一种掉电处理方法、固态硬盘及计算设备与流程

1.本技术涉及固态硬盘技术领域，尤其涉及一种掉电处理方法、固态硬盘及计算设备。


背景技术：

2.固态硬盘(solid state disk或solid state drive，简称ssd)，又称固态驱动器，是用固态电子存储器芯片阵列制成的硬盘。为了提高固态硬盘的读写性能，固态硬盘多是先将数据写到易失性存储器芯片中，再将易失性存储器芯片中的数据写入到非易失性存储器芯片中进行永久保存。
3.在固态硬盘掉电时，易失性存储器芯片的数据会完全丢失，从而影响数据的存储效果。相关技术中，可以通过固态硬盘内置的备电电容对固态硬盘进行短暂供电，从而使得固态硬盘在掉电时，仍可以将易失性存储器芯片中的数据写入到非易失性存储器芯片中。
4.但是，相关技术中备电电容的供电时间较短，导致固态硬盘在掉电时无法将易失性存储器芯片中的待存储数据全部写入到非易失性存储器芯片，进而导致出现数据丢失的问题。


技术实现要素：

5.本技术实施例提供一种掉电处理方法、固态硬盘及计算设备，用于解决相关技术中备电电容的供电时间较短，导致固态硬盘在掉电时无法将易失性存储器芯片中的待存储数据全部写入到非易失性存储器芯片，进而导致出现数据丢失的问题。
6.第一方面，本技术实施例提供一种掉电处理方法，应用于固态硬盘，所述固态硬盘包括主控芯片及与所述主控芯片电连接的备电电容、易失性存储器芯片和至少一个非易失性存储器芯片，所述方法包括：
7.所述主控芯片在检测到所述固态硬盘处于掉电状态时，控制所述备电电容对所述固态硬盘进行供电，并获取所述易失性存储器芯片中存储的待存储数据；其中，所述待存储数据包括多种数据类型的待存储数据；
8.所述主控芯片针对每种数据类型的待存储数据，根据所述待存储数据的数据类型，确定所述待存储数据对应的掉电存储空间，并将所述待存储数据存储至对应的掉电存储空间中；
9.其中，所述掉电存储空间包括至少一个所述非易失性存储器芯片中的部分存储空间，且所述掉电存储空间为单层单元类型的存储空间。
10.本实施例的有益效果：一方面，本实施例利用单层单元类型的存储空间的数据存储速度快的特点，在固态硬盘处于掉电状态时，将易失性存储器芯片中存储的待存储数据，存储至非易失性存储器芯片中的单层单元类型的掉电存储空间中，以提高待存储数据的存储速度，保证固态硬盘在有限的存储时间内，可以将大量的数据存储至非易失性存储器芯片中，降低了固态硬盘在掉电时，出现无法将易失性存储器芯片中的待存储数据全部写入
到非易失性存储器芯片中的情况，进而导致出现待存储数据丢失的可能性。另一方面，本实施例可以直接根据待存储数据的数据类型，确定对应的掉电存储空间，并将待存储数据存储至对应的掉电存储空间，避免了耗费时间查找可利用的掉电存储空间，提高了待存储数据的存储速度。
11.在上述的掉电处理方法的优选技术方案中，所述主控芯片针对每种数据类型的待存储数据，根据所述待存储数据的数据类型，确定所述待存储数据对应的掉电存储空间，并将所述待存储数据存储至所述对应的掉电存储空间中，包括：
12.所述主控芯片针对每种数据类型的待存储数据，根据所述待存储数据的数据类型，确定所述待存储数据对应的掉电存储空间，并确定所述对应的掉电存储空间对应的存储通道，并将所述待存储数据通过所述对应的存储通道，存储至所述对应的掉电存储空间中。
13.本实施例的有益效果：主控芯片可以直接根据待存储数据的数据类型，确定待存储数据对应的掉电存储空间，并确定该对应的掉电存储空间对应的存储通道，并将待存储数据通过对应的存储通道，直接存储至对应的掉电存储空间，避免了耗费时间查找可利用的掉电存储空间以及对应的存储通道，提高了待存储数据的存储速度。
14.在上述的掉电处理方法的优选技术方案中，所述主控芯片针对每种数据类型的待存储数据，根据所述待存储数据的数据类型，确定所述待存储数据对应的掉电存储空间，并确定所述对应的掉电存储空间对应的存储通道，并将所述待存储数据通过所述对应的存储通道，存储至所述对应的掉电存储空间中，包括：
15.所述主控芯片读取所述易失性存储器芯片中存储的第一对应关系表和第二对应关系表，或者，读取所述非易失性存储器芯片中存储的所述第一对应关系表和所述第二对应关系表；其中，所述第一对应关系表为数据类型与掉电存储空间的对应关系表，所述第二对应关系表为掉电存储空间与存储通道的对应关系表；
16.所述主控芯片针对每种数据类型的待存储数据，根据所述待存储数据的数据类型和所述第一对应关系表，确定所述待存储数据对应的掉电存储空间，并根据所述对应的掉电存储空间和所述第二对应关系表，确定所述对应的掉电存储空间对应的存储通道，并将所述待存储数据通过所述对应的存储通道，存储至所述对应的掉电存储空间中。
17.本实施例的有益效果：数据类型与掉电存储空间的第一对应关系表，以及掉电存储空间与存储通道的第二对应关系表，可以存储在易失性存储器芯片或者非易失性存储器芯片中，主控芯片可以在固态硬盘掉电时，直接读取上述第一对应关系表和第二对应关系表，确定出适宜存储每种数据类型的待存储数据的掉电存储空间，以及通向该掉电存储空间的存储通道，从而使得主控芯片可以快速将待存储数据存储至掉电存储空间中，提高了待存储数据的存储速度。
18.在上述的掉电处理的优选技术方案中，还包括：
19.所述主控芯片针对每种数据类型的待存储数据，在将所述待存储数据通过所述对应的存储通道，存储至所述对应的掉电存储空间后，生成与所述待存储数据的数据类型对应的掉电数据完成标识，并将所述掉电数据完成标识存储至所述掉电存储空间；
20.所述主控芯片在检测到所述固态硬盘处于上电状态，且所述掉电存储空间中存储掉电数据完成标识时，将所述掉电存储空间中存储的待存储数据，存储至所述非易失性存
储器芯片的非掉电存储空间中。
21.本实施例的有益效果：主控芯片在将待存储数据通过对应的存储通道，存储至对应的掉电存储空间后，生成与待存储数据的数据类型对应的掉电数据完成标识，以表示需要存储至该掉电存储空间的待存储数据已经存储完毕。主控芯片将掉电数据完成标识存储至掉电存储空间中，以便于后续可以直接根据该掉电存储空间中是否存储掉电数据完成标识，确定待存储数据是否完整地存储至掉电存储空间，实现了主控芯片对待存储数据的完整性校验。另外，主控芯片在对掉电存储空间中的待存储数据进行完整性校验后，将校验成功的待存储数据存储至非易失性存储器芯片的非掉电存储空间中，一方面，相较于其他非单层单元类型的存储空间，掉电存储空间为单层单元类型的存储空间的可用容量小，将掉电存储空间中存储的待存储数据，存储至非易失性存储器芯片的非掉电存储空间中，可以减少待存储数据占用单元(cell)的个数；另一方面，将掉电存储空间中存储的待存储数据，存储至非易失性存储器芯片的非掉电存储空间中，后续可以对掉电存储空间进行数据清除处理，从而可以为固态硬盘的二次掉电提供可用的掉电存储空间，防止二次掉电时出现掉电存储空间不足的情况。
22.在上述的掉电处理方法的优选技术方案中，所述主控芯片在检测到所述固态硬盘处于上电状态，且所述掉电存储空间中存储掉电数据完成标识时，将所述掉电存储空间中存储的待存储数据，存储至所述非易失性存储器芯片的非掉电存储空间中，包括：
23.所述主控芯片在检测到所述固态硬盘处于上电状态，且所述掉电存储空间中存储掉电数据完成标识时，将所述掉电存储空间中存储的待存储数据，存储至所述易失性存储器芯片中；
24.所述主控芯片将所述易失性存储器芯片中存储的待存储数据，存储至所述非易失性存储器芯片的非掉电存储空间中。
25.本实施例的有益效果：主控芯片在将掉电存储空间中存储的待存储数据，存储至非易失性存储器芯片的非掉电存储空间时，可以先将待存储数据存储至易失性存储器芯片中进行管理，再将易失性存储器芯片中的待存储数据存储至非易失性存储器芯片的非掉电存储空间中，可以使得主控芯片在易失性存储器芯片中存储的待存储数据达到一定数据量时，再将易失性存储器芯片中存储的待存储数据存储至非易失性存储器芯片的非掉电存储空间中，减少了非易失性存储器芯片的访问次数，延长了固态硬盘的使用寿命。
26.在上述的掉电处理方法的优选技术方案中，所述主控芯片在检测到所述固态硬盘处于上电状态，且所述掉电存储空间中存储掉电数据完成标识时，将所述掉电存储空间中存储的待存储数据，存储至非易失性存储器芯片的非掉电存储空间中，包括：
27.所述主控芯片在检测到所述固态硬盘处于上电状态，且所述掉电存储空间中存储掉电数据完成标识时，直接将所述掉电存储空间中存储的待存储数据，存储至所述非易失性存储器芯片的非掉电存储空间中。
28.本实施例的有益效果：主控芯片可以直接将获取的掉电存储空间中存储的待存储数据，存储至非易失性存储器芯片的非掉电存储空间中，提高了数据存储速度。
29.在上述的掉电处理方法的优选技术方案中，还包括：
30.所述主控芯片将所述掉电存储空间格式化为所述单层单元类型的存储空间，以对所述掉电存储空间进行数据清除处理。
31.本实施例的有益效果：主控芯片在将掉电存储空间中的待存储数据存储至非掉电存储空间中后，可以将掉电存储空间格式化为单层单元类型的存储空间，以对掉电存储空间进行数据清除处理，保证固态硬盘二次掉电时，主控芯片无需耗费时间查找可用的掉电存储空间，可以直接将待存储数据存储至对应的掉电存储空间，提高了数据存储速度。
32.在上述的掉电处理方法的优选技术方案中，还包括：
