一种提高E-fuse烧写成功率的烧写方法及系统与流程

一种提高e-fuse烧写成功率的烧写方法及系统
技术领域
1.本发明涉及集成电路设计技术领域，具体涉及一种提高e-fuse烧写成功率的烧写方法及系统。


背景技术：

2.随着集成电路的发展，集成电路的规模也在高度增长，芯片的集成度越来越高，芯片集成度的提高，对集成电路的可配置需求也进一步提高。
3.由于e-fuse的结构简单、对工艺要求不高而且具有较高的可靠性，因此，e-fuse通常广泛应用于电路配置、修复、参数记录等方面。在模拟电路设计中，会面临工艺偏差导致电路性能与设计不符的问题，因此，可以采用e-fuse为芯片提供trimming参数设置的功能。
4.但是传统的方法，非常依赖于电压和电流的稳定性，当同时烧写的e-fuse数量较多时，容易造成漏烧、熔断不彻底等非理想情况，导致烧写成功率降低，降低烧写效率，增加实际生产成本。
5.比如，多个e-fuse同时烧写时需要较大的电流，例如同时烧写100个e-fuse时需要大约10a的电流，这就导致实际烧写时不能提供需要的电流，同时过大的电流会增加压降，从而在实际使用中不能实现对多个e-fuse同时烧写的需求，降低了烧写成功率，不能满足烧写使用需求。


技术实现要素：

6.本发明的目的是提供一种提高e-fuse烧写成功率的烧写方法及系统，改变传统烧写构思，解决目前烧写e-fuse时存在漏烧、熔断不彻底导致e-fuse阵列中单个e-fuse烧写成功率低的问题。
7.本发明解决上述技术问题的方案：
8.s1、采集烧写信息，计算烧写信息中待熔断e-fuse的数量；
9.s2、遍历烧写信息，确定每一个待熔断e-fuse在烧写信息中的位置，得到每一个待熔断e-fuse的位置信息；
10.s3、根据当前烧写信息中待熔断e-fuse的数量和烧写信息中每一个待熔断e-fuse的位置信息，得到多个含有一个待熔断e-fuse的烧写控制信息，所述烧写控制信息的数量与烧写信息中待熔断e-fuse的数量相等，每一个烧写控制信息中待熔断e-fuse的位置与烧写信息中每一个待熔断e-fuse的位置一一对应，将所有烧写控制信息打包得到烧写控制集；
11.s4、将烧写控制信息集中的烧写控制信息依次发送给e-fuse阵列，完成对应e-fuse的烧写；所述e-fuse阵列包括依次排列的多个e-fuse。
12.进一步限定，所述步骤s1具体为：
13.根据e-fuse阵列中e-fuse的数量获取相等信息点数量的烧写信息，将烧写信息中每一个信息点的数字依次相加，得到烧写信息中待熔断e-fuse的数量，所述信息点的数字
为1或0。
14.进一步限定，所述步骤s2具体为：
15.依次对烧写信息中每一个信息点是否存在待熔断e-fuse进行判断，若信息点的数字为1，则存在待熔断e-fuse，记录当前信息点的位置信息，并将当前信息点的位置信息作为该待熔断e-fuse的位置信息；否则静默；遍历烧写信息，完成烧写信息中每一个信息点是否存在待熔断e-fuse的判断后，得到烧写信息中每一个待熔断e-fuse的位置信息。
16.进一步限定，所述步骤s3包括以下步骤：
17.s31、根据待熔断e-fuse的数量建立相同数量的空白信息，多个所述空白信息依次排列，每一个所述空白信息信息点的数量与烧写信息信息点的数量相同，每一个所述空白信息信息点的数字均为0；
18.s32、将多个依次排列的空白信息与多个待熔断e-fuse一一匹配；
19.s33、根据每一个待熔断e-fuse的位置信息将对应空白信息位置信息相同信息点的数字编辑为1，得到与对应待熔断e-fuse匹配的烧写控制信息，将所有烧写控制信息收集得到烧写控制信息集。
20.进一步限定，所述步骤s4具体为：
21.按照烧写控制信息集中烧写控制信息的排列顺序，将第一个烧写控制信息发送给e-fuse阵列，等待烧写间隔时间后，将第二个烧写控制信息发送给e-fuse阵列，如此循环，直至将烧写控制信息集中所有的烧写控制信息发送给e-fuse阵列。
22.一种提高烧写成功率的烧写系统，其特征在于，基于上述提高e-fuse烧写成功率的烧写方法，包括：
23.烧写信息发送单元，用于发送烧写信息；
