具有汇流排和传感器芯片和其间的电介质的传感器装置的制作方法

1.本公开涉及具有汇流排和传感器芯片以及布置在它们之间的电介质的传感器装置。还描述了用于制造这种传感器装置的方法。


背景技术：

2.传感器装置可以包括汇流排和传感器芯片，传感器芯片被设计为检测由流过汇流排的测量电流所感应出的磁场。然后可以基于检测到的磁场来确定测量电流的大小。在此类传感器装置的操作期间，汇流排和传感器芯片之间应该有足够的电流隔离。传感器装置的制造商和开发商不断努力改进他们的产品。特别是，可能需要将良好的传感器性能与可靠的电流隔离相结合。


技术实现要素：

3.各个方面涉及一种传感器装置。传感器装置包括汇流排。传感器装置还包括布置在汇流排上方的介电壳。传感器装置还包括布置在汇流排上方的介电层。传感器装置还包括布置在介电壳内的传感器芯片。传感器芯片被设计为检测由流过汇流排的电流所感应出的磁场。
4.各个方面涉及一种传感器装置。传感器装置包括汇流排。传感器装置还包括布置在汇流排上方的传感器芯片。传感器芯片被设计为检测由流过汇流排的电流所感应出的磁场。传感器装置还包括布置在汇流排与传感器芯片之间的第一介电层。传感器装置还包括布置在第一介电层与传感器芯片之间的第二介电层。两个介电层的基面不叠合。第一介电层至少在一个位置超过汇流排的边缘伸出。
附图说明
5.下面参照附图更详细地解释根据本发明的传感器装置和用于制造这种传感器装置的方法。附图中所示的元件不必相对于彼此按比例。相同的附图标记可以表示相同的部件。
6.图1示意性地示出了根据本公开的传感器装置100的横截面侧视图。
7.图2示意性地示出了根据本公开的传感器装置200的横截面侧视图。
8.图3示意性地示出了根据本公开的传感器装置300的横截面侧视图。
9.图4示意性地示出了根据本公开的传感器装置400的横截面侧视图。
10.图5示意性地示出了根据本公开的传感器装置500的横截面侧视图。
11.图6示意性地示出了根据本公开的传感器装置600的横截面侧视图。
12.图7示意性地示出了根据本公开的传感器装置700的横截面侧视图。
13.图8示意性地示出了根据本公开的传感器装置800的横截面侧视图。
14.图9示意性地示出了根据本公开的传感器装置900的横截面侧视图。
15.图10示出了根据本公开的用于制造传感器装置的方法的流程图。
16.图11示出了根据本公开的用于制造传感器装置的方法的流程图。
具体实施方式
17.在下面的详细描述中参考附图，这些附图通过图解的方式示出了可以实施本公开的特定方面和实施例。在这方面，参照所描述的附图的取向来使用诸如“上”、“下”、“前”、“后”等方向术语。由于所述实施方式的部件可能在许多不同的方向上定位，所以方向术语是用于说明而决不是限制性的。在不脱离各种实施例的保护范围的情况下，可以使用其它实施方式和进行结构上的或逻辑上的改变。即，下面的详细描述不应被认为是限制性的。
18.在下文中，描述了根据本公开的传感器装置的示意图。可以以一般方式呈现传感器装置以便定性地描述本公开的方面。这些传感器装置可以分别具有为了清楚起见而未在图中示出的其他方面。例如，可以用结合根据本公开的其他装置或方法描述的任何方面来扩充各个传感器装置。
19.图1的传感器装置100可以具有汇流排2和布置在汇流排2上方的介电壳(或介电槽)4。此外，介电层(或介电薄片)6可以布置在汇流排2上方。在图1中，介电层6例如可以布置在介电壳4的底面上。传感器装置100还可以包含传感器芯片8，该传感器芯片布置在介电壳4中并且具有一个或多个传感器元件10。在图1的示例中，介电层6可以布置在介电壳4与传感器芯片8之间。此外，传感器装置100可以具有一个或多个连接导体12。传感器装置100的所提及部件可以至少部分地由封装材料14封装。
