一种TLVR双导体电感器的制作方法

一种tlvr双导体电感器
技术领域
1.本实用新型涉及电感器技术领域，特别涉及一种tlvr双导体电感器。


背景技术：

2.tlvr(trans-inductor voltage regulator)双导体电感器的结构是由两个n型的导体装置在两片磁芯内上下叠合并组合起来，形成一个底部四端子的立式结构电感。
3.参考图1，现有tlvr双导体电感器是立式结构，在长度和宽度固定的情况下，通常通过增加tlvr双导体电感器的高度来增加有效截面积，因此，现有tlvr双导体电感器是立式结构的高度≥8mm，不适用于有高度限制的电子产品。


技术实现要素：

4.基于此，有必要提供一种扁平式的tlvr双导体电感器，旨在解决现有技术中tlvr双导体电感器的高度过高的问题。
5.一种tlvr双导体电感器，所述tlvr双导体电感器包括：
6.第一导体，所述第一导体整体为n型的扁宽结构；
7.第一磁体；
8.第二导体，所述第二导体整体为h型的扁宽结构；
9.第二磁体，所述第一磁体和/或第二磁体开设有槽，所述第二磁体与所述第一磁体贴合，所述第二磁体与所述第一磁体贴合后所述槽形成通孔，所述第一导体与所述第二导体上下叠合穿过所述通孔，且所述第一导体的两端卡设于所述第一磁体两端的端面，所述第二导体的两端卡设于所述第一磁体和所述第二磁体两端的端面。
10.在其中一个实施例中，所述第一导体包括第一端子、第二端子和第一导体主体，所述第一端子和所述第二端子相对设置，所述第一端子垂直于所述第一导体主体。
11.在其中一个实施例中，所述第二导体包括第三端子、第四端子和第二导体主体，所述第三端子和所述第四端子相对设置，所述第三端子垂直于所述第二导体主体，所述第二导体主体设置在所述第一导体主体上。
12.在其中一个实施例中，所述第三端子垂直第二导体主体长度方向的横截面为n型。
13.所述第一端子嵌入所述第三端子的n型凹槽内。
14.在其中一个实施例中，所述第四端子垂直第二导体主体长度方向的横截面为n型。
15.所述第二端子嵌入所述第四端子的n型凹槽内。
16.在其中一个实施例中，所述第一导体主体和所述第二导体主体叠合，所述第一导体主体和所述第二导体之间绝缘且具有空隙。
17.在其中一个实施例中，所述tlvr双导体电感器为长方体结构。
18.本实用新型的有益效果
19.本实用新型提供的tlvr双导体电感器包括第一导体、第一磁体、第二导体和第二磁体，第一导体整体为n型的扁宽结构，第二导体整体为h型的扁宽结构，本实用新型提供的
tlvr双导体电感器为扁平结构，高度≤4mm，适用于有高度限制的电子产品，且适用于smt打件工艺，提高了打件效率。
附图说明
20.为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
21.图1为现有tlvr双导体电感器结构示意图；
22.图2为tlvr双导体电感器结构示意图；
23.图3为第一磁体的结构示意图；
24.图4为第一导体的结构示意图；
25.图5为第二导体的结构示意图。
26.图中部件名称及序号：100.第一导体；110.第一端子；120.第一导体主体；130.第二端子；200.第一磁体；300.第二导体；310.第三端子；320.第二导体主体；330.第四端子；400.第二磁体；500.槽。
27.本实用新型目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
28.下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
29.需要说明，本实用新型实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后
……
)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。
30.另外，在本实用新型中涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，全文中的“和/或”包括三个方案，以a和/或b为例，包括a技术方案、b技术方案，以及a和b同时满足的技术方案；另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本实用新型要求的保护范围之内。
31.参考图2，tlvr双导体电感器包括第一导体100、第一磁体200、第二导体300和第二磁体400，tlvr双导体电感器为长方体结构。
32.在一实施例中，参考图3，第一磁体200开设有用于容纳第一导体100的槽500，第二磁体400的一面与第一磁体200贴合。
33.在一实施例中，第二磁体400开设有用于容纳第一导体100的槽500。在一实施例中，第一磁体200和第二磁体400均开设有用于容纳第一导体100的槽500。具体地，槽500的
开设可以根据第一导体100的厚度而定，第一导体100越厚，槽500越深。
34.第一导体100整体为n型的扁宽结构，第一导体100为板材形成型的片材，参考图4，第一导体100包括第一端子110、第一导体主体120和第二端子130，第一端子110和第三平面结构130相对设置，第一端子110和第二端子130分别垂直于第一导体主体120，具体地，第一导体主体120从一端垂直向下延伸形成第一端子110，第一导体主体120从另一端垂直向下延伸形成第二端子130，这样两端的第一端子110、第二端子130和中间的第一导体主体120形成n型，两端的第一端子110、第二端子130卡设于第一磁体200两端的端面。第一端子110的端面和第二端子130的端面共面。
35.第二导体300整体为h型的扁宽结构，第二导体300为板材形成型的片材，参考图4，第二磁体400设置于第一磁体200上；第二导体300包括第三端子310、第二导体主体320和第四端子330，第三端子310和第四端子330相对设置，第三端子310和第四端子330分别垂直于第二导体主体320，第二导体主体320设置在第一导体主体120上，第一导体主体120和第二导体主体320贴合。具体地，第二导体主体320从一端向上下两边垂直延伸形成第三端子310，第二导体主体320从一端向上下两边垂直延伸形成第四端子330，这样两端的第三端子310和第四端子330与中间的第二导体主体320形成h形，两端的第三端子310和第四端子330卡设于第一磁体200和所述第二磁体400两端的端面。第三端子310的端面和第四端子330的端面共面，第三端子310垂直第二导体主体320长度方向的横截面为n型，第一端子110嵌入第三端子310的n型凹槽内，第四端子330垂直第二导体主体320长度方向的横截面为n型的扁宽结构，第二端子130嵌入第四端子330的n型凹槽内。
36.整体装配图参考图2，第一磁体200开设有槽500，第一导体主体120和第二导体主体320上下叠合，第一导体主体120和第二导体主体320穿过槽500，第一磁体200和第二磁体400，第一端子110和第三端子310共面，第二端子120和第四端子320共面。第一端子110的端面、第三端子310的端面、第二端子120的端面和第四端子320的端面共面。
37.以上仅为本实用新型的优选实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是在本实用新型的构思下，利用本实用新型说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本实用新型的专利保护范围内。