24.烧写信息处理单元，用于接收烧写信息，计算烧写信息中待熔断e-fuse的数量；遍历烧写信息，确定每一个待熔断e-fuse在烧写信息中的位置，得到每一个待熔断e-fuse的位置信息；根据当前烧写信息中待熔断e-fuse的数量和每一个待熔断e-fuse的位置信息，得到烧写控制信息集，并将烧写控制信息集中的烧写控制信息依次输出；
25.所述烧写控制信息集包括与当前烧写信息中待熔断e-fuse数量相等的多个烧写控制信息，每一个所述烧写控制信息包含一个待熔断e-fuse，每一个烧写控制信息中待熔断e-fuse的位置与烧写信息中每一个待熔断e-fuse的位置一一对应；
26.e-fuse阵列单元，包括依次排布的多个e-fuse，用于接收烧写控制信息，用于在接收到烧写控制信息后每一个e-fuse根据烧写控制信息对应信息点的数字进行熔断或非熔断，直至完成烧写控制信息集中所有烧写控制信息的接收。
27.一种计算机设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序时实现上述方法。
28.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述方法。
29.一种计算机程序产品，其特征在于，所述计算机程序产品包括计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述方法。
30.本发明的有益效果在于：
31.通过对烧写信息的计算，能够得到烧写信息中待熔断e-fuse的数量，同时也能够
得到待熔断e-fuse在烧写信息中的位置，按照待熔断e-fuse的数量和位置信息得到对应的每一个烧写控制信息，进而得到烧写控制信息集，然后将烧写控制信息集中的烧写控制信息依次输入到e-fuse阵列中，当e-fuse阵列接收到烧写控制信息时，每一个e-fuse根据烧写熔断信息中对应信息点的数字确定是否熔断，若熔断，则完成该e-fuse的烧写，若不熔断，则不进行烧写，接收到一个烧写控制信息后对一个e-fuse进行烧写，直至接收完烧写控制信息集中所有烧写控制信息，完成需要的e-fuse的烧写；使得每一次的烧写只进行一个e-fuse的烧写，降低烧写电流，避免了压降，保证烧写成功率，降低工作难度和成本；同时，每一次完成一个e-fuse的烧写，保证烧写电流电压稳定，降低烧写难度，提高烧写稳定可靠性，避免漏烧或者熔断不彻底的问题，进一步提高烧写成功率。
附图说明
32.图1为本发明e-fuse阵列示意图；
33.图2为本发明e-fuse主电路示意图；
34.图3为本发明提高烧写成功率的烧写方式示意图；
35.图4为本发明实施例2提高e-fuse烧写成功率的烧写系统图。
具体实施方式
36.参考图1和图2，其中，在实际使用时，通常会根据需要先选择大小为nbit的e-fuse阵列，即包括n个e-fuse，n为大于1的正整数；然后根据需求编写烧写信息fuse_reg，烧写信息为二进制内容，例如24bit的e-fuse阵列，输入的烧写信息由24个信息点组成，每一个信息点的数字为0或1，例如fuse_reg＝24’b101010101010101010101010，代表存在24个信息点，其中信息点数字为1的有12个，代表存在12个待烧写e-fuse，并且待烧写的e-fuse分别为e-fuse阵列钟第1个e-fuse、第3个e-fuse、第5个e-fuse、第7个e-fuse、第9个e-fuse、第11个e-fuse、第13个e-fuse、第15个e-fuse、第17个e-fuse、第19个e-fuse、第21个e-fuse和第23个e-fuse，其中信息点数字为0代表不烧写，e-fuse阵列中其余的e-fuse不进行烧写，即烧写信息上每一个信息点与e-fuse阵列中每一个e-fuse一一对应，可以根据信息点的数字为0或1判断对应e-fuse是否需要烧写，同时也能够根据是否需要烧写确定信息点的数字为1或者0，通常需要烧写的信息在满足e-fuse阵列大小时，可能会进行10～1000bit的e-fuse烧写。
