外延结构以及半导体器件的制作方法

1.本实用新型涉及半导体材料领域，特别是涉及一种外延结构以及半导体器件。


背景技术：

2.aln材料是直接带隙宽半导体材料，其禁带宽度为6.2ev，带间跃迁发射波长可进入深紫外波段，是紫外/深紫外光电器件理想材料。在紫外/深紫外光电器件的研究中它也多为其他发光体的基体材料，可应用于图像显示、光解水、光存储、标志识别、医疗设备、大规模光电集成电路、紫外探测等科技国防和工农业生产领域；而且，aln击穿场强高、介电常数小，同时热化学稳定性好、热导率高、抗辐射抗酸碱能力强，是目前机械、微电子及高频带宽通信领域的优选材料。
3.目前主要是在蓝宝石、sic或si衬底上直接生长aln外延薄膜。蓝宝石衬底熔点高，高温的物理和化学性质稳定，且制备技术成熟，价格日趋降低，是应用最广泛的衬底，如图1所示为在蓝宝石衬底上直接生长的aln外延薄膜表面的原子力显微镜图像。但是蓝宝石衬底不能导电，且热导率低，同时由于蓝宝石衬底较难剥离，不利于制备垂直结构器件，极大地限制高功率器件的应用与发展。si衬底具有优异的导电导热性能，且基于si材料的微电子技术成熟，有利于器件的集成化。但如图2所示硅衬底上直接生长的aln外延薄膜表面的原子力显微镜图像，直接在si衬底上外延生长aln外延薄膜超过临界厚度(300nm)之后，aln表面会产生大量裂纹，对aln外延薄膜表面粗糙度有影响。


技术实现要素：

4.基于此，为了降低aln外延薄膜的表面粗糙度，有必要提供一种外延结构以及半导体器件。
5.本实用新型提供一种外延结构，包括依次层叠的衬底、aln缓冲层、algan插入层、alinn插入层以及aln外延层。
6.在其中一个实施例中，所述aln缓冲层的厚度为30nm～200nm。
7.在其中一个实施例中，所述aln缓冲层的厚度为35nm～100nm。
8.在其中一个实施例中，所述algan插入层的厚度为20nm～100nm。
9.在其中一个实施例中，所述algan插入层的厚度为50nm～90nm。
10.在其中一个实施例中，所述alinn插入层的厚度为100nm～300nm。
11.在其中一个实施例中，所述alinn插入层的厚度为150nm～300nm。
12.在其中一个实施例中，所述aln外延层的厚度为0.8μm～5μm。
13.在其中一个实施例中，所述aln外延层的厚度为0.8μm～2μm。
14.进一步地，本实用新型还提供一种半导体器件，包括如上述的外延结构。
15.上述外延结构包括依次层叠的衬底、aln缓冲层、algan插入层、alinn插入层以及aln外延层，通过在aln外延层前设置缓冲层以及插入层与衬底之间进行过渡，避免影响aln外延层表面的粗糙度，获得aln外延层表面更为平整的外延结构。
附图说明
16.图1为在蓝宝石衬底上直接生长的aln外延薄膜表面的原子力显微镜图像；
17.图2为硅衬底上直接生长的aln外延薄膜表面的原子力显微镜图像；
18.图3为本实用新型提供的外延结构；
19.图4为实施例1提供的外延结构中aln外延层表面的原子力显微镜图像；
20.图5为实施例3提供的外延结构中aln外延层表面的原子力显微镜图像；
21.图6为对比例1提供的外延结构中aln外延层表面的原子力显微镜图像；
22.图7为对比例2提供的外延结构中aln外延层表面的原子力显微镜图像；
23.图8为对比例3提供的外延结构中aln外延层表面的原子力显微镜图像；
24.图9为对比例4提供的外延结构中aln外延层表面的原子力显微镜图像；
25.图10为对比例5提供的外延结构中aln外延层表面的原子力显微镜图像；
26.图11为对比例6提供的外延结构中aln外延层表面的原子力显微镜图像；
27.附图标记说明：
28.10：外延结构，100：衬底，110：aln缓冲层，120：algan插入层，130：alinn插入层，140：aln外延层。
具体实施方式
29.本实用新型可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本实用新型的公开内容理解的更加透彻全面。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本实用新型。此外，本实用新型可以在不同例子中重复参考数字和/或字母。这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施例和/或设置之间的关系。