技术特征：
1.一种tlvr双导体电感器，其特征在于，所述tlvr双导体电感器包括：第一导体，所述第一导体整体为n型的扁宽结构；第一磁体；第二导体，所述第二导体整体为h型的扁宽结构；第二磁体，所述第一磁体和/或第二磁体开设有槽，所述第二磁体与所述第一磁体贴合，所述第二磁体与所述第一磁体贴合后所述槽形成通孔，所述第一导体与所述第二导体上下叠合穿过所述通孔，且所述第一导体的两端卡设于所述第一磁体两端的端面，所述第二导体卡设于所述第一磁体和所述第二磁体两端的端面。2.根据权利要求1所述的tlvr双导体电感器，其特征在于，所述第一导体包括第一端子、第二端子和第一导体主体，所述第一端子和所述第二端子相对设置，所述第一端子垂直于所述第一导体主体。3.根据权利要求2所述的tlvr双导体电感器，其特征在于，所述第二导体包括第三端子、第四端子和第二导体主体，所述第三端子和所述第四端子相对设置，所述第三端子垂直于所述第二导体主体，所述第二导体主体设置在所述第一导体主体上。4.根据权利要求3所述的tlvr双导体电感器，其特征在于，所述第三端子垂直第二导体主体长度方向的横截面为n型。5.根据权利要求4所述的tlvr双导体电感器，其特征在于，所述第一端子嵌入所述第三端子的n型凹槽内。6.根据权利要求3所述的tlvr双导体电感器，其特征在于，所述第四端子垂直第二导体主体长度方向的横截面为n型。7.根据权利要求6所述的tlvr双导体电感器，其特征在于，所述第二端子嵌入所述第四端子的n型凹槽内。8.根据权利要求3所述的tlvr双导体电感器，其特征在于，所述第一导体主体和所述第二导体主体叠合，所述第一导体主体和所述第二导体之间绝缘且具有空隙。9.根据权利要求1所述的tlvr双导体电感器，其特征在于，所述tlvr双导体电感器为长方体结构。

技术总结
本实用新型公开一种TLVR双导体电感器，TLVR双导体电感器包括第一导体、第一磁体、第二导体和第二磁体，第一导体整体为n型的扁宽结构，第二导体整体为H型的扁宽结构，本实用新型提供的TLVR双导体电感器为扁平结构，高度≤4mm，适用于有高度限制的电子产品，且适用于SMT打件工艺，提高了打件效率。提高了打件效率。提高了打件效率。


技术研发人员：周玮
受保护的技术使用者：联振电子（深圳）有限公司
技术研发日：2023.03.30
技术公布日：2023/7/14