37.而且传统的烧写方式是将编写的烧写信息直接发送给e-fuse阵列，此时每一个e-fuse根据烧写信息中对应信息点的数字是否为1来判断是否需要熔断对应的e-fuse，若数字为1，在e-fuse主电路中e-fuse熔断，完成该e-fuse的烧写；若不熔断，即e-fuse非熔断，则代表不需要对该e-fuse进行烧写，如此完成e-fuse阵列的烧写；由于需要烧写的e-fuse会同时进行烧写，而每一个e-fuse进行烧写时所需的电流相同，例如单个e-fuse的电阻为50ohm，施加5v的电压时熔断e-fuse所需的电流需要不小于100ma，当需要熔断10个e-fuse时需要施加1a的电流，若烧写100个e-fuse时需要施加10a的电流，所以导致在e-fuse数量较多时，需要较大的电流，导致实际使用时存在电压降，使得电流不稳定，从而导致e-fuse烧写不彻底或者漏烧，造成e-fuse阵列烧写成功率低。
38.实施例1
39.本实施例提供一种提高e-fuse烧写成功率的烧写方法，包括以下步骤：
40.s1、采集烧写信息，计算烧写信息中待熔断e-fuse的数量；
41.s2、遍历烧写信息，确定每一个待熔断e-fuse在烧写信息中的位置，得到每一个待熔断e-fuse的位置信息；
42.s3、根据当前烧写信息中待熔断e-fuse的数量和烧写信息中每一个待熔断e-fuse的位置信息，得到多个含有一个待熔断e-fuse的烧写控制信息，所述烧写控制信息的数量与烧写信息中待熔断e-fuse的数量相等，每一个烧写控制信息中待熔断e-fuse的位置与烧写信息中每一个待熔断e-fuse的位置一一对应，将所有烧写控制信息打包得到烧写控制集；
43.s4、将烧写控制信息集中的烧写控制信息依次发送给e-fuse阵列，完成对应e-fuse的烧写；所述e-fuse阵列包括依次排列的多个e-fuse。
44.步骤s1具体为：
45.根据e-fuse阵列中e-fuse的数量获取相等信息点数量的烧写信息，将烧写信息中每一个信息点的数字依次相加，得到烧写信息中待熔断e-fuse的数量，所述信息点的数字为1或0。
46.参考图3，按照现有的方式根据e-fuse阵列和烧写需求，编写得到烧写信息，然后计算烧写信息中每一个信息点的数字之和，例如将fuse_reg＝24’b101010101010101010101010的烧写信息中每一个信息点的数字1或者0进行相加得到烧写信息每一个信息点的数字之和12＝fuse_num，fuse_num为待熔断e-fuse的数量，由于烧写信息中的1代表待熔断e-fuse，得到的数字12代表该烧写信息中存在待熔断e-fuse的个数为12个，对应的e-fuse阵列中存在12个需要待烧写的e-fuse，计算简单方便，清晰明了。
47.计算烧写信息中待熔断e-fuse个数的方式包括但不限于上述所记载的方法；在计算得到待熔断e-fuse的数量后，能够得到将通过对应数量的烧写周期完成烧写需求，提高效率。
48.步骤s2具体为：
49.依次对烧写信息中每一个信息点是否存在待熔断e-fuse进行判断，若信息点的数字为1，则存在待熔断e-fuse，记录当前信息点的位置信息，并将当前信息点的位置信息作为该待熔断e-fuse的位置信息；否则静默；遍历烧写信息，完成烧写信息中每一个信息点是否存在待熔断e-fuse的判断后，得到烧写信息中每一个待熔断e-fuse的位置信息。
50.其中，在计算完成烧写信息中存在待熔断e-fuse的个数后，还需要确定每一个待熔断e-fuse在烧写信息中的位置，即确定e-fuse阵列中哪一个e-fuse需要熔断进行烧写，所以可以通过对烧写信息中每一个信息点的数字是否为待熔断e-fuse进行判断，为了提高判断效率以及判断准确性，所以选择对烧写信息中每一个信息点的数字依次进行判断，例如，第一次判断时对烧写信息中的第一个信息点的数字进行判断，当第一个信息点的数字为0时，判断为非待熔断e-fuse，此时不进行记录，保持静默，代表烧写信息中第一个信息点的为0，然后进行第二次判断，即对烧写信息中的第二个信息点的数字进行判断，若为1，则判断为待熔断e-fuse，此时将当前的判断次数作为当前待熔断e-fuse的位置信息，即当前待熔断e-fuse的位置信息为2，代表在烧写信息中的第2个信息点的数字为1，如此对烧写信息中每一个信息点的数字进行一次判断，从而根据判断次数来确定对应待熔断e-fuse的位