30.此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在实用新型的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。在本实用新型的描述中，“若干”的含义是至少一个，例如一个，两个等，除非另有明确具体的限定。
31.除非另外指明，所有百分比、分数和比率都是按本实用新型组合物的总质量计算的。除非另外指明，有关所列成分的所有质量均给予活性物质的含量，因此它们不包括在可商购获得的材料中可能包含的溶剂或副产物。本文术语“质量百分比含量”可用符号“％”表示。
32.本文中“包括”、“包含”、“含”、“含有”、“具有”或其它变体意在涵盖非封闭式包括，这些术语之间不作区分。术语“包含”是指可加入不影响最终结果的其它步骤和成分。术语“包含”还包括术语“由
…
组成”和“基本上由
…
组成”。本实用新型的组合物和方法/工艺包含、由其组成和基本上由本文描述的必要元素和限制项以及本文描述的任一的附加的或任选的成分、组份、步骤或限制项组成。本文中术语“效能”、“性能”、“效果”、“功效”之间不作区分。
33.本实用新型中的词语“优选地”、“更优选地”等是指，在某些情况下可提供某些有益效果的本实用新型实施方案。然而，在相同的情况下或其他情况下，其他实施方案也可能
是优选的。此外，对一个或多个优选实施方案的表述并不暗示其他实施方案不可用，也并非旨在将其他实施方案排除在本实用新型的范围之外。
34.当本文中公开一个数值范围时，上述范围视为连续，且包括该范围的最小值及最大值，以及这种最小值与最大值之间的每一个值。进一步地，当范围是指整数时，包括该范围的最小值与最大值之间的每一个整数。此外，当提供多个范围描述特征或特性时，可以合并该范围。换言之，除非另有指明，否则本文中所公开之所有范围应理解为包括其中所归入的任何及所有的子范围。
35.除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本实用新型的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本实用新型的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本实用新型。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
36.本实用新型提供一种外延结构10，包括依次层叠的衬底100、aln缓冲层110、algan插入层120、alinn插入层130以及aln外延层140。
37.在一个具体示例中，衬底100为蓝宝石衬底、碳化硅衬底或硅衬底。
38.在一个具体示例中，aln缓冲层110的厚度为30nm～200nm，进一步地，aln缓冲层110的厚度为35nm～100nm，优选地，aln缓冲层110的厚度为40nm～50nm，具体地，aln缓冲层110的厚度可以但不限于是40nm、41nm、42nm、43nm、44nm、45nm、46nm、47nm、48nm、49nm或50nm。
39.在一个具体示例中，algan插入层120的厚度为20nm～100nm，进一步地，algan插入层120的厚度为50nm～90nm，优选地，algan插入层120的厚度为60nm～80nm，具体地，algan插入层120的厚度可以但不限于是60nm、61nm、62nm、63nm、64nm、65nm、66nm、67nm、68nm、69nm、70nm、71nm、72nm、73nm、74nm、75nm、76nm、77nm、78nm、79nm或80nm。
40.在一个具体示例中，alinn插入层130的厚度为100nm～300nm，进一步地，alinn插入层130的厚度为150nm～300nm，优选地，alinn插入层130的厚度为170nm～300nm，具体地，alinn插入层130的厚度可以但不限于是170nm、180nm、190nm、200nm、210nm、220nm、230nm、240nm、250nm、260nm、270nm、280nm、290nm或300nm。
41.在一个具体示例中，aln外延层140的厚度为0.8μm～5μm，进一步地，aln外延层140的厚度为0.8μm～2μm，优选地，aln外延层140的厚度为1μm～1.6μm，具体地，aln外延层140的厚度可以但不限于是1μm、1.1μm、1.2μm、1.3μm、1.4μm、1.5μm或1.6μm。
