显示面板的制作方法
未命名
07-22
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1.本发明涉及一种显示技术,且特别涉及一种显示面板。
背景技术:
2.一般来说,液晶显示面板是通过每个像素区内的像素电极来改变液晶分子的排列状态,进而调整光线的偏振态来达到不同灰阶程度的显示效果。为了满足电子产品(例如,笔记本电脑、平板电脑、智能手机等)的续航力需求,液晶显示面板可根据使用情境而调降画面更新率(frame rate)以降低运行功耗。
3.然而,由于现行像素电极的配置方式容易与相邻的信号线产生电容耦合效应,且用来控制像素电极的开关元件容易受到光线照射而产生漏电流,像素电极所施加的电压电平在一个画面扫描周期内容易产生偏移,造成显示画面闪烁的现象。尤其是当液晶显示面板以较低的画面更新率(例如20hz)运行时,显示画面的闪烁会更为严重而影响显示品质。
技术实现要素:
4.本发明提供一种显示面板,在较低的画面更新率下,较不容易出现显示画面闪烁的现象。
5.本发明的显示面板,包括基板、多条数据线、多条扫描线、多个主动元件及多个像素电极。多条数据线间隔排列在基板上,且包括按序设置的第一数据线、第二数据线与第三数据线。第一数据线与第三数据线各自具有第一极性。第二数据线具有第二极性,且第一极性不同于第二极性。多条扫描线间隔排列在基板上,并且与多条数据线相交出多个像素区。多个主动元件分别设置在这些像素区内,且各自包括半导体图案、源极、漏极与栅极。栅极电性连接这些扫描线的一者。半导体图案具有分别与源极和漏极连接的源极区与漏极区、连接在源极区与漏极区的通道区以及自漏极区延伸而出的延伸区。多个主动元件中的第一主动元件设置在第一数据线与第二数据线之间。第一主动元件的源极电性连接第一数据线。第一主动元件的半导体图案的延伸区朝向第二数据线延伸并且与第二数据线相重叠。这些主动元件中的第二主动元件设置在第二数据线与第三数据线之间。第二主动元件的源极电性连接第二数据线。第二主动元件的半导体图案的延伸区朝向第三数据线延伸并且与第三数据线相重叠。多个像素电极分别设置在多个像素区内,并且分别电性连接多个主动元件的多个漏极。
6.本发明的显示面板,包括基板、多条第一数据线、多条第二数据线、多条扫描线、第一像素结构以及第二像素结构。多条第一数据线与多条第二数据线交替排列在基板上。第一数据线与第二数据线分别具有第一极性与第二极性,且第一极性不同于第二极性。多条扫描线间隔排列在基板上,并且相交于这些第一数据线与这些第二数据线。第一像素结构设置在这些第一数据线的其中一者与这些第二数据线的其中一者之间,且具有第一主动元件与第一像素电极。第一主动元件包括第一半导体图案、第一源极、第一漏极及第一栅极。第一源极电性连接这些第一数据线的其中该者与第一半导体图案的第一源极区。第一漏极
电性连接第一像素电极与第一半导体图案的第一漏极区。第一栅极重叠于第一半导体图案的第一通道区。第一通道区连接在第一源极区与第一漏极区之间。第二像素结构设置在这些第二数据线的其中该者与多条第一数据线的其中另一者之间,且具有第二主动元件与第二像素电极。第二主动元件包括第二半导体图案、第二源极、第二漏极及第二栅极。第二源极电性连接这些第二数据线的其中该者与第二半导体图案的第二源极区。第二漏极电性连接第二像素电极与第二半导体图案的第二漏极区。第二栅极重叠于第二半导体图案的第二通道区。第二通道区连接在第二源极区与第二漏极区之间。第一半导体图案具有延伸自第一漏极区的第一延伸区。第二半导体图案具有延伸自第二漏极区的第二延伸区。第一半导体图案的第一延伸区朝向这些第二数据线的其中该者延伸并且与这些第二数据线的其中该者相重叠。第二半导体图案的第二延伸区朝向这些第一数据线的其中该另一者延伸并且与这些第一数据线的其中该另一者相重叠。