置信息blown_ctrl_pointer；其中，判断次数为判断烧写信息中第几个信息点的是否为待熔断e-fuse，而非对某一个信息点的数字是否为待熔断e-fuse进行几次判断。
51.参考图3，烧写信息为fuse_reg＝24’b101010101010101010101010时，待熔断e-fuse的位置信息分别为blown_ctrl_pointer＝23、blown_ctrl_pointer＝21、blown_ctrl_pointer＝19、blown_ctrl_pointer＝17、blown_ctrl_pointer＝15、blown_ctrl_pointer＝13、blown_ctrl_pointer＝11、blown_ctrl_pointer＝9、blown_ctrl_pointer＝7、blown_ctrl_pointer＝5、blown_ctrl_pointer＝3和blown_ctrl_pointer＝1，其中digital logic control clk是数字逻辑电路的同步时钟，确保电路的正常工作。
52.通过该方式能够简单快捷地对烧写信息中待熔断e-fuse位置进行确定，同时，也可以根据该方式计算得到烧写信息中存在多少个待熔断e-fuse数量，此时可跳过步骤s1直接执行步骤s2，在每一次得到待熔断e-fuse信息时，记录一次，从而根据记录的次数得到烧写信息中待熔断e-fuse的个数。
53.步骤s3包括以下步骤：
54.s31、根据待熔断e-fuse的数量建立相同数量的空白信息，多个所述空白信息依次排列，每一个所述空白信息信息点的数量与烧写信息信息点的数量相同，每一个所述空白信息信息点的数字均为0；
55.s32、将多个依次排列的空白信息与多个待熔断e-fuse一一匹配；
56.s33、根据每一个待熔断e-fuse的位置信息将对应空白信息位置信息相同信息点的数字编辑为1，得到与对应待熔断e-fuse匹配的烧写控制信息，将所有烧写控制信息收集得到烧写控制信息集。
57.s31具体的，在得到待熔断e-fuse的数量后，先根据fuse_num＝12建立12个空白信息，每一个空白信息信息点的数量与烧写信息的信息点数量相同，即每一个空白信息的信息点为24bit，空白信息每一个信息点的数字为0，随后将12个空白信息依次排序，例如按照建立顺序依次排序，或者任意排序，得到依次排列的12个空白信息。
58.s32具体的，按照待熔断e-fuse的位置信息，例如blown_ctrl_pointer＝1，则将第一个空白信息与位置为1的e-fuse匹配，例如blown_ctrl_pointer＝3，则将第二个空白信息与位置为3的e-fuse匹配，如此，将每一个待熔断e-fuse的位置信息与每一个空白信息一一对应匹配，使得每一个空白信息对应一个待熔断e-fuse的位置信息。
59.s33具体的，根据每一个待熔断e-fuse的位置信息，编辑对应空白信息信息点上的数字，例如将第一个空白信息中的第一个信息点的数字编辑，得到烧写控制信息fuse_blown_ctrl＝24'h000002，即将第一个空白信息中的第一个信息点的数字0编辑为1；同样的，对第二个空白信息进行编辑时，由于第二个空白信息与位置信息为3的待熔断e-fuse匹配，所以将第二个空白信息中第3个信息点的数字0改为1，得到第二个烧写控制信息fuse_blown_ctrl＝24'h000008，如此对每一个空白信息进行编辑，最终得到12个烧写控制信息，将12个烧写控制信息作为烧写控制信息集准备下一步处理，编辑得到的烧写控制信息的排序优选按照e-fuse阵列中待烧写e-fuse的位置顺序进行排列，但也可以按照需求或者任意排列，使得发送时能够依次发送，避免同时发送一个或两个或多个烧写控制信息。
60.步骤s4具体为：
61.按照烧写控制信息集中烧写控制信息的排列顺序，将第一个烧写控制信息发送给
