一种晶圆的湿式处理设备及用于其的晶圆载台的制作方法

1.本实用新型关于一种半导体制程的设备，特别关于一种晶圆的湿式处理设备及用于其的晶圆载台。


背景技术：

2.在半导体的制程中，涉及多重的清洗、蚀刻、剥离等湿制程，该些湿制程是将多片晶圆放置于晶圆载具(又称为晶舟(cassette))内，再将晶圆连同晶圆载具放置在装有化学溶液的槽内。
3.相关技术可见于pct国际申请第wo2012095216a1号、美国专利第us9562291b2号、第us8735261b2号、第us10056271b2号、第us20220351986a1号、第us11482430b2号、第us9553005b2、第us5827396a号等。
4.在该些现有技术中，为了稳固地固定每个晶圆，晶圆载具与晶圆之间会有一定程度的接触面积，因此降低了化学溶液与晶圆之间的接触面积，造成蚀刻不均匀的问题，影响晶圆制程的生产效率。
5.在湿制程的进行中，常会有具有腐蚀性气体的产生，当用于移动晶圆载具的升降机构暴露在该气体时，会受其影响而造成升降机构的故障或使用年限缩减。
6.因此，如何在稳固地输送晶圆的前提下，又能够增加晶圆与化学溶液的接触面积，并且将制程产生的气体对升降机构的影响降低，为本领域技术人员所欲解决的问题。


技术实现要素：

7.本实用新型的目的在于解决习知晶圆载具遮蔽晶圆较大的面积而影响晶圆的湿式处理制程的效率的问题，以及腐蚀性气体造成升降机构的使用年限缩减的问题。
8.为解决上述问题，本实用新型揭示一种用于晶圆的湿式处理设备的晶圆载台，被配置为收纳多个晶圆，所述多个晶圆在该晶圆载台中沿一第一水平方向排列，其中，该晶圆载台包括：一第一框架，包括一第一前板、一第一背板、一左底杆及一右底杆，该第一前板与该第一背板相对地设置且分别地朝一垂直于该第一水平方向的第二水平方向横向延伸，该左底杆及该右底杆从该第一前板沿该第一水平方向延伸而连接至该第一背板；以及一第二框架，包括一第二前板、一第二背板及一顶杆，该顶杆从该第二前板沿该第一水平方向延伸而连接至该第二背板；其中，该左底杆、该右底杆及该顶杆沿该第一水平方向延伸且分别具有多个相隔设置的凹陷，因而沿该第一水平方向定义出多个容置所述多个晶圆的收纳槽；以及其中，该第二前板与该第二背板分别通过一轴件与该第一前板与该第一背板耦接，而使该第二框架能相对该第一框架以该轴件为轴心转动，在转动中，该顶杆与该左底杆或该右底杆之间的一直线间距从大于所述多个晶圆的直径而改变至小于所述多个晶圆的直径，以限制所述多个晶圆在该顶杆、该左底杆与该右底杆所定义的该收纳槽。
9.在一实施例中，所述的晶圆载台还包括一位于该顶杆与该左底杆之间的第一开口、一位于该顶杆与该右底杆之间的第二开口以及一位于该左底杆与该右底杆之间的第三
开口，所述多个晶圆通过该第一开口、该第二开口及该第三开口暴露于外。
10.在一实施例中，该第二框架相对该第一框架以该轴件转动，而具有一开启状态以及一关闭状态，该顶杆在该开启状态时靠近该右底杆且远离该左底杆，该顶杆在该关闭状态时位于该左底杆与该右底杆的上方。
11.在一实施例中，在该开启状态时，该第一框架上方形成一供所述多个晶圆放置于该第一框架上的取放开口。
12.在一实施例中，在该关闭状态时，该顶杆与该左底杆之间的间距、该顶杆与该右底杆之间的间距以及该左底杆与该右底杆之间的间距分别小于所述多个晶圆的直径。
13.为解决上述问题，本实用新型揭示一种晶圆的湿式处理设备，包括：一壳体、一槽体、一移动模块以及一晶圆载台。该壳体包括一顶部、一底部以及一位于该顶部与该底部之间的工作空间，该顶部与该工作空间之间以一顶部隔板相隔。该槽体设置于该壳体的底部，该槽体用以积存一处理晶圆的液体。该移动模块至少部分地设置于该壳体的该顶部，该移动模块包括一垂直移动机构。该晶圆载台被配置为收纳多个晶圆且耦接至该垂直移动机构而能够在一高于该槽体内的该液体的液面的第一高度以及一低于该槽体内的该液体的液面的第二高度之间移动，所述多个晶圆在该晶圆载台中沿一第一水平方向排列，该晶圆载台包括一第一框架以及一第二框架。
