半导体制造方法及设备与流程

1.本公开实施例涉及一种半导体制造方法及设备，尤其涉及一种减少振动的半导体制造方法及设备。


背景技术：

2.随着半导体芯片向更小的纳米尺寸发展，在制造设施设计和操作中更需要隔离不需要的振动频率。低频振动可能会影响生产工具，从而降低半导体制造中的生产良率。来自制造和设计问题的挑战导致了三维设计的发展，例如多栅极场效晶体管(field effect transistor，fet)，包括鳍式场效晶体管(fin fet)和栅极全环(gate-all-around，gaa)场效晶体管。


技术实现要素：

3.根据本公开的一方式，一种减少振动的方法包括：测量半导体制造设备中的振动等级；决定半导体制造设备中以大于一预设振动等级的等级振动的一或多个区块；以及通过将一或多个重块耦接至一或多个区块中半导体制造设备的一外表面，减少一或多个区块的振动等级，以在预设振动等级或以内。
4.根据本公开的另一方式，一种减少振动的方法包括：将一第一重块附接至一半导体制造设备的一第一外表面；将一第二重块附接至半导体制造设备的一第二外表面，第二外表面与第一外表面相对；测量半导体制造设备具有第一重块及第二重块的部分中的振动等级；以及当振动等级大于一预设等级时，增加第一重块及第二重块。
5.根据本公开的另一方式，一种半导体制造设备包括：一第一侧向壁、与第一侧向壁相对的一第二侧向壁以及一或多个重块。一或多个重块附接至第一侧向壁及第二侧向壁，其中重块附接在半导体制造设备上的多个地点，在上述地点处最大程度地减少半导体制造设备的振动。
附图说明
6.根据以下的详细说明并配合所附附图做完整公开。应被强调的是，根据本产业的一般作业，图示并未必按照比例绘制且仅用于示出目的。事实上，可能任意的放大或缩小元件的尺寸，以做清楚的说明。
7.图1示出根据本公开的一些实施例的一半导体制造设备，包括附接至半导体制造设备的多个重块(或质量块)。
8.图2示出根据本公开的一些实施例，图1中一重块的主视图。
9.图3a示出根据本公开的一些实施例，图1中半导体制造设备上多个重块的范例排列。
10.图3b示出图1中重块的尺寸。
11.图4示出图1的半导体制造设备放置在抑振平台上。
12.图5为根据本公开的一些实施例，示出半导体处理设施中振动减少的图表，半导体处理设施具有与其附接的数个不同值的重块。
13.图6为根据本公开的一些实施例，减少半导体制造设备中振动的方法的流程图。
14.图7为根据本公开的一些实施例，减少半导体制造设备中振动的方法的流程图。
15.附图标记如下：
16.100:半导体制造设备
17.101-1:侧向壁
18.101-2:侧向壁
19.101-3:侧向壁
20.101-4:侧向壁
21.102:重块
22.102-1:重块
23.102-2:重块
24.102-3:重块
25.102-4:重块
26.105:图形使用者界面
27.107:附接部分
28.111:水平部
29.113:垂直部
30.115:互连部
31.151:延伸部
32.181:抑振平台
33.185:地面
34.187:上表面
35.600:方法
36.700:方法
37.h:距离(高度)
38.l:长度
39.l1:长度
40.l2:长度
41.l3:长度
42.s610:操作
43.s620:操作
44.s630:操作
45.s710:操作
46.s720:操作
47.s730:操作
48.s740:操作
49.w:宽度
50.w1:宽度
51.w2:宽度(距离)
52.w3:宽度
具体实施方式