33.所述主控芯片确定每种数据类型的待存储数据的数据量和每个掉电存储空间对应的容量；
34.所述主控芯片根据所述每种数据类型的待存储数据的数据量和每个掉电存储空间对应的容量，对所述待存储数据对应的掉电存储空间进行调整，以获取调整后的掉电存储空间，并确定所述调整后的掉电存储空间对应的调整后的存储通道；
35.则所述将所述待存储数据通过所述对应的存储通道，存储至所述对应的掉电存储空间中，包括：
36.所述主控芯片将所述待存储数据通过所述调整后的存储通道，存储至所述调整后的掉电存储空间中。
37.本实施例的有益效果：主控芯片可以根据每种数据类型的待存储数据的数据量和每个掉电存储空间对应的容量，对待存储数据对应的掉电存储空间进行调整，并获取调整后的掉电存储空间对应的调整后的存储通道，以保证数据量大的待存储数据可以分段式并行通过多个存储通道存储至对应的掉电存储空间中，缩短了全部的待存储数据的存储时间。
38.在上述的掉电处理方法的优选技术方案中，还包括：
39.所述主控芯片确定掉电存储空间的总个数和每种数据类型的待存储数据对应的优先级；
40.所述主控芯片根据所述掉电存储空间的总个数和每种数据类型的待存储数据对应的优先级，确定所述待存储数据对应的掉电存储空间的个数；
41.所述主控芯片根据所述掉电存储空间的个数，对所述待存储数据对应的掉电存储空间进行调整，以获取调整后的掉电存储空间，并确定所述调整后的掉电存储空间对应的调整后的存储通道；
42.则所述将所述待存储数据通过所述对应的存储通道，存储至所述对应的掉电存储空间中，包括：
43.所述主控芯片将所述待存储数据通过所述调整后的存储通道，存储至所述调整后的掉电存储空间中。
44.本实施例的有益效果：主控芯片可以根据掉电存储空间的总个数和每种数据类型的待存储数据对应的优先级，确定待存储数据对应的掉电存储空间的个数，并根据掉电存储空间的个数，对待存储数据对应的掉电存储空间进行调整，并获取调整后的掉电存储空间对应的调整后的存储通道，以保证优先级较高的待存储数据可以分段式并行通过多个存储通道，快速存储至掉电存储空间中，从而避免了优先级较高的待存储数据的出现掉电丢失的问题。
45.在上述的掉电处理方法的优选技术方案中，还包括：
46.所述主控芯片确定每个掉电存储空间的磨损度；
47.所述主控芯片根据所述每个掉电存储空间的磨损度，对所述待存储数据对应的掉电存储空间进行调整，以获取调整后的掉电存储空间，并确定所述调整后的掉电存储空间对应的调整后的存储通道；
48.则所述将所述待存储数据通过所述对应的存储通道，存储至所述对应的掉电存储空间中，包括：
49.所述主控芯片将所述待存储数据通过所述调整后的存储通道，存储至所述调整后的掉电存储空间中。
50.本实施例的有益效果：主控芯片根据掉电存储空间的磨损度，对存储通道和掉电存储空间进行调整，以保证主控芯片优先使用磨损度低的掉电存储空间存储待存储数据，提高了待存储数据存储安全性。
51.第二方面，本技术实施例提供一种掉电处理装置，包括：
52.控制模块，用于在检测到固态硬盘处于掉电状态时，控制备电电容对所述固态硬盘进行供电，并获取易失性存储器芯片中存储的待存储数据；其中，所述待存储数据包括多种数据类型的待存储数据；
53.处理模块，用于针对每种数据类型的待存储数据，根据所述待存储数据的数据类型，确定所述待存储数据对应的掉电存储空间，并将所述待存储数据存储至对应的掉电存储空间中；
54.其中，所述掉电存储空间包括至少一个非易失性存储器芯片中的部分存储空间，且所述掉电存储空间为单层单元类型的存储空间。
55.本实施例的有益效果：一方面，本实施例利用单层单元类型的存储空间的数据存储速度快的特点，在固态硬盘处于掉电状态时，将易失性存储器芯片中存储的待存储数据，存储至非易失性存储器芯片中的单层单元类型的掉电存储空间中，以提高待存储数据的存储速度，保证固态硬盘在有限的存储时间内，可以将大量的数据存储至非易失性存储器芯片中，降低了固态硬盘在掉电时，出现无法将易失性存储器芯片中的待存储数据全部写入到非易失性存储器芯片中的情况，进而导致出现待存储数据丢失的可能性。另一方面，本实施例可以直接根据待存储数据的数据类型，确定对应的掉电存储空间，并将待存储数据存储至对应的掉电存储空间，避免了耗费时间查找可利用的掉电存储空间，提高了待存储数据的存储速度。
56.在上述的掉电处理装置的优选技术方案中，所述处理模块，具体用于：
57.针对每种数据类型的待存储数据，根据所述待存储数据的数据类型，确定所述待存储数据对应的掉电存储空间，并确定所述对应的掉电存储空间对应的存储通道，并将所述待存储数据通过所述对应的存储通道，存储至所述对应的掉电存储空间中。
58.本实施例的有益效果：处理模块可以直接根据待存储数据的数据类型，确定对应的掉电存储空间，并确定该对应的掉电存储空间对应的存储通道，并将待存储数据通过对应的存储通道，直接存储至对应的掉电存储空间，避免了耗费时间查找可利用的掉电存储空间，提高了待存储数据的存储速度。
59.在上述的掉电处理装置的优选技术方案中，所述处理模块，具体用于：
60.读取所述易失性存储器芯片中存储的第一对应关系表和第二对应关系表，或者，读取所述非易失性存储器芯片中存储的所述第一对应关系表和所述第二对应关系表；其
中，所述第一对应关系表为数据类型与掉电存储空间的对应关系表，所述第二对应关系表为掉电存储空间与存储通道的对应关系表；
61.针对每种数据类型的待存储数据，根据所述待存储数据的数据类型和所述第一对应关系表，确定所述待存储数据对应的掉电存储空间，并根据所述对应的掉电存储空间和所述第二对应关系表，确定所述对应的掉电存储空间对应的存储通道，并将所述待存储数据通过所述对应的存储通道，存储至所述对应的掉电存储空间中。
62.本实施例的有益效果：数据类型与掉电存储空间的第一对应关系表和掉电存储空间与存储通道的第二对应关系表可以存储在易失性存储器芯片或者非易失性存储器芯片中，处理模块可以在固态硬盘掉电时，直接读取上述第一对应关系表和第二对应关系表，确定出适宜存储每种数据类型的待存储数据的掉电存储空间，以及通向该掉电存储空间的存储通道，从而使得主控芯片可以快速将待存储数据存储至掉电存储空间中，提高了待存储数据的存储速度。
63.在上述的掉电处理装置的优选技术方案中，所述处理模块，还用于：
64.针对每种数据类型的待存储数据，在将所述待存储数据通过所述对应的存储通道，存储至所述对应的掉电存储空间后，生成与所述待存储数据的数据类型对应的掉电数据完成标识，并将所述掉电数据完成标识存储至所述掉电存储空间；
65.在检测到所述固态硬盘处于上电状态，且所述掉电存储空间中存储掉电数据完成标识时，将所述掉电存储空间中存储的待存储数据，存储至所述非易失性存储器芯片的非掉电存储空间中。
66.本实施例的有益效果：处理模块在将待存储数据通过对应的存储通道，存储至对应的掉电存储空间后，生成与待存储数据的数据类型对应的掉电数据完成标识，以表示需要存储至该掉电存储空间的待存储数据已经存储完毕。处理模块将掉电数据完成标识存储至掉电存储空间中，以便于后续可以直接根据该掉电存储空间中是否存储掉电数据完成标识，确定待存储数据是否完整地存储至掉电存储空间，实现了处理模块对待存储数据的完整性校验。另外，处理模块在对掉电存储空间中的待存储数据进行完整性校验后，将校验成功的待存储数据存储至非易失性存储器芯片的非掉电存储空间中，一方面，相较于其他非单层单元类型的存储空间，掉电存储空间为单层单元类型的存储空间的可用容量小，将掉电存储空间中存储的待存储数据，存储至非易失性存储器芯片的非掉电存储空间中，可以减少待存储数据占用单元(cell)的个数；另一方面，将掉电存储空间中存储的待存储数据，存储至非易失性存储器芯片的非掉电存储空间中，后续可以对掉电存储空间进行数据清除处理，从而可以为固态硬盘的二次掉电提供可用的掉电存储空间，防止二次掉电时出现掉电存储空间不足的情况。
67.在上述的掉电处理装置的优选技术方案中，所述处理模块，具体用于：
68.在检测到所述固态硬盘处于上电状态，且所述掉电存储空间中存储掉电数据完成标识时，将所述掉电存储空间中存储的待存储数据，存储至所述易失性存储器芯片中；
69.将所述易失性存储器芯片中存储的待存储数据，存储至所述非易失性存储器芯片的非掉电存储空间中。
70.本实施例的有益效果：处理模块在将掉电存储空间中存储的待存储数据，存储至非易失性存储器芯片的非掉电存储空间时，可以先将待存储数据存储至易失性存储器芯片
中进行管理，再将易失性存储器芯片中的待存储数据存储至非易失性存储器芯片的非掉电存储空间中，可以使得处理模块在易失性存储器芯片中存储的待存储数据达到一定数据量时，再将易失性存储器芯片中存储的待存储数据存储至非易失性存储器芯片的非掉电存储空间中，减少了非易失性存储器芯片的访问次数，延长了固态硬盘的使用寿命。
71.在上述掉电处理装置的优选技术方案中，所述处理模块，具体用于：
72.在检测到所述固态硬盘处于上电状态，且所述掉电存储空间中存储掉电数据完成标识时，直接将所述掉电存储空间中存储的待存储数据，存储至所述非易失性存储器芯片的非掉电存储空间中。
73.本实施例的有益效果：处理模块可以直接将获取的掉电存储空间中存储的待存储数据，存储至非易失性存储器芯片的非掉电存储空间中，提高了数据存储速度。
