一种能充分利用背光的异质结太阳能电池的制作方法

1.本实用新型涉及一种能充分利用背光的异质结太阳能电池。


背景技术：

2.太阳能电池中，表面光反射是光学损失的主要因素之一。硅片的抛光表面，其光反射损失可达34％。为制备高效率太阳电池，反射必须减小到10％以下。在太阳能电池的制备过程中，常在硅片表面制作金字塔绒面，金字塔绒面的表面光反射减少，使更多的光进入太阳能电池，由此产生更多的光生载流子。异质结太阳能电池具有双面性，其背面对弱光的吸收能力对提高电池的转换效率的提升具有影响。


技术实现要素：

3.本实用新型的目的在于提供一种能充分利用背光的异质结太阳能电池，硅片背光面均布细孔后再通过制绒清洗形成内陷的微孔绒面，其对弱光具有更好的吸收能力，来自于地面的散射光线能被背光面更充分的利用，再与受光面的金字塔绒面配合，电池具有了吸收各个角度的太阳光线的能力。
4.本实用新型的目的通过如下技术方案实现：
5.一种能充分利用背光的异质结太阳能电池，它包括硅片；所述硅片受光面为抛光面形成的金字塔绒面，所述硅片背光面为在均布有边长或直径为1.5um-8um且深度为1um-5um的细孔的表面形成的微孔绒面；所述硅片受光面由里到外依次叠设有第一本征非晶硅膜层、n型半导体膜层、第一导电膜层和第一电极，所述硅片背光面由里到外依次叠设有外表面无尖端的第二本征非晶硅膜层、p型半导体膜层、第二导电膜层和第二电极。
6.较之现有技术而言，本实用新型的优点在于：
7.(1)利用背光面的内陷微孔绒面，有利于来自于地面的散射光线的更充分利用，提高了电池的转换效率。
8.(2)内陷的微孔绒面与第二本征非晶硅膜层配合，形成外表面无尖端的结构，避免后续工艺中损失设备，特别是不会磨损印刷治具，有利于栅线电极的集成。
9.(3)通过下本征非晶硅层及上本征非晶硅层，在避免尖端的同时，可解决具有内陷结构的微孔绒面不易钝化的问题。
附图说明
10.图1是本实用新型一种能充分利用背光的异质结太阳能电池的实施例的结构简图。
具体实施方式
11.下面结合说明书附图和实施例对本

技术实现要素：
进行详细说明：
12.如图1所示为本实用新型提供的一种能充分利用背光的异质结太阳能电池的实施
例示意图。
13.一种能充分利用背光的异质结太阳能电池，它包括硅片1；所述硅片1受光面为抛光面形成的金字塔绒面，所述硅片1背光面为在均布有边长或直径为1.5um-8um且深度为1um-5um的细孔的表面形成的微孔绒面；所述硅片受光面由里到外依次叠设有第一本征非晶硅膜层2、n型半导体膜层3、第一导电膜层4和第一电极5，所述硅片1背光面由里到外依次叠设有外表面无尖端的第二本征非晶硅膜层、p型半导体膜层8、第二导电膜层9和第二电极10。
14.所述第二本征非晶硅膜层包括位于微孔绒面上且填平细孔的下本征非晶硅层6以及位于下本征非晶硅层6上的上本征非晶硅层7。
15.所述n型半导体膜层3为n型非晶硅层或n型微晶硅层；所述p型半导体膜层8为p型非晶硅层或p型微晶硅层。
16.所述n型半导体膜层3的厚度为3-10nm，所述p型半导体膜层8的厚度为5-15nm。
17.所述第一本征非晶硅膜层2的厚度为3-10nm；所述第二本征非晶硅膜层的厚度为10-20nm，即下本征非晶硅层6和上本征非晶硅层7的厚度之和。
18.所述第一导电膜层4和第二导电膜层9的厚度都为50-120nm，透光率为90％-99％，方块电阻为10-100ω/
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技术特征：
1.一种能充分利用背光的异质结太阳能电池，其特征在于：它包括硅片；所述硅片受光面为抛光面形成的金字塔绒面，所述硅片背光面为在均布有边长或直径为1.5um-8um且深度为1um-5um的细孔的表面形成的微孔绒面；所述硅片受光面由里到外依次叠设有第一本征非晶硅膜层、n型半导体膜层、第一导电膜层和第一电极，所述硅片背光面由里到外依次叠设有外表面无尖端的第二本征非晶硅膜层、p型半导体膜层、第二导电膜层和第二电极。2.根据权利要求1所述的能充分利用背光的异质结太阳能电池，其特征在于：所述第二本征非晶硅膜层包括位于微孔绒面上且填平细孔的下本征非晶硅层以及位于下本征非晶硅层上的上本征非晶硅层。3.根据权利要求1或2所述的能充分利用背光的异质结太阳能电池，其特征在于：所述n型半导体膜层为n型非晶硅层或n型微晶硅层；所述p型半导体膜层为p型非晶硅层或p型微晶硅层。4.根据权利要求3所述的能充分利用背光的异质结太阳能电池，其特征在于：所述n型半导体膜层的厚度为3-10nm，所述p型半导体膜层的厚度为5-15nm。5.根据权利要求4所述的能充分利用背光的异质结太阳能电池，其特征在于：所述第一本征非晶硅膜层的厚度为3-10nm，所述第二本征非晶硅膜层的厚度为10-20nm。6.根据权利要求3所述的能充分利用背光的异质结太阳能电池，其特征在于：所述第一导电膜层和第二导电膜层的厚度都为50-120nm，透光率为90％-99％，方块电阻为10-100ω/
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技术总结
本实用新型涉及一种能充分利用背光的异质结太阳能电池，它包括硅片；所述硅片受光面为抛光面形成的金字塔绒面，所述硅片背光面为在均布有边长或直径为1.5um-8um且深度为1um-5um的表面形成的微孔绒面；所述硅片受光面由里到外依次叠设有第一本征非晶硅膜层、N型半导体膜层、第一导电膜层和第一电极，所述硅片背光面由里到外依次叠设有外表面无尖端的第二本征非晶硅膜层、P型半导体膜层、第二导电膜层和第二电极。本实用新型的目的在于提供能充分利用背光的异质结太阳能电池，其对弱光具有更好的吸收能力，来自于地面的散射光线能被背光面更充分的利用，再与受光面的金字塔绒面配合，电池具有了吸收各个角度的太阳光线的能力。力。力。


技术研发人员：林锦山 廖培灿 黄天福 黄晓狄
受保护的技术使用者：福建金石能源有限公司
技术研发日：2022.11.28
技术公布日：2023/7/14