53.以下的公开内容提供许多不同的实施例或范例以实施本发明的不同特征。以下的公开内容叙述各个构件及其排列方式的特定范例，以简化说明。当然，这些特定的范例并非用以限定。例如，元件的尺寸不限于所公开的范围或数值，而可视工艺条件及/或装置的所需性质而定。此外，若是本公开书叙述了一第一特征形成于一第二特征之上或上方，即表示其可能包含上述第一特征与上述第二特征是直接接触的实施例，亦可能包含了有附加特征形成于上述第一特征与上述第二特征之间，而使上述第一特征与第二特征可能未直接接触的实施例。为了简化及明确目的，各种特征可用不同的比例任意地绘制。
54.此外，与空间相关用词，例如“在
…
下方”、“下方”、“较低的”、“上方”、“较高的”及类似的用词，为了便于描述图示中一个元件或特征与另一个(些)元件或特征之间的关系。除了在附图中示出的方位外，这些空间相关用词意欲包含使用中或操作中的装置的不同方位。装置可能被转向不同方位(旋转90度或其他方位)，则在此使用的空间相关词也可依此相同解释。此外，用语“由
…
制成”可表示“包括”或“由
…
组成”。除非另外阐明，在本公开中，片语“a、b及c其中一者”表示“a、b及/或c”(a、b、c、a及b、a及c、b及c、或a及b及c)，并不表示a的一元件、b的一元件以及c的一元件。
55.随着半导体工业已经发展到纳米技术工艺节点以追求更高的装置密度、更高的性能和更低的成本，减轻影响半导体制造设备的振动的振动控制已经变得重要。低频振动可能会影响生产工具，例如光刻工具、薄膜沉积工具、熔炉设备，从而降低半导体制造中的生产良率。由于人员经过设备或操作设备、摆动泵、压缩机、冷却器和空气处理装置(air handling units，ahus)所造成的人流或地震、龙卷风或飓风等自然现象，会产生通过建筑物和清洁室的地板结构传播的低振动频率。振动会影响正在制造的半导体装置的品质。例如，在薄膜沉积工艺中，薄膜粒子不仅沉积在半导体基板上，还沉积在承载晶片的晶舟(wafer boat)和腔室的侧壁上。当设备发生振动/晃动时，沉积在晶舟和腔室侧壁上的薄膜粒子可能会掉落到晶片上，从而导致缺陷，例如凹坑、凸块、线缺陷等。
56.本公开的实施例涉及半导体制造设备和类似的高精度处理设备，并且更具体地涉及用于在半导体制造设备等中减少振动的系统和方法。根据本公开的实施例，可以通过附接(或耦接)重块(weights)(或质量块(masses))至半导体制造设备来增加半导体制造设备(例如：用于薄膜沉积的熔炉设备，或其他类型的半导体制造设备)的重量(或质量)来达成振动减少。增加设备的重量(或质量)使设备不易受到振动的影响，并减少正在制造的半导体装置中的缺陷。附加的重块(或质量块)可以是或包括金属(例如：铁)块、金属板、金属棒等。在一些实施例中，重块使用紧固件(螺钉、螺栓、螺柱、销、钉子、锚、铆钉、钩子、磁铁等)而附接到半导体制造设备。在一些实施例中，重块或质量块是将设备固定到清洁室的地板或格栅(gratings)上的锚。重物在任何所需的位置附接到半导体制造设备，例如，在设备的侧面。在一些实施例中，阻尼材料(例如：橡胶垫、氯丁橡胶垫等)配置在重块与半导体制造设备之间。阻尼材料更佳地将重块固定到半导体制造设备并且限制半导体制造设备的振动
传递到重块，从而限制重块的振动(扰动(rattling))。
57.在本文中为了讨论目的，“振动(vibrations)”指半导体制造设备非期望的、无意的振动，可导致制造工艺中的错误。
58.在一些实施例中，重块以可移除的方式附接，使得它们可以容易地从半导体制造设备移除(分离或拆卸)。例如，重块使用螺钉、钩子或其他容易移除的紧固件连接，使得重块可以容易且相对快速地移除。重块可以完全移除，或根据需要而用更重或更轻的重块代替。应当理解，添加(附接)到半导体制造设备的重块(或质量块)不限于金属重块和任何特定形状的重块。可以使用任何材料和具有任何形状的重块(或质量块)，只要此重块将振动降低到所需的等级。亦应当注意，当重块可以从设备移除而不需要破坏保持重块的紧固件或不会对重块及/或设备造成损坏时，重块即被认为是可移除地附接的。因此，与使用铆钉(rivets)连接的重块相比，拧上和拧下或使用磁铁连接的重块被认为是可移除地附接的，因为需要切割(破坏)铆钉以移除重块。