74.在上述的掉电处理装置的优选技术方案中，所述处理模块，还用于：
75.将所述掉电存储空间格式化为所述单层单元类型的存储空间，以对所述掉电存储空间进行数据清除处理。
76.本实施例的有益效果：处理模块在将掉电存储空间中的待存储数据存储至非掉电存储空间中后，可以将掉电存储空间格式化为单层单元类型的存储空间，以对掉电存储空间进行数据清除处理，保证固态硬盘二次掉电时，处理模块无需耗费时间查找可用的掉电存储空间，可以直接将待存储数据存储至对应的掉电存储空间，提高了数据存储速度。
77.在上述的掉电处理装置的优选技术方案中，所述处理模块，还用于：
78.确定每种数据类型的待存储数据的数据量和每个掉电存储空间对应的容量；
79.根据所述每种数据类型的待存储数据的数据量和每个掉电存储空间对应的容量，对所述待存储数据对应的掉电存储空间进行调整，以获取调整后的掉电存储空间，并确定所述调整后的掉电存储空间对应的调整后的存储通道；
80.所述主控芯片将所述待存储数据通过所述调整后的存储通道，存储至所述调整后的掉电存储空间中。
81.本实施例的有益效果：处理模块可以根据每种数据类型的待存储数据的数据量和每个掉电存储空间对应的容量，对待存储数据对应的掉电存储空间进行调整，并获取调整后的掉电存储空间对应的调整后的存储通道，以保证数据量大的待存储数据可以分段式并行通过多个存储通道存储至对应的掉电存储空间中，缩短了全部的待存储数据的存储时间。
82.在上述的掉电处理装置的优选技术方案中，所述处理模块，还用于：
83.确定掉电存储空间的总个数和每种数据类型的待存储数据对应的优先级；
84.根据所述掉电存储空间的总个数和每种数据类型的待存储数据对应的优先级，确定所述待存储数据对应的掉电存储空间的个数；
85.根据所述掉电存储空间的个数，对所述待存储数据对应的掉电存储空间进行调整，以获取调整后的掉电存储空间，并确定所述调整后的掉电存储空间对应的调整后的存储通道；
86.将所述待存储数据通过所述调整后的存储通道，存储至所述调整后的掉电存储空间中。
87.本实施例的有益效果：处理模块可以根据掉电存储空间的总个数和每种数据类型
的待存储数据对应的优先级，确定待存储数据对应的掉电存储空间的个数，并根据掉电存储空间的个数，对待存储数据对应的掉电存储空间进行调整，并获取调整后的掉电存储空间对应的调整后的存储通道，以保证优先级较高的待存储数据可以分段式并行通过多个存储通道，快速存储至掉电存储空间中，从而避免了优先级较高的待存储数据的出现掉电丢失的问题。
88.在上述的掉电处理装置的优选技术方案中，所述处理模块，还用于：
89.确定每个掉电存储空间的磨损度；
90.根据所述每个掉电存储空间的磨损度，对所述待存储数据对应的掉电存储空间进行调整，以获取调整后的掉电存储空间，并确定所述调整后的掉电存储空间对应的调整后的存储通道；
91.将所述待存储数据通过所述调整后的存储通道，存储至所述调整后的掉电存储空间中。
92.本实施例的有益效果：处理模块根据掉电存储空间的磨损度，对存储通道和掉电存储空间进行调整，以保证主控芯片优先使用磨损度低的掉电存储空间存储待存储数据，提高了待存储数据存储安全性。
93.第三方面，本技术实施例提供一种固态硬盘，包括：
94.主控芯片，以及与所述主控芯片电连接的备电电容、易失性存储器芯片和至少一个非易失性存储器芯片；其中，
95.所述主控芯片，用于在检测到所述固态硬盘处于掉电状态时，控制所述备电电容对所述固态硬盘进行供电，并获取所述易失性存储器芯片中存储的待存储数据；其中，所述待存储数据包括多种数据类型的待存储数据；
96.所述主控芯片，还用于针对每种数据类型的待存储数据，根据所述待存储数据的数据类型，确定所述待存储数据对应的掉电存储空间，并将所述待存储数据通过对应的存储通道，存储至对应的掉电存储空间中；
97.其中，所述掉电存储空间包括至少一个所述非易失性存储器芯片中的部分存储空间，且所述掉电存储空间为单层单元类型的存储空间。
98.本实施例的有益效果：一方面，本实施例利用单层单元类型的存储空间的数据存储速度快的特点，在固态硬盘处于掉电状态时，将易失性存储器芯片中存储的待存储数据，存储至非易失性存储器芯片中的单层单元类型的掉电存储空间中，以提高待存储数据的存储速度，保证固态硬盘在有限的存储时间内，可以将大量的数据存储至非易失性存储器芯片中，降低了固态硬盘在掉电时，出现无法将易失性存储器芯片中的待存储数据全部写入到非易失性存储器芯片中的情况，进而导致出现待存储数据丢失的可能性。另一方面，本实施例可以直接根据待存储数据的数据类型，确定对应的掉电存储空间，并将待存储数据存储至对应的掉电存储空间，避免了耗费时间查找可利用的掉电存储空间，提高了待存储数据的存储速度。
99.第四方面，本技术实施例提供一种计算设备，包括主板和第三方面所述的固态硬盘；
100.其中，所述主板包括主板接口，所述固态硬盘包括硬盘连接器；
101.所述主板通过所述主板接口和所述硬盘连接器，与所述固态硬盘连接。
102.本实施例的有益效果：一方面，本实施例利用单层单元类型的存储空间的数据存储速度快的特点，在固态硬盘处于掉电状态时，将易失性存储器芯片中存储的待存储数据，存储至非易失性存储器芯片中的单层单元类型的掉电存储空间中，以提高待存储数据的存储速度，保证固态硬盘在有限的存储时间内，可以将大量的数据存储至非易失性存储器芯片中，降低了固态硬盘在掉电时，出现无法将易失性存储器芯片中的待存储数据全部写入到非易失性存储器芯片中的情况，进而导致出现待存储数据丢失的可能性。另一方面，本实施例可以直接根据待存储数据的数据类型，确定对应的掉电存储空间，并将待存储数据存储至对应的掉电存储空间，避免了耗费时间查找可利用的掉电存储空间，提高了待存储数据的存储速度。
103.第五方面，本技术实施例提供一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质中存储有计算机执行指令，所述计算机执行指令被处理器执行时用于实现第一方面所述的固态硬盘的掉电处理方法。
104.本实施例的有益效果：一方面，本实施例利用单层单元类型的存储空间的数据存储速度快的特点，在固态硬盘处于掉电状态时，将易失性存储器芯片中存储的待存储数据，存储至非易失性存储器芯片中的单层单元类型的掉电存储空间中，以提高待存储数据的存储速度，保证固态硬盘在有限的存储时间内，可以将大量的数据存储至非易失性存储器芯片中，降低了固态硬盘在掉电时，出现无法将易失性存储器芯片中的待存储数据全部写入到非易失性存储器芯片中的情况，进而导致出现待存储数据丢失的可能性。另一方面，本实施例可以直接根据待存储数据的数据类型，确定对应的掉电存储空间，并将待存储数据存储至对应的掉电存储空间，避免了耗费时间查找可利用的掉电存储空间，提高了待存储数据的存储速度。
附图说明
105.为了更清楚地说明本技术实施例或相关技术中的技术方案，下面将对实施例或相关技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
106.图1为本技术实施例提供的一种固态硬盘的结构图；
107.图2为本技术实施例提供的一种掉电处理方法实施例一的流程示意图；
108.图3为本技术实施例提供的一种掉电处理方法实施例二的流程示意图；
109.图4为本技术实施例提供的一种掉电处理方法实施例三的流程示意图；
110.图5为本技术实施例提供的一种掉电处理方法实施例四的流程示意图；
111.图6为本技术实施例提供的一种掉电处理方法实施例五的流程示意图；
112.图7为本技术实施例提供的一种掉电处理装置实施例的结构示意图；
113.图8为本技术实施例提供的一种计算设备的结构示意图。
具体实施方式
114.为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是
本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在根据本实施例的启示下作出的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
115.本技术的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”、“第三”“第四”等(如果存在)是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本技术的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
116.名词解释：
117.固态硬盘(solid state disk或solid state drive，简称ssd)：又称固态驱动器，是用固态电子存储器芯片阵列制成的硬盘。
118.存储器芯片：属于通用集成电路，是嵌入式系统芯片的概念在存储行业的具体应用。通过在单一芯片中嵌入软件，实现多功能和高性能，以及对多种协议、多种硬件和不同应用的支持。市场最常用的存储器芯片包括易失性存储器芯片(如动态随机访问存储器(dynamic random access memory，简称dram))和非易失性存储器芯片(如闪存芯片nand flash)。