42.本实用新型还提供上述的外延结构10的制备方法，包括以下步骤：
43.在衬底100上依次生长aln缓冲层110、algan插入层120、alinn插入层130以及aln外延层140。
44.在一个具体示例中，生长aln缓冲层110的条件包括：生长气压为3
×
10-7
torr～7
×
10-7
torr。
45.在一个优选示例中，生长aln缓冲层110的气压为4
×
10-7
torr～6
×
10-7
torr，具体地，上述气压可以但不限于是4
×
10-7
torr、4.5
×
10-7
torr、5
×
10-7
torr、5.5
×
10-7
torr或6
×
10-7
torr。
46.可以理解地，生长aln缓冲层110的可以但不限于为物理气相沉积，优选为溅射法。
47.在一个具体示例中，生长algan插入层120的条件包括：生长温度为1000℃～1100
℃，生长气压为30torr～100torr。
48.优选地，生长algan插入层120的温度为1000℃～1050℃，具体地生长温度可以但不限于是1000℃、1010℃、1020℃、1030℃、1040℃或1050℃。
49.在一个优选示例中，生长algan插入层120的生长气压为40torr～95torr，生长气压可以但不限于是40torr、45torr、50torr、55torr、60torr、65torr、70torr、75torr、80torr、85torr、90torr或95torr。
50.在一个具体示例中，生长alinn插入层130的条件包括：生长温度为600℃～800℃，生长气压为100torr～500torr。
51.进一步地，生长alinn插入层130的气压为250torr～360torr，具体地，生长气压可以但不限于是250torr、260torr、270torr、280torr、290torr、300torr、310torr、320torr、330torr、340torr、350torr或360torr。
52.更进一步地，生长alinn插入层130的温度为650℃～700℃，具体地，生长温度可以但不限于是650℃、660℃、670℃、680℃、690℃或700℃。
53.可以理解地，生长algan插入层120、生长alinn插入层130以及生长aln外延层140的方法可以但不限于是化学气相沉积，优选为有机金属化合物化学气相沉积(mocvd)法。
54.在一个具体示例中，生长aln外延层140的条件包括：生长温度为600℃～800℃，生长气压为40torr～70torr。
55.在一个优选示例中，生长aln外延层140的温度为750℃～800℃，具体地，生长温度可以但不限于是750℃、760℃、770℃、780℃、790℃或800℃。
56.在一个优选示例中，生长aln外延层140的气压为60torr～70torr，具体地，生长气压可以但不限于是60torr、61torr、62torr、63torr、64torr、65torr、66torr、67torr、68torr、69torr或70torr。
57.在一个具体示例中，在生长algan插入层120之前以及生长aln缓冲层110之后还包括：
58.在氢气以及氮气的气氛中，将层叠的衬底100和aln缓冲层110置于850℃～1150℃的温度下处理3min～8min。
59.优选地，处理温度为1050℃～1100℃，具体地，处理温度可以但不限于是1050℃、1060℃、1070℃、1080℃、1090℃或1100℃。处理时间可以但不限于是为3min、4min、5min、6min、7min、8min。
60.进一步地，本实用新型还提供一种半导体器件，包括如上述的外延结构10。
61.上述外延结构10中包括依次层叠的衬底100、aln缓冲层110、algan插入层120、alinn插入层130以及aln外延层140，通过在aln外延层140前设置缓冲层以及插入层与基底进行过渡，有效避免影响aln外延层140表面的粗糙度。
62.以下提供具体的实施例对本实用新型的外延结构及其制备方法作进一步详细地说明。以下具体实施方式所涉及到的原料，若无特殊说明，均可来源于市售。
63.实施例1