59.在一些实施例中，重块(质量块)的形状和尺寸(或以其他方式配置)使得不需要移除已经附接至半导体制造设备的配重以增加重量。例如，所附接的重块可以包括可供附加配重附接的附件部分(钩子、杆等)。在其他情况下，重块被成形为板状(或类似形状)或以其他方式具有可以在其上放置(或堆叠)额外重块以增加半导体制造设备的总重量的表面。类似地，可以去除增加的重量以减少半导体制造设备的总重量。这种重量的增加和去除也有助于相对容易地调整半导体制造设备上的重量分布。
60.在一些实施例中，附加重块(或质量块)附接到半导体制造设备，使得附加重块不与放置半导体制造设备的地板接触。结果，附加重块的全部重量被添加到半导体制造装置。相反，当附加重块接触(搁置)地板时，半导体制造装置上的重量减轻。在一些实施例中，半导体制造设备放置在抑振平台上，抑振平台位于半导体制造设备所在设施的地板上。需要说明的是，为便于说明，本公开实施例均以半导体制造装置为例进行说明。然而，实施例不限于半导体制造设备，并且在不脱离本公开的精神和范围的情况下，本公开的实施例可以应用于减少任何装置、工具或机械中的振动。
61.图1示出根据本公开的一些实施例的半导体制造设备100，包括附接至半导体制造设备100的多个重块(或质量块)。作为范例，图1示出用于半导体装置的制造的一熔炉(furnace)。如图所示，多个重块102-1、重块102-2、重块102-3及重块102-4(统称为重块102)附接在半导体制造设备100的相对侧向壁上。举例来说，重块102-1及重块102-2附接在相对的侧向壁101-1及侧向壁101-2的外表面上，且背向彼此。重块102-3及重块102-4附接在相对的侧向壁101-3及侧向壁101-4的外表面上，且面向彼此。替代性地，在一些实施例中，重块102-3及重块102-4附接至侧向壁101-1及侧向壁101-2而非侧向壁101-3及侧向壁101-4，且面朝彼此的相反方向。在其他实施例中，除了重块102-3及重块102-4附接至相对的侧向壁101-3及侧向壁101-4，额外的重块亦附接至相对的侧向壁101-1及侧向壁101-2。应注意的是，上述额外的重块与重块102-1及重块102-2为间隔分开的。应注意的是，重块102的数量并未以任何形式限制。重块102的数量可增加或减少，视应用及设计而定，只要所使用的重块将半导体制造设备100中的振动减少至所需的等级。
62.重块102距离地面185表面一特定的垂直距离h(间隔或间隙)而附接，半导体制造设备100安置(定位)在地面185表面上。在一些实施例中，距离h是基于半导体制造设备100
中的半导体基板的位置所决定。举例来说，设置距离h使得重块102接近半导体基板传送通过半导体制造设备100的不同站台(stages)的路径及/或半导体制造设备100中半导体基板在处理前或后储存的位置。
63.在一些实施例中，重块102使用紧固件(螺钉、螺栓、螺柱、销、钉子、锚、铆钉、钩子、磁铁等)而附接到半导体制造设备100。在一些实施例中，重块102为防震的紧固件，设计用于限制振动引起的自松动。防震的紧固件包括带尼龙嵌件的六角螺母、锁紧螺帽、锁紧螺母、开槽六角螺母、齿锁紧垫圈、锁紧垫圈和弹簧垫圈。
64.附接重块102使得半导体制造设备100上的重量分布平衡。一种平衡重量分布的方式是将重块102定位在相对侧向壁的相同位置上。在一些实施例中，在相对侧向壁上的重块彼此恰好相对地附接，或在所需的余量(margin)内彼此偏移(例如：+/-1至10公分)。举例来说，相对的重块102-1及重块102-2附接在对应的相对侧向壁101-1及侧向壁101-2上，且距离地面表面相同高度，且距离侧向壁101-1及侧向壁101-2的边缘(端部)相同距离。类似地，相对的重块102-3及重块102-4附接在对应的相对侧向壁101-3及侧向壁101-4上，且距离地面表面相同高度，且距离侧向壁101-1及侧向壁101-4的边缘(端部)相同距离。相对地附接的重块102亦具有相同的重量，使得重量分布为平衡。举例来说，重块102-1及重块102-2皆为10公斤至100公斤重。