e-fuse阵列，等待烧写间隔时间后，将第二个烧写控制信息发送给e-fuse阵列，如此循环，直至将烧写控制信息集中所有的烧写控制信息发送给e-fuse阵列。
62.其中，在发送烧写控制信息时，一次发送一个，优选为按照12个烧写控制信息的排序依次发送，每一次发送后由于e-fuse的熔断烧写需要时间，所以相邻两个烧写控制信息发送需要间隔一段时间，通常通过慢时钟clk_blow控制烧写控制信息的发送频率，例如烧写单个e-fuse的时间为2ms，则慢时钟为500hz，即相邻两个烧写控制程序的发送间隔时间为2ms。
63.其中，每一个烧写控制信息在发送给e-fuse阵列后，烧写控制信息中每一个信息点的数字以电信号的形式发送给对应位置的e-fuse，当数字为1时，此时e-fuse主电路在接收到数字为1对应的高电平，e-fuse主电路中的e-fuse被熔断，完成该e-fuse的烧写。
64.由于一个烧写控制信息中只有一个1，即只存在一个待熔断e-fuse，所以其余e-fuse接收到的数字为0，即为低电平，不熔断。如此，在每接收一个烧写控制信息，完成一个e-fuse的烧写，直至接收完烧写控制信息集中所有烧写控制信息，完成最后一个e-fuse的烧写后，完成e-fuse阵列的烧写，保证每一个e-fuse的烧写稳定可靠，提高e-fuse的烧写成功率。
65.实施例2
66.参考图4，本实施例提供一种提高e-fuse烧写成功率的烧写系统，包括：
67.烧写信息发送单元，用于发送烧写信息；
68.烧写信息处理单元，用于接收烧写信息，计算烧写信息中待熔断e-fuse的数量；遍历烧写信息，确定每一个待熔断e-fuse在烧写信息中的位置，得到每一个待熔断e-fuse的位置信息；根据当前烧写信息中待熔断e-fuse的数量和每一个待熔断e-fuse的位置信息，得到烧写控制信息集，并将烧写控制信息集中的烧写控制信息依次输出；
69.所述烧写控制信息集包括与当前烧写信息中待熔断e-fuse数量相等的多个烧写控制信息，每一个所述烧写控制信息包含一个待熔断e-fuse，每一个烧写控制信息中待熔断e-fuse的位置与烧写信息中每一个待熔断e-fuse的位置一一对应；
70.e-fuse阵列单元，包括依次排布的多个e-fuse，用于接收烧写控制信息，用于在接收到烧写控制信息后每一个e-fuse根据烧写控制信息对应信息点的数字进行熔断或非熔断，直至完成烧写控制信息集中所有烧写控制信息的接收。
71.本实施例还提供一种计算机设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，处理器执行计算机程序时实现实施例1中记载的方法。
72.本实施例还提供一种计算机可读存储介质，计算机可读存储介质存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现实施例1中记载的方法。
73.本实施例还提供一种计算机程序产品，计算机程序产品包括计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现实施例1中记载的方法。

技术特征：
1.一种提高e-fuse烧写成功率的烧写方法，其特征在于，包括以下步骤：s1、采集烧写信息，计算烧写信息中待熔断e-fuse的数量；s2、遍历烧写信息，确定每一个待熔断e-fuse在烧写信息中的位置，得到每一个待熔断e-fuse的位置信息；s3、根据当前烧写信息中待熔断e-fuse的数量和烧写信息中每一个待熔断e-fuse的位置信息，得到多个含有一个待熔断e-fuse的烧写控制信息，所述烧写控制信息的数量与烧写信息中待熔断e-fuse的数量相等，每一个烧写控制信息中待熔断e-fuse的位置与烧写信息中每一个待熔断e-fuse的位置一一对应，将所有烧写控制信息打包得到烧写控制集；s4、将烧写控制信息集中的烧写控制信息依次发送给e-fuse阵列，完成对应e-fuse的烧写；所述e-fuse阵列包括依次排列的多个e-fuse。2.根据权利要求1所述的提高e-fuse烧写成功率的烧写方法，其特征在于，所述步骤s1具体为：根据e-fuse阵列中e-fuse的数量获取相等信息点数量的烧写信息，将烧写信息中每一个信息点的数字依次相加，得到烧写信息中待熔断e-fuse的数量，所述信息点的数字为1或0。