64.本实例提供了一种外延结构，该外延结构从下到上依次包括衬底、厚度为50nm的aln缓冲层、厚度为80nm的algan插入层、厚度为200nm的alinn插入层和厚度为1μm的aln外延层，具体生长过程包括以下步骤：
65.(1)选取蓝宝石衬底，通过物理气相沉积在4
×
10-7
torr的压力下在蓝宝石衬底上通过物理气相沉积50nm厚的aln缓冲层；
66.(2)将外延片转移至mocvd反应室，反应室通入h2和n2，温度升高至1100℃，对aln缓冲层进行热处理与氮化处理5min；
67.(3)反应室温度下降至1050℃，通入al源、ga源和nh3，反应室压力调节至70torr，生长algan插入层，生长厚度为80nm；
68.(4)反应室温度下降至700℃，关闭ga源、打开in源，反应室压力调节至300torr，生长alinn插入层，生长厚度为200nm；
69.(5)反应室温度升高至800℃，关闭in源，反应室压力调节至70torr，生长aln外延层，生长厚度为1μm。
70.实施例2
71.本实施例提供了一种外延结构，该外延结构从下到上依次包括衬底、厚度为40nm的aln缓冲层、厚度为70nm的algan插入层、厚度为180nm的alinn插入层和厚度为1.4μm的aln外延层，具体生长过程包括以下步骤：
72.(1)选取蓝宝石衬底，通过物理气相沉积以6
×
10-7
torr的压力下在衬底上沉积40nm的aln缓冲层；
73.(2)将外延片转移至mocvd反应室，反应室通入h2和n2，温度升高至1050℃，对aln缓冲层进行热处理与氮化处理4min；
74.(3)反应室温度下降至1000℃，通入al源、ga源和nh3，反应室压力调节至85torr，生长algan插入层，生长厚度为70nm；
75.(4)反应室温度下降至650℃，关闭ga源、打开in源，反应室压力调节至350torr，生长alinn插入层，生长厚度为180nm；
76.(5)反应室温度升高至750℃，关闭in源，反应室压力调节至60torr，生长aln外延层，生长厚度为1.4μm。
77.实施例3
78.本实施例提供了一种外延结构，该外延结构从下到上依次包括衬底、厚度为45nm的aln缓冲层、厚度为60nm的algan插入层、厚度为300nm的alinn插入层和厚度为1.1μm的aln外延层，具体生长过程包括以下步骤：
79.(1)选取si衬底，通过物理气相沉积以5
×
10-7
torr的压力下在衬底上沉积45nm的aln缓冲层；
80.(2)将外延片转移至mocvd反应室，反应室通入h2和n2，温度升高至1075℃，对aln缓冲层进行热处理与氮化处理5min；
81.(3)反应室温度下降至1000℃，通入al源、ga源和nh3，反应室压力调节至90torr，生长algan插入层，生长厚度为60nm；
82.(4)反应室温度下降至650℃，关闭ga源、打开in源，反应室压力调节至250torr，生长alinn插入层，生长厚度为300nm；
83.(5)反应室温度升高至750℃，关闭in源，反应室压力调节至65torr，生长aln外延层，生长厚度为1.1μm。
84.实施例4
85.本实施例提供了一种外延结构，该外延结构从下到上依次包括衬底、厚度为43nm的aln缓冲层、厚度为57nm的algan插入层、厚度为170nm的alinn插入层和厚度为1.05μm的aln外延层，具体生长过程包括以下步骤：
86.(1)选取si衬底，通过物理气相沉积以5.5
×
10-7
torr的压力下在衬底上沉积43nm的aln缓冲层；
87.(2)将外延片转移至mocvd反应室，反应室通入h2和n2，温度升高至1070℃，对aln缓冲层进行热处理与氮化处理4min；
88.(3)反应室温度下降至1000℃，通入al源、ga源和nh3，反应室压力调节至95torr，生长algan插入层，生长厚度为57nm；
89.(4)反应室温度下降至650℃，关闭ga源、打开in源，反应室压力调节至360torr，生长alinn插入层，生长厚度为170nm；
90.(5)反应室温度升高至750℃，关闭in源，反应室压力调节至70torr，生长aln外延层，生长厚度为1.05μm。
91.对比例1
92.本对比例提供了一种外延结构，该外延结构从下到上依次包括衬底、厚度为40nm的aln缓冲层、厚度为105nm的algan插入层、厚度为300nm的alinn插入层和厚度为1.6μm的aln外延层，具体生长过程包括以下步骤：