119.存储通道：主控芯片与非易失性存储器芯片之间的链接路径，用于向非易失性存储器芯片下发io读写操作和控制命令，每个存储通道之下可以连接至少一个非易失性存储器芯片。
120.闪存转换层(flash translation layer，简称ftl)映射表：固态硬盘内部维护的逻辑块地址(logical block address，简称lba)(对使用者可见的空间地址)与实际固态硬盘内部的闪存空间分配范围——物理块地址(physical block address，简称pba)的对应关系转换表。通过该表可以控制待存储数据的实际存放物理位置。
121.相关技术中，固态硬盘内置的备电电容可以在固态硬盘处于掉电状态时，对固态硬盘进行短暂供电，以使主控芯片可以将易失性存储器芯片中的数据写入到非易失性存储器芯片中。但是，固态硬盘的备电电容的供电时间较短，导致固态硬盘在掉电时，无法将易失性存储器芯片中的待存储数据全部写入到非易失性存储器芯片中，进而导致出现数据丢失的问题。
122.基于上述技术问题，本技术实施例提出了一种在固态硬盘掉电时，提高主控芯片将待存储数据存储至非易失性存储器芯片的速度的方法。
123.下面对本技术实施例的固态硬盘的掉电处理方案进行详细的说明。
124.示例性地，图1为本技术实施例提供的一种固态硬盘的结构图，如图1所示，该固态硬盘10可以包括：主控芯片101、易失性存储器芯片102、至少一个非易失性存储器芯片以及备电电容103。示例性地，图1示出了四个非易失性存储器芯片，分别为非易失性存储器芯片104、非易失性存储器芯片105、非易失性存储器芯片106以及非易失性存储器芯片107。其中，主控芯片101通过第一存储通道与非易失性存储器芯片104连接，通过第二存储通道与非易失性存储器芯片105连接，通过第三存储通道与非易失性存储器芯片106连接，通过第三存储通道与非易失性存储器芯片107连接。需要说明的是，一个存储通道可以对应至少一
个非易失性存储器芯片。还需要说明的是，主控芯片101可以通过易失性存储通道与易失性存储器芯片102连接，主控芯片101还可以与备电电容103电连接。
125.另外，固态硬盘10还可以包括硬盘连接器(图1未示出)，以便固态硬盘10可以通过硬盘连接器与计算设备连接。其中，计算设备可以是终端设备(如手机、电脑)、服务器等设备。
126.需要说明的是，主控芯片101作为固态硬盘10的控制单元，协调整个固态硬盘10的运作和数据存储。例如，存储至易失性存储器芯片102中的待存储数据，需要经主控芯片101存储至非易失性存储器芯片中，也就是说，主控芯片101可以获取存储在易失性存储器芯片102中的待存储数据，并将该待存储数据存储至非易失性存储器芯片中。还需要说明的是，主控芯片101可以为系统级芯片——片上系统(system on chip，简称soc)，主控芯片101也可以为芯片级芯片——微控制单元(micro control unit，简称mcu)，主控芯片101还可以是其他具有控制处理能力的芯片。
127.还需要说明的是，备电电容103为设置在固态硬盘10上的备用供电设备，举例来说，备电电容103可以为电池备用单元(backup battery unit，简称bbu)，也可以为不间断电源(uninterruptible power supply，简称ups)。
128.易失性存储器芯片102作为固态硬盘10临时保存数据的存储单元，具备掉电即丢失数据的特点。易失性存储器芯片102可以为动态随机存储器(dynamic random access memory，简称dram)，也可以为静态随机存储器(static random access memory，简称sram)，还可以是其他需要供电才能存储数据的芯片。
129.非易失性存储器芯片作为固态硬盘10永久保存数据的存储单元，具备掉电仍可保存数据的特点。非易失性存储器芯片可以为只读内存(read only memory，简称rom)，可以为可编程只读内存(programmable read only memory，简称prom)，可以为电可改写只读内存(electrically alterable read only memory，简称earom)，可以为闪存(flash memory)，还可以是其他不需要供电也可以存储数据的芯片。
130.需要说明的是，图1仅是本技术实施例提供的一种固态硬盘的结构图，本技术实施例不对图1中包括的各种设备的实际形态进行限定，也不对图1中设备之间的交互方式进行限定，在方案的应用中，可以根据实际需求设定。
131.下面，通过具体实施例对本技术实施例的技术方案进行详细说明。需要说明的是，下面这几个具体的实施例可以相互结合，对于相同或相似的概念或过程可能在某些实施例中不再赘述。
132.图2为本技术实施例提供的一种掉电处理方法实施例一的流程示意图。参见图2，该方法具体包括以下步骤：
133.s201：主控芯片在检测到固态硬盘处于掉电状态时，控制备电电容对固态硬盘进行供电，并获取易失性存储器芯片中存储的待存储数据。
134.在本实施例中，当固态硬盘通过硬盘连接器与计算设备的主板插接时，计算设备可以对固态硬盘进行供电。主控芯片可以控制计算设备充当主供电装置，以使计算设备对固态硬盘进行整盘供电，也就是说，控制计算设备对主控芯片、易失性存储器芯片以及非易失性存储器芯片进行供电。
135.主控芯片可以检测固态硬盘是否处于掉电状态，也就是说，检测计算设备当前是
否充当主供电装置，通过硬盘连接器对固态硬盘进行整盘供电。在一种实现方式中，主控芯片可以根据计算设备对固态硬盘进行供电的供电电流值是否低于预设电流值，确定固态硬盘是否处于掉电状态。在一种实现方式中，主控芯片可以根据计算设备对固态硬盘进行供电的供电电压值是否低于预设电压值，确定固态硬盘是否处于掉电状态。在一种实现方式中，主控芯片可以根据计算设备对固态硬盘进行供电的供电频率是否小于预设供电频率，确定固态硬盘是否处于掉电状态。
136.主控芯片在检测到固态硬盘处于掉电状态时，也就是说，确定计算设备当前未充当主供电装置对固态硬盘进行整盘供电时，控制备电电容对固态硬盘进行整盘供电。一方面，主控芯片控制备电电容对固态硬盘进行供电，可以使得主控芯片可以执行固态硬盘的掉电处理方法。另一方面，由于易失性存储器芯片为易失性介质，存在掉电即丢失数据的特性，因此，主控芯片控制备电电容对固态硬盘进行供电，可以避免易失性存储器芯片因掉电而丢失存储在易失性存储器芯片中的待存储数据。
137.另外，主控芯片在检测到固态硬盘处于掉电状态时，还可以获取易失性存储器芯片中存储的待存储数据，其中，待存储数据包括多种数据类型的待存储数据。举例来说，待存储数据包括用户数据类型的待存储数据、元数据类型的待存储数据、待刷的ftl数据类型的待存储数据。
138.s202：主控芯片针对每种数据类型的待存储数据，根据待存储数据的数据类型，确定待存储数据对应的掉电存储空间，并将待存储数据存储至对应的掉电存储空间中。
139.在本实施例中，固态硬盘内部包括多个存储通道(channel，简称ch)，每个ch对应至少一个芯片使能(chip enable，简称ce)，也就是说，每个存储通道对应至少一个非易失性存储器芯片。每个ce包括多个核心(die)，每个die包括多个平面(plane)，每个plane包括多个块(block)，其中，block为最小擦除单元。每个block包括多个页(page)，其中，page为最小读写单元。每个page包括多个单元(cell)，其中，cell为最小数据存储单元。
140.非易失性存储器芯片中的单元可以以存储的位数不同划分类型，分别为单层单元(single-level cell，简称slc)类型、双层单元(multi-level cell，简称mlc)类型及三层单元(trinary-level cell，简称tlc)类型等等。slc类型的存储空间中，每个单元储存1比特的数据；mlc类型的存储空间中，每个单元储存2比特的数据；tlc类型的存储空间中，每个单元储存3比特的数据。一个单元上，一次存储的位数越多，该单元拥有的容量就越大。另外，需要说明的是，slc类型的存储空间的写时延为200-300微秒，mlc类型的存储空间的写时延为600-900微秒，tlc类型的存储空间的写时延为900-1350微秒，也就是说，slc类型的存储空间存储速度最快。
141.主控芯片可以将固态硬盘中的至少一个非易失性存储器芯片中的部分存储空间格式化为单层单元类型的存储空间，并将该存储空间确定为掉电存储空间。其中，掉电存储空间包括多种数据类型的待存储数据对应的掉电存储空间。
142.在一种实现方式中，主控芯片可以在固态硬盘初始化时，基于计算设备发送的初始化指令，将固态硬盘中的至少一个非易失性存储器芯片中的部分存储空间格式化为单层单元类型的存储空间，并将该存储空间确定为掉电存储空间。需要说明的是，掉电存储空间可以为一个存储通道下的一个非易失性存储器芯片中的部分存储空间，可以为一个存储通道下的一个非易失性存储器芯片中的全部存储空间；可以为一个存储通道下的多个非易失
性存储器芯片中的部分存储空间；可以为一个存储通道下的多个非易失性存储器芯片中的全部存储空间；还可以为多个存储通道分别对应的一个或多个非易失性存储器芯片中的部分或全部存储空间。本实施例对此不进行限制。还需要说明的是，在一种实现方式中，掉电存储空间还可以为固态硬盘外接的至少一个性能更高的单存储颗粒(非易失性存储器芯片(如傲腾芯片))中的部分或者全部的存储空间。