7.基于上述,在本发明的一实施例的显示面板中,主动元件的相对两侧分别设有极性相反的两条数据线,且电性连接其中一条数据线。通过将主动元件的半导体图案朝向另一条数据线延伸并且与其相重叠,能让电性连接主动元件的像素电极在显示面板以低画面更新率(例如20hz)操作下的电位偏移量得以降低,有助于改善显示画面闪烁的问题。
附图说明
8.图1是依照本发明的第一实施例的显示面板的正视示意图。
9.图2是图1的显示面板的局部区域的放大示意图。
10.图3是图2的显示面板的剖视示意图。
11.图4是依照本发明的第二实施例的显示面板的正视示意图。
12.图5是比较例的显示面板的正视示意图。
13.图6a是比较例与依照本发明的实施例的显示面板操作在60hz的画面更新率下的闪烁值分布图。
14.图6b是比较例与依照本发明的实施例的显示面板操作在20hz的画面更新率下的闪烁值分布图。
15.附图标记说明:
16.10、10a、10c:显示面板
17.100:基板
18.bl:缓冲层
19.c:补偿电容器
20.ce:共通电极
21.ch1、ch2:通道区
22.d1:第一距离
23.d2:第二距离
24.de:漏极
25.dl、dl1、dl2、dl3:数据线
26.dr:漏极区
27.etr:延伸区
28.ge1、ge2:栅极
29.gi:闸绝缘层
30.gl:扫描线
31.hdr:重掺杂区
32.ild:层间绝缘层
33.ldr:轻掺杂区
34.pa:像素区
35.pe:像素电极
36.pl:平坦层
37.pla:开口
38.ptd:凸出部
39.pva:开孔
40.px、px1、px2、px1-a、px2-a、px1-c、px2-c:像素结构
41.re:侧缘
42.sc、sc-a、sc-c:半导体图案
43.se:源极
44.slt:狭缝
45.sm1、sm2:遮光图案
46.sr:源极区
47.t、t1、t2、t-a、t1-a、t2-a、t1-c、t2-c:主动元件
48.th1、th2:通孔
49.x、y、z:方向
50.a-a’:剖线
具体实施方式
51.本文使用的“约”、“近似”、“本质上”、或“实质上”包括所述值和在本领域普通技术人员确定的特定值的可接受的偏差范围内的平均值,考虑到所讨论的测量和与测量相关的误差的特定数量(即,测量系统的限制)。例如,“约”可以表示在所述值的一个或多个标准偏差内,或例如
±
30%、
±
20%、
±
15%、
±
10%、
±
5%内。再者,本文使用的“约”、“近似”、“本质上”、或“实质上”可依测量性质、切割性质或其它性质,来选择较可接受的偏差范围或标准偏差,而可不用一个标准偏差适用全部性质。
52.在附图中,为了清楚起见,放大了层、膜、面板、区域等的厚度。应当理解,当诸如层、膜、区域或基板的元件被称为在另一元件“上”或“连接到”另一元件时,其可以直接在另一元件上或与另一元件连接,或者中间元件可以也存在。相反,当元件被称为“直接在另一元件上”或“直接连接到”另一元件时,不存在中间元件。如本文所使用的,“连接”可以指物理及/或电性连接。再者,“电性连接”可为二元件间存在其它元件。
53.此外,诸如“下”或“底部”和“上”或“顶部”的相对术语可在本文中用于描述一个元件与另一元件的关系,如图所示。应当理解,相对术语旨在包括除了图中所示的方位之外的装置的不同方位。例如,如果一个附图中的装置翻转,则被描述为在其它元件的“下”侧的元
件将被定向在其它元件的“上”侧。因此,示例性术语“下”可以包括“下”和“上”的取向,取决于附图的特定取向。类似地,如果一个附图中的装置翻转,则被描述为在其它元件“下方”或“下方”的元件将被定向为在其它元件“上方”。因此,示例性术语“上面”或“下面”可以包括上方和下方的取向。