65.在一些实施例中，附接相对的重块102-1及重块102-2使得重块102-1与重块102-2之间的间隔为最小值，且重块102-1及重块102-2对称地附接以提升重量分布的平衡。因此，作为范例，参照图1，为了保持重块102-1与重块102-2之间的间隔为最小值，重块102-1及重块102-2在宽度w方向上间隔分开，而非纵向地(长度l方向)定位而彼此间隔分开。然而，在其他实施例中，半导体制造设备100的长度l可短于宽度w。在此情况下，为了保持重块102-1与重块102-2之间的间隔为最小值，重块102-1及重块102-2在长度l方向上间隔分开。为了类似的理由，相对的重块102-3及重块102-4在宽度w方向上彼此间隔分开。
66.与半导体制造过程的其他步骤相比，半导体制造过程中的某些步骤或子工艺对半导体制造设备的振动更敏感(或易受影响)。换言之，与半导体制造过程中的其他步骤相比，希望减轻半导体制造过程中的某些步骤或子工艺期间的振动。例如，在薄膜沉积工艺(例如：物理气相沉积(physical vapor deposition，pvd)、化学气相沉积(chemical vapor deposition，cvd)、溶液沉积和原子层沉积(atomic layer deposition，ald))中，装载/卸载晶舟至腔室或从腔室装载/卸载晶舟时的振动会导致薄膜粒子从晶舟和腔室侧壁掉落到半导体基板上。在这种情况下，重块将被附接到或接近(例如：在1公分至10公分内)薄膜沉积设备的发生晶舟装载/卸载的区块。因此，参考图1，重块102-1和重块102-2附接到半导体制造设备100的更易受振动影响的步骤或子工艺发生的区块。
67.重块亦附接至或接近半导体制造设备的使用者与半导体制造设备互动的区块。举例来说，参照图1，半导体制造设备100包括一图形使用者界面(graphical user interface，gui)105，位于侧向壁101-4上，用于控制半导体制造设备100的操作。图形使用者界面105周围的区域由于增加的操作员动作而经历较高的人流(foot traffic)。重块102-4作用以减轻由于高人流而造成的振动。
68.在一些实施例中，半导体制造设备上的重量可通过增加附接至半导体制造设备的重块数量(值)来增加。在此种实施例中，附接至半导体制造设备的重块的尺寸和形状(或以
其他方式配置)使得附加的重块可堆叠在其上。
69.参照图2且继续参考图1，所示出的是重块102-1的主视图，包括附接至侧向壁101-1的一垂直部113以及从垂直部113向外延伸的一水平部111。垂直部113及水平部111经由多个互连部115而彼此连接。重块102-1亦包括多个附接部分107，用于将附加的重块附接至重块102-1。在图2中，附接部分107包括呈x形状的通孔。待放置在重块102-1上的附加重块会具有类似于x形状的凸起，凸起被接收在附接部分107中使得附加的重块稳固地定位在重块102-1上。为了增加半导体制造设备100上的重量，附加的重块可被放置在水平部111上。重块102-1亦包括多个相邻附接部分107之间的互连部115，以对附加的重块提供侧向的支撑。在一范例中，附加的重块呈板状而可被堆叠在水平部111上。在另一范例中，附加的重块为圆形的球体，放置在水平部111上。
70.其他重块102-2、重块102-3、重块102-4的一或多者亦可与重块102-1形状相似。应理解的是，重块102的形状和尺寸仅为范例，且重块102可具有任何所需的形状和尺寸，只要重块102可支撑用于增加半导体制造设备上总重量的附加的重块(作用为用于附加的重块的平台)。