93.(1)选取蓝宝石衬底，通过物理气相沉积以6
×
10-7
torr的压力下在衬底上沉积40nm的aln缓冲层；
94.(2)将外延片转移至mocvd反应室，反应室通入h2和n2，温度升高至1200℃，对aln缓冲层进行热处理与氮化处理10min；
95.(3)反应室温度下降至1100℃，通入al源、ga源和nh3，反应室压力调节至95torr，生长algan插入层，生长厚度为105nm；
96.(4)反应室温度下降至850℃，关闭ga源、打开in源，反应室压力调节至360torr，生长alinn插入层，生长厚度为300nm；
97.(5)反应室温度升高至1150℃，关闭in源，反应室压力调节至90torr，生长aln外延层，生长厚度为1.6μm。
98.对比例2
99.本对比例提供了一种外延结构，该外延结构从下到上依次包括衬底、厚度为45nm的aln缓冲层、厚度为80nm的algan插入层、厚度为240nm的alinn插入层和厚度为1.45μm的aln外延层，具体生长过程包括以下步骤：
100.(1)选取si衬底，通过物理气相沉积以5
×
10-7
torr的压力下在衬底上沉积45nm的第一aln缓冲层；
101.(2)将外延片转移至mocvd反应室，反应室通入h2和n2，温度升高至1200℃，对aln缓冲层进行热处理与氮化处理10min；
102.(3)反应室温度下降至1100℃，通入al源、ga源和nh3，反应室压力调节至95torr，生长algan插入层，生长厚度为80nm；
103.(4)反应室温度下降至850℃，关闭ga源、打开in源，反应室压力调节至360torr，生长alinn插入层，生长厚度为240nm；
104.(5)反应室温度升高至1150℃，关闭in源，反应室压力调节至90torr，生长aln外延层，生长厚度为1.45μm。
105.对比例3
106.本对比例提供了一种外延结构，该外延结构从下到上依次包括衬底、厚度为40nm的aln缓冲层、厚度为200nm的gan层、厚度为180nm的alinn插入层和厚度为1.4μm的aln外延层，具体生长过程包括以下步骤：
107.(1)选取蓝宝石衬底，通过物理气相沉积以6
×
10-7
torr的压力下在衬底上沉积40nm的aln缓冲层；
108.(2)将外延片转移至mocvd反应室，反应室通入h2和n2，温度升高至1050℃，对aln缓冲层进行热处理与氮化处理4min；
109.(3)反应室温度下降至1000℃，通入ga源和nh3，反应室压力调节至400torr，生长gan层，生长厚度为200nm；
110.(4)反应室温度下降至650℃，关闭ga源、打开al源与in源，反应室压力调节至350torr，生长alinn插入层，生长厚度为180nm；
111.(5)反应室温度升高至750℃，关闭in源，反应室压力调节至60torr，生长aln外延层，生长厚度为1.4μm。
112.对比例4
113.本对比例提供了一种外延结构，该外延结构从下到上依次包括衬底、厚度为40nm的aln缓冲层、厚度为70nm的algan插入层、厚度为120nm的inn层和厚度为1.4μm的aln外延层，具体生长过程包括以下步骤：
114.(1)选取蓝宝石衬底，通过物理气相沉积以6
×
10-7
torr的压力下在衬底上沉积40nm的第一aln缓冲层；
115.(2)将外延片转移至mocvd反应室，反应室通入h2和n2，温度升高至1050℃，对aln缓冲层进行热处理与氮化处理4min；
116.(3)反应室温度下降至1000℃，通入al源、ga源和nh3，反应室压力调节至85torr，生长algan插入层，生长厚度为70nm；
117.(4)反应室温度下降至650℃，关闭ga源与al源、打开in源，反应室压力调节至400torr，生长inn层，生长厚度为120nm；
118.(5)反应室温度升高至750℃，关闭in源，反应室压力调节至60torr，生长aln外延层，生长厚度为1.4μm。
119.对比例5
120.本对比例提供了一种外延结构，该外延结构从下到上依次包括衬底、厚度为45nm的aln缓冲层、厚度为210nm的gan层、厚度为300nm的alinn插入层和厚度为1.1μm的aln外延层，具体生长过程包括以下步骤：
121.(1)选取si衬底，通过物理气相沉积以5
×
10-7
torr的压力下在衬底上沉积45nm的aln缓冲层；