54.本文参考作为理想化实施例的示意图的截面图来描述示例性实施例。因此,可以预期到作为例如制造技术及/或(and/or)公差的结果的图示的形状变化。因此,本文所述的实施例不应被解释为限于如本文所示的区域的特定形状,而是包括例如由制造导致的形状偏差。例如,示出或描述为平坦的区域通常可以具有粗糙及/或非线性特征。此外,所示的锐角可以是圆的。因此,图中所示的区域本质上是示意性的,并且它们的形状不是旨在示出区域的精确形状,并且不是旨在限制权利要求。
55.现将详细地参考本发明的示范性实施方式,示范性实施方式的实例说明于说明书附图中。只要有可能,相同元件符号在附图和描述中用来表示相同或相似部分。
56.图1是依照本发明的第一实施例的显示面板的正视示意图。图2是图1的显示面板的局部区域的放大示意图。图3是图2的显示面板沿着剖线a-a’的剖视示意图。为清楚呈现起见,图2省略了图3的半导体图案sc的轻掺杂区ldr与重掺杂区hdr的示出。
57.请参照图1,显示面板10包括基板100、多条扫描线gl、多条数据线dl和多个像素结构px。在本实施例中,多条数据线dl可沿着方向x间隔排列在基板100上并且在方向y上延伸,多条扫描线gl可沿着方向y间隔排列在基板100上并且在方向x上延伸。更具体地说,这些扫描线gl与这些数据线dl相交并且定义出多个像素区pa。多个像素结构px分别设置在这些像素区pa内,且各自电性连接对应的一条扫描线gl和一条数据线dl。
58.特别说明的是,这些数据线dl中的任两相邻者的极性彼此不同(例如极性反转)。请参照图2,在本实施例中,显示面板10可包括沿着方向x按序且相邻排列的数据线dl1、数据线dl2和数据线dl3。数据线dl1与数据线dl3具有第一极性,数据线dl2具有第二极性,且第一极性与第二极性彼此相反。举例来说,数据线dl1与数据线dl3的第一极性可以为正,而数据线dl2的第二极性可以为负,但不以此为限。在其他实施例中,数据线dl1与数据线dl3的第一极性可以为负,而数据线dl2的第二极性可以为正。
59.或者是,在第一画框周期(frame period)内,数据线dl1与数据线dl3的第一极性可以为正,而数据线dl2的第二极性可以为负,而在继续的第二画框周期内,数据线dl1与数据线dl3的第一极性可反转为负,而数据线dl2的第二极性可反转为正。只要相邻的两条数据线dl的极性维持相反即可。
60.请参照图2及图3,像素结构px可具有彼此电性连接的主动元件t与像素电极pe。主动元件t可包括半导体图案sc、源极se、漏极de与栅极ge1,其中栅极ge1电性连接对应的一条扫描线gl,源极se的一端与漏极de的一端电性连接半导体图案sc的不同两区。源极se的另一端电性连接对应的一条数据线dl,而漏极de的另一端电性连接像素电极pe。在本实施例中,栅极ge1例如是扫描线gl沿着方向y延伸而出的部分所构成。半导体图案sc具有源极区sr、漏极区dr以及通道区ch1。通道区ch1连接在源极区sr与漏极区dr之间,并且与栅极ge1相重叠。此处通道区ch1与栅极ge1的重叠关系例如是沿着方向z来界定。以下若未特别提及,则任两构件间的重叠关系都是以相同的方式来界定,便不再赘述。
61.从另一观点来说,根据特定元素的不同掺杂程度,半导体图案sc可区分为通道区
ch1、多个轻掺杂区ldr与多个重掺杂区hdr。这些轻掺杂区ldr分布在通道区ch1的相对两侧,并且连接通道区ch1与多个重掺杂区hdr。这些重掺杂区hdr的一部分可作为电性连接源极se与漏极de的源极区sr与漏极区dr。亦即,半导体图案sc的重掺杂区hdr、源极区sr与漏极区dr的阻值都相同。
62.特别注意的是,在本实施例中,主动元件t的源极se与漏极de可分别设置在扫描线gl的相对两侧。因此,半导体图案sc的延伸路径除了重叠于栅极ge1外,还可进一步重叠于扫描线gl。更具体地说,本实施例的半导体图案sc从漏极区dr至源极区sr的延伸部分在基板100上的正投影大致上呈现l字型,但不以此为限。