143.在另一种实现方式中，主控芯片可以在固态硬盘不处于掉电状态的任一时刻，基于计算设备发送的初始化指令，将固态硬盘中的至少一个非易失性存储器芯片中的部分存储空间格式化为单层单元类型的存储空间，并将该存储空间确定为掉电存储空间。
144.在又一种实现方式中，主控芯片可以在固态硬盘处于掉电状态时，基于掉电存储空间容量无法满足当前的存储需求的信息，将固态硬盘中的至少一个非易失性存储器芯片中的部分存储空间格式化为单层单元类型的存储空间，并将该存储空间确定为掉电存储空间。
145.具体地，非易失性存储器芯片中存储的待存储数据是以电荷的方式存储在每个非易失性存储器芯片的每个单元中的。主控芯片在将非易失性存储器芯片中的部分存储空间格式化为单层单元类型的存储空间时，是通过修改至少一个非易失性存储器芯片中的部分存储空间对应的cell存储数据的阈值电压的个数，将固态硬盘中的至少一个非易失性存储器芯片中的部分存储空间格式化为单层单元类型的。示例性地，当阈值电压的个数为1时，存储空间为单层单元类型，当阈值电压的个数为3时，存储空间为双层单元类型，当阈值电压的个数为7时，存储空间为三层单元类型。
146.在本实施例中，主控芯片针对每种数据类型的待存储数据，可以根据待存储数据的数据类型，确定出对应的掉电存储空间，并直接将待存储数据，存储至对应的掉电存储空间中。具体地，基于主控芯片是通过存储通道与非易失性存储器芯片连接，也就是说，主控芯片是通过存储通道，将待存储数据存储至掉电存储空间，因此，主控芯片可以在确定待存储数据对应的掉电存储空间时，确定出掉电存储空间对应的存储通道，并将待存储数据通过对应的存储通道，存储至对应的掉电存储空间中。
147.需要说明的是，易失性存储器芯片中可以存储待存储数据的数据类型与掉电存储空间的第一对应关系表，并存储掉电存储空间与存储通道的第二对应关系表；非易失性存储器芯片中也可以存储待存储数据的数据类型与掉电存储空间的第一对应关系表，并存储掉电存储空间与存储通道的第二对应关系表。主控芯片在控制备电电容对固态硬盘进行供电后，可以读取存储在易失性存储器芯片中的上述两个对应关系表，或者，读取存储在非易失性存储器芯片中的上述两个对应关系表，从而根据上述第一对应关系表和待存储数据的数据类型，确定待存储数据对应的掉电存储空间，并根据该对应的掉电存储空间和第二对应关系表，确定出掉电存储空间对应的存储通道，以将待存储数据通过对应的存储通道，存储至对应的掉电存储空间中。
148.还需要说明的是，主控芯片在将每种数据类型的待存储数据分别通过对应的存储通道存储至对应的掉电存储空间时，是并行存储的，也就是说，主控芯片是同时将多种数据类型的待存储数据通过对应的存储通道，存储至对应的掉电存储空间的。举例来说，主控芯片在确定待存储数据包括用户数据类型的待存储数据和元数据类型的待存储数据后，可以根据上述第一对应关系表和第二对应关系表，确定出用户数据类型的待存储数据，对应的
掉电存储空间为第一掉电存储空间，并确定出第一掉电存储空间对应的存储通道为第一存储通道；主控芯片可以根据上述第一对应关系表和第二对应关系表，确定出元数据类型的待存储数据，对应的掉电存储空间为第二掉电存储空间和第三掉电存储空间，并确定出第二掉电存储空间和第三掉电存储空间对应的存储通道为第二存储通道和第三存储通道，其中，第二掉电存储空间与第二存储通道对应，第三掉电存储空间与第三存储通道对应。主控芯片可以对元数据类型的待存储数据进行分割，获取元数据类型的第一待存储数据和元数据类型的第二待存储数据。主控芯片可以通过第一存储通道将用户数据类型的待存储数据存储至第一掉电存储空间，同时通过第二存储通道，将元数据类型的第一待存储数据存储至第二掉电存储空间，并同时通过第三存储通道，将元数据类型的第二待存储数据存储至第三掉电存储空间。
149.还需要说明的是，主控芯片在将固态硬盘中的至少一个非易失性存储器芯片中的部分存储空间格式化为单层单元类型的存储空间，并将该存储空间确定为掉电存储空间时，也就是说，主控芯片在确定掉电存储空间时，可以根据该掉电存储空间的物理位置，修改闪存转换层映射表中的闪存空间分配范围，主控芯片可以根据修改后的闪存转换层映射表中的闪存空间分配范围，将从易失性存储器芯片处获取的待存储数据，通过对应的存储通道，存储至掉电存储空间对应的物理位置处。
150.本实施例中，主控芯片在检测到固态硬盘处于掉电状态时，控制备电电容对固态硬盘进行供电，并利用单层单元类型的存储空间存储数据的速度快的特点，将易失性存储器芯片中存储的待存储数据，存储至非易失性存储器芯片中的单层单元类型的掉电存储空间中，以提高待存储数据的存储速度，保证固态硬盘在有限的存储时间内，可以将大量的数据存储至非易失性存储器芯片中，降低了固态硬盘在掉电时，无法将易失性存储器芯片中的待存储数据全部写入到非易失性存储器芯片中，进而出现数据丢失的可能性。此外，本实施例可以直接根据待存储数据的数据类型，确定待存储数据对应的掉电存储空间，并确定出掉电存储空间对应的存储通道，并将待存储数据通过对应的存储通道，存储至对应的掉电存储空间，避免了可利用的掉电存储空间的查找，提高了待存储数据的存储速度。
151.在前述方法实施例一的基础上，下面通过方法实施例二，对主控芯片在将待存储数据存储至掉电存储空间后，将掉电存储空间中存储的待存储数据存储至非易失性存储器芯片的非掉电存储空间的过程进行详细说明。
152.图3为本技术实施例提供的一种掉电保护方法实施例二的流程示意图，该方法具体包括以下步骤：
153.s301：主控芯片针对每种数据类型的待存储数据，在将待存储数据通过对应的存储通道，存储至对应的掉电存储空间后，生成与待存储数据的数据类型对应的掉电数据完成标识，并将掉电数据完成标识存储至掉电存储空间。
154.在本实施例中，主控芯片针对每种数据类型的待存储数据，在将待存储数据通过对应的存储通道，存储至对应的掉电存储空间后，可以生成与待存储数据的数据类型的对应的掉电数据完成标识，并将该掉电数据完成标识存储至掉电存储空间中。
155.举例来说，主控芯片针对用户数据类型的待存储数据，可以确定出该种类型的待存储数据对应的掉电存储空间为第一掉电存储空间，第一掉电存储空间对应的存储通道为第一存储通道。主控芯片可以在将用户数据类型的待存储数据，通过第一存储通道，存储至
第一掉电存储空间后，生成与用户数据类型对应的第一掉电数据完成标识，并将第一掉电数据完成标识存储至第一掉电存储空间中。
156.又例如，主控芯片针对元数据类型的待存储数据，可以确定该种类型的待存储数据对应的掉电存储空间为第二掉电存储空间和第三掉电存储空间，并确定第二掉电存储空间和第三掉电存储空间对应的存储通道为第二存储通道和第三存储通道。其中，第二存储通道为主控芯片通向第二掉电存储空间的存储通道，第三存储通道为主控芯片通向第三掉电存储空间的存储通道。主控芯片可以对元数据类型的待存储数据进行分割，获取元数据类型的第一待存储数据和元数据类型的第二待存储数据，主控芯片在将元数据类型的第一待存储数据通过第二通道，存储至第二掉电存储空间后，可以生成与元数据类型对应的第二掉电数据完成标识，并将第二掉电数据完成标识存储至第二掉电存储空间中。主控芯片在将元数据类型的第二待存储数据通过第三通道，存储至第三掉电存储空间后，可以生成与元数据类型对应的第三掉电数据完成标识，并将第三掉电数据完成标识存储至第三掉电存储空间中。
157.s302：主控芯片在检测到固态硬盘处于上电状态，且掉电存储空间中存储掉电数据完成标识时，将掉电存储空间中存储的待存储数据，存储至非易失性存储器芯片的非掉电存储空间中。
158.在本实施例中，主控芯片在检测到固态硬盘处于上电状态时，即在检测到固态硬盘不处于掉电状态时，可以检测掉电存储空间中是否存储掉电数据完成标识。主控芯片在检测到掉电存储空间中存储掉电数据完成标识时，确定需要存储至该掉电存储空间中的待存储数据存储完毕，主控芯片可以将掉电存储空间中存储的待存储数据，存储至非易失性存储器芯片的非掉电存储空间中。另外，主控芯片在检测到掉电存储空间中未存储掉电数据完成标识时，确定需要存储至该掉电存储空间中的待存储数据未存储完毕，此时主控芯片可以对需要存储至该掉电存储空间中的待存储数据进行修复处理。
159.具体地，主控芯片在将掉电存储空间中存储的待存储数据，存储至非易失性存储器芯片的非掉电存储空间的过程中，一种实现方式是主控芯片将掉电存储空间中存储的待存储数据，存储至易失性存储器芯片中，以使易失性存储器芯片对该待存储数据进行数据整理，主控芯片将易失性存储器芯片中存储的待存储数据，存储至非易失性存储器芯片的非掉电存储空间中。另一种实现方式是主控芯片直接将掉电存储空间中的待存储数据，存储至非易失性存储器芯片的非掉电存储空间中。需要说明的是，非易失性存储器芯片的非掉电存储空间可以为单层单元类型的存储空间，也可以为双层单元类型的存储空间，还可以为三层单元类型的存储空间，本实施例对此不进行限制。
160.还需要说明的是，主控芯片在将全部的掉电存储空间中存储的待存储数据，存储至非易失性存储器芯片的非掉电存储空间后，可以采用整块(block)擦除的方式，将掉电存储空间格式化为单层单元类型的存储空间(空闲可用的掉电存储空间)，以对掉电存储空间进行数据清除处理，以保证在固态硬盘二次掉电时，主控芯片无需耗费时间查找可用的掉电存储空间，直接将待存储数据存储至对应的掉电存储空间中。