3.根据权利要求1所述的提高e-fuse烧写成功率的烧写方法，其特征在于，所述步骤s2具体为：依次对烧写信息中每一个信息点是否存在待熔断e-fuse进行判断，若信息点的数字为1，则存在待熔断e-fuse，记录当前信息点的位置信息，并将当前信息点的位置信息作为该待熔断e-fuse的位置信息；否则静默；遍历烧写信息，完成烧写信息中每一个信息点是否存在待熔断e-fuse的判断后，得到烧写信息中每一个待熔断e-fuse的位置信息。4.根据权利要求1所述的提高e-fuse烧写成功率的烧写方法，其特征在于，所述步骤s3包括以下步骤：s31、根据待熔断e-fuse的数量建立相同数量的空白信息，多个所述空白信息依次排列，每一个所述空白信息信息点的数量与烧写信息信息点的数量相同，每一个所述空白信息信息点的数字均为0；s32、将多个依次排列的空白信息与多个待熔断e-fuse一一匹配；s33、根据每一个待熔断e-fuse的位置信息将对应空白信息位置信息相同信息点的数字编辑为1，得到与对应待熔断e-fuse匹配的烧写控制信息，将所有烧写控制信息收集得到烧写控制信息集。5.根据权利要求1～4任一项所述的提高e-fuse烧写成功率的烧写方法，其特征在于，所述步骤s4具体为：按照烧写控制信息集中烧写控制信息的排列顺序，将第一个烧写控制信息发送给e-fuse阵列，等待烧写间隔时间后，将第二个烧写控制信息发送给e-fuse阵列，如此循环，直至将烧写控制信息集中所有的烧写控制信息发送给e-fuse阵列。6.一种提高烧写成功率的烧写系统，其特征在于，基于权利要求5所述提高e-fuse烧写成功率的烧写方法，包括：烧写信息发送单元，用于发送烧写信息；烧写信息处理单元，用于接收烧写信息，计算烧写信息中待熔断e-fuse的数量；遍历烧
写信息，确定每一个待熔断e-fuse在烧写信息中的位置，得到每一个待熔断e-fuse的位置信息；根据当前烧写信息中待熔断e-fuse的数量和每一个待熔断e-fuse的位置信息，得到烧写控制信息集，并将烧写控制信息集中的烧写控制信息依次输出；所述烧写控制信息集包括与当前烧写信息中待熔断e-fuse数量相等的多个烧写控制信息，每一个所述烧写控制信息包含一个待熔断e-fuse，每一个烧写控制信息中待熔断e-fuse的位置与烧写信息中每一个待熔断e-fuse的位置一一对应；e-fuse阵列单元，包括依次排布的多个e-fuse，用于接收烧写控制信息，用于在接收到烧写控制信息后每一个e-fuse根据烧写控制信息对应信息点的数字进行熔断或非熔断，直至完成烧写控制信息集中所有烧写控制信息的接收。7.一种计算机设备，包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序时实现权利要求1～5任一所述方法。8.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1～5任一所述方法。9.一种计算机程序产品，其特征在于，所述计算机程序产品包括计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1～5任一所述方法。

技术总结
本发明涉及集成电路设计技术领域，具体涉及一种提高E-fuse烧写成功率的烧写方法及系统，通过对烧写信息的计算，得到烧写信息中待熔断E-fuse的数量，并得到待熔断E-fuse在烧写信息中的位置，按照烧写信息中每一位是否存在待熔断E-fuse来设定烧写控制信息，使每一个烧写控制信息中存在一个待熔断E-fuse，随后依次将烧写控制信息输入E-fuse阵列中，使与待熔断E-fuse对应的E-fuse熔断，从而在接收到一个烧写控制信息时完成一个E-fuse的烧写，从而使单次的烧写电流较低，保证烧写电流电压稳定，降低烧写难度，提高烧写稳定可靠性，避免漏烧或者熔断不彻底的问题，提高烧写成功率。提高烧写成功率。提高烧写成功率。


技术研发人员：张道明 张启东
受保护的技术使用者：西安矽源半导体有限公司
技术研发日：2023.04.14
技术公布日：2023/7/21