少部分位于所述第一开口内，所述第二导电结构至少部分位于所述第二开口内；所述第一导电结构分别与所述第一电极和所述第一连接电极电连接，所述第二导电结构分别与所述第二电极通过和所述第二连接电极电连接。3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一电极至少部分位于所述第一开口内，所述第二电极至少部分位于所述第二开口内。4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，沿所述显示面板的厚度方向，所述柔性衬底的厚度和所述有机层的厚度分别为20μm～100μm。5.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括：制备驱动基板；所述驱动基板包括柔性衬底以及依次位于所述柔性衬底一侧的驱动电路层和有机层，所述驱动电路层包括第一连接电极和第二连接电极，所述有机层包括第一开口和第二开口，所述第一连接电极远离所述柔性衬底一侧的至少部分表面位于所述第一开口内，所述二连接电极远离所述柔性衬底一侧的至少部分表面位于所述第二开口内；制备发光元件；所述发光元件包括第一电极和第二电极；转移所述发光元件至所述驱动基板上；所述第一电极穿过所述第一开口与所述第一连接电极连接，所述第二电极穿过所述第二开口与所述第二连接电极连接。6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述发光元件还包括第一接触电极、发光结构、第二接触电极；制备发光元件，包括：提供第一刚性基板；在所述第一刚性基板的一侧依次制备发光结构和第一接触电极；沿第一方向，所述第一接触电极与所述发光结构至少部分交叠，其中，所述第一方向为所述第一接触电极指向所述发光结构的方向；提供第一柔性转移基板；转移所述发光结构和所述第一接触电极至所述第一柔性转移基板的一侧；其中，所述第一接触电极远离所述发光结构的一侧表面与所述第一柔性转移基板贴合；提供第二刚性基板；将所述第一柔性转移基板远离所述第一接触电极的一侧表面与所述第二刚性基板贴合；在所述发光结构远离所述第一接触电极的一侧制备第二接触电极；
刻蚀部分所述发光结构，获得第二电极制备区；沿所述第一方向，所述第二电极制备区为所述第一接触电极与所述发光结构无交叠区域；在所述第一接触电极远离所述发光结构的一侧制备第一电极；在所述第二电极制备区远离所述第一柔性转移基板的一侧制备第二电极。7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，在所述发光结构远离所述第一接触电极的一侧制备第二接触电极之后，还包括：在所述发光结构、所述第一接触电极、所述第二接触电极的表面沉积绝缘层；沿第一方向，刻蚀相邻两个所述发光元件之间的走道区、所述第二电极制备区以及所述第二接触电极之上的部分所述绝缘层，获得第三开口和第四开口；在所述第一接触电极远离所述发光结构的一侧制备第一电极，包括：在所述第三开口内的所述第一接触电极远离所述发光结构的一侧制备第一电极；在所述第二电极制备区远离所述第一柔性转移基板的一侧制备第二电极，包括：在所述第四开口内的所述第二电极制备区远离所述第一柔性转移基板的一侧制备所述第二电极。8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，转移所述发光元件至所述驱动基板上之前，还包括：在所述第一开口和所述第二开口内填充导电结构；沿所述显示面板的厚度方向，所述导电结构的高度均小于所述第一开口的深度和所述第二开口的深度；所述导电结构包括第一导电结构和第二导电结构，转移所述发光元件至所述驱动基板上，包括：采用所述第一导电结构电连接所述第一电极和所述第一连接电极，采用所述第二导电结构电连接所述第二电极和所述第二连接电极。9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，沿所述第一方向，所述第一电极远离所述绝缘层的一侧表面与所述绝缘层远离所述第二接触电极的一侧表面之间的距离为δh1；沿所述显示面板的厚度方向，所述有机层远离所述柔性衬底的一侧表面与所述第一导电结构远离所述柔性衬底的一侧表面之间的距离为δh2；δh2＜δh1。10.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述第一电极远离所述第一柔性转移基板的一侧表面与所述第二电极远离所述第一柔性转移基板的一侧表面齐平。11.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，转移所述发光元件至所述驱动基板之后，还包括：去除所述第一柔性转移基板和所述第二刚性基板。12.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，沿所述第一方向，所述第一柔性转移基板的厚度为10μm～100μm。13.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述第一柔性转移基板的材料包括聚酰亚胺、有机硅和环氧树脂。14.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述第一柔性转移基板的耐热温度大于200℃。15.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-4任一项所述显示面板。

技术总结
本发明公开了一种显示面板及其制备方法、显示装置，显示面板包括驱动基板和多个发光元件，驱动基板包括柔性衬底以及依次位于柔性衬底一侧的驱动电路层和有机层；有机层包括第一开口和第二开口；驱动电路层的第一连接电极远离柔性衬底一侧的至少部分表面位于第一开口内，第二连接电极远离柔性衬底一侧的至少部分表面位于第二开口内；发光元件的第一电极穿过第一开口与第一连接电极电连接，第二电极穿过第二开口与第二连接电极电连接。采用柔性衬底基板以及在显示面板的驱动基板中增设柔性有机层，利用双层柔性有机层的可形变特性，缓解背板的表面不平整以及发光元件转移制程中由于表面不平整导致的受力不均，从而避免良率下降和背板损伤。降和背板损伤。降和背板损伤。


技术研发人员：麻庭凤
受保护的技术使用者：天马新型显示技术研究院（厦门）有限公司
技术研发日：2023.03.15
技术公布日：2023/7/12