63.在本实施例中,扫描线gl与半导体图案sc相重叠的部分可作为主动元件t的另一个栅极ge2。相对地,半导体图案sc与扫描线gl相重叠的部分可作为半导体图案sc的另一个通道区ch2,且通道区ch2的相对两侧也可连接轻掺杂区ldr。另一方面,数据线dl与半导体图案sc的源极区sr相重叠的部分可作为主动元件t的源极se,但不以此为限。在另一实施例中,主动元件的源极也可以是数据线dl凸伸而出的部分所构成。
64.在本实施例中,主动元件t的栅极ge1和栅极ge2可选择性地配置在半导体图案sc的上方,以形成顶部栅极型薄膜晶体管(top-gate tft),但不以此为限。根据其他的实施例,主动元件的栅极ge1和栅极ge2也可配置在半导体图案sc的下方,以形成底部栅极型薄膜晶体管(bottom-gate tft)。另一方面,本实施例的半导体图案sc的材质可以是多晶硅半导体(polysilicon semiconductor)材料,即主动元件t可以是低温多晶硅薄膜晶体管(ltps tft)。然而,本发明不限于此,在其他实施例中,主动元件也可以是非晶硅薄膜晶体管(amorphous silicon tft,a-si tft)、微晶硅薄膜晶体管(micro-si tft)、金属氧化物晶体管(metal oxide transistor)、氮氧化物半导体、有机半导体、或前述的组合、或其他合适的材料。
65.形成主动元件t的步骤可包括:于基板100上按序形成缓冲层bl、半导体图案sc、闸绝缘层gi、栅极ge1与栅极ge2、层间绝缘层ild、源极se与漏极de,其中源极se与漏极de经由层间绝缘层ild与闸绝缘层gi的通孔th1和通孔th2分别电性连接半导体图案sc的源极区sr与漏极区dr。
66.需说明的是,栅极ge1、栅极ge2、源极se、漏极de、缓冲层bl、闸绝缘层gi、层间绝缘层ild及平坦层pl分别可由任何所属技术领域中技术人员所周知的用于显示面板的任一栅极、任一源极、任一漏极、任一缓冲层、任一闸绝缘层、任一层间绝缘层及任一平坦层来实现,且栅极ge1、栅极ge2、源极se、漏极de、缓冲层bl、闸绝缘层gi、层间绝缘层ild及平坦层pl分别可通过任何所属技术领域中技术人员所周知的任一方法来形成,故于此不加以赘述。
67.在本实施例中,显示面板10还可包括多个共通电极ce,分别重叠多个像素结构px的多个像素电极pe设置。举例来说,形成共通电极ce与像素电极pe的步骤可包括:在主动元件t上按序形成平坦层pl、共通电极ce、钝化层pv和像素电极pe,其中像素电极pe经由平坦层pl的开口pla和钝化层pv的开孔pva电性连接主动元件t的漏极de。
68.进一步而言,主动元件t的半导体图案sc还具有自漏极区dr延伸而出的延伸区etr。电性连接任一条数据线dl的主动元件t的半导体图案sc的延伸区etr是朝向远离所述主动元件t的通道区ch1和源极区sr的方向延伸,并且重叠于另一条数据线dl。在本实施例
中,半导体图案sc的延伸区etr在基板100上的正投影大致上呈现l字型,但不以此为限。
69.举例来说,如图2所示,显示面板10的数据线dl1与数据线dl2间设有第一像素结构px1的第一主动元件t1与像素电极pe。第一主动元件t1的源极se电性连接数据线dl1。第一主动元件t1的半导体图案sc的延伸区etr朝向数据线dl2延伸,并且与数据线dl2相重叠。相似地,数据线dl2与数据线dl3间设有第二像素结构px2的第二主动元件t2与像素电极pe。第二主动元件t2的源极se电性连接数据线dl2。第二主动元件t2的半导体图案sc的延伸区etr朝向数据线dl3延伸,并且与数据线dl3相重叠。