14.该第一框架包括一第一前板、一第一背板、一左底杆及一右底杆，该第一前板与该第一背板相对地设置且分别地朝一垂直于该第一水平方向的第二水平方向延伸，该左底杆及该右底杆从该第一前板沿该第一水平方向延伸而连接至该第一背板。该第二框架包括一第二前板、一第二背板及一顶杆，该顶杆从该第二前板沿该第一水平方向横向延伸而连接至该第二背板。
15.其中，该左底杆、该右底杆及该顶杆沿该第一水平方向延伸且分别具有多个相隔设置的凹陷，因而沿该第一水平方向定义出多个容置所述多个晶圆的收纳槽。
16.其中，该第二前板与该第二背板分别通过一轴件与该第一前板与该第一背板耦接，而使该第二框架能相对该第一框架以该轴件为轴心转动，在转动中，该顶杆与该左底杆或该右底杆之间的一直线间距从大于所述多个晶圆的直径而改变至小于所述多个晶圆的直径，以限制所述多个晶圆在该顶杆、该左底杆与该右底杆所定义的该收纳槽。
17.在一实施例中，晶圆载台还包括一位于该顶杆与该左底杆之间的第一开口、一位于该顶杆与该右底杆之间的第二开口以及一位于该左底杆与该右底杆之间的第三开口，所述多个晶圆通过该第一开口、该第二开口及该第三开口暴露于外。
18.在一实施例中，该第二框架相对该第一框架以该轴件转动，而具有一开启状态以及一关闭状态，该顶杆在该开启状态时靠近该右底杆且远离该左底杆，该顶杆在该关闭状态时位于该左底杆与该右底杆的上方。
19.在一实施例中，在该开启状态时，该第一框架上方形成一供所述多个晶圆放置于该第一框架上的取放开口。
20.在一实施例中，在该关闭状态时，该顶杆与该左底杆之间的间距、该顶杆与该右底杆之间的间距以及该左底杆与该右底杆之间的间距分别小于所述多个晶圆的直径。
附图说明
21.图1a，为本实用新型一实施例的晶圆的湿式处理设备的立体示意图；
22.图1b，为本实用新型一实施例的晶圆的湿式处理设备的另一视角的立体示意图；
23.图2a，为本实用新型一实施例的垂直移动机构在待夹持状态的示意图；
24.图2b，为本实用新型一实施例的垂直移动机构在夹持状态且于第一高度的示意图；
25.图2c，为本实用新型一实施例的垂直移动机构在夹持状态且于第二高度的示意图；
26.图3a，为本实用新型一实施例的晶圆载台在关闭状态且未装载晶圆的立体示意图；
27.图3b，为本实用新型一实施例的晶圆载台在开启状态且装载晶圆的立体示意图；
28.图3c，为本实用新型一实施例的晶圆载台在关闭状态且装载晶圆的立体示意图；
29.图4a，为图3b的俯视图；
30.图4b，为图4a沿a-a割面的剖面图；
31.图5a，为图3c的俯视图；
32.图5b，为图5a沿b-b割面的剖面图。
33.【符号说明】
34.1：湿式处理设备
35.10：壳体
36.11：顶部
37.12：底部
38.13：工作空间
39.131：第一区域
40.131a：工作平台
41.132：第二区域
42.133：第三区域
43.14：门体
44.15：开口
45.16：顶部隔板
46.20：槽体
47.20a：蚀刻槽
48.20b：清洗槽
49.21：液体
50.30：移动模块
51.31：垂直移动机构
52.311：外壳
53.312：第一升降臂
54.312a：抓持部
55.313：第二升降臂
56.313a：抓持部
57.32：连接杆
58.40：晶圆载台
59.40a：第一侧区域
60.40b：第二侧区域
61.41：第一框架
62.411：第一前板
63.412：第一背板
64.413：左底杆
65.413a：收纳槽
66.414：右底杆
67.414a：收纳槽
68.42：第二框架
69.421：第二前板
70.422：第二背板
71.423：顶杆
72.423a：收纳槽