20.汇流排2和连接导体12例如可以是引线框(leadframe)的一部分或由其制成。这两个部件尤其可以是导电的并且可以例如(尤其完全)由金属和/或金属合金制成，例如由铜、铜合金、镍、铁镍、铝、铝合金、钢、不锈钢等制成。在图1的示例中，仅示出了单个连接导体12。然而，传感器装置100可以具有任意数量的其他连接导体12。例如，在图1的侧视图中，另外的连接导体可以布置在所示的连接导体12之后并且可以被它覆盖。
21.汇流排2、介电壳4、介电层6和传感器芯片8可以通过固定材料相互固定，为简单起见，图1中未示出。例如，固定材料可以具有以下各一项或多项：碳填充daf(芯片粘接膜)、碳填充粘合剂、低导电玻璃焊料、非导电daf、非导电粘合剂、导电粘合剂(特别是非银填充的)。固定材料的布置在传感器装置100的所提及部件之间的单个部分可以由相同的材料或不同的材料构成。
22.汇流排2可以被设计为引导待测量的电流(测量电流)。流过汇流排2的测量电流可以是电源电路或大功率电路的电流，例如可以包括几安培(例如10安培)的最大电流值，或者最大电流值可达100安培或以上。同样，电流所基于的电压可以从几伏到几十或几百伏。在这种情况下，汇流排2尤其可以设计成一件式的。图1示出了在z方向上具有相同厚度的汇流排2和连接导体12。然而，在其他示例中，这两个部件在z方向上的厚度可能不同。在这种情况下，特别地，汇流排2的厚度可以大于连接导体12的厚度。在一个示例中，这两个部件可以是双规格引线框架的一部分。在另一个示例中，这两个部件可以是两个不同厚度的引线框架的一部分。
23.传感器芯片8可以由半导体材料制成并且被设计为检测由流过汇流排2的测量电流所感应出的磁场。基于检测到的磁场，可以确定测量电流的强度。因此，传感器芯片8也可以称为磁场传感器芯片或电流传感器。通过传感器芯片8或其传感器元件10对感应出的磁
场的检测尤其可以以电流隔离或非接触的方式进行。在这种情况下在z方向上看，传感器元件10可以至少部分地与汇流排2重叠。
24.由传感器芯片8检测到的物理信号可以被转换成电信号以供进一步处理，并且可以通过一个或多个电连接元件(未示出)和一个或多个连接导体12转发到其他部件(未示出)，例如asic(专用集成电路)。传感器装置100尤其可以是无芯传感器装置，即，传感器装置100不一定必须具有或使用磁场集中器以将由测量电流感应出的磁场在传感器元件10的位置处集中。
25.在图1的示例中，为了简单起见，仅示出了传感器芯片8的单个传感器元件10。在另外的示例中，传感器芯片8可以具有一个或多个另外的传感器元件。例如，传感器芯片8可以是具有两个传感器元件的差分磁场传感器芯片。传感器元件10例如可以是霍尔传感器元件、磁阻传感器元件、垂直霍尔传感器元件或磁通门传感器元件。磁阻xmr传感器元件可以设计为amr传感器元件、gmr传感器元件或tmr传感器元件的形式。在图1的示例中，传感器元件10可以布置在传感器芯片8的背离汇流排2的一侧。在另外的示例中，传感器元件10可以布置在传感器芯片8的面向汇流排2的一侧。
26.介电壳4可以具有一种或多种无机材料或者由其制成。无机材料可以包括玻璃材料和陶瓷材料中的至少一种。例如，玻璃材料可以具有无碱硅酸盐玻璃。例如，陶瓷材料可以包括氧化铝(al2o3)。与其他材料相比，无机材料更能抵抗例如由热效应和/或湿气触发的材料老化过程，同时具有良好的隔离性能。
27.在图1中，介电壳4可以例如由单独的无机材料制成。在另外的示例中，介电壳4可以由几种不同的无机材料制成。例如，介电壳4的底部可以由第一无机材料制成，并且介电壳4的一个或多个侧壁可以由不同的第二无机材料制成。介电壳4可以设计为一件式或由多个部件组成或组装而成。
28.在z方向上观察，介电壳4和/或其底面可以具有任何形状，例如圆形、卵形、椭圆形、正方形、长方形、多边形等。在图1的示例中，介电壳4的侧壁可以基本上垂直于介电壳4的底部布置。在另外的示例中，介电壳4的底部和侧壁之间的角度可以小于或大于九十度。此外，在图1的示例中，介电壳4的一个或多个侧壁可以超过传感器芯片8的上侧伸出。在另外的示例中，传感器芯片8的上侧可以超过侧壁中的至少一个伸出、或者与侧壁中的至少一个处于相同的高度。侧壁的高度可以是恒定的，也可以是变化的。传感器芯片8可以(特别是完全)与介电壳4间隔开，即传感器芯片8和介电壳4在任何位置都不能相互接触。