71.因此，通过在重块102上增加附加的重块来增加半导体制造设备100上的重量是相对容易的，不须将现有的重块拆卸再增加新的更重的重块。类似地，附加的重块亦可相对容易地被移除。
72.参照图3a且继续参考图1及图2，所示出的是根据本公开的一些实施例，半导体制造设备100上多个重块102的一范例排列。半导体制造设备100具有约为460公分的一长度l以及约为110公分的一宽度w。重块102-1具有约为50公分至100公分的一长度l2，且与半导体制造设备100的纵向端部间隔分开。重块102-1以约为180公分至230公分的一长度l1与一近端间隔分开，且以约为180公分至230公分的一长度l3与一远端间隔分开。参照图3b，重块102-1的垂直部113具有约为10公分至50公分的一高度h，且水平部111具有约为10公分至30公分的一宽度w。
73.如图所示，因为对振动相对敏感的半导体装置工艺步骤(子工艺)发生在半导体制造设备100的大致中央的部分，重块102-1附接至半导体制造设备100的大致中央的部分。若对振动敏感的工艺步骤发生再半导体制造设备100的其他部分，重块102-1可位于或靠近此些部分。类似地，应理解的是，若振动敏感的工艺发生在半导体制造设备100的多于一个部分，多个重块可附接至此些部分的一些者或所有者。然而，应注意的是，重块的位置不限于任何特定的位置，且重块可被放置在半导体制造设备上任何所需的位置，以获得所需的振动减弱。其他重块102-2、重块102-3及重块102-4的一或多者亦与重块102-1形状相似。应理解的是，重块102的形状和尺寸仅为范例，且重块102可具有任何应用及设计所需的形状和尺寸，用于将振动减少到所需的等级。
74.在一实施例中，重块102具有约为30公斤至80公斤的重量值。然而，重量值不限于此。在一些其他实施例中，重量值约为20公斤至90公斤，或10公斤至100公斤。重量值的下限是基于使用重块时所获得的振动减轻量来决定。低的重量值可能无法提供相对重的半导体制造设备所需的足够振动减少。因此，重块可具有重量值的最小下限。重量值的下限亦基于可被放置在所附接重块上的附加重块的重量值来决定。具有较低重量值的重块可具有较低的承重能力，且可被放在所附接重块上较重的附加重块损坏。
75.重量值的上限是基于重块可多稳固地附接至半导体制造设备以及半导体制造设备所放置的地面的承重能力来决定。将重的重块附接至半导体制造设备可为困难的，或者，可能会有重重块从半导体制造设备脱落(分离)而对设备及地面造成损坏的风险。
76.半导体制造设备100包括多个延伸部151，从半导体制造设备100的主体纵向地延伸。在所示出的实施例中，如上所述，延伸部151的其中一者(请见图1)包括图形使用者界面105；然而，延伸部两者皆可包括图形使用者界面。重块102-3及重块102-4各自附接至侧向壁101-3及侧向壁101-4，以减少由于设备操作员使用图形使用者界面105的动作所造成的振动。在一范例中，如图所示，延伸部151的宽度w1及宽度w3约为20公分，且侧向壁101-3与侧向壁101-4之间的距离w2约为70公分。在一实施例中，重块102-3及重块102-4具有约为10公分至50公分的一高度h，约为10公分至20公分的一宽度w，以及约为100公分至120公分的一长度。选择重块102-3及重块102-4的形状及尺寸使得操作员可占据延伸部151之间的间隙。在一实施例中，重块102-3及重块102-4具有约为30公斤至80公斤的重量值。然而，重量值不限于此。在一些其他实施例中，重量值约为20公斤至90公斤，或10公斤至100公斤。重量值的下限是基于使用重块时所获得的振动减轻量来决定。低的重量值可能无法提供相对重的半导体制造设备所需的足够振动减少。因此，重块可具有重量值的最小下限。重量值的下限亦基于可被放置在所附接重块上的附加重块的重量值来决定。具有较低重量值的重块可具有较低的承重能力，且可被放在所附接重块上较重的附加重块损坏。