73.43：轴件
74.44a：第一开口
75.44b：第二开口
76.44c：第三开口
77.45：取放开口
78.50：晶圆
79.l1、l2：直线间距
80.w：距离
81.d：直径
具体实施方式
82.本文所使用的术语仅是基于阐述特定实施例的目的而并非限制本实用新型。除非上下文另外指明，否则本文所用单数形式“一”及“该”也可能包括复数形式。
83.本文所使用的方向性用语，例如上、下、左、右、前、后及其衍生词或同义词，乃涉及附图中的元件的方位，并非限制本实用新型，除非上下文另外明确记载。有关本实用新型的详细说明及技术内容，现就配合附图说明如下：
84.参阅“图1a”、“图1b”，本实用新型揭示一种晶圆的湿式处理设备1，在一例子中，该湿式处理设备1为一用于进行晶圆的湿制程的湿式工作台(wet bench)，特别是一批次湿式工作台。该湿式处理设备1包括一壳体10、多个槽体20、一移动模块30以及一晶圆载台40。
85.该壳体10包括一顶部11、一底部12以及一工作空间13，该工作空间13位于该顶部11与该底部12之间，且通过一可移动的门体14供使用者或机械手臂从一开口15进入。该壳体10的该顶部11以及该底部12分别定义出一腔室，该些槽体20设置于该壳体10的该底部12
的该腔室且位于该工作空间13下方，该槽体20包括一蚀刻槽20a以及一清洗槽20b，该工作空间13包括一第一区域131、一位于该蚀刻槽20a上方的第二区域132以及一位于该清洗槽20b上方的第三区域133。该移动模块30包括一第一部分以及一第二部分，该第一部分设置于该壳体10的该顶部11的该腔室，该第二部分设置于该工作空间13内，该壳体10的该顶部11与该工作空间13之间通过一顶部隔板16隔开，以保护该移动模块30的该第一部分不受湿式处理的化学反应而影响，减少晶圆的湿制程喷溅的化学液体或飘散的气体对机构造成不利的影响以及减少使用寿命。该移动模块30被配置为抓持该晶圆载台40且带动该晶圆载台40在该工作空间13移动，例如沿着x轴方向在该第一区域131、该第二区域132及该第三区域133之间的水平移动以及分别在该第二区域132及该第三区域133沿着z轴方向的垂直移动，以让该晶圆载台40之中的多个晶圆50可以从该工作空间13下沉至该蚀刻槽20a及/或该清洗槽20b。
86.参阅“图2a”、“图2b”，该移动模块30包括一横向移动机构以及一垂直移动机构31，该横向移动机构位于该顶部11的该腔室内而被配置为带动该垂直移动机构31横向地移动，该垂直移动机构31与该横向移动机构通过一连接杆32连接，借此吊挂于该工作空间13上方，且该垂直移动机构31随着该横向移动机构而可横向移动。该垂直移动机构31包括一外壳311、一垂直移动模块、一第一升降臂312以及一第二升降臂313，该垂直移动模块设置于该外壳311内，且该第一升降臂312以及该第二升降臂313连接至该垂直移动模块并延伸地从该外壳311下方突出。该垂直移动模块可带动该第一升降臂312以及该第二升降臂313相对该槽体20垂直位移，亦可带动该第一升降臂312以及该第二升降臂313沿着“图1a”的y轴方向进行水平位移，该第一升降臂312以及该第二升降臂313分别具有一抓持部312a、313a，用以固定该晶圆载台40。
87.操作时，该晶圆载台40可以由使用者或机械手臂放置在该第一区域131的一工作平台131a上，该第一升降臂312以及该第二升降臂313位于一待夹持状态而靠近该晶圆载台40，该待夹持状态如“图2a”所示，该第一升降臂312以及该第二升降臂313在y轴方向是远离该晶圆载台40。接着，该第一升降臂312以及该第二升降臂313在y轴方向接近该晶圆载台40而以该抓持部312a、313a插入且夹持该晶圆载台40，该第一升降臂312以及该第二升降臂313处于一夹持状态，如“图2b”所示。当夹持该晶圆载台40后，该移动模块30可带动该晶圆载台40先从该第一区域131沿x轴方向移动至该第二区域132及/或该第三区域133，且沿z轴方向下沉至该蚀刻槽20a及/或该清洗槽20b，以进行蚀刻制程以及清洗制程。