161.本实施例中，主控芯片在将待存储数据通过对应的存储通道，存储至对应的掉电存储空间后，生成与待存储数据的类型对应的掉电数据完成标识，以表示需要存储至该掉电存储空间的待存储数据已经存储完毕。主控芯片将掉电数据完成标识存储至掉电存储空
间中，以便于后续可以直接根据该掉电存储空间中是否存储掉电数据完成标识，确定待存储数据是否完整地存储至掉电存储空间，实现了主控芯片对待存储数据的完整性校验。另外，主控芯片在对掉电存储空间中的待存储数据进行完整性校验后，将校验成功的待存储数据存储至非易失性存储器芯片的非掉电存储空间中，一方面，相较于其他非单层单元类型的存储空间，掉电存储空间为单层单元类型的存储空间的可用容量小，将掉电存储空间中存储的待存储数据，存储至非易失性存储器芯片的非掉电存储空间中，可以减少待存储数据占用的单元(cell)的个数；另一方面，将掉电存储空间中存储的待存储数据，存储至非易失性存储器芯片的非掉电存储空间中，后续可以采用整块擦除的方式，对掉电存储空间进行数据清除处理，以获取空闲可用的掉电存储空间，从而可以为固态硬盘的二次掉电提供可用的掉电存储空间，防止二次掉电时出现掉电存储空间不足的情况。
162.在前述方法实施例一的基础上，下面通过方法实施例三，对主控芯片确定存储通道和掉电存储空间，并将待存储数据通过对应的存储通道，存储至对应的掉电存储空间的一种具体实现过程进行详细说明。
163.图4为本技术实施例提供的一种掉电保护方法实施例三的流程示意图，该方法具体包括以下步骤：
164.s401：主控芯片针对每种数据类型的待存储数据，根据待存储数据的数据类型，确定待存储数据对应的掉电存储空间，并确定对应的掉电存储空间对应的存储通道。
165.在本实施例中，主控芯片针对每种数据类型的待存储数据，可以根据待存储数据的数据类型，确定待存储数据对应的掉电存储空间，并确定通向该掉电存储空间的存储通道。
166.举例来说，主控芯片可以确定与用户数据类型对应的掉电存储空间为第一掉电存储空间，与第一掉电存储空间对应的存储通道为第一存储通道，其中，第一存储通道为主控芯片通向第一掉电存储空间的存储通道。主控芯片可以确定与元数据类型对应的掉电存储空间为第二掉电存储空间和第三掉电存储空间，与第二掉电存储空间和第三掉电存储空间对应的存储通道为第二存储通道和第三存储通道，其中，第二存储通道为主控芯片通向第二掉电存储空间的存储通道，第三存储通道为主控芯片通向第三掉电存储空间的存储通道。
167.s402：主控芯片确定每种数据类型的待存储数据的数据量和每个掉电存储空间对应的容量。
168.在本实施例中，主控芯片可以获取每种数据类型的待存储数据的数据量和每个掉电存储空间对应的容量。
169.举例来说，主控芯片在确定易失性存储器芯片中存储的待存储数据包括用户数据类型的待存储数据和元数据类型的待存储数据时，可以确定用户数据类型的待存储数据的数据量为3mb，元数据类型的待存储数据的数据量为1mb。主控芯片还可以确定与用户数据类型对应的掉电存储空间为第一掉电存储空间，第一掉电存储空间对应的容量皆为2mb。主控芯片还可以确定与元数据类型对应的掉电存储空间为第二掉电存储空间和第三掉电存储空间，并确定第二掉电存储空间和第三掉电存储空间对应的容量为2mb。
170.s403：主控芯片根据每种数据类型的待存储数据的数据量和每个掉电存储空间对应的容量，对待存储数据对应的掉电存储空间进行调整，以获取调整后的掉电存储空间，并
确定调整后的掉电存储空间对应的调整后的存储通道。
171.在本实施例中，主控芯片可以根据每种数据类型的待存储数据的数据量和每个掉电存储空间对应的容量，对待存储数据对应的掉电存储空间进行调整，以获取调整后的掉电存储空间，并确定调整后的掉电存储空间对应的调整后的存储通道。
172.举例来说，主控芯片在确定第一掉电存储空间(容量为2mb)无法存储用户数据类型的待存储数据(数据量为3mb)时，可以对待存储数据对应的掉电存储空间进行调整，确定与用户数据类型的待存储数据对应的掉电存储空间为第一掉电存储空间(容量为2mb)和第二掉电存储空间(容量为2mb)，确定与元数据类型的待存储数据对应的掉电存储空间为第三掉电存储空间(容量为2mb)。由于第一存储通道为主控芯片通向第一掉电存储空间的存储通道，第二存储通道为主控芯片通向第二掉电存储空间的存储通道，第三存储通道为主控芯片通向第三掉电存储空间的存储通道，因此，主控芯片确定用于传输用户数据类型的待存储数据的存储通道为第一存储通道(与第一掉电存储空间对应)和第二存储通道(与第二掉电存储空间对应)，用于传输元数据类型的待存储数据的存储通道为第三存储通道(与第三掉电存储空间对应)。
173.s404：主控芯片将待存储数据通过调整后的存储通道，存储至调整后的掉电存储空间中。
174.在本实施例中，主控芯片在确定调整后的存储通道和调整后的掉电存储空间后，可以将待存储数据通过调整后的存储通道，存储至调整后的掉电存储空间中。
175.需要说明的是，主控芯片在确定调整后的掉电存储空间后，可以根据该调整后的掉电存储空间，更新存储在易失性存储器芯片和至少一个非易失性存储器芯片中存储的第一对应关系表(待存储数据的类型与掉电存储空间的对应关系表)，以使得主控芯片在固态硬盘发生二次掉电时，可以根据更新后的对应关系表，确定待存储数据的类型对应的掉电存储空间。
176.本实施例中，主控芯片可以根据每种数据类型的待存储数据的数据量和每个掉电存储空间对应的容量，对待存储数据对应的掉电存储空间进行调整，以获取调整后的掉电存储空间，并确定调整后的掉电存储空间对应的调整后的存储通道，以保证数据量大的待存储数据可以通过多个存储通道，并行存储至多个对应的掉电存储空间中，缩短了数据量大的待存储数据存储至非易失性存储器芯片的时间，进而可以保证全部的待存储数据可以在有限的时间内，完全存储至非易失性存储器芯片中。
177.在前述方法实施例一的基础上，下面通过方法实施例四，对主控芯片确定存储通道和掉电存储空间，并将待存储数据通过对应的存储通道，存储至对应的掉电存储空间的另一种具体实现过程进行详细说明。
178.图5为本技术实施例提供的一种掉电保护方法实施例四的流程示意图，该方法具体包括以下步骤：
179.s501：主控芯片针对每种数据类型的待存储数据，根据待存储数据的数据类型，确定待存储数据对应的掉电存储空间，并确定对应的掉电存储空间对应的存储通道。
180.在本实施例中，主控芯片针对每种数据类型的待存储数据，根据待存储数据的数据类型，确定待存储数据对应的掉电存储空间，并确定该对应的掉电存储空间对应的存储通道。
181.举例来说，主控芯片根据待存储数据的数据类型与掉电存储空间的第一对应关系表，确定用户数据类型的待存储数据对应的掉电存储空间为第一掉电存储空间和第二掉电存储空间，并根据掉电存储空间与存储通道的第二对应关系表，确定第一掉电存储空间对应的存储通道为第一存储通道，确定第二掉电存储空间对应的存储通道为第二存储通道，也就是说，主控芯片可以确定用户数据类型的待存储数据对应的存储通道为第一存储通道和第二存储通道。主控芯片确定元数据类型的待存储数据对应的掉电存储空间为第三掉电存储空间，确定第三掉电存储空间对应的存储通道为第三存储通道，也就是说，主控芯片可以确定元数据类型的待存储数据对应的存储通道为第三存储通道。
182.s502：主控芯片确定掉电存储空间的总个数和每种数据类型的待存储数据对应的优先级。
183.在本实施例中，主控芯片可以获取掉电存储空间的总个数和每种数据类型的待存储数据的优先级。
184.举例来说，主控芯片可以获取掉电存储空间的总个数为3，用户数据类型的待存储数据的优先级为低等级，元数据类型的待存储数据的优先级为高等级。
185.s503：主控芯片根据掉电存储空间的总个数和每种数据类型的待存储数据对应的优先级，确定待存储数据对应的掉电存储空间的个数。
186.在本实施例中，易失性存储器芯片和至少一个非易失性存储器芯片中可以存储优先级、掉电存储空间的总个数与掉电存储空间个数的对应关系表。主控芯片可以根据每种数据类型的待存储数据对应的优先级、掉电存储空间的总个数与掉电存储空间的个数的对应关系表，确定每种数据类型的待存储数据对应的掉电存储空间的个数。
187.举例来说，主控芯片可以在确定用户数据类型的待存储数据的优先级为低等级，掉电存储空间的总个数为3的情况下，基于上述对应关系表，确定用户数据类型的待存储数据对应的掉电存储空间的个数为1。主控芯片可以在确定元数据类型的待存储数据的优先级为高等级，掉电存储空间的总个数为3的情况下，基于上述对应关系表，确定元数据类型的待存储数据对应的掉电存储空间的个数为2。
188.s504：主控芯片根据掉电存储空间的个数，对待存储数据对应的掉电存储空间进行调整，以获取调整后的掉电存储空间，并确定调整后的掉电存储空间对应的调整后的存储通道。
189.在本实施例中，主控芯片可以根据掉电存储空间的个数，对待存储数据对应的掉电存储空间进行调整，以获取调整后的掉电存储空间，并确定调整后的掉电存储空间对应的调整后的存储通道。