29.介电层6可以具有一种或多种材料或者由其制成。在图1中，介电层6例如可以由单一材料制成。在进一步的示例中，介电层6可以由几种不同的材料制成。介电层6可以一件式地设计，也可以由多部分组成或组装而成。例如，介电层6可以由在z方向上彼此堆叠的多个介电子层组成并且形成层堆叠。介电层6和介电壳4可以具有相同的材料或不同的材料、或由相同的材料或不同的材料制成。
30.例如，介电层6可以包括一种或多种有机材料或由其制成。有机材料可以包括聚合物、聚酰亚胺、环氧树脂、(尤其是氟化的)硅树脂等中的至少一种。替代地或附加地，介电层6可以具有一种或多种无机材料或由其制成。无机材料可以包括玻璃材料、陶瓷材料、氮化硅等中的至少一种。例如，玻璃材料可以具有无碱硅酸盐玻璃。例如，陶瓷材料可以包括氧化铝(al2o3)。
31.在图1的示例中，介电层6可以布置在介电壳4内，特别是布置在介电壳4的底面上。介电层6可以完全或仅部分覆盖介电壳4的底面，如在图1中所示。在另外的示例中，介电层6可以布置在介电壳4外，如例如在图5中所示。在图1的示例中，介电壳4的内侧壁和外侧壁可以不被介电层6覆盖。在另外的示例中，介电层6可以至少部分地覆盖介电壳4的内侧壁和/或外侧壁。
32.在z方向上观察，介电层6的基面可以具有任何形状，例如圆形、卵形、椭圆形、正方形、长方形、多边形等。在图1的示例中在z方向上观察，介电层6的基面和传感器芯片8的基面可以是叠合或全等的。在其他示例中，这些基面不一定必须叠合，即两个基面中的至少一个可以在至少一个位置上横向超过另一个基面伸出。例如，传感器芯片8的基面可以完全布置在介电层6的基面内。
33.封装材料14可以封装传感器装置100的一个或多个部件并形成壳体，该壳体可以被设计为保护封装部件免受外部影响，例如湿气或机械冲击。传感器装置100因此也可以被称为传感器壳体、传感器包封件、半导体壳体和/或半导体包封件。汇流排2和连接导体12可以至少部分地从封装材料14伸出，以便能够从封装材料14的外部被电接触。汇流排2从封装材料14伸出的部段可以提供用于测量电流的输入和输出。
34.封装材料14尤其可以一件式地设计并且具有以下材料中的至少一种或多种：模塑化合物、层压料、环氧树脂、填充环氧树脂、玻璃纤维填充环氧树脂、酰亚胺、热塑性塑料、双塑料聚合体、聚合体混合物等。可以使用各种技术来制造封装材料14，例如模压成型、注塑成型、粉末成型、液体成型、模制阵列封装(map)成型、层压等中的至少一种。
35.封装材料14和电介质4和6可以沿着一个(或多个)界面16彼此固定。封装材料14与电介质4和6之间的该壳体内部材料界面16可以被称为加强连接(“胶合接合”)16。在传感器装置100的老化过程中，可能发生封装材料14与电介质4和6、或电介质4和6与封装材料14的不期望的剥离，由此连接16会在至少一个位置处松脱和断开。在这种情况下，在封装材料14与电介质4和6之间可以形成一个或多个空气体积或气泡。在传感器装置100的电操作期间，特别是在汇流排2和传感器芯片8的导电区域之间，可能存在沿着气泡中的气隙在壳体内部发生空气击穿的风险，因此传感器装置100可能会损坏。此外，在限定气泡的暴露材料表面上会出现湿气和由化学反应引起的污染，这特别是在汇流排2与传感器芯片8的导电区域之间会导致沿着一个或多个爬电距离的短路。
36.为了降低所描述的空气击穿和/或短路的风险，可以指定关于材料界面16的壳体内部几何规则。就此在图1中，传感器芯片8与汇流排2之间沿着介电层6和介电壳4的表面或沿着壳体内部材料界面16的最小距离18由箭头指示。该最小距离18的长度尤其可以大于400微米。这样的最小长度可以确保尽管分层和形成与之相关的气泡，但可以防止空气击穿和/或短路。