88.如此一来，该晶圆载台40可以在一第一高度(如“图2b”所示)以及一第二高度(如“图2c”所示)之间垂直移动，该第一高度高于该槽体20内的一液体21的液面，该第二高度低于该槽体20内的该液体21的液面，位于该蚀刻槽20a内的该液体21为一蚀刻液体，位于该清洗槽20b内的该液体21为一清洗液体。
[0089]“图3a”显示在关闭状态的该晶圆载台40，该晶圆载台40包括一第一框架41、一第二框架42以及多个轴件43，该第一框架41包括一第一前板411、一第一背板412、一左底杆413及一右底杆414，该第二框架42包括一第二前板421、一第二背板422及一顶杆423。该晶圆载台40在该关闭状态时，包括一第一开口44a、一第二开口44b以及一第三开口44c。该第一开口44a位于该顶杆423与该左底杆413之间，该第二开口44b位于该顶杆423与该右底杆414之间，该第三开口44c位于该左底杆413与该右底杆414之间，该晶圆50通过该第一开口
44a、该第二开口44b及该第三开口44c暴露于外。
[0090]
该左底杆413及该右底杆414从该第一前板411沿一第一水平方向(即y轴方向)延伸而连接至该第一背板412，该第一前板411与该第一背板412相对地设置且分别地沿一第二水平方向(即x轴方向)延伸。该顶杆423从该第二前板421沿该第一水平方向延伸而连接至该第二背板422。该第二前板421与该第二背板422分别通过该轴件43与该第一前板411与该第一背板412耦接，而使该第二框架42能相对该第一框架41以该轴件43为轴心转动，而在一关闭状态以及一开启状态之间切换。
[0091]“图3a”显示在关闭状态且未装载晶圆的该晶圆载台40，“图3b”显示在开启状态而装载晶圆的该晶圆载台40，“图3c”显示装载晶圆后而处于关闭状态的该晶圆载台40。
[0092]
该左底杆413及该右底杆414沿该第一水平方向分别具有多个凹陷，因而沿该第一水平方向定义出多个容置该些晶圆50的收纳槽413a、414a，该左底杆413的该收纳槽413a与该右底杆414的该收纳槽414a的数量为相同且于该第二水平方向对应地设置，据此，该些晶圆50可以放置于该些收纳槽413a、414a内，该些收纳槽413a、414a的斜面会使该些晶圆50沿该第一水平方向、该第二水平方向的移动受到该收纳槽413a、414a的限制而被固定。本实施例中，该收纳槽413a、414a的数量被配置为13个，在其他实施例中，该收纳槽413a、414a的数量可以根据需求而决定。
[0093]
该顶杆423沿该第一水平方向具有多个凹陷，因而沿该第一水平方向定义出多个容置该些晶圆50的收纳槽423a，该顶杆423的该收纳槽423a与该收纳槽413a、414a的数量相同且对应地设置，在该关闭状态时，该收纳槽413a、414a、423a可限制该些晶圆50于垂直方向(即z轴方向)以及水平方向(即x轴跟y轴方向)的移动。
[0094]
如“图3b”所示，在该开启状态时，该第一框架41上方形成一供该晶圆50放置于该第一框架41上的取放开口45。
[0095]“图4a”为“图3b”的俯视图，当该晶圆载台40处于该开启状态时，该左底杆413及该右底杆414之间的一距离w为小于该晶圆50的一直径d，供该些晶圆50能放置于该左底杆413及该右底杆414上，本例中，该距离w被定义为该左底杆413及该右底杆414之间的一最短距离。在该开启状态时，该顶杆423是位于该些晶圆50的侧边。本例中，可定义该晶圆载台40从俯视或前视观之具有一第一侧区域40a以及一第二侧区域40b。该顶杆423根据转动方向而位于该第一侧区域40a或该第二侧区域40b，本实施例示出该顶杆423位于该第二侧区域40b的示意图。