190.举例来说，主控芯片可以确定用户数据类型的待存储数据对应的掉电存储空间的个数为1，并确定元数据类型的待存储数据对应的掉电存储空间为2。主控芯片可以根据掉电存储空间的个数，将用户数据类型的待存储数据对应的掉电存储空间由第一掉电存储空间和第二掉电存储空间调整为第一掉电存储空间。主控芯片可以在对掉电存储空间进行调整后，将传输用户数据类型的待存储数据的存储通道由第一存储通道和第二存储通道调整为第一存储通道。主控芯片将元数据类型的待存储数据对应的掉电存储空间由第三掉电存储空间调整为第二掉电存储空间和第三掉电存储空间，进一步地，将传输元数据类型的待存储数据的存储通道由第三存储通道调整为第二存储通道和第三存储通道。
191.s505：主控芯片将待存储数据通过调整后的存储通道，存储至调整后的掉电存储空间中。
192.在本实施例中，主控芯片在确定调整后的存储通道和调整后的掉电存储空间后，可以将待存储数据通过调整后的存储通道，存储至调整后的掉电存储空间中。
193.需要说明的是，主控芯片在确定调整后的掉电存储空间后，可以根据该信息更新存储在易失性存储器芯片和至少一个非易失性存储器芯片中存储的第一对应关系表，以使得主控芯片在固态硬盘发生二次掉电时，可以根据更新后的第一对应关系表，确定待存储数据的数据类型对应的掉电存储空间。
194.本实施例中，主控芯片可以根据掉电存储空间的总个数和每种数据类型的待存储数据对应的优先级，确定待存储数据对应的掉电存储空间的个数，并根据掉电存储空间的个数，对待存储数据对应的掉电存储空间进行调整，进而对存储通道进行调整，以保证优先级较高的待存储数据可以并行通过多个存储通道，快速存储至掉电存储空间中，从而避免了优先级较高的待存储数据的出现掉电丢失的问题。
195.在前述方法实施例一的基础上，下面通过方法实施例五，对主控芯片确定存储通道和掉电存储空间，并将待存储数据通过对应的存储通道，存储至对应的掉电存储空间的又一种具体实现过程进行详细说明。
196.图6为本技术实施例提供的一种掉电保护方法实施例五的流程示意图，该方法具体包括以下步骤：
197.s601：主控芯片针对每种数据类型的待存储数据，根据待存储数据的数据类型，确定待存储数据对应的掉电存储空间，并确定对应的掉电存储空间对应的存储通道。
198.s602：主控芯片确定每个掉电存储空间的磨损度。
199.在本实施例中，主控芯片可以确定每个掉电存储空间的磨损度。
200.举例来说，主控芯片可以确定第一掉电存储空间的磨损度为23，第二掉电存储空间的磨损度为56，第三掉电存储空间的磨损度为76，第四掉电存储空间的磨损度为12。
201.s603：主控芯片根据每个掉电存储空间的磨损度，对待存储数据对应的掉电存储空间进行调整，以获取调整后的掉电存储空间，并确定调整后的掉电存储空间对应的调整后的存储通道。
202.在本实施例中，主控芯片可以比较每个掉电存储空间的磨损度，并将磨损度最小的掉电存储空间确定为待存储数据对应的掉电存储空间，以获取调整后的掉电存储空间。主控芯片将调整后的掉电存储空间对应的存储通道确定为调整后的存储通道。
203.举例来说，由于第四掉电存储空间的磨损度(12)小于第三掉电存储空间的磨损度(76)，主控芯片可以将元数据类型的待存储数据对应的掉电存储空间由第三掉电存储空间调整为第四掉电存储空间，由于第三掉电存储空间与第三存储通道对应，第四掉电存储空间与第四存储通道对应，因此，主控芯片将传输元数据类型的待存储数据的存储通道由第三存储通道调整为第四存储通道。
204.s604：主控芯片将待存储数据通过调整后的存储通道，存储至调整后的掉电存储空间中。
205.在本实施例中，主控芯片在确定调整后的存储通道和调整后的掉电存储空间后，可以将待存储数据通过调整后的存储通道，存储至调整后的掉电存储空间中。
206.需要说明的是，主控芯片在确定调整后的掉电存储空间后，可以根据该信息更新存储在易失性存储器芯片和至少一个非易失性存储器芯片中存储的数据类型与掉电存储空间的第一对应关系表，以使得主控芯片在固态硬盘发生二次掉电时，可以根据更新后的第一对应关系表，确定待存储数据的类型对应的掉电存储空间。
207.本实施例中，主控芯片可以根据掉电存储空间的磨损度，对用于存储待存储数据的掉电存储空间进行调整，进而对用于传输待存储数据的存储通道进行调整，以保证磨损度低的掉电存储空间优先被用来存储待存储数据，从而避免了待存储数据存储至磨损度高的掉电存储空间，容易出现数据丢失的问题。
208.下述为本技术装置实施例，可以用于执行本技术方法实施例。对于本技术装置实施例中未披露的细节，请参照本技术方法实施例。
209.图7为本技术实施例提供的一种掉电处理装置实施例的结构示意图；如图7所示，该掉电处理装置70包括：控制模块71和处理模块72。其中，控制模块71，用于在检测到固态硬盘处于掉电状态时，控制备电电容对固态硬盘进行供电，并获取易失性存储器芯片中存储的待存储数据；其中，待存储数据包括多种数据类型的待存储数据；处理模块72，用于针对每种数据类型的待存储数据，根据待存储数据的数据类型，确定待存储数据对应的掉电存储空间，并将待存储数据存储至对应的掉电存储空间中；其中，掉电存储空间包括至少一个非易失性存储器芯片中的部分存储空间，且掉电存储空间为单层单元类型的存储空间。
210.本技术实施例提供的掉电处理装置可以执行上述方法实施例所示的技术方案，其实现原理以及有益效果类似，此处不再进行赘述。
211.在上述的掉电处理装置的优选技术方案中，处理模块72，具体用于：针对每种数据类型的待存储数据，根据待存储数据的数据类型，确定待存储数据对应的掉电存储空间，并确定对应的掉电存储空间对应的存储通道，并将待存储数据通过对应的存储通道，存储至对应的掉电存储空间中。
212.本技术实施例提供的掉电处理装置可以执行上述方法实施例所示的技术方案，其实现原理以及有益效果类似，此处不再进行赘述。
213.在上述的掉电处理装置的优选技术方案中，处理模块72，具体用于：读取易失性存储器芯片中存储的第一对应关系表和第二对应关系表，或者，读取非易失性存储器芯片中存储的第一对应关系表和第二对应关系表；其中，第一对应关系表为数据类型与掉电存储空间的对应关系表，第二对应关系表为掉电存储空间与存储通道的对应关系表；针对每种数据类型的待存储数据，根据待存储数据的数据类型和对应关系表，确定待存储数据对应的掉电存储空间，并确定对应的掉电存储空间对应的存储通道，并将待存储数据通过对应的存储通道，存储至对应的掉电存储空间中。
214.本技术实施例提供的掉电处理装置可以执行上述方法实施例所示的技术方案，其实现原理以及有益效果类似，此处不再进行赘述。
215.在上述的掉电处理装置的优选技术方案中，处理模块72，还用于：针对每种数据类型的待存储数据，在将待存储数据通过对应的存储通道，存储至对应的掉电存储空间后，生成与待存储数据的数据类型对应的掉电数据完成标识，并将掉电数据完成标识存储至掉电存储空间；在检测到固态硬盘处于上电状态，且掉电存储空间中存储掉电数据完成标识时，将掉电存储空间中存储的待存储数据，存储至非易失性存储器芯片的非掉电存储空间中。
216.本技术实施例提供的掉电处理装置可以执行上述方法实施例所示的技术方案，其实现原理以及有益效果类似，此处不再进行赘述。
217.在上述的掉电处理装置的优选技术方案中，处理模块72，具体用于：在检测到固态硬盘处于上电状态，且掉电存储空间中存储掉电数据完成标识时，将掉电存储空间中存储的待存储数据，存储至易失性存储器芯片中；将易失性存储器芯片中存储的待存储数据，存储至非易失性存储器芯片的非掉电存储空间中。
218.本技术实施例提供的掉电处理装置可以执行上述方法实施例所示的技术方案，其实现原理以及有益效果类似，此处不再进行赘述。
219.在上述的掉电处理装置的优选技术方案中，处理模块72，具体用于：在检测到固态硬盘处于上电状态，且掉电存储空间中存储掉电数据完成标识时，直接将掉电存储空间中存储的待存储数据，存储至非易失性存储器芯片的非掉电存储空间中。
220.本技术实施例提供的掉电处理装置可以执行上述方法实施例所示的技术方案，其实现原理以及有益效果类似，此处不再进行赘述。
221.在上述的掉电处理装置的优选技术方案中，处理模块72，还用于：将掉电存储空间格式化为单层单元类型的存储空间，以对掉电存储空间进行数据清除处理。
222.本技术实施例提供的掉电处理装置可以执行上述方法实施例所示的技术方案，其实现原理以及有益效果类似，此处不再进行赘述。
223.在上述的固态硬盘的掉电处理装置的优选技术方案中，处理模块72，还用于：确定每种数据类型的待存储数据的数据量和每个掉电存储空间对应的容量；根据每种数据类型的待存储数据的数据量和每个掉电存储空间对应的容量，对待存储数据对应的掉电存储空间进行调整，以获取调整后的掉电存储空间，并确定调整后的掉电存储空间对应的调整后的存储通道；主控芯片将待存储数据通过调整后的存储通道，存储至调整后的掉电存储空间中。
224.本技术实施例提供的掉电处理装置可以执行上述方法实施例所示的技术方案，其实现原理以及有益效果类似，此处不再进行赘述。
225.在上述的掉电处理装置的优选技术方案中，处理模块72，还用于：确定掉电存储空间的总个数和每种数据类型的待存储数据对应的优先级；根据掉电存储空间的总个数和每种数据类型的待存储数据对应的优先级，确定待存储数据对应的掉电存储空间的个数；根据掉电存储空间的个数，对待存储数据对应的掉电存储空间进行调整，以获取调整后的掉电存储空间，并确定调整后的掉电存储空间对应的调整后的存储通道；将待存储数据通过调整后的存储通道，存储至调整后的掉电存储空间中。