37.自然地，传感器芯片8和汇流排2之间沿着壳体内部材料界面16的最小距离18可以取决于介电壳4和介电层6的形状和尺寸。在图1的示例中，最小距离18可以沿着由沿界面16的箭头指示的路径延伸。可以通过介电壳4的凹形形状与布置在介电壳4和传感器芯片8之间的附加介电层6相结合来提供增大的最小距离18。由此，可以提高传感器装置100对于可能的空气击穿和/或短路的鲁棒性。此外，可以在汇流排2与传感器芯片8之间提供增加的电流隔离。由此，可以避免或至少降低传感器装置100可能的操作故障的风险。通过使用电介
质壳4，可以以紧凑的方式实现对最小距离18的有利影响、进而实现高可靠性。所提及的技术效果可以由根据本公开的在此描述的任何传感器装置来提供。
38.图2的传感器装置200可以具有图1的传感器装置100的一个或多个特征。与图1不同，传感器装置200中的介电壳4可以在至少一个位置处超过汇流排2的边缘伸出。由此，结合图1描述的沿壳体内部的界面16在封装材料14与电介质4和6之间的最小距离18可以被进一步增大。在图2中，例如，介电壳4可以超过汇流排2的右手边缘伸出。
39.图3的传感器装置300可以具有上述传感器装置的一个或多个特征。与前面的示例不同，图3示例中的介电壳4可以具有模塑化合物或由其制成。就此而言，介电壳4可以由与封装材料14类似的材料和以类似的方式制成，因此为了简单起见，可以参考之前关于封装材料14的解释。介电壳4和封装材料14的成型材料可以不同或相同。
40.介电壳4可以具有一种或多种模塑化合物或由其制成。在图1中，例如，介电壳4可以由一种模塑化合物制成。在另外的示例中，介电壳4可以由几种不同的模塑化合物制成。例如，介电壳4的底部可以由第一模塑化合物制成，并且介电壳4的一个或多个侧壁可以由不同的第二模塑化合物制成。介电壳4可以设计为一件式或由多个部件组成或组装而成。
41.在图3的示例中，模塑化合物或介电壳4可以覆盖传感器芯片8的一个或多个侧壁。传感器芯片8的背离汇流排2的表面可以不被模塑化合物覆盖。特别地，传感器芯片8的传感器元件10可以不被模塑化合物覆盖。在图3的示例中，传感器芯片8的上侧和模塑化合物可以是齐平的，即位于公共平面中。在另外的示例中，传感器芯片8的上侧可以从模塑化合物的上侧相位伸出，或者模塑化合物的上侧可以至少部分地高出传感器芯片8的上侧。
42.为了避免汇流排2与传感器芯片8的导电区域之间的电击穿或电压击穿、或至少降低与之相关的风险，在传感器芯片8与汇流排2之间仅延伸通过模塑化合物的最小路径20长于400微米。
43.图4的传感器装置400可以具有图3的传感器装置300的一个或多个特征。与图3不同，图4的传感器装置400中的介电壳4不一定必须超过汇流排2的边缘伸出。在z方向上观察，介电壳4的基面可以完全布置在汇流排2的基面内。
44.图5的传感器装置500可以具有上述传感器装置的一个或多个特征。与之前的示例不同，在图5的传感器装置500中，介电层6可以在介电壳4之外布置汇流排2与介电壳4之间。例如，在图5中，介电层6可以超过汇流排2的右手边缘伸出。此外，在所示示例中在z方向上观察，介电壳4的基面可以完全位于介电层6的基面内。对此可替代地，介电壳4可以在至少一个位置超过介电层6伸出，例如超过介电层6的左手端。
45.图6的传感器装置600可以具有上述传感器装置的一个或多个特征。图6的传感器装置600可以具有汇流排2和布置在汇流排2上方并具有一个或多个传感器元件10的传感器芯片8。传感器芯片8可以被设计为检测由通过汇流排2引导的测量电流所感应出的磁场。第一介电层6a可以布置在汇流排2与传感器芯片8之间。此外，可以在第一电介质层6a与传感器芯片8之间布置第二电介质层6b。两个介电层6a和6b的基面可以是不一致的。第一介电层6a可以至少在一个位置超过汇流排2的边缘伸出。与之前的示例类似，传感器装置600可以具有一个或多个连接导体12，并且传感器装置600的所提及部件可以至少部分地被封装材料14封装。
46.介电层6a和6b中的每个层均可以包括先前示例的介电层6的一个或多个特征。介