77.重量值的上限是基于重块可多稳固地附接至半导体制造设备以及半导体制造设备所放置的地面的承重能力来决定。将重的重块附接至半导体制造设备可为困难的，或者，可能会有重重块从半导体制造设备脱落(分离)而对设备及地面造成损坏的风险。
78.重块102-3及重块102-4的形状与图3b所示出的重块102-1类似，且尺寸长度、宽度及高度皆与重块102-1类似。在一些实施例中，举例来说，当延伸部151不存在时，省略重块102-3及重块102-4。在另一些实施例中，即使延伸部151存在，也省略重块102-3及重块102-4。在其他实施例中，半导体制造设备100仅包括一个有包括重块102-3(或重块102-4)的延伸部151。
79.在一些实施例中，半导体制造设备100放置在一抑振(anti-vibration)平台上。抑振平台用以缓和例如因地震所导致的大振动，但在设备在操作中(例如：传递晶片)时可增加设备的小振动。重块102可缓和因地震所导致的振动且亦可减少由于半导体制造设备100的操作所造成的小振动。在一些实施例中，重块102附接至半导体制造设备100，在半导体制造设备100的基部与抑振平台的上表面之间。在一实施例中，重块102与抑振平台的上表面及地面间隔分开。图4示出半导体制造设备100固定至抑振平台181，且重块102与抑振平台181的上表面187及地面185(半导体制造设备100所在的清洁室的地面185的上表面)间隔分开。
80.图5为根据本公开的一些实施例，示出当不同值的重块附接至半导体处理设施时，半导体处理设施中振动改变的图表。为了讨论，将半导体处理设施设想为一薄膜沉积设备或一熔炉，且振动是在装载及/或卸载一晶舟时测量。装载/卸载晶舟处或附近的振动是在重块不存在以及存在不同重量值的重块时测量的。在点a处，没有重块附接至薄膜沉积设备，且如所示，在装载(或卸载)晶舟时的振动是最大的，约为每分钟0.25毫米。在点b、点c及点d处，越来越重的重块(分别为30公斤、60公斤、80公斤)附接至半导体处理设施。如所示，
在装载及/或卸载晶舟时，振动显著地减少到各自约每分钟0.12毫米、每分钟0.1毫米及每分钟0.08毫米。在点e处，晶舟装载在薄膜沉积设备且80公斤的重块附接至薄膜沉积设备。如所示，振动是最小的，约为每分钟0.052毫米。因此，观察到重块的增加实质上减少薄膜沉积设备中的振动，从约每分钟0.25毫米减少到约每分钟0.052毫米。举例来说，使用自动振动系统(auto vibration system，avs)或其他种类的振动计来测量(测试)振动。
81.在利用重块102减少半导体制造设备中振动的一方法中，初始地，振动是在重块不存在且在利用半导体制造设备执行所需操作时测量的。在一些实施例中，在操作半导体制造设备时，在半导体制造设备的多个位置测量振动。在其他实施例中，振动是在半导体制造设备中较容易受振动影响的工艺发生的位置测量。举例来说，在薄膜沉积设备中，振动是在或靠近装载/卸载晶舟的位置测量，且在装载/卸载晶舟时测量。在测量振动之后，将重块附接至半导体制造设备所需的位置处，且再次测量振动。若振动超过可接受的等级，则增加重块。如本文其他段落所述，将先前附接的重块移除且用较重的重块取代，或者将附加的重块放置在现有的重块上。再次测量振动以确保振动在可接受的等级或以下。若振动超过可接受的等级，则进一步增加重块。当振动等级在或小于可接受的等级，利用半导体制造设备执行操作。
82.本公开的实施例有利地减少了设备的振动，并且考虑到减少的振动，设备可以变得更稳定。由于减少了振动，减少了缺陷及/或其他制造错误。应当理解，并非所有优点都必须在本文中进行讨论，所有实施例或示例都不需要特定的优点，并且其他实施例或示例可以提供不同的优点。