[0096]“图4b”为沿着“图4a”a-a的剖面图，当该顶杆423位于该第二侧区域40b时，该顶杆423与该左底杆413之间的一直线间距l1大于该晶圆50的该直径d，本例中，该直线间距l1可取在该开启状态时，该顶杆423与该左底杆413之间的一最短距离，据此，该些晶圆50可以从该顶杆423与该左底杆413之间的开口置入该晶圆载台40内，将该些晶圆50在该晶圆载台40中沿该第一水平方向排列。
[0097]
放置完成后，该晶圆载台40的该第二框架42再转动至该关闭状态，以固定该些晶圆50。
[0098]
参阅“图5a”及“图5b”，当该第二框架42相对该第一框架41为该关闭状态时，该顶杆423是位于该些晶圆50的上方，并且该顶杆423与该左底杆413或该右底杆414之间的一直线间距l2小于该晶圆50的该直径d，本例中，该直线间距l2可取在该关闭状态时，该顶杆423
与该左底杆413之间的一最短距离，使该些晶圆50固定于该些收纳槽413a、414a、423a内，形成三点的固定结构，可限制该些晶圆50于水平方向及垂直方向的移动，此外，利用该左底杆413、该右底杆414以及该顶杆423即可有效固定该些晶圆50，不需遮蔽该些晶圆50的大部分面积，可增加晶圆的湿式处理制程的效率。
[0099]
该第二框架42相对该第一框架41以该轴件43为轴心转动，在该开启状态转动至该关闭状态时，该顶杆423与该左底杆413之间的该直线间距l1改变为该顶杆423与该左底杆413及该右底杆414之间的该直线间距l2。该直线间距l1大于该晶圆50的该直径d，又该直径d大于该直线间距l2，因此可以在放置该些晶圆50后再加以固定。本实施例中，该直线间距l1、l2是在xz平面上，该顶杆423与该左底杆413及该右底杆414之间的距离，xz平面亦可视为与该晶圆50的表面为同平面。
[0100]
本实用新型的该些晶圆50是放置于该晶圆载台40内并将该晶圆载台40调整至该关闭状态，再通过该移动模块30夹取该晶圆载台40在该湿式处理设备1内移动，进行蚀刻制程或清洗制程等湿制程。
[0101]
综上所述，本案通过前述机构，可以增加该晶圆载台承载该些晶圆时，该些晶圆与蚀刻液体或清洗液体的接触面积，从而增加该晶圆在蚀刻制程或清洗制程的生产效率。另一方面，通过将该移动模块的部分元件设置于该晶圆清洗设备的顶部，可以在移动该晶圆载台时，减少制程产生的气体对该移动模块的影响。

技术特征：
1.一种用于晶圆的湿式处理设备的晶圆载台，被配置为收纳多个晶圆，所述多个晶圆在该晶圆载台中沿一第一水平方向排列，其特征在于，该晶圆载台包括：一第一框架，包括一第一前板、一第一背板、一左底杆及一右底杆，该第一前板与该第一背板相对地设置且分别地朝一垂直于该第一水平方向的第二水平方向横向延伸，该左底杆及该右底杆从该第一前板沿该第一水平方向延伸而连接至该第一背板；以及一第二框架，包括一第二前板、一第二背板及一顶杆，该顶杆从该第二前板沿该第一水平方向延伸而连接至该第二背板；其中，该左底杆、该右底杆及该顶杆沿该第一水平方向延伸且分别具有多个相隔设置的凹陷，因而沿该第一水平方向定义出多个容置所述多个晶圆的收纳槽；以及其中，该第二前板与该第二背板分别通过一轴件与该第一前板与该第一背板耦接，而使该第二框架能相对该第一框架以该轴件为轴心转动，在转动中，该顶杆与该左底杆或该右底杆之间的一直线间距从大于所述多个晶圆的直径而改变至小于所述多个晶圆的直径，以限制所述多个晶圆在该顶杆、该左底杆与该右底杆所定义的该收纳槽。2.根据权利要求1所述的晶圆载台，其特征在于，还包括一位于该顶杆与该左底杆之间的第一开口、一位于该顶杆与该右底杆之间的第二开口以及一位于该左底杆与该右底杆之间的第三开口，所述多个晶圆通过该第一开口、该第二开口及该第三开口暴露于外。3.