电层6a和6b可以具有相同或不同的材料，或者可以由相同或不同的材料制成。在图6的示例中，第一介电层6a可以具有一种或多种无机材料或者由其制成。第二介电层6b可以包括一种或多种有机材料或由其制成。
47.在图6的示例中，在z方向上观察(在z方向上的俯视图)，第二介电层6b的基面可以完全布置在第一介电层6a的基面内。换言之，第一介电层6a可以完全超过第二介电层6b伸出。此外，在z方向上观察，传感器芯片8的基面和第二介电层6b的基面可以是一致的，即传感器芯片8和第二介电层6b的侧面可以是齐平的。对此可替代地，第二介电层6b在x和/或y方向上可以在至少一个位置具有比传感器芯片8更大的尺寸。在这种情况下，传感器芯片8的基面尤其可以完全布置在第二介电层6b的基面内。
48.图7的传感器装置700可以具有图6的传感器装置600的一个或多个特征。与图6相比，介电层6a和6b的材料特性可以在图7的传感器装置700中互换。也就是说，在图7中，第一介电层6a可以具有一种或多种有机材料或由其制成，而第二介电层6b可以具有一种或多种无机材料或由其制成。此外，图7中的第二介电层6b在x-y平面中可以具有更大的尺寸。在z方向上观察，传感器芯片8的基面可以完全位于第二介电层6b的基面内。
49.与图1类似，图7显示了传感器芯片8与汇流排2之间沿着两个介电层6a和6b的表面、或沿着封装材料14与介电层6a和6b之间的壳体内部材料界面的最小距离18由箭头指示。为了避免已经结合图1描述的空气击穿和/或短路，最小距离18的长度尤其可以大于400微米。该最小长度可以确保，尽管在壳体内部形成气泡，也能防止空气击穿和/或短路。
50.图8的传感器装置800可以具有图7的传感器装置700的一个或多个特征。类似于图7，在图8的传感器装置800中，第一介电层6a可以具有一种或多种有机材料或由其制成，而第二介电层6b可以具有一种或多种无机材料或由其制成。与图7不同，图8中的汇流排2可以是弯曲的，并且汇流排2的弯曲可以提供第一介电层6a和汇流排2之间的间隔。
51.汇流排2可以具有两个部分或部段22a和22b，它们可以参考z方向位于不同的水平n1和n2上。第一介电层6a可以相对于汇流排2的两个部段22a和22b布置为使得第一介电层6a与汇流排2之间产生间隔。在图8的示例中，汇流排2的另外的部段22c将位于不同高度n1和n2的两个部22a、22b连接，该另外的部段22c可以与它们形成角度α。角度α的值当然可以取决于汇流排2与第一介电层6a之间的期望间距。例如，角度α可以具有在大约10度和大约90度之间的值。汇流排2的弯曲可以通过任何工艺来提供，例如通过弯折、冲压、压印等中的一种或多种。汇流排2尤其可以一件式地设计。
52.图9的传感器装置900可以具有图8的传感器装置800的一个或多个特征。与图8不同，介电层6a和6b的材料特性可以在图9的传感器装置900中互换。也就是说，在图9中，第一介电层6a可以具有一种或多种无机材料或由其制成，而第二介电层6b可以具有一种或多种有机材料或由其制成。此外，图9中的第二介电层6b在x-y平面中可以具有更大的尺寸。在z方向上观察，传感器芯片8的基面可以完全位于第二介电层6b的基面内。此外，在z方向上观察，第二电介质层6b的基面可以完全布置在第一电介质层6a的基面内。换言之，第一介电层6a可以完全超过第二介电层6b伸出。
53.图10示出了根据本发明的用于制造传感器装置的方法的流程图。例如，该方法可以用于制造图1至5中所示的传感器装置之一。图10的方法可以结合任何这些图来阅读。
54.在24，可以布置汇流排。在26，可以将介电壳布置在汇流排上方。在28，可以将介电
层布置在汇流排上方。在30，可以将传感器芯片布置在介电壳内。传感器芯片可以被设计为检测由流过汇流排的电流所感应出的磁场。
55.图11示出了根据本公开的用于制造传感器装置的方法的流程图。例如，该方法可以用于生产图6至9中所示的传感器装置之一。图11的方法可以结合任何这些图来阅读。