83.本公开的一实施例为在一半导体制造设备中减少振动的方法600，根据图6示出的流程图。应理解的是，附加的操作可提供在图6所讨论的工艺之前、期间或之后，且对于本方法的附加实施例，以下所描述的一些操作可被取代或删除。操作/工艺的顺序可为可互换的，且至少一些操作/工艺可以不同的排序执行。至少二或多个操作/工艺可时间重叠地执行，或几乎为同时地执行。
84.上述方法包括一操作s610，测量半导体制造设备中的振动等级。在操作s620中，决定半导体制造设备中以大于预设振动等级振动的一或多个区块。在操作s630中，通过将一或多个重块耦接至一或多个区块中半导体制造设备的一外表面，减少一或多个区块的振动等级，以在预设振动等级或以内。
85.本公开的一实施例为在一半导体制造设备中减少振动的方法700，根据图7示出的流程图。应理解的是，附加的操作可提供在图7所讨论的工艺之前、期间或之后，且对于本方法的附加实施例，以下所描述的一些操作可被取代或删除。操作/工艺的顺序可为可互换的，且至少一些操作/工艺可以不同的排序执行。至少二或多个操作/工艺可时间重叠地执行，或几乎为同时地执行。
86.上述方法包括一操作s710，将一第一重块附接至一半导体制造设备的一第一外表面。在操作s720，将一第二重块附接至半导体制造设备的一第二外表面，第二外表面与第一外表面相对。在操作s730，测量半导体制造设备具有第一重块及第二重块的部分中的振动等级。在操作s740，当振动等级大于预设等级时，增加第一重块及第二重块。
87.根据本公开的一方式，一种减少振动的方法包括：测量半导体制造设备中的振动等级；决定半导体制造设备中以大于一预设振动等级的等级振动的一或多个区块；以及通
过将一或多个重块耦接至一或多个区块中半导体制造设备的一外表面，减少一或多个区块的振动等级，以在预设振动等级或以内。在一些实施例中，一或多个重块与一地面表面间隔分开地耦接，半导体制造设备定位在地面表面上。在一些实施例中，多个重块耦接至半导体制造设备，多个重块耦接至半导体制造设备相对的多个侧向壁，且每一重块与另一重块相对地耦接。在一些实施例中，耦接至相对的侧向壁的重块面向彼此。在一些实施例中，耦接至相对的侧向壁的重块背向彼此。在一些实施例中，上述方法还包括：通过将附加的多个重块耦接至已耦接至半导体制造设备的重块，增加附接至半导体制造设备的一总重块量。在一些实施例中，多个重块耦接至半导体制造设备，且每一重块具有相同的重量值。在一些实施例中，半导体制造设备放置在一抑振平台上，抑振平台放置在一地面表面上，且上述方法包括：将一或多个重块耦接在半导体制造设备的一基部以及抑振平台的一上表面之间。在一些实施例中，重块从抑振平台的上表面以及地面表面间隔分开。
88.根据本公开的另一方式，一种减少振动的方法包括：将一第一重块附接至一半导体制造设备的一第一外表面；将一第二重块附接至半导体制造设备的一第二外表面，第二外表面与第一外表面相对；测量半导体制造设备具有第一重块及第二重块的部分中的振动等级；以及当振动等级大于一预设等级时，增加第一重块及第二重块。在一些实施例中，第一重块恰好与第二重块相对地附接。在一些实施例中，上述方法还包括：将一第三重块附接至第一外表面且将一第四重块附接至第二外表面，以减少振动等级至小于或等于预设等级。在一些实施例中，多个重块附接至第一外表面及第二外表面，多个重块包括第一重块及第二重块；以及附接至第一外表面及第二外表面的重块数量相同。在一些实施例中，第一外表面上的每一重块在第二外表面上具有一对应的重块，且彼此恰好相对地附接。在一些实施例中，第一重块及第二重块与一地面表面间隔分开地附接，半导体制造设备定位在地面表面上。在一些实施例中，增加第一重块及第二重块包括：耦接附加的多个重块至第一重块及第二重块的每一者。在一些实施例中，第一重块及第二重块具有相同的重量值。