根据权利要求1所述的晶圆载台，其特征在于，该第二框架相对该第一框架以该轴件转动，而具有一开启状态以及一关闭状态，该顶杆在该开启状态时靠近该右底杆且远离该左底杆，该顶杆在该关闭状态时位于该左底杆与该右底杆的上方。4.根据权利要求3所述的晶圆载台，其特征在于，在该开启状态时，该第一框架上方形成一供所述多个晶圆放置于该第一框架上的取放开口。5.根据权利要求3所述的晶圆载台，其特征在于，在该关闭状态时，该顶杆与该左底杆之间的间距、该顶杆与该右底杆之间的间距以及该左底杆与该右底杆之间的间距分别小于所述多个晶圆的直径。6.一种晶圆的湿式处理设备，其特征在于，包括：一壳体，包括一顶部、一底部以及一位于该顶部与该底部之间的工作空间，该顶部与该工作空间之间以一顶部隔板相隔；一槽体，设置于该壳体的底部，该槽体用以积存一处理晶圆的液体；一移动模块，至少部分地设置于该壳体的该顶部，该移动模块包括一垂直移动机构；以及一晶圆载台，被配置为收纳多个晶圆且耦接至该垂直移动机构而能够在一高于该槽体内的该液体的液面的第一高度以及一低于该槽体内的该液体的液面的第二高度之间移动，所述多个晶圆在该晶圆载台中沿一第一水平方向排列，该晶圆载台包括：一第一框架，包括一第一前板、一第一背板、一左底杆及一右底杆，该第一前板与该第一背板相对地设置且分别地朝一垂直于该第一水平方向的第二水平方向延伸，该左底杆及该右底杆从该第一前板沿该第一水平方向延伸而连接至该第一背板；以及一第二框架，包括一第二前板、一第二背板及一顶杆，该顶杆从该第二前板沿该第一水平方向横向延伸而连接至该第二背板；其中，该左底杆、该右底杆及该顶杆沿该第一水平方向延伸且分别具有多个相隔设置
的凹陷，因而沿该第一水平方向定义出多个容置所述多个晶圆的收纳槽；以及其中，该第二前板与该第二背板分别通过一轴件与该第一前板与该第一背板耦接，而使该第二框架能相对该第一框架以该轴件为轴心转动，在转动中，该顶杆与该左底杆或该右底杆之间的一直线间距从大于所述多个晶圆的直径而改变至小于所述多个晶圆的直径，以限制所述多个晶圆在该顶杆、该左底杆与该右底杆所定义的该收纳槽。7.根据权利要求6所述的湿式处理设备，其特征在于，还包括一位于该顶杆与该左底杆之间的第一开口、一位于该顶杆与该右底杆之间的第二开口以及一位于该左底杆与该右底杆之间的第三开口，所述多个晶圆通过该第一开口、该第二开口及该第三开口暴露于外。8.根据权利要求6所述的湿式处理设备，其特征在于，该第二框架相对该第一框架以该轴件转动，而具有一开启状态以及一关闭状态，该顶杆在该开启状态时靠近该右底杆且远离该左底杆，该顶杆在该关闭状态时位于该左底杆与该右底杆的上方。9.根据权利要求8所述的湿式处理设备，其特征在于，在该开启状态时，该第一框架上方形成一供所述多个晶圆放置于该第一框架上的取放开口。10.根据权利要求8所述的湿式处理设备，其特征在于，在该关闭状态时，该顶杆与该左底杆之间的间距、该顶杆与该右底杆之间的间距以及该左底杆与该右底杆之间的间距分别小于所述多个晶圆的直径。

技术总结
一种晶圆的湿式处理设备及用于其的晶圆载台，晶圆的湿式处理设备包括一壳体、一槽体、一移动模块及一晶圆载台。该壳体包括一顶部、一底部及一工作空间。该移动模块包括一垂直移动机构。该槽体用以积存一处理晶圆的液体。该晶圆载台包括一第一框架及一第二框架，该第一框架包括一第一前板、一第一背板、一左底杆及一右底杆，该第二框架包括一第二前板、一第二背板及一顶杆。该左底杆、该右底杆及该顶杆沿该第一水平方向延伸且分别具有多个凹陷。该第二前板与该第二背板分别通过一轴件与该第一前板与该第一背板耦接，而使该第二框架能相对该第一框架以该轴件为轴心转动。该第一框架以该轴件为轴心转动。该第一框架以该轴件为轴心转动。


技术研发人员：谢耀贤
受保护的技术使用者：奇勗科技股份有限公司
技术研发日：2023.04.19
技术公布日：2023/7/19