56.在32，可以布置汇流排。在34处，可以将传感器芯片布置在汇流排上方。传感器芯片可以设计为检测由流过汇流排的电流所感应出的磁场。在36，可以将第一介电层布置在汇流排与传感器芯片之间。在38，可以将第二介电层布置在第一介电层与传感器芯片之间。两个介电层的基面积可以是不一致的。第一介电层可以至少在一个位置超过汇流排的边缘伸出。
57.图10和11的方法可以具有其他方面。例如，布置在传感器芯片上的介电层(例如图1中的介电层6或图6中的介电层6b)可以在基于晶片的工艺中产生。在这种情况下，介电层例如可以作为传感器芯片的背面钝化来制造、并且尤其可以具有氮化硅。或者，介电层可以基于晶片接合工艺而与传感器芯片连接，例如基于传感器芯片的硅与介电层的玻璃材料之间的阳极接合。或者，可以基于晶片层压工艺制造介电层，其中例如可以将聚酰亚胺或膜层压到要制造传感器芯片的半导体晶片的背面。
58.示例
59.在下文中，使用示例来解释根据本公开的传感器装置。
60.示例1是一种传感器装置，包括：汇流排；布置在汇流排上方的介电壳；布置在汇流排上方的介电层；和布置在介电壳内的传感器芯片，所述传感器芯片被设计为检测由流过汇流排的电流所感应出的磁场。
61.示例2是根据示例1所述的传感器装置，其中所述介电壳或所述介电层中的至少一者在至少一个位置超过所述汇流排的边缘伸出。
62.示例3是根据示例1或2所述的传感器装置，其中所述介电层在所述介电壳内布置在所述介电壳与所述传感器芯片之间。
63.示例4是根据示例1或2所述的传感器装置，其中所述介电层在所述介电壳外布置在所述汇流排与所述介电壳之间。
64.示例5是根据前述示例中任一项所述的传感器装置，其中所述介电壳包括无机材料。
65.示例6是根据示例5所述的传感器装置，其中所述无机材料包括玻璃材料或陶瓷材料中的至少一种材料。
66.示例7是根据示例5或6所述的传感器装置，其中所述传感器芯片与介电壳间隔开。
67.示例8是根据示例5至7中任一项所述的传感器装置，其中在所述传感器芯片与所述汇流排之间沿着所述介电层和所述介电壳的表面的最小距离大于400微米。
68.示例9是根据示例5至8中任一项所述的传感器装置，其中所述介电壳的侧壁超过所述传感器芯片的背离所述汇流排的表面伸出。
69.示例10是根据示例1至4中任一项所述的传感器装置，其中所述介电壳包括模塑化合物。
70.示例11是根据示例10所述的传感器装置，其中：模塑化合物覆盖传感器芯片的侧壁，以及传感器芯片的背离所述汇流排的表面未被模塑化合物覆盖。
71.示例12是根据示例11所述的传感器装置，其中所述传感器芯片的背离所述汇流排的表面和所述模塑化合物的表面齐平。
72.示例13是根据示例10至12中任一项所述的传感器装置，其中在所述传感器芯片与所述汇流排之间仅延伸通过所述模塑化合物的最小路径长于400微米。
73.示例14是根据前述示例中任一项所述的传感器装置，其中所述介电层包括有机材料。
74.示例15是根据示例14所述的传感器装置，其中所述有机材料包括以下至少一项：聚合物、聚酰亚胺、环氧树脂、或硅树脂。
75.示例16是根据前述示例中任一项所述的传感器装置，其中所述介电层包括无机材料。
76.示例17是根据示例16所述的传感器装置，其中所述无机材料包括以下至少一项：玻璃材料、陶瓷材料、或氮化硅。
77.示例18是根据前述示例中任一项所述的传感器装置，其中所述传感器芯片的基面和所述介电层的基面是叠合的。
78.示例19是一种传感器装置，包括：汇流排；布置在汇流排上方的传感器芯片，其中所述传感器芯片被设计为检测由流过汇流排的电流所感应出的磁场；布置在汇流排与传感器芯片之间的第一介电层；和布置在第一介电层与传感器芯片之间的第二介电层，其中两个介电层的基面不叠合，并且其中所述第一介电层至少在一个位置超过所述汇流排的边缘伸出。
79.示例20是根据示例19所述的传感器装置，其中所述第二介电层的基面完全布置在所述第一介电层的基面内。
80.示例21是根据示例19或20所述的传感器装置，其中所述传感器芯片的基面完全布置在所述第二介电层的基面内。