89.根据本公开的另一方式，一种半导体制造设备包括：一第一侧向壁、与第一侧向壁相对的一第二侧向壁以及一或多个重块。一或多个重块附接至第一侧向壁及第二侧向壁，其中重块附接在半导体制造设备上的多个地点，在上述地点处最大程度地减少半导体制造设备的振动。在一些实施例中，每一重块与一地面表面间隔分开地附接，半导体制造设备定位在地面表面上。在一些实施例中，上述半导体制造设备还包括一或多个附加的重块，耦接至一或多个重块，以增加半导体制造设备上的一总重量。
90.前述内文概述了许多实施例的特征，使本技术领域中技术人员可以从各个方面更佳地了解本公开。本技术领域中技术人员应可理解，且可轻易地以本公开为基础来设计或修饰其他工艺及结构，并以此达到相同的目的及/或达到与在此介绍的实施例等相同的优点。本技术领域中技术人员也应了解这些相等的结构并未背离本公开的发明精神与范围。在不背离本公开的发明精神与范围的前提下，可对本公开进行各种改变、置换或修改。

技术特征：
1.一种半导体制造方法，包括：测量半导体制造设备中的振动等级；决定该半导体制造设备中以大于一预设振动等级的等级振动的一或多个区块；以及通过将一或多个重块耦接至该一或多个区块中该半导体制造设备的一外表面，减少该一或多个区块的振动等级，以在该预设振动等级或以内。2.如权利要求1所述的半导体制造方法，其中多个重块耦接至该半导体制造设备，多个所述重块耦接至该半导体制造设备相对的多个侧向壁，且每一重块与另一重块相对地耦接。3.如权利要求1所述的半导体制造方法，还包括：通过将附加的多个重块耦接至已耦接至该半导体制造设备的多个所述重块，增加附接至该半导体制造设备的一总重块量。4.如权利要求1所述的半导体制造方法，其中该半导体制造设备放置在一抑振平台上，该抑振平台放置在一地面表面上，且该方法包括：将该一或多个重块耦接在该半导体制造设备的一基部以及该抑振平台的一上表面之间。5.一种半导体制造方法，包括：将一第一重块附接至一半导体制造设备的一第一外表面；将一第二重块附接至该半导体制造设备的一第二外表面，该第二外表面与该第一外表面相对；测量该半导体制造设备具有该第一重块及该第二重块的部分中的振动等级；以及当多个所述振动等级大于一预设等级时，增加该第一重块及该第二重块。6.如权利要求5所述的半导体制造方法，还包括：将一第三重块附接至该第一外表面且将一第四重块附接至该第二外表面，以减少多个所述振动等级至小于或等于该预设等级。7.如权利要求5所述的半导体制造方法，其中多个重块附接至该第一外表面及该第二外表面，多个所述重块包括该第一重块及该第二重块；以及附接至该第一外表面及该第二外表面的重块数量相同。8.如权利要求5所述的半导体制造方法，其中增加该第一重块及该第二重块包括：耦接附加的多个重块至该第一重块及该第二重块的每一者。9.一种半导体制造设备，包括：一第一侧向壁；一第二侧向壁，与该第一侧向壁相对；以及一或多个重块，附接至该第一侧向壁及该第二侧向壁，其中多个所述重块附接在该半导体制造设备上的多个地点，在多个所述地点处最大程度地减少该半导体制造设备的振动。10.如权利要求9所述的半导体制造设备，还包括：一或多个附加的重块，耦接至该一或多个重块，以增加该半导体制造设备上的一总重量。

技术总结
一种半导体制造方法及设备，半导体制造方法包括：测量半导体制造设备中的振动等级；决定半导体制造设备中以大于一预设振动等级的等级振动的一或多个区块；以及通过将一或多个重块耦接至一或多个区块中半导体制造设备的一外表面，减少一或多个区块的振动等级，以在预设振动等级或以内。预设振动等级或以内。预设振动等级或以内。


技术研发人员：何宜臻 廖志评 林建廷 杨杰颖 王伟民 廖克勋 林季勋
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2023.03.10
技术公布日：2023/7/19