226.本技术实施例提供的掉电处理装置可以执行上述方法实施例所示的技术方案，其实现原理以及有益效果类似，此处不再进行赘述。
227.在上述的掉电处理装置的优选技术方案中，处理模块72，还用于：确定每个掉电存储空间的磨损度；根据每个掉电存储空间的磨损度，对待存储数据对应的掉电存储空间进行调整，以获取调整后的掉电存储空间，并确定调整后的掉电存储空间对应的调整后的存储通道；将待存储数据通过调整后的存储通道，存储至调整后的掉电存储空间中。
228.本技术实施例提供的掉电处理装置可以执行上述方法实施例所示的技术方案，其实现原理以及有益效果类似，此处不再进行赘述。
229.图8为本技术实施例提供的一种计算设备的结构示意图。如图8所示，计算设备80包括主板81和固态硬盘82。其中，主板81包括主板接口811，固态硬盘82包括硬盘连接器822。主板81通过主板接口811、硬盘连接器822与固态硬盘82连接。
230.在一种可能的实现方式中，计算设备80还可以包括转接线，主板81可以通过主板接口811、转接线以及硬盘连接器822与固态硬盘82连接。
231.其中，计算设备可以为终端设备(手机、电脑)以及服务器等设备。
232.需要说明的是，本技术实施例中的固态硬盘82为上述图1提供的固态硬盘，可以执行上述方法实施例所示的技术方案，其实现原理以及有益效果类似，此处不再赘述。
233.本技术实施例还提供一种计算机可读存储介质，计算机可读存储介质中存储有计算机执行指令，计算机执行指令被处理器执行时用于实现前述任一方法实施例提供的技术方案。
234.本领域普通技术人员可以理解：实现上述各方法实施例的全部或部分步骤可以通过程序指令相关的硬件来完成。前述的程序可以存储于一计算机可读取存储介质中。该程序在执行时，执行包括上述各方法实施例的步骤；而前述的存储介质包括：rom、ram、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
235.最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本技术的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本技术进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或对其中部分或全部技术特征进行等同替换；而这些修改或替换，并不使相应技术方案的本质脱离本技术各实施例技术方案的范围。

技术特征：
1.一种掉电处理方法，其特征在于，应用于固态硬盘，所述固态硬盘包括主控芯片及与所述主控芯片电连接的备电电容、易失性存储器芯片和至少一个非易失性存储器芯片，所述方法包括：所述主控芯片在检测到所述固态硬盘处于掉电状态时，控制所述备电电容对所述固态硬盘进行供电，并获取所述易失性存储器芯片中存储的待存储数据；其中，所述待存储数据包括多种数据类型的待存储数据；所述主控芯片针对每种数据类型的待存储数据，根据所述待存储数据的数据类型，确定所述待存储数据对应的掉电存储空间，并将所述待存储数据存储至所述对应的掉电存储空间中；其中，所述掉电存储空间包括至少一个所述非易失性存储器芯片中的部分存储空间，且所述掉电存储空间为单层单元类型的存储空间。2.根据权利要求1所述的掉电处理方法，其特征在于，所述主控芯片针对每种数据类型的待存储数据，根据所述待存储数据的数据类型，确定所述待存储数据对应的掉电存储空间，并将所述待存储数据存储至所述对应的掉电存储空间中，包括：所述主控芯片针对每种数据类型的待存储数据，根据所述待存储数据的数据类型，确定所述待存储数据对应的掉电存储空间，并确定所述对应的掉电存储空间对应的存储通道，并将所述待存储数据通过所述对应的存储通道，存储至所述对应的掉电存储空间中。3.根据权利要求2所述的掉电处理方法，其特征在于，所述主控芯片针对每种数据类型的待存储数据，根据所述待存储数据的数据类型，确定所述待存储数据对应的掉电存储空间，并确定所述对应的掉电存储空间对应的存储通道，并将所述待存储数据通过所述对应的存储通道，存储至所述对应的掉电存储空间中，包括：所述主控芯片读取所述易失性存储器芯片中存储的第一对应关系表和第二对应关系表，或者，读取所述非易失性存储器芯片中存储的所述第一对应关系表和所述第二对应关系表；其中，所述第一对应关系表为数据类型与掉电存储空间的对应关系表，所述第二对应关系表为掉电存储空间与存储通道的对应关系表；所述主控芯片针对每种数据类型的待存储数据，根据所述待存储数据的数据类型和所述第一对应关系表，确定所述待存储数据对应的掉电存储空间，并根据所述对应的掉电存储空间和所述第二对应关系表，确定所述对应的掉电存储空间对应的存储通道，并将所述待存储数据通过所述对应的存储通道，存储至所述对应的掉电存储空间中。4.根据权利要求2所述的掉电处理方法，其特征在于，还包括：所述主控芯片针对每种数据类型的待存储数据，在将所述待存储数据通过所述对应的存储通道，存储至所述对应的掉电存储空间后，生成与所述待存储数据的数据类型对应的掉电数据完成标识，并将所述掉电数据完成标识存储至所述掉电存储空间；所述主控芯片在检测到所述固态硬盘处于上电状态，且所述掉电存储空间中存储掉电数据完成标识时，将所述掉电存储空间中存储的待存储数据，存储至所述非易失性存储器芯片的非掉电存储空间中。5.根据权利要求4所述的掉电处理方法，其特征在于，所述主控芯片在检测到所述固态硬盘处于上电状态，且所述掉电存储空间中存储掉电数据完成标识时，将所述掉电存储空间中存储的待存储数据，存储至所述非易失性存储器芯片的非掉电存储空间中，包括：
所述主控芯片在检测到所述固态硬盘处于上电状态，且所述掉电存储空间中存储掉电数据完成标识时，将所述掉电存储空间中存储的待存储数据，存储至所述易失性存储器芯片中；所述主控芯片将所述易失性存储器芯片中存储的待存储数据，存储至所述非易失性存储器芯片的非掉电存储空间中。6.根据权利要求5所述的掉电处理方法，其特征在于，还包括：所述主控芯片将所述掉电存储空间格式化为所述单层单元类型的存储空间，以对所述掉电存储空间进行数据清除处理。7.根据权利要求2所述的掉电处理方法，其特征在于，还包括：所述主控芯片确定每种数据类型的待存储数据的数据量和每个掉电存储空间对应的容量；所述主控芯片根据所述每种数据类型的待存储数据的数据量和每个掉电存储空间对应的容量，对所述待存储数据对应的掉电存储空间进行调整，以获取调整后的掉电存储空间，并确定所述调整后的掉电存储空间对应的调整后的存储通道；则所述将所述待存储数据通过所述对应的存储通道，存储至所述对应的掉电存储空间中，包括：所述主控芯片将所述待存储数据通过所述调整后的存储通道，存储至所述调整后的掉电存储空间中。8.根据权利要求2所述的掉电处理方法，其特征在于，还包括：所述主控芯片确定每个掉电存储空间的磨损度；所述主控芯片根据所述每个掉电存储空间的磨损度，对所述待存储数据对应的掉电存储空间进行调整，以获取调整后的掉电存储空间，并确定所述调整后的掉电存储空间对应的调整后的存储通道；则所述将所述待存储数据通过所述对应的存储通道，存储至所述对应的掉电存储空间中，包括：所述主控芯片将所述待存储数据通过所述调整后的存储通道，存储至所述调整后的掉电存储空间中。9.一种固态硬盘，其特征在于，包括：主控芯片，以及与所述主控芯片电连接的备电电容、易失性存储器芯片和至少一个非易失性存储器芯片；其中，所述主控芯片，用于在检测到所述固态硬盘处于掉电状态时，控制所述备电电容对所述固态硬盘进行供电，并获取所述易失性存储器芯片中存储的待存储数据；其中，所述待存储数据包括多种数据类型的待存储数据；所述主控芯片，还用于针对每种数据类型的待存储数据，根据所述待存储数据的数据类型，确定所述待存储数据对应的掉电存储空间，并将所述待存储数据存储至对应的掉电存储空间中；其中，所述掉电存储空间包括至少一个所述非易失性存储器芯片中的部分存储空间，且所述掉电存储空间为单层单元类型的存储空间。10.一种计算设备，其特征在于，包括主板和权利要求9所述的固态硬盘；
其中，所述主板包括主板接口，所述固态硬盘包括硬盘连接器；所述主板通过所述主板接口和所述硬盘连接器，与所述固态硬盘连接。

技术总结
本申请提供一种掉电处理方法、固态硬盘及计算设备。固态硬盘包括主控芯片及与主控芯片电连接的备电电容、易失性存储器芯片和至少一个非易失性存储器芯片，主控芯片在检测到固态硬盘处于掉电状态时，控制备电电容对固态硬盘供电，获取易失性存储器芯片中的待存储数据，针对每种数据类型的待存储数据，根据待存储数据的数据类型确定对应的掉电存储空间，并将待存储数据存储至对应的掉电存储空间；掉电存储空间包括至少一个非易失性存储器芯片中的部分存储空间，掉电存储空间为单层单元类型的存储空间。解决了相关技术中备电电容供电时间短，导致固态硬盘在掉电时无法将易失性存储器芯片中的待存储数据全部写入非易失性存储器芯片，丢失数据的问题。丢失数据的问题。丢失数据的问题。


技术研发人员：梁永贵 姚益民
受保护的技术使用者：超聚变数字技术有限公司
技术研发日：2023.03.01
技术公布日：2023/7/12