81.示例22是根据示例19或20所述的传感器装置，其中所述传感器芯片的基面和所述第二介电层的基面叠合。
82.示例23是根据示例19至22中任一项所述的传感器装置，其中在所述传感器芯片与所述汇流排之间沿着所述两个介电层的表面的最小距离大于400微米。
83.示例24是根据示例19至23中任一项所述的传感器装置，其中，所述汇流排是弯曲的，并且通过所述汇流排的弯曲而在所述第一介电层与所述汇流排之间提供间隔。
84.示例25是根据示例19至24之一所述的传感器装置，其中：两个介电层中的一个介电层由无机材料制成，并且两个介电层中的另一个介电层由有机材料制成。
85.如本文所用，所使用的词语“上方”和“上”例如是指在物体表面“上方”或“上”形成的材料层或在位于物体表面的“上方”或“上”延伸的材料层。它在本说明书中可用于表示材料层“直接”布置(例如形成、沉积等)在预期表面上，例如与预期表面直接接触。例如，关于形成或布置在表面“上方”或“上”的材料层使用的词语“上方”和“上”在本文中也可以用来表示布置(例如，形成、沉积等)“间接地”在预期表面上，例如，一个或多个附加层位于预期表面和材料层之间。
86.在详细描述或权利要求中使用术语“具有”、“包括”、“包含”、“具有”或其变体的范围内，这些术语旨在以类似于该术语的方式具有包容性“包括”。这意味着为了本说明书的
目的，术语“具有”、“包含”、“具有”、“具有”、“包含”等是指示存在命名元素或特征的开放式术语，但不是其他元素或排除功能。冠词“一/一个”或“这”将被视为包括复数以及单数，除非上下文另有明确说明。
87.此外，此处使用的词语“示例性”表示其用作示例、实例或说明。此处描述为“示例性”的任何方面或设计不一定被解释为具有优于其他方面或设计的任何优点。相反，“示例性”一词的使用旨在以具体方式呈现概念。在本技术中，术语“或”并不意味着排他性的“或”，而是包含性的“或”。也就是说，除非另有说明或上下文允许不同的解释，否则“x使用a或b”表示任何自然包含排列。也就是说，如果x使用a，x使用b，或者x同时使用a和b，那么“x使用a或b”在上述每种情况下都是正确的。此外，如在本技术和所附权利要求中使用的，冠词“一个/一个”可以广义地解释为“一个或多个”，除非明确说明或从上下文清楚地表示仅表示单数。此外，a或b等中的至少一个通常是指a或b或a和b两者。
88.本说明书中描述了装置和用于制造装置的方法。与所描述的设备相关的评论也可以适用于相应的方法，反之亦然。例如，在描述了设备的特定部件的情况下，制造该设备的相应方法可以包括以任何合适的方式提供该部件的动作，即使该动作没有在图中明确描述或图示。
89.尽管已经参考一个或多个实施方式示出和描述了本公开，但是本领域技术人员无疑将至少部分地基于对本说明书和附图的阅读和理解而想到等效的改变和修改。本公开包括所有这样的修改和改变并且仅受所附权利要求的概念的限制。具体而言，关于由上述部件(例如，元素、资源等)执行的各种功能，除非另有说明，否则用于指代此类部件的术语旨在对应于执行指定的任何部件所描述的部件的功能(例如，其功能等效)，即使在结构上不等同于执行在此呈现的本公开的示例实现的功能的公开的结构。此外，尽管仅参考各种实施方式中的一种公开了本公开的特定特征，但是这种特征可以根据需要与其他实施方式的一个或多个其他特征组合，并且对于给定或特定应用是有利的。

技术特征：
1.一种传感器装置，包括：汇流排(2)；布置在所述汇流排(2)上方的介电壳(4)；布置在所述汇流排(2)上方的介电层(6)；和布置在所述介电壳(4)内的传感器芯片(8)，其中所述传感器芯片(8)被设计为检测由流过所述汇流排(2)的电流所感应出的磁场。2.根据权利要求1所述的传感器装置，其中所述介电壳(4)或所述介电层(6)中的至少一者在至少一个位置超过所述汇流排(2)的边缘伸出。3.根据权利要求1或2所述的传感器装置，其中所述介电层(6)在所述介电壳(4)内布置在所述介电壳(4)与所述传感器芯片(8)之间。4.