70.在本实施例中,第一像素结构px1的第一主动元件t1的栅极ge1与第二像素结构px2的第二主动元件t2的栅极ge1可电性连接至同一条扫描线gl,但不限于此。在其他未示出实施例中,沿着方向x相邻排列的两像素结构各自的主动元件的栅极也可以电性连接至不同的扫描线。
71.由于数据线dl1的极性相反于数据线dl2的极性,可通过第一主动元件t1的半导体图案sc的延伸区etr与数据线dl2相重叠所形成的补偿电容器c(即电容耦合效应)来降低经由第一主动元件t1电性连接数据线dl1的第一像素结构px1的像素电极pe在一个画框周期内的电位偏移量。相似地,由于数据线dl2与数据线dl3的极性相反,可通过第二主动元件t2的半导体图案sc的延伸区etr与数据线dl3相重叠所产生的电容耦合效应来降低经由第二主动元件t2电性连接数据线dl2的第二像素结构px2的像素电极pe在一个画框周期内的电位偏移量。据此,可改善当显示面板10以较低画面更新率(例如20hz)操作时显示画面闪烁的现象,进而提升显示品质。
72.请参照图2,在本实施例中,第一像素结构px1的第一主动元件t1的半导体图案sc的延伸区etr还可进一步延伸至设有第二像素结构px2的像素区内。也就是说,第一主动元件t1的半导体图案sc的延伸区etr可延伸至数据线dl2设有第二主动元件t2的一侧。相似地,第二主动元件t2的半导体图案sc的延伸区etr可延伸至数据线dl3远离第二主动元件t2的一侧(即设有第三主动元件的一侧)。
73.特别注意的是,第二主动元件t2的漏极de与数据线dl2沿着数据线dl的排列方向(例如方向x)具有第一距离d1,而第一主动元件t1的半导体图案sc的延伸区etr中最靠近第二主动元件t2的漏极de的侧缘re与数据线dl2沿着方向x具有第二距离d2。优选地,第二距离d2与第一距离d1的比值小于0.5。举例来说,当第一距离d1为9.5微米且显示面板10以20hz的画面更新率操作时,对应第二距离d2为0微米、1微米和2微米时的闪烁值分别为-24db、-27db和-27.3db。
74.也就是说,随着第一主动元件t1的半导体图案sc的延伸区etr越靠近第二主动元件t2的漏极de,第一主动元件t1的半导体图案sc的延伸区etr与具有相反极性的数据线dl2和第二主动元件t2的漏极de间的电容耦合效应会越大,有助于进一步改善显示面板10以较低画面更新率(例如20hz)操作时显示画面闪烁的现象。
75.然而,需说明的是,第一主动元件t1的半导体图案sc的延伸区etr不重叠于第二主动元件t2的半导体图案sc和漏极de,以避免与第二主动元件t2电容耦合而影响第二像素结构px2的操作电性(例如第二像素结构px2的像素电极pe的电位)。从另一观点来说,第一主动元件t1的半导体图案sc的延伸区etr朝向第二主动元件t2的漏极de的侧缘re会位在数据线dl2与第二主动元件t2的漏极de之间的空间内。
76.由于第二主动元件t2或其他主动元件t的半导体图案sc的延伸区etr都是以相同于第一主动元件t1的方式进行配置,故于此不加以赘述。
77.进一步而言,上述基板100及其上的各膜层可构成显示面板10的像素阵列基板,而显示面板10还可包括液晶层(未示出)和彩色滤光基板(未示出),其中液晶层夹设在所述像素阵列基板与彩色滤光基板之间。亦即,本实施例的显示面板10可以是液晶显示面板。举例来说,前述的像素电极pe与共通电极ce间所产生的电场可用于改变液晶层的多个液晶分子的排列状态,进而调制光线通过液晶层后的偏振态来达到不同程度的灰阶显示效果。由于液晶层和彩色滤光基板的组成与配置可通过任何所属技术领域中技术人员所周知的用于液晶显示面板的任一液晶层和任一彩色滤光基板来形成,故于此不加以赘述。