122.(2)将外延片转移至mocvd反应室，反应室通入h2和n2，温度升高至1075℃，对aln缓冲层进行热处理与氮化处理5min；
123.(3)反应室温度下降至1000℃，通入ga源和nh3，反应室压力调节至400torr，生长
gan层，生长厚度为210nm；
124.(4)反应室温度下降至650℃，关闭ga源、打开al源与in源，反应室压力调节至250torr，生长alinn插入层，生长厚度为300nm；
125.(5)反应室温度升高至750℃，关闭in源，反应室压力调节至65torr，生长aln外延层，生长厚度为1.1μm。
126.对比例6
127.本对比例提供了一种外延结构，该外延结构从下到上依次包括衬底、厚度为45nm的aln缓冲层、厚度为60nm的agan层、厚度为90nm的inn层和厚度为1.1μm的aln外延层，具体生长过程包括以下步骤：
128.(1)选取si衬底，通过物理气相沉积以5
×
10-7
torr的压力下在衬底上沉积45nm的aln缓冲层；
129.(2)将外延片转移至mocvd反应室，反应室通入h2和n2，温度升高至1075℃，对aln缓冲层进行热处理与氮化处理5min；
130.(3)反应室温度下降至1000℃，通入al源、ga源和nh3，反应室压力调节至90torr，生长algan插入层，生长厚度为60nm；
131.(4)反应室温度下降至650℃，关闭ga源与al源、打开in源，反应室压力调节至400torr，生长inn层，生长厚度为90nm；
132.(5)反应室温度升高至750℃，关闭in源，反应室压力调节至65torr，生长aln外延层，生长厚度为1.1μm。
133.如图4～图11所示为各实施例1、实施例3以及对比例1-6外延结构中aln外延层表面的原子力显微镜图像，经本实用新型优化的外延结构最外层的aln层具有良好的表面粗糙度以及晶体质量。
134.以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
135.以上所述实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，便于具体和详细地理解本实用新型的技术方案，但并不能因此而理解为对实用新型专利保护范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。应当理解，本领域技术人员在本实用新型提供的技术方案的基础上，通过合乎逻辑地分析、推理或者有限的实验得到的技术方案，均在本实用新型所附权利要求的保护范围内。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求的内容为准，说明书以及附图可以用于解释权利要求的内容。

技术特征：
1.一种外延结构，其特征在于，包括依次层叠的衬底、aln缓冲层、algan插入层、alinn插入层以及aln外延层。2.如权利要求1所述的外延结构，其特征在于，所述aln缓冲层的厚度为30nm～200nm。3.如权利要求2所述的外延结构，其特征在于，所述aln缓冲层的厚度为35nm～100nm。4.如权利要求1所述的外延结构，其特征在于，所述algan插入层的厚度为20nm～100nm。5.如权利要求4所述的外延结构，其特征在于，所述algan插入层的厚度为50nm～90nm。6.如权利要求1所述的外延结构，其特征在于，所述alinn插入层的厚度为100nm～300nm。7.如权利要求6所述的外延结构，其特征在于，所述alinn插入层的厚度为150nm～300nm。8.如权利要求1所述的外延结构，其特征在于，所述aln外延层的厚度为0.8μm～5μm。9.如权利要求8所述的外延结构，其特征在于，所述aln外延层的厚度为0.8μm～2μm。10.一种半导体器件，其特征在于，包括如权利要求1～9任一项所述的外延结构。

技术总结
本实用新型公开了一种外延结构以及半导体器件，外延结构包括依次层叠的衬底、AlN缓冲层、AlGaN插入层、AlInN插入层以及AlN外延层。上述外延结构通过在AlN外延层前设置缓冲层以及插入层与衬底之间进行过渡，避免影响AlN外延层表面的粗糙度，获得AlN外延层表面更为平整的外延结构。整的外延结构。整的外延结构。


技术研发人员：李国强
受保护的技术使用者：广州市艾佛光通科技有限公司
技术研发日：2022.12.26
技术公布日：2023/7/14