根据权利要求1或2所述的传感器装置，其中所述介电层(6)在所述介电壳(4)外布置在所述汇流排(2)与所述介电壳(4)之间。5.根据前述权利要求中任一项所述的传感器装置，其中所述介电壳(4)包括无机材料。6.根据权利要求5所述的传感器装置，其中所述无机材料包括玻璃材料或陶瓷材料中的至少一种材料。7.根据权利要求5或6所述的传感器装置，其中所述传感器芯片(8)与所述介电壳(4)间隔开。8.根据权利要求5至7中任一项所述的传感器装置，其中在所述传感器芯片(8)与所述汇流排(2)之间沿着所述介电层(6)和所述介电壳(4)的表面的最小距离大于400微米。9.根据权利要求5至8中任一项所述的传感器装置，其中所述介电壳(4)的侧壁超过所述传感器芯片(8)的背离所述汇流排(2)的表面伸出。10.根据权利要求1至4中任一项所述的传感器装置，其中所述介电壳(4)包括模塑化合物。11.根据权利要求10所述的传感器装置，其中：所述模塑化合物覆盖所述传感器芯片(8)的侧壁，并且所述传感器芯片(8)的背离所述汇流排(2)的表面未被所述模塑化合物覆盖。12.根据权利要求11所述的传感器装置，其中所述传感器芯片(8)的背离所述汇流排(2)的表面和所述模塑化合物的表面齐平。13.根据权利要求10至12中任一项所述的传感器装置，其中在所述传感器芯片(8)与所述汇流排(2)之间仅延伸通过所述模塑化合物的最小路径长于400微米。14.根据前述权利要求中任一项所述的传感器装置，其中所述介电层(6)包括有机材料。15.根据权利要求14所述的传感器装置，其中所述有机材料包括以下至少一项：聚合物、聚酰亚胺、环氧树脂、或硅树脂。16.根据前述权利要求中任一项所述的传感器装置，其中所述介电层(6)包括无机材料。17.根据权利要求16所述的传感器装置，其中所述无机材料包括以下至少一项：玻璃材料、陶瓷材料、或氮化硅。18.根据前述权利要求中任一项所述的传感器装置，其中所述传感器芯片(8)的和所述
介电层(6)的基面是叠合的。19.一种传感器装置，包括：汇流排(2)；布置在所述汇流排(2)上方的传感器芯片(8)，其中所述传感器芯片(8)被设计为检测由流过所述汇流排(2)的电流所感应出的磁场；布置在所述汇流排(2)与所述传感器芯片(8)之间的第一介电层(6a)；和布置在所述第一介电层(6a)与所述传感器芯片(8)之间的第二介电层(6b)，其中所述第一介电层(6a)的基面和所述第二介电层(6b)的基面不叠合，并且其中所述第一介电层(6a)至少在一个位置超过所述汇流排(2)的边缘伸出。20.根据权利要求19所述的传感器装置，其中所述第二介电层(6b)的基面完全布置在所述第一介电层(6a)的基面内。21.根据权利要求19或20所述的传感器装置，其中所述传感器芯片(8)的基面完全布置在所述第二介电层(6b)的基面内。22.根据权利要求19或20所述的传感器装置，其中所述传感器芯片(8)的基面和所述第二介电层(6b)的基面叠合。23.根据权利要求19至22中任一项所述的传感器装置，其中在所述传感器芯片(8)与所述汇流排(2)之间沿着所述第一介电层(6a)和所述第二介电层(6b)的表面的最小距离大于400微米。24.根据权利要求19至23中任一项所述的传感器装置，其中所述汇流排(2)是弯曲的，并且通过所述汇流排(2)的弯曲而在所述第一介电层(6a)与所述汇流排(2)之间提供间隔。25.根据权利要求19至24中任一项所述的传感器装置，其中：所述第一介电层(6a)和所述第二介电层(6b)中的一个介电层由无机材料制成，并且所述第一介电层(6a)和所述第二介电层(6b)中的另一个介电层由有机材料制成。

技术总结
一种传感器装置包括汇流排、布置在汇流排上方的介电壳、布置在汇流排上方的介电层、以及布置在介电壳内的传感器芯片，其中传感器芯片被设计为检测由流过汇流排的电流所感应出的磁场。的磁场。的磁场。


技术研发人员：R
受保护的技术使用者：英飞凌科技股份有限公司
技术研发日：2022.12.23
技术公布日：2023/7/20