78.在本实施例中,像素电极pe可具有多个狭缝slt,且共通电极ce位在像素电极pe与基板100之间。更具体地说,本实施例的像素结构px例如是以边缘场切换(fringe field switching,ffs)模式来驱动前述液晶层。然而,本发明不限于此。在另一实施例中,像素电极也可设置在共通电极与基板100之间,且共通电极具有多个狭缝。在又一实施例中,共通电极与像素电极也可分别设置在不同的基板上,即像素结构也可以垂直配向(vertical alignment,va)模式进行驱动。在再一实施例中,除了如图3的架构外,显示面板的另一基板上也可设有另一共通电极,即像素结构是以边缘场切换ffs和垂直配向va的混合模式进行驱动。
79.另一方面,为了避免外部环境光照射到半导体图案sc的通道区ch1和通道区ch2而产生漏电流,显示面板10还可选择性地包括多个遮光图案,例如:对应每个像素结构px设置的遮光图案sm1与遮光图案sm2。遮光图案sm1重叠于半导体图案sc的通道区ch1。遮光图案sm2重叠于半导体图案sc的通道区ch2。特别注意的是,在本实施例中,半导体图案sc的通道区ch2同时重叠于扫描线gl和数据线dl。也就是说,显示面板10的多个遮光图案sm2分别重叠于多条扫描线gl和多条数据线dl的相交处,例如图2中的数据线dl1、数据线dl2和数据线dl3各自与扫描线gl的相交处,但不以此为限。
80.举例来说,在本实施例中,遮光图案sm1和遮光图案sm2可选择性地设置在半导体图案sc与基板100之间,且被缓冲层bl所覆盖,但不以此为限。
81.以下将列举另一些实施例以详细说明本发明,其中相同的构件将标示相同的符号,并且省略相同技术内容的说明,省略部分请参考前述实施例,以下不再赘述。
82.图4是依照本发明的第二实施例的显示面板的正视示意图。图5是比较例的显示面板的正视示意图。图6a是比较例与依照本发明的实施例的显示面板操作在60hz的画面更新率下的闪烁值分布图。图6b是比较例与依照本发明的实施例的显示面板操作在20hz的画面更新率下的闪烁值分布图。
83.请参照图4,本实施例的显示面板10a与图2的显示面板10的差异仅在于:半导体图案的构型不同。具体而言,在本实施例中,显示面板10a的主动元件t-a的半导体图案sc-a还具有自延伸区etr凸出并且重叠于数据线dl的凸出部ptd。
84.举例来说,在本实施例中,第一像素结构px1-a的第一主动元件t1-a的半导体图案sc-a的延伸区etr在重叠于数据线dl2的部分还可沿着数据线dl2的延伸方向(例如方向y)延伸出一凸出部ptd,第二像素结构px2-a的第二主动元件t2-a的半导体图案sc-a的延伸区etr在重叠于数据线dl3的部分还可沿着数据线dl3的延伸方向延伸出一凸出部ptd。
85.从另一观点来说,本实施例的半导体图案sc-a的延伸区etr在沿着数据线dl的延伸方向上的一侧(例如图4的下侧)延伸出与所述数据线dl相重叠的凸出部ptd,但不以此为限。在另一实施例中,半导体图案的凸出部也可自延伸区etr的上侧延伸出。
86.请参照图6a及图6b,相较于第一实施例的显示面板10,本实施例(即第二实施例)的显示面板10a因半导体图案sc-a具有额外的凸出部ptd,无论是在60hz或20hz的画面更新率下都可具有较佳的画面闪烁值。此外,无论是本发明的第一实施例的显示面板10或第二实施例的显示面板10a,其在60hz或20hz的画面更新率下的画面闪烁值都明显较比较例的显示面板10c来得好。此处比较例的显示面板10c(如图5所示)的第一像素结构px1-c的第一主动元件t1-c(或第二像素结构px2-c的第二主动元件t2-c)的半导体图案sc-c并未具有如图2的显示面板10所示的延伸区etr。也就是说,比较例的显示面板10c,其第一主动元件t1-c的半导体图案sc-c并未与极性相反的数据线dl2相重叠,而第二主动元件t2-c的半导体图案sc-c并未与极性相反的数据线dl3相重叠。
87.综上所述,在本发明的一实施例的显示面板中,主动元件的相对两侧分别设有极性相反的两条数据线,且电性连接其中一条数据线。通过将主动元件的半导体图案朝向另一条数据线延伸并且与其相重叠,能让电性连接主动元件的像素电极在显示面板以低画面更新率(例如20hz)操作下的电位偏移量得以降低,有助于改善显示画面闪烁的问题。
技术特征:
1.一种显示面板,包括:一基板;多条数据线,间隔排列在该基板上,该些数据线包括按序设置的一第一数据线、一第二数据线与一第三数据线,该第一数据线与该第三数据线各自具有一第一极性,该第二数据线具有一第二极性,且该第一极性不同于该第二极性;多条扫描线,间隔排列在该基板上,该些数据线与该些扫描线相交并且定义出多个像素区;多个主动元件,分别设置在该些像素区内,且各自包括一半导体图案、一源极、一漏极与一栅极,该栅极电性连接该些扫描线的其中一者,该半导体图案具有分别与该源极和该漏极连接的一源极区与一漏极区、连接在该源极区与该漏极区之间的一通道区以及自该漏极区延伸而出的一延伸区,该些主动元件包括:一第一主动元件,设置在该第一数据线与该第二数据线之间,该第一主动元件的该源极电性连接该第一数据线,该第一主动元件的该半导体图案的该延伸区朝向该第二数据线延伸,并且与该第二数据线相重叠;以及一第二主动元件,设置在该第二数据线与该第三数据线之间,该第二主动元件的该源极电性连接该第二数据线,该第二主动元件的该半导体图案的该延伸区朝向该第三数据线延伸,并且与该第三数据线相重叠;以及多个像素电极,分别设置在该些像素区内,且分别电性连接该些主动元件的多个该漏极。2.如权利要求1所述的显示面板,其中该第一主动元件的该半导体图案的该延伸区延伸至该第二数据线设有该第二主动元件的一侧。3.如权利要求2所述的显示面板,其中该第二主动元件的该半导体图案的该延伸区延伸至该第三数据线远离该第二主动元件的一侧。4.如权利要求2所述的显示面板,其中该第一主动元件的该半导体图案的该延伸区不重叠于该第二主动元件的该半导体图案和该漏极。5.如权利要求2所述的显示面板,其中该第二主动元件的该漏极与该第二数据线沿着该些数据线的一排列方向具有一第一距离,该第一主动元件的该半导体图案的该延伸区中最靠近该第二主动元件的该漏极的一侧缘与该第二数据线沿着该排列方向具有一第二距离,该第二距离与该第一距离的比值小于0.5。6.如权利要求1所述的显示面板,其中各该些主动元件的该半导体图案还具有自该延伸区凸出并且重叠于该些数据线的其中一者的一凸出部。7.如权利要求6所述的显示面板,其中该凸出部的凸出方向平行于该些数据线的延伸方向。8.如权利要求1所述的显示面板,还包括:多个共通电极,分别重叠该些像素电极设置。9.如权利要求8所述的显示面板,其中该各该些像素电极或各该些共通电极具有多个狭缝。10.如权利要求1所述的显示面板,其中该第一主动元件的该栅极与该第二主动元件的该栅极电性连接该些扫描线的同一者。
11.如权利要求1所述的显示面板,其中各该些主动元件的该半导体图案还具有重叠于该些扫描线的其中一者与该些数据线的其中一者的相交处的另一通道区。12.如权利要求11所述的显示面板,还包括:多个遮光图案,设置在该基板上,且重叠于该些主动元件的多个该半导体图案的多个该通道区和多个该另一通道区。13.如权利要求1所述的显示面板,其中该半导体图案的该延伸区、该漏极区与该源极区的阻值都相同。14.一种显示面板,包括:一基板;多条第一数据线与多条第二数据线,交替排列在该基板上,各该些第一数据线具有一第一极性,各该些第二数据线具有一第二极性,且该第一极性不同于该第二极性;多条扫描线,间隔排列在该基板上,该些扫描线相交于该些第一数据线与该些第二数据线;一第一像素结构,设置在该些第一数据线的其中一者与该些第二数据线的其中一者之间,且具有一第一主动元件与一第一像素电极,该第一主动元件包括一第一半导体图案、一第一源极、一第一漏极及一第一栅极,该第一源极电性连接该些第一数据线的其中该者与该第一半导体图案的一第一源极区,该第一漏极电性连接该第一像素电极与该第一半导体图案的一第一漏极区,该第一栅极重叠于该第一半导体图案的一第一通道区,该第一通道区连接在该第一源极区与该第一漏极区之间;以及一第二像素结构,设置在该些第二数据线的其中该者与该些第一数据线的其中另一者之间,且具有一第二主动元件与一第二像素电极,该第二主动元件包括一第二半导体图案、一第二源极、一第二漏极及一第二栅极,该第二源极电性连接该些第二数据线的其中该者与该第二半导体图案的一第二源极区,该第二漏极电性连接该第二像素电极与该第二半导体图案的一第二漏极区,该第二栅极重叠于该第二半导体图案的一第二通道区,该第二通道区连接在该第二源极区与该第二漏极区之间,其中该第一半导体图案具有延伸自该第一漏极区的一第一延伸区,该第二半导体图案具有延伸自该第二漏极区的一第二延伸区,该第一半导体图案的该第一延伸区朝向该些第二数据线的其中该者延伸并且与该些第二数据线的其中该者相重叠,该第二半导体图案的该第二延伸区朝向该些第一数据线的其中该另一者延伸并且与该些第一数据线的其中该另一者相重叠。15.如权利要求14所述的显示面板,其中该第一半导体图案的该第一延伸区延伸至该些第二数据线的其中该者设有该第二漏极的一侧。16.如权利要求15所述的显示面板,其中该第二半导体图案的该第二延伸区延伸至该些第一数据线的其中该另一者远离该第二漏极的一侧。17.如权利要求15所述的显示面板,其中该第一半导体图案的该第一延伸区不重叠于该第二半导体图案和该第二漏极。18.如权利要求15所述的显示面板,其中该第二漏极与该些第二数据线的其中该者沿着该些第二数据线的一排列方向具有一第一距离,该第一半导体图案的该第一延伸区中最靠近该第二漏极的一侧缘与该些第二数据线的其中该者沿着该排列方向具有一第二距离,
该第二距离与该第一距离的比值小于0.5。19.如权利要求14所述的显示面板,其中该第一半导体图案还具有自该第一延伸区凸出并且重叠于该些第二数据线的其中该者的一第一凸出部,该第二半导体图案还具有自该第二延伸区凸出并且重叠于该些第一数据线的其中该另一者的一第二凸出部,且该第一凸出部和该第二凸出部的凸出方向平行于该些第一数据线与该些第二数据线的延伸方向。20.如权利要求14所述的显示面板,还包括:多个遮光图案,设置在该基板上,且重叠于该第一半导体图案的该第一通道区、该第二半导体图案的该第二通道区、该些扫描线与该些第一数据线的多个相交处以及该些扫描线与该些第二数据线的多个相交处。
技术总结
一种显示面板包括基板、第一数据线、第二数据线、第三数据线、多条扫描线、第一主动元件、第二主动元件及多个像素电极。第一数据线与第三数据线具有第一极性。第二数据线具有第二极性,且第一极性不同于第二极性。设置在第一数据线与第二数据线之间的第一主动元件的源极电性连接第一数据线。第一主动元件的半导体图案的延伸区朝向第二数据线延伸并且与第二数据线相重叠。设置在第二数据线与第三数据线之间的第二主动元件的源极电性连接第二数据线。第二主动元件的半导体图案的延伸区朝向第三数据线延伸并且与第三数据线相重叠。第三数据线延伸并且与第三数据线相重叠。第三数据线延伸并且与第三数据线相重叠。
技术研发人员:谢秀春 黄淑惠 陈亦伟
受保护的技术使用者:友达光电股份有限公司
技术研发日:2023.04.28
技术公